Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

[<< Стр.]    [Стр. >>]

4.	Поверхностные уровни могут захватывать электроны и создавать большой отрицательный поверхностный заряд. В приповерхностном слое кристалла образуется недостаток электронов, т, е. создается избыточный положительный заряд. Возникающее таким образом электрическое поле может достигать 10®—10 ° В/м. Оно искривляет энергетические зоны вблизи поверхности кристалла. Искривление зон приводит к изменению работы выхода электронов и ряда других свойств.

[<< Стр.]    [Стр. >>]

ПОИСК



4. Поверхностные уровни могут захватывать электроны и создавать большой отрицательный поверхностный заряд. В приповерхностном слое кристалла образуется недостаток электронов, т, е. создается избыточный положительный заряд. Возникающее таким образом электрическое поле может достигать 10®—10 ° В/м. Оно искривляет энергетические зоны вблизи поверхности кристалла. Искривление зон приводит к изменению работы выхода электронов и ряда других свойств.

[Выходные данные]

© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте