Экситоны магнитные

Экситон-магнитные возбуждения 551 Экситонная молекула 326 Экситоны Ванье—Мотта 312, 429 [c.639]

Несмотря на большой объем материала, который в русском издании занимает два тома, этот материал составляет лишь небольшую долю всех имеющихся приложений теории групп. Здесь не рассматриваются оптические процессы в магнитных системах, связанные, например, со спиновыми волнами оптические процессы, обусловленные электронными возбуждениями, такими, как экситонное поглощение или рассеяние, а также применения теории групп в теории изменения симметрии при непрерывных фазовых переходах, не говоря уже о других важных областях. Я надеюсь, однако, что подробное рассмотрение всех специфических деталей теории оптических явлений, обусловленных инфракрасным поглощением и комбинационным рассеянием света колебаниями решетки, окажется не только наглядным, но и даст читателю смелость и основы для рассмотрения новых проблем, стоящих на переднем крае науки. [c.8]

Согласно (4.15), (4.16), при Q] =0 и при Q2, превышающем обратное время жизни экситона, поляризация Р - равна нулю, а зависимость двух других параметров Стокса (см. (4.2)) от продольного магнитного поля описывается выражениями [c.152]

Рис. 41 показывает воздействие магнитного поля на оптическое выстраивание и ориентацию, а также индуцированную магнитным полем перекачку выстраивания в ориентацию экситонов, возбуждаемых в квантовых точках. При расчете теоретических кривых предполагалось гауссово распределение параметров обменного расщепления [c.155]

В случае магнитных дипольных экситонов оператор взаимодействия (46.19) согласно (46.11) имеет вид [c.362]

Следовательно, компоненты тензора диэлектрической проницаемости, обусловленной магнитными дипольными экситонами, также выражаются через фурье-образы запаздывающей функции Грина [c.363]

Отказавшись от детального описания особенностей отражения света от кристаллов с пространственной дисперсией диэлектрической проницаемости, при исследовании распространения света внутри кристалла мы будем исходить из выражения (56.9). В этом случае отношение амплитуд, возникающих в кристалле нормальных электромагнитных волн определенной частоты и поляризации, определяется однозначно без введения дополнительных граничных условий для экситонных полос различной природы. Полученные результаты имеют строгий смысл, если их относить к случаю распространения света в области г>0, возникающего в кристалле бесконечных размеров под действием сторонних токов (56.5), создаваемых в плоскости г = 0 внутри кристалла. Ниже вычисляется векторный потенциал (56.9), напряженности электрического Ех и магнитного. Ну полей и компонента вектора плотности потока электромагнитной энергии 5 в кристалле для различных предельных случаев. [c.459]

Оператор (62.7) отвечает за электрические, а оператор (62.8) — за магнитные дипольные переходы в кристалле. Согласно общей теории взаимодействия света с кристаллами (см. 46) поглощение света экситонами характеризуется мнимой частью тензора диэлектрической проницаемости, которая в свою очередь выражается через мнимую часть фурье-образов [c.541]

В экситон-магнонном возбуждении, образованном светом, должны участвовать пары ионов, относящиеся к разным магнитным подрешеткам. Тогда равная нулю в основном состоянии суммарная проекция спинов пары ионов сохранит свое нулевое значение при электронном возбуждении с изменением спина 5- 5 = = 5—1 одного иона и при спиновом возбуждении второго иона, соответствующем изменению его проекции спина от значения — 5 до значения — 5 1. [c.553]

При переходе парамагнитного иона в электронное возбужденное состояние его спин изменится, поэтому изменится и его обменное взаимодействие (/->/ ) с соседними ионами другой магнитной подрешетки. Это изменение обусловливает взаимодействие экситона с магноном, которое мы напишем в простейшем виде [c.554]

Их мнимые части определяют широкополосное возбуждение бимолекулярных возбуждений, распадающихся на пары экситонных состояний, относящихся к каждой магнитной подрешетке кристалла. [c.574]

Продольные нормальные волны (плазмоны), в которых электрическое поле является безвихревым, а магнитное поле отсутствует, являются одновременно и реальными, и кулоновскими экситонами. Вместе с тем однородная кулоновская задача имеет и другие решения (в частности, решения, именуемые ниже фиктивными продольными волнами), которые не удовлетворяют полной системе уравнений поля. В фиктивных продольных волнах уже при малых волновых векторах к имеется отличное от нуля безвихревое электрическое поле . В то же время это кулоновское макроскопическое поле [c.23]

Из соотношений (9.14) и (9.18), в частности, следует, что линейные по слагаемые в выражении для энергии кулоновского экситона обращаются в нуль, если вектор 5 направлен вдоль магнитного поля. [c.233]

Возникновение Г. с. о. наблюдалось на молекулярных экситпнах [3], Ванъе — Мотта экситонах в полупроводниках (где /эпк//э 10 , [4, 51), на колебательных экситонах [6] и магнитных возбуждениях в магнитоупорядоченных кристаллах (71- Следствие Г. с. о.— короткие радиац. времена жизни ЭПК Трад /Гпи в прямозонпых полупроводниках 10- с, по- [c.459]

Научный интерес к нанокристаллическому состоянию твердого тела в дисперсном или компактном виде связан прежде всего с ожиданием различных размерных эффектов на свойствах наночастиц и нанокристаллитов, размеры которых соизмеримы или меньше, чем характерный корреляционный масштаб того или иного физического явления или характерная длина, фигурирующие в теоретическом описании какого-либо свойства или процесса (например длина свободного пробега электронов, длина когерентности в сверхпроводниках, длина волны упругих колебаний, размер экситона в полупроводниках, размер магнитного домена в ферромагнетиках и т. д.). [c.5]

Квантовые эффекты наблюдаются и при достижении размеров, соизмеримых с радиусом других квазичастиц экситонов, магнонов, поляронов и т.д., что может проявляться в оптических и магнитных свойствах вещества, связанных с возбуждением эк-ситонных или магнонных состояний вещества. [c.47]

Начнем с более детального обсуждения уже известных взаимодействий между электронами кулоновского отталкивания н фононного притяжения затем рассмотрим квазифонониые механизмы взаимодействия электронов и, наконец, перейдем к нефо-ноиным, или так называемым экситонным , механизмам взаимодействия. В заключение обсудим вопрос о возможности получения больших критических магнитных полей. [c.322]

Для анализа оптической ориентации и выстраивания экситонов удобно рассматривать дублет 1 как пару состояний псевдоспина 5 = 1/2. Тогда гамильтониан, описывающий расщепление дублета в продольном магнитном поле ВII г, можно записать в виде [c.142]

Из (4.43) следует, что при резонансн(ш возбуждении светом, линейно поляризованным по [110] или [ПО], продольное магнитное поле ВII г порождает два эффекта а) подавляет выстраивание экситонов и б) вызывает преобразование линейной поляризации фотолюминесценции в циркулярную. При циркулярно поляризованном возбуждении в отсутствие магнитного поля (Q = 0) фотолюминесценция неполяризована. Продольное магнитное поле восстанавливает циркулярную поляризацию фотолюминесценции и одновременно индуцирует линейную поляризацию Р/. Так как в сверхрешетке типа II имеется два класса экситонов со значениями Q2, отличающимися знаками, то слагаемые в [c.152]

На рис. 44 квадратиками показана зависимость энергетического расстояния Й(Й21 от магнитного поля, измеренная при низкой температуре в образце, содержавшем 50 квантовых ям из dTe шириной 85 А каждая, разделенных барьерами из do sfiMno Те шириной 95 А. Положения Is- и li-резонансов определялись из спектров возбуждения фотолюминесценции при регистрации в области излучения экситона, связанного на [c.171]

Диамагиитные экситоны. В 42.2 указывалось, что в сильном магнитном поле при низких температурах трехмерные квазинепрерывные энергетические зоны превраш,аются в одномерные подзоны Ландау. В 1959 г. Эллиотт и Лаудон [190] показали, что в магнитном поле В, удовлетворяюш,ем условию [c.321]

Экситонные возбужденные состояния антиферродиэлектриков существенно зависят от структуры кристаллов, определяющей среднее поле в кристалле и положение магнитных ионов в решетке, и от величины и направления приложенного внешнего магнитного поля. Ниже мы рассмотрим отдельные примеры. [c.545]

В этом случае энергии двух экситонных полос определяются выражением (62.33). Общие формулы для величин давыдовских расщеплений для других ориентаций магнитного поля рассмотрены в работе Петрова и Харкянена [420]. [c.549]

Электродипольное экситонное поглощение света наблюдается в кристалле СГ.2О3. Именно в этом кристалле Ван-дер-Циль [429] наблюдал давыдовское расщепление, обусловленное обменом возбуждения между трансляционно неэквивалентными парамагнитными ионами Сг +. Кристалл СГ2О3 имеет структуру корунда с четырьмя ионами Сг +, имеющими спин 3/2. Ниже 308 °К спины имеют антиферромагнитную структуру с осью коллинеарности вдоль оси третьего порядка (ось Сз) кристалла. Оптическое поглощение обусловлено переходом иона из основного состояния М2 в состояние Е со спином 1/2. Во внешнем магнитном поле, направленном вдоль оси Сз, давыдовское расщепление линии 13 747 сж в интервале полей О —25-10 э определяется формулой [c.551]

Кроме чисто электронных возбуждений парамагнитных ионов в магнитоупорядоченных кристаллах возможна другая ветвь возбужденных состояний, связанная с одновременным возбуждением электронных состояний (возбуждение экситонов) и колебаний магнитных моментов (возбуждение магнонов). Такие возбуждения получили название экситон-магнонных. Они проявляются в виде широких сильно поляризованных полос —спутников, отделенных от полос чисто электронных переходов интервалом энергии порядка АГуу, которая соответствует предельной энергии [c.551]

Теория экситон-магнонного поглощения в антиферродиэлектриках, находящихся в сильных магнитных полях, развивалась в работе Петрова и Гайдидея [419]. В сильном магнитном поле Яо > КЯдЯг колли- [c.557]

OS = Ио12НЕ- При нарушении коллинеарности экситон-магнон-ный механизм поглощения света ослабляется и в пределе при 0 = 0 полностью исчезает, так как только в паре ионов с противоположной ориентацией спинов суммарная проекция спинов пары ионов сохраняется при возбуждении. В связи с этим для всех антиферромагнетиков, у которых снятие запрета по спину и четности в паре магнитных ионов осуществляется за счет обменного взаимодействия, интенсивность экситон-магнонного поглощения с ростом напряженности внешнего магнитного поля уменьшается по закону [c.558]

Как уже указывалось ранее, электронные возбуждения парамагнитных ионов с незаполненными 3 (-оболочками связаны с уменьшением их спина на единицу. Часто такие переходы носят магнитодипольный характер. Поэтому оптическое возбуждение соответствующих одночастичных состояний в кристалле маловероятно. В аитиферродиэлектриках, содержащих такие ионы, более интенсивное поглощение света связано с одновременным возбуждением одним фотоном двух парамагнитных ионов из разных магнитных подрешеток. При таких двойных возбуждениях (экситон-магнонных, экситон-экситонных) снимается запрет по спину, так как возбуждение второго иона с соответствующим изменением спина может компенсировать изменение спина первого иона. Кроме снятия запрета по спину снимается и запрет по четности, так что переход принимает электродипольный характер. [c.558]

Важные результаты, полученные в исследованиях энергетических зон, сверхпроводимости, магнитного резонанса и в разработке методов, основанных на рассеянии нейтронов, освещены в тексте в тех же разделах, где эти вопросы излагались в третьем издании. Особое внимание уделено элементарным возбуждениям— фононам, илазмонам, поляронам, магнонам и экситонам. [c.10]

Смотреть страницы где упоминается термин Экситоны магнитные : [c.213] [c.245] [c.459] [c.633] [c.205] [c.6] [c.12] [c.299] [c.29] [c.32] [c.36] [c.134] [c.154] [c.170] [c.171] [c.172] [c.545] [c.559] [c.562] [c.25] [c.202] [c.220]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...