Переход металл — диэлектрик

В пек-рых случаях приближение зонной теории оказывается недостаточным для решения вопроса о том, является вещество Д. или проводником. Взаимодействие электронов при определ. условиях приводит к тому, что вещество с незаполненной достаточно узкой разрешённой зоной является Д. (см. Переход металл — диэлектрик). [c.695]

МОТТА ПЕРЕХОД —см. в ст. Переход металл — диэлектрик. [c.214]

Слаболегированным наз, кристаллич. полупроводник (для определённости п-типа), в к-ром концентрация доноров мала По сравнению с концентрацией, при к-рой происходит переход металл — диэлектрик. В таких случаях перекрытие электронных оболочек соседних доноров мало. Поэтому каждый донор можно рассмат- [c.170]

Э. т. п.— частный случай электронных фазовых переходов — качеств, изменения электронной подсистемы металла. Электронные переходы разнообразны. К ним надо отнести переход из нормального в сверхпроводящее состояние (см. Сверхпроводимость), переход из парамагнитного в магнитоупорядоченное состояние (см. Магнитный фазовый переход), переход металл — диэлектрик и др. [c.584]

ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ — ДИЭЛЕКТРИК [c.149]

Переходы металл — диэлектрик. Недавно приближение функционала локальной спиновой плотности было использовано для изучения возможности переходов металл — диэлектрик в трехмерном газе взаимодействующих электронов. Задача решалась на основе модели Н. Мотта для электронов в решетке из неподвижных точечных зарядов (например, решетке водорода). Основное состояние как функция плотности определялось вариационным методом. Если сохраняется высокая пространственно-групповая симметрия [c.199]

Остается, однако, малоисследованной обширная и важная в практическом отношении часть фазовой диаграммы, соответствующая плотностям, промежуточным между твердофазной и газофазной, и высоким давлениям и температурам. Это область неидеальной по отношению к широкому спектру межчастичных взаимодействий плотной плазмы, характеризующаяся большим разнообразием и крайней сложностью описания происходящих здесь физических процессов и явлений. В этой области реализуется также плотная разогретая металлическая жидкость, по мере расширения которой происходят снятие вырождения электронной компоненты, рекомбинация, переход металл-диэлектрик и переход в газовую или плазменную фазу. Сведения о свойствах металлов в этой области ограничены, по-существу, крайне малочисленными измерениями и полуэмпирическими оценками. Достаточно отметить, что из более чем 80 металлов периодической системы параметры критической точки надежно определены только для трех наиболее легкокипящих [51]. [c.359]

Найдено, что при тесном контакте металла с диэлектриком барьер у поверхности металла снижается и суживается, вследствие чего возникает туннельный эффект и часть электронов получает возможность переходить из металла в диэлектрик. Перешедшие электроны образуют в диэлектрике отрицательный заряд, металл же заряжается у поверхности положительно. Возникает контактный двойной электрический слой. [c.83]

Как видно на рис. 7.13, а быстро уменьшается с уменьшением концентрации с атомов Сз или Н ниже максимальной концентрации Со. В некоторой точке, которая видна на кривой для Сз, имеется излом и происходит внезапное падение ст, которое идентифицируется как переход металл—диэлектрик. Изменение электронной структуры лучше всего можно объяснить в рамках [c.135]

Зависимости отражения металлов от температуры вплоть до Гплав На основе теории Друде и теории электрон-фоноиных столкновений исследованы теоретически в работе [126] возможность предплавле-ния и перехода металла в диэлектрик не учитывалась, и для Ag обнаружено расхождение с опытом. [c.233]

Фотоэффект — освобождение электронов, находящихся в веществе в связащюм состоянии, под действием коротковолнового электромагнитного излуче-1шя. Различают внешний и внутренний фотоэффект. Внешним фотоэффектом называют испускание электронов в вакууме или 1шую среду из твердых тел (металлов, полупроводников, диэлектриков) под действием излучения. Внутренним фотоэффектом называют вызванные электромагнитным излучением квантовые переходы электронов внутри полупроводника или диэлектрика из связанных состояний в свободные без вылета наружу. В результате этого увеличивается электрическая проводимость тела. [c.230]

Подробнее о природе перехода металл—диэлектрик, который не является переходом пайерлсовского типа, а также о связи сверхпроводимости с состоянием, описываемым волной спиновой плотности, см. в [52]. [c.652]

ПОГЛОЩЕНИЕ [резонансное гамма-излучения — поглощение гамма-квантов (фотонов) атомными ядрами, обусловленное переходами ядер в возбужденное состояние света < — явление уменьшения энергии световой волны при ее распространении в веществе, происходящее вследствие преобразования энергии волны во внутреннюю энергию вещества или энергию вторичного излучения резонансное — поглощение света с частицами, соответствующими переходу атомов поглощающей среды из основного состояния в возбужденное) ] ПОЛЗУЧЕСТЬ - медленная непрерывная пластическая деформация материала под действием небольших напряжений (и особенно при высоких температурах) ПОЛИМОРФИЗМ — способность некоторых веществ существовать в нескольких состояниях с различной атомной кристаллической структурой ПОЛУПРОВОДНИК (есть вещество, обладающее электронной проводимостью, промежуточной между металлами и диэлектриками и возрастающей при увеличении температуры вырожденный имеет большую концентрацию носителей тока компенсированнын содержит одновременно лонор ,1 и ак- [c.260]

При изменении внеш. условий (давления, темп-ры, состава соединения) в веществах, находящихся в фазе М. д., может произойти переход в металлич. состояние. Он может сопровождаться изменениями в кристаллич. структуре и исчезновением магн. упорядочения. Механизм перехода Мотта во многом ответствен за переход металл — диэлектрик в таких веществах, как VaOg, или в парах металлов. [c.214]

ПАЙБРЛСА переход структурный фазовый переход металл — диэлектрик в кеаэиодномерных соединениях, при к-ром формируются периодич. в пространстве смещения ионов из их положения равновесия в метал-лич. фазе. Смещения сопровождаются перераспределением электронной плотности (см. Волки зарядовой плотности [1, 3]). В квазиодномерных кристаллах с цепочечной структурой атомов (или молекул) электроны проводимости свободно двигаются вдоль цепочек из-за хорошего перекрытия волновых электронных ф-ций соседних атомов в цепочке, но движение электронов между цепочкалш затруднено /4]. [c.520]

ПЕРЕХОД КВАНТОВЫЙ — см. Квантовый переход. ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ — ДИЭЛЕКТРИК — фазовый переход, сопровождающийся изменением величины и характера электропроводности при изменении темп-ры Г, давления р, маги. поля Н или состава вещества. П, м.— д. наблюдаются в ряде твёрдых тел, иногда в жидкостях и газах (плотных парах металлов). Проводимость о при П. м.— д. может меняться сильно (в 10 раз в УдОз, в 101 раз нестехиометричном ЕпО). П. м.— д. легко идентифицируется, если он является фазовым переходом первого рода. В случае перехода 2-го рода классификация его как П. м.— д. часто затруднительна и условна, т. к. при 2" 0К проводимость о О по обе стороны перехода и в самой точке перехода непрерывна. Строгое же разделение веществ на металлы и диэлектрики (полупроводники) можно дать только при 3" = ОК у металлов при Г = ОК а(ы) О, у диэлектриков о((й) , р= 0. С ростом Т в металлах обычно сопротивление растёт, а в диэлектриках и полупроводниках падает. [c.577]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников — однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих р — п-переходы и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью полупроводников к внеш. воздействиям (изменению темп-ры, действию света, электрич. и мвгн. полей п др.), а также поверхностные свойства полупроводников (контакт полупроводник — металл, полупроводник — диэлектрик н их сочетания). [c.47]

Табл. 3. — Полуароволвииовые приборы с одним р— -переходом, гетеропереходом или переходом металл—диэлектрик

ХАББАРДА МСДЁЛЬ — одна из фундам, моделей для описания систем сильно взаимодействующих электронов в кристалле. Модель была предложена в 1963—65 Дж. Хаббардом (1 ] и получила широкое развитие в последующие годы. X. м. является осн. моделью для описания зонного магнетизма в металлах, фазового перехода металл—диэлектрик и разл. аспектов взаимосвязи магн. и электрич. свойств твёрдых тел. Достоинствами модели являются её простота и физ. содержательность. [c.391]

В работах С. П. Шубина и С. В. Вонсовского (1934—36) подробно рассмотрен гамильтониан полярной модели (ПМ) и введены операторы полярных состояний. При за-.мене этих операторов с-числами были получены ур-ния в квазиклассич. приближении, допускающие решение задачи об осн. состоянии системы и спектре разл. типов возбуждений в относительно простом виде. В силу трансляционной симметрии кристалла полярные состояния (типа двоек или дырок ) коллективизируются и могут создавать ток во внеш. электрич, поле. В зависимости от параметров теории кристалл в Ш.— В. м. образует как диэлек-тричесхую, так и металлич. фазу, что в принципе позволяет сформулировать критерий перехода металл — диэлектрик. В рамках Ш.— В. м. находит также естеств. объяснение нецелочисленность величины магн. момента, наблюдаемая экспериментально в ферромагн. металлах. Важной чертой ПМ является возможность описания связи между магн. и электрич. свойствами кристалла, позднее развитая в обменной 4 [c.478]

Многочастичные экситонно-примесные комплексы могут служить центрами конденсации электронно-дырочной жидкости. Система неравновесных электронов и дырок в полупроводнике при низких темп-рах и достаточно малых концентрациях является диэлектрической благодаря образованию Э. и биэкситонов. С ростом плотности носителей заряда из-за экранирования кулоновского взаимодействия экситонный газ должен металлизоваться. При этом переход металл—диэлектрик происходит в том же диапазоне концентраций, что и переход экситонный газ — электронно-дырочная жидкость 1), [c.503]

В случае электронной электропроводности обмен носителями заряда между диэлектриком и электродами существенно облегчается. Однако и в этом случае плотность тока существенно зависит от особенностей электронной структуры контактирующей пары. Электронный контакт металла и диэлектрика может быть нейтральным (омическим), если работа выхода электрона из металла в диэлектрик равна работе выхода электрона из металла в вакуум (ф = Ф) блокирующим (запирающим), если ф>Ф, и инжек-ционным, если ф<Ф. На рис. 2.1 приведены сравнительные энергетические диаграммы контактов металл — вакуум (М—В) и металл— диэлектрик (М — Д). В случае диэлектрика показаны два варианта инжектирующий контакт, способствующий переходу электронов в зону проводимости диэлектрика (уровень дна этой зоны п), и инжектирующий контакт, способствующий переходу дырок в валентную зону диэлектрика (потолок этой зоны обозначен в). [c.46]

Иных возможностей фазовых превращений металла в диэлектрик из одио-электронной теории не следует. Поэтому приведенные на рис. 4.11 экспериментальные характеристики по резкому изменению проводимости различных веществ выходят за пределы предсказаний этой широко распространенной теории. Дело в том, что приближение блоховоких волновых функций, принятое одноэлектрои-ной теорией, основано на особенностях строения волновых функций s- и р-элек-тронов, орбитали которых имеют большую пространственную протяженность и значительное взаимное перекрытие. На рис, 4,11,а,г—е приводились, однако, примеры других соединений (с f- и d-электронами), волновые функции которых локализованы вблизи соответствующих ядер. Прежде чем перечислить различные теоретические интерпретации ФП типа диэлектрик — металл, целесообразно привести более полно, чем иа рис. 4.11, данные об изменении совокупности физических свойств кристаллов в окрестности такого перехода. [c.115]

Двумерные (2М) структуры типа металл—диэлектрик в настоящее время также реализованы, приче.м не только на макроскопическом уровне (в виде чередующихся пленок металла и диэлектрика), но и на микроскопическом (атомные слои). Последние представляют собой наибольший интерес как системы с электрои-фононной неустойчивостью, приводящей к фазовым переходам. В 2М-структурах обнаружена сверхпроводимость (что открывает большие воз- [c.122]

Электрон-фононная неустойчивость в двумерных системах, как и в одномерных, повышена, вследствие чего в них происходят ФП, аналогичные пай-ерлсовскому. Но если в Ш-структурах наиболее типичны переходы металл— пслу.металл—диэлектрик, то в 2Д -структурах наиболее типичны переходы типа металл—полу.металл [38].. Механизм эти.х переходов также обусловлен элект-рон-фонониым взаимодействие.м. [c.123]

Данные по переходам металл — диэлектрик в сн стеме экситонов пока малочисленны. Поскольку при менимость критерия Мотта предполагает равновесную термодинамику, долгоживущие экситоны в кремнии и германии, по-видимому, являются наиболее удобными объектами" для подобных исследований. Труд ность состоит в том, что при низких температурах экситоны находятся в равновесии с электрон-дырочной жидкостью, так что их плотность ограничена плотностью насыщенного пара . Чтобы повысить последнюю до моттовского значения, приходится работать при более высоких температурах и плотностях вблизи критической области на диаграмме состояния жидкость — газ. [c.150]

Рис. 7. Полная энергия на протон в-зависимостл от плотностл (или среднего межэлектронного расстояние), рассчитанная дЛя системы водородных атомов в гипотетической о. ц. к.-решетке "11]. При понижении плотности в системе происходят различные фазовые переходы из парамагнитной фазы П. ФМ — фаза ферромагнитного металла ФД—фаза ферромагнитного диэлектрика АФ — антиферромагнитная фаза с переходом металл — диэлектрик в точке, указанной стрелкой.

Скиннер и др. [22] полагают, что для случая с диэлектриком двойной слой возникает вследствие изменения уровней Ферми в металле и перехода электронов в диэлектрик. Знак заряда на каждой поверхности зависит от природы металла и полимера. [c.83]

Таким образом, современная экспериментальная техника позволяет путем регистрации мощных ударных волн и волн разрежения в металлических образцах единым методом проводить исследование разнообразных состояний вещества—от сильносжатой металлической плазмы, где ионы разупорядочены, а электроны вырождены, до квазинеидеальной больцмановской плазмы и разреженного металлического пара. По мере расширения в системе происходят многообразные малоизученные физические процессы—снимается вырождение электронов, коренным образом перестраивается электронный энергетический спектр, осуществляется частичная рекомбинация плотной плазмы, реализуется переход металл-диэлектрик в электронной неупорядоченной структуре и возникает неидеальная по отношению к различным видам межчастичного взаимодействия плазма. Полученные результаты дали возможность впервые объединить участки фазовой диаграммы, соответствующие радикально отличающимся физическим состояниям [74]. [c.370]

И, в конце концов, разделяются В случае ртути, которая обладает двумя валентными электронами, / лежит между 5- и / -зо-нами, и переход металл—диэлектрик происходит, когда открывается вильсоновская щель . В случае цезия с одним валентным электроном Ef лежит в центре -зоны. Сужение зоны увеличивает корреляционную энергию электронов, и на уровне Ef откры- [c.136]

Такая точка зрения сразу же наводит на мысль провести сравнение с металлами, разбавленными другими диэлектрическими молекулами. В последние годы был изучен ряд таких систем, которые приготовлялись совместным осаждением из газовой фазы на холодную подложку таких металлов, как Na или Си, и инертного газа, такого, как Аг [17, 37]. Оказалось, что такие системы liMeroT зависимость о от с, аналогичную той, которая наблюдалась для Hg и s (рис. 7.13). Происходит аналогичный переход металл—диэлектрик. С другой стороны, в Т1 + -i-TbTe имеется переход металл—полупроводник. Нам кажется, что здесь имеется качественная разница в поведении а как функции с по сравнению с Hg и s, что видно из графика соответствующей зависимости для Tl-fTbTe на рис. 7.13. Последний имеет наклон —d ga/d[g = 1, тогда как для Hg и s он гораздо больще и равен 5,8 и 3,8 соответственно. [c.137]

Смотреть страницы где упоминается термин Переход металл — диэлектрик : [c.243] [c.243] [c.243] [c.244] [c.652] [c.273] [c.257] [c.214] [c.466] [c.466] [c.468] [c.33] [c.41] [c.392] [c.396] [c.146] [c.153] [c.91] [c.202] [c.244]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...