Дрейф электрический

Чтобы удалить большинство растворенных в вольфраме газов, необходимо нагреть его в вакууме до температуры около 2200 °С и откачивать в течение примерно двух часов (здесь и в -последующем при обсуждении изменений в вольфраме приводится истинная температура, а не спектральная яркостная температура). После такой обработки основная часть оставшегося в стеклянной оболочке лампы газа будет появляться из молибденовых или никелевых вводов, которые остаются при более низкой температуре, или из стекла. Нагретый вольфрам выделяет следующие газы (в порядке их концентрации) азот, окись углерода и водород. Присутствие их в твердом растворе всегда увеличивает электрическое сопротивление металла. Если после отпайки лампы имеет место чрезмерная дегазация вольфрама, обычно наблюдается гистерезис соотношения со-противление/температура. Этот гистерезис происходит следующим образом. При высоких температурах газ выделяется из глубины металла диффузией к поверхности и испарением. При охлаждении тот же газ, если он не был удален откачкой или абсорбирован в другом месте, конденсируется на поверхности вольфрама и начинает диффундировать обратно в металл, увеличивая тем самым его сопротивление. Скорость, с которой происходят все эти процессы, является экспоненциальной функцией температуры. Для ламп, используемых в области до 1800 °С, дрейф сопротивления при охлаждении, скажем до 1200 °С, может происходить в пределах нескольких дней как результат недостаточной дегазации в начальной стадии или последующей течи. [c.353]

При наложении электрического поля возникают силы, заставляющие электроны дрейфовать — двигаться вдоль поля на хаотическое тепловое движение накладывается упорядоченное движение со скоростью дрейфа. Пользуясь законами классической физики, можно оценить ее порядок по сравнению с тепловой скоростью. [c.33]

Электрическая проводимость электролитов — их главное физическое свойство. Она определяется числом носителей заряда — ионов, зарядом их и скоростью дрейфа в направлении силовых линий электрического поля [c.289]

Полупроводниковые фотоэлементы характеризуются не строгой линейностью зависимости величины электрического сигнала от освещения. Этот недостаток, равно как и непостоянство чувствительности фотоэлемента, нестабильность его питания, а также дрейф усиления измерительной схемы, устраняется применением двухлучевой системы, в которой измеряется не абсолютное значение интенсивности света, прошедшего через поглощающее вещество, а ее отношение к интенсивности света просвечивающего источника. [c.652]

Часто, однако, выражение для и о записывают несколько иначе. Введем величину, численно равную скорости дрейфа электронов в электрическом поле единичной напряженности [c.243]

Напомним, что при движении газа со скоростью дрейфа (см. 5) индуцированное электрическое поле равно и противоположно наложенному, в результате чего ток через газ не идет и никакого магнитогидродинамического воздействия нет. Как видим, при неизменной величине электромагнитного воздействия знак производной скорости изменяется на противоположный при переходе от дозвукового течения (М<1) к сверхзвуковому (М>1) и наоборот. [c.240]

Если ПФ замкнутая и шт>1, то в электрическом голе Е все электроны дрейфуют со скоростью Уд = ЕхВ [c.737]

Под действием электрического поля Е свободные электроны. помимо скорости тепловых движений приобретают компонент электрической скорости и , имеющей направление, противоположное направлению вектора Е. При геометрическом сложении скоростей свободных электронов в некотором объеме металла хаотически направленные скорости От дают в сумме ноль, а о, определяют дрейф электронов. При обычных условиях для металлов соотношение скоростей Ui и, (соответственно 10 и 10 м/с при Е=1В/м и t=20° для меди). [c.12]

Движение носителей заряда в полупроводнике в общем случае обусловлено двумя процессами диффузией под действием градиента их концентрации и дрейфом под действием электрического поля. Полный ток состоит из четырех составляющих. Запишем выражение для его плотности [c.65]

Собственные и примесные полупроводники. Как и в металлах, электрический ток в полупроводниках связан с дрейфом носителей заряда. Но если в металлах наличие свободных электронов обусловлено самой природой металлической связи, то появление носителей заряда в полупроводниках определяется рядом факторов, важнейшими из которых являются чистота материала и температура. В зависимости от степени чистоты полупроводники подразделяют на собственные и примесные. [c.267]

Пример 13.5. Найти скорость дрейфа частицы диаметром 30 мкм при плотности материала р=1,5 г/см в момент ее удара об осадительную пластину. Допустим, что напряженность однородного электрического поля равна 10 кВ/м, межэлектродное расстояние 15 см. [c.329]

Дрейф электронов. При приложении к проводнику электрического поля напряженности ё в нем возникает электрический ток, плотность которого, согласно закону Ома, пропорциональна S [c.179]

Удельная электропроводность. Так как в состоянии теплового равновесия средняя скорость электронов в любом направлении равна нулю, то ее можно не учитывать при вычислении плотности электрического тока и удельной электропроводности проводника, принимая во внимание только скорость дрейфа электронов Од. [c.182]

В квазистационарном поперечном электрическом поле d In ЕI ti) I ) наряду с дрейфом Vn имеется дополнит, дрейф со скоростью Vh, наз. обычно инерционны м, так что полная скорость дрейфа определяется выражением ид по.1н= д+где [c.56]

Движение заряженных частиц в газах может быть изотропным, т. е. равновероятным по всем направлениям, лишь в однородной плазме при отсутствии электрического поля. При наложении электрического поля на частично ионизованную газовую среду распределение скоростей заряженных частиц перестает быть изотропным, что приводит к появлению направленного перемещения всей массы частиц данного сорта, называемому дрейфом. [c.83]

В случае слабого электрического поля функция распределения электронов не зависит от его величины. Скорость дрейфа в этом случае выражается точной формулой Ланжевена [c.83]

Как уже отмечалось, ионы при столкновении с тяжелыми частицами очень эффективно теряют свою энергию. Если считать, что они останавливаются после каждого столкновения с нейтральными атомами, то среднюю скорость их дрейфа в направлении электрического поля можно выразить как [c.83]

Для поддержания разряда, описываемого ВАХ правее точки D, достаточно приложить необходимое напряжение к электродам системы. Этот тип разряда не требует внешнего ионизатора и называется самостоятельным. Напряженности электрического поля в нем достаточно, чтобы обеспечить не только дрейф, но и необходимую скорость рождения электронов. [c.92]

Уравнения (4.7) —(4,8) показывают, что причинами изменения концентрации носителей могут быть неодинаковость числа носителей, втекающих (и вытекающих) в элементарный объем полупроводника (тогда dlvJ O), и нарушение равновесия между процессами генерации и рекомбинации носителей. Уравнения (4.9) и (4.10), называемые уравнениями плотности тока, характеризуют причины протекания электрического тока в полупроводнике электрический дрейф под воздействием электрического поля (grad tp= 0) и диффузию носителей при наличии градиента концентрации. Уравнение Пуассона характеризует зависимость изменений в пространстве напряженности электрического поля Е=—gгadф от распределения плотности электрических зарядов pi [c.156]

Деление описаний объектов иа аспекты и иерархические уровни иепосредствеиио касается математических моделей. Выделение аспектов описания приводит к выделению моделей электрических, механических, гидравлических, оптических, химических н т. и., причем модели процессов функционирования изделии и модели процессов их изготовления различные, например модели полупроводниковых элементов интегральных схем, описывающих процессы диффузии и дрейфа подвижных носителей заряда в полупроводниковых областях при функционировании прибора и процеееы диффузии примесей в полупроводник при изготовлении прибора. [c.37]

В системах газ—жидкость может также возникать дополнительный поток вещества вдоль межфазной границы, обусловленный локальными изменениями поверхностного натяжения во время процесса массопероноса (эффект Марангони). Изменения поверхностного натяжения могут быть вызваны локальными изменениями любой величины, влияющей на поверхностное натяжение, например концентрации вещества на межфазной границе, температуры или электрических величин. Характер движения вещества по межфазной поверхности различен в случае движущихся друг относительно друга или покоящихся (невозмущенных) фаз. В последнем случае могут происходить слабые пульсации коэффициента поверхностного натяжения. Тогда, если движущая сила массопереноса и градиент поверхностного натяжения малы, а естественная конвекция отсутствует, происходит медленный дрейф элементов жидкой фазы с растворенным в ней целевым компонентом вдоль границы раздела, вызванный последовательными сжатиями и растяжениями поверхности раздела фаз. При этом наблюдают образование пространственных долгоживущих ячеек с различной концентрацией целевого компонента. Такой вид поверхностной конвекции часто называют ячеистым поверхностным движением. [c.8]

Деионизация. В любой точке стационарного разряда концентрация заряженных частиц любого типа определяется равенством скоростей образования и потерь частиц в этой точке. Ионизация в плазме приводит к разделению зарядов, но электрическое притяжение ограничивает степень возможного разделения и плазма, как будет показано ниже, остается квазинейтральной. Наряду с ионизацией непрерывно происходят уравновешивающие ее процессы деионизации. К ним относятся рекомбинация заряженных частиц в нейтральные, захват электронов (прилипание), дрейф проводимости и диффузионные процессы, выравнивающие концентрацию (амбиполярная диффузия). [c.46]

Чистый совершенный полупроводник (например, 51, дл которого АЕ 1,1 эВ) вблиаи абсолютного нуля ведет себя как изолятор. С повышением температуры наступает такой момент, когда энергии теплового возбуждения достаточна для массового переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. В результате такого перехода в зоне проводимости появятся электроны, а в валентной зоне — свободные от электронов энергетические уровни, которые, можно в разумных границах ассоциировать с положительными зарядами (дырками). В отсутствие внешнего электрического поля электроны и дырки совершают хаотическое движение. При включении внешнего электрического поля осуществляется направленное движение носителей заряда (дрейф) причем электроны двигаются преимущественно против поля,, а дырки —по направлению поля. [c.84]

В области низких температур электроны и дырки, локализованные на диекретных уровнях, м огут перемещаться по кристаллу лишь путем прыжков (перескоков) с одного уровня на другой. Для преодоления потенциального барьера, разделяющего примесные атомы, требуется энергия активации. В случае малой концентрации примесных атомов расстояния между ними получаются большими, а поэтому вероятность перескока оказывается небольшой и значения подвижности (скорость дрейфа носителей заряда в электрическом поле с напряженностью 100 В/м) также очень малы. Прыжковую проводимость можно обнаружить лишь при настолько низких температурах, что концентрация свободных носителей заряда становится совсем небольшой (но при Т = 0 тепловая активация невозможна). Представление об изолированных атомах примеси оправдано лишь в том случае, если не перекрываются ни их силовые поля, ни волновые функции электронов, локализованных на этих уровнях. [c.120]

При воздействии электрического поля на полупроводник средняя скорость движения носителей заряда становится отличной от нуля и ф 0)ъ направлении, определяемом направлением напряженности электрического поля Е она называется дрейфовой скоростью. Движение носителей заряда под воздействием электрического поля называется дрейфо.м. Плотность электрического тока, проходяшего через полупроводник за счет дв.и.жения электронов, [c.59]

Выражение (3.31) справедливо при значениях напряженности поля Е, не превышающих некоторое критическое значение Е р, т. е. при Е<Екр, при которых подвижности носителей заряда не зависят от напряженности электрического поля и остаются постоянньпии. При Е>Е р носители заряда приобретают за время свободного пробега между столкновениями дрейфовую составляющую скорости, сравнимую со скоростью теплового движения и. При этом происходит насыщение скорости дрейфа, она перестает возрастать вследствие увеличения числа столкновений в единицу времени. Поэтому при Е>Е с ростом напряженности подвижность уменьшается, эта зависимость выражается эмпирической формулой [c.60]

Механизм прохождения тока в металлах — как в твердом, так и в жидком состоянии — обусловлен движением (дрейфом) свободных электронов под воздействием электрического поля поэтому металлы называют проводниками с электронной электропроводностью или проводниками первого рода. Проводниками второго рода, или электролитами, являются растворы (в частности, водные) кислот, щелочей и солей. Прохождение тока через эти вещества связано с переносом вместе с электрическими зарядами ионов в соответствии с закона . и Фарадея, вследствие чего состав электролита постепенно изменяется, а на электродах выделяются продукты электролиза. Ионные кристаллы в расплавленном состоянии также являются проводниками второго рода. Пр1 мером. могут служить соляные закал .ч-ные ванны с злектронагревом. [c.187]

Электрофильтры обладают высоким КПД при улавливании частиц любого размера, кроме самых мелких. Установка электрофильтров стоит довольно дорого, зато расходы на эксплуатацию и ремонт невелики. Типичная система с использованием электрофильтров схематически изображена на рис. 13.17. Пульсирующий постоянный ток высокого напряжения, получаемый путем двух- или однополупе-риодного вырямлення- сетевого напряжения, подводится к пластинчатым осадительным электродам (плюс) и коронирующему проволочному электроду (минус). При этом в пространстве между электродами возникает пульсирующее электрическое поле. Происходит коронный разряд, и с поверхности проволочного коронирующего электрода высвобождаются электроны. Они могут приставать к молекулам газа, которые затем адсорбируются (или абсорбируются) твердыми частицами, содержащимися в потоке газа. Частица, получив результирующий отрицательный заряд, перемещается (дрейфует) по направлению к осади- тельному пластинчатому электроду положительной полярности. [c.328]

Иногда в напылительной камере создают продольное Магнитное поле, параллельное электрическому полю между катодом и анодом. Это поле закручивает траектории электронов, летящих по направлению к стенкам, и тем самым предотвращает накопление на них отрицательного заряда и дрейф к стенкам положительных ионов. [c.64]

Рис. 7.11. Зонная структура арсенида галлия в направлении [1001 (й), и из-гменсние скорости дрейфа электронов с увеличением напряженности электрического поля (б)

Для подключения регистрирующего устройства (осциллографа) к электромодели служит блок катодных повторителей. БКП позволяет подключить регистрирующее устройство к электромодели, не искажая электрический процесс в модели. Он обладает высокоомным входом и низкоомным выходом. Катодные повторители являются усилителями по току. При изменении напряжения на входе ток на выходе изменяется пропорционально напряжению. Схема БКП представлена на рис. 11-3. Катодные повторители собраны по балансной схеме на двойном триоде 6Н2П. Такая схема позволяет получить минимальный начальный ток на выходе и компенсировать дрейф нуля . Сопротивлением 560 Ом регулируется коэффициент усиления. БКП имеет восемь каналов четыре высокой чувствительности и четыре низкой чувствительности. Катодные повторители питаются напряжением от универсального источника питания УИП-1. [c.367]

Т. к. тиристор может быть представлен в виде комбинации двух транзисторов с Г. типа р—п — р и п— р — п, между к-рыми существует положит, обратная связь по току, то всё сказанное о гетеротраизисторах применимо и к гетеротиристорам. Высокий т) по.зволя-ет управлять напряжением вк.1ючения путём преобразования электрич. сигнала в оптический в самой Г. и последующего его преобразования в электрический па коллекторном переходе. Это исключает ограничения на время включения, связанное с диффузией и дрейфом носителей заряда, а также с временем распространения включённого состояния. [c.449]

В зависимости от рода сил различают неск. типов Д. л. ч. ллектрич., полйризац., гравитац., градиентный. Электрическим дрейфом наз. Д. 3. ч. в однородном постоянном электрич. поле Л, перпендикулярном магн. полю (скрещенные электрич. и маги. поля). Электрич. ноле, действующее в плоскости ларморовской окружности, ускоряет движение частицы в тот иолуперпод ларморовского вращения, когда [c.17]

При воздействии на электролитический раствор, каковым является и обычная природная вода, внешним статическим электрическим полем возникает амбиполярный (встречный) дрейф противоионов [c.68]

Электроны в электрическом поле набирают энергию в интервале между столкновениями и отдают их при упругих и неупругих столкновениях с атомами и молекулами газа. Рассматривая изменение количества движения электрона в направлении электрического поля nieUe за время между столкновениями v , в отсутствие неупругих столкновений можно получить приближенное выражение для скорости дрейфа электронов [c.83]

Поддержание разряда, соответствующего пунктирному участку характеристики OAB D, может осуществляться только при наличии внешней ионизации газа в разрядном промежутке, не зависящей от приложенного к нему напряжения. Электрическое поле в этом случае лишь обеспечивает дрейф заряженных частиц. Выключение внешнего ионизатора приводит к прекращению тока разряда. Такой разряд, осуществляемый только при наличии внешней ионизации, называется несамостоятельным. [c.91]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...