Сдвиг линий ионных

Различные значения п соответствуют различным типам взаимодействий. В случае, если возмущение вызывается свободными электронами и ионами и возмущаемая частица обнаруживает линейный эффект Штарка, л = 2 для квадратичного эффекта Штарка п = А в случае взаимодействий между нейтральными частицами с силами Ван-дер-Ваальса л = 6. При п = 2 контур линии симметричен и не смещен по отношению к ее первоначальному положению. При л — 4 и п 6 происходит сдвиг линии. Значения ширины линий Av и их сдвигов 0V для всех трех случаев приведены ниже ) [c.498]

В газоразрядной плазме расширение и сдвиг линий определяются взаимодействием атома со свободными электронами и ионами (роль соударений с нейтральными атомами при малых давлениях мала). Для ионов поправка на нестационарность в практически интересных случаях отсутствует вследствие их малой скорости. Обозначая через и сечения, вычисленные для случая возмущения свободными электронами, приближенно получим для [c.504]

Недавно Вульф подробно исследовал ширину и сдвиг линий нейтрального и ионизованного гелия (Не I и Не II), светящегося в кварцевой трубке при импульсном разряде. Возникающую в трубке газоразрядную плазму автор считает равновесной и оценивает ее температуру Г = 30 000 К и концентрацию свободных электронов = 3 10 см (ввиду квазинейтральности плазмы в ней возникает столько же ионов He "). Средняя напряженность поля в плазме Е принимается равной 43 кв/см. [c.506]

Схема уровней энергии ионов хрома в рубине изображена на рис. 4.3. Рабочим переходом является переход между уровнями и Мг. Состояние является метастабильным и имеет при комнатной температуре время жизни около 3 мс. Оно состоит из двух близких подуровней Е и 21, расстояние между которыми составляет 29 см- . Переходам между этими подуровнями и основным уровнем М2 соответствуют линии излучения Ri и R2 с длиной волны 0,6943 и 0,6929 мкм при температуре 300 К. При уменьшении температуры кристалла линии Ri и R2 сужаются и смещаются в более коротковолновую часть спектра. В области температур от 20 до 80°С сдвиг линии R, составляет около 6,5-10 3 нм (т. е. 4000 МГц) на 1°С. Поэтому в некоторых случаях (например, чтобы излучение попадало в окно прозрачности атмосферы [48]) требуется введение температурной стабилизации активного лазера. Необходимо [c.160]

При использовании стандартов длин волн я при измерении длин волн следует иметь в виду, что линии ионов могут быть смещены из-за штарковского сдвига. Так, например, линии А1 III, излучаемые различными источниками, отличаются по длинам [c.234]

Характер взаимодействия между ионами электростатический. Ближайшими соседями положительно заряженного иона натрия являются отрицательно заряженные ионы хлора, и наоборот (рис. 4, в). Если увеличить силу Р, для того чтобы сдвинуть верхний ряд атомов относительно нижнего на целый параметр решетки, то в этом случае после сдвига одноименные ионы окажутся один против другого (рис. 4, г). Как известно, одноименные ионы отталкиваются. В результате по линии сдвига образуется трещина. [c.10]

Общая теория штарковского уширения дает соотношения, позволяющие находить концентрацию Ne и кинетическую температуру Ге электронов по ширине и сдвигу спектральных линий. Для многих линий элементов от гелия до кальция, а также для цезия вычислены константы, характеризующие уширение за счет электронов w, ионов а и параметр сдвига с1, которые позволяют находить ширину линии АЛ и ее сдвиг бЛ (в нм) по следующим формулам [c.271]

Спектры трансурановых элементов пока остаются изученными слабо Измерены длины волн большого числа линий у Ри и Ат [П0-иб гих линиях наблюден изотопический сдвиг (см. 95). Линии частично сопоставлены нейтральным атомом и ионом в определенных состояниях ионизации. Также частично разобраны спектры Ат II и Ат I Нормаль- [c.309]

Допплеровский сдвиг и расширение ионных линий в положительном столбе электрического разряда в газах наблюдали С. Э. Фриш и Ю. М- Каган [ ]. Положительные ионы в плазме электрического разряда ускоряются электрическим полем по направлению к катоду. Кроме того, они принимают участие в беспорядочном тепловом движении, что вызывает как сдвиг, так и расширение ионных линий. Благодаря возникающей при этом анизотропии в движении ионов, ширина и сдвиг одной и той же ионной линии различны при наблюдении под разными углами к оси разряда. Экспериментально сдвиг и расширение наблюдались на линиях ионизованных инертных газов (Аг II, Кг И, ХеИ) с помощью эталона Фабри и Перо. Допплеровский характер сдвига был, во-первых, установлен на основании того факта, что он менял знак с изменением направления электрического поля во-вторых, в соответствии с допплеровским соотношением [c.486]

Рис. 276. Зависимость отношения ширины линии к ее сдвигу Av /ov от параметра р для линий Аг II при расширении, вызванном свободными электронами и ионами Аг++.

Более реальным следует считать представление о преимущественном развитии механохимического эффекта в областях выхода линий скольжения, которые в обоих случаях находятся в возбужденном состоянии и вносят подавляющий вклад в величину прироста тока по сравнению со всей остальной поверхностью (активной или пассивной). Этот вклад, равный деформационному приросту тока реакции ионизации металла, определяется деформационным сдвигом химического потенциала атомов металлического электрода, одинаково влияющим на первичный акт перехода для активного и пассивного состояний, различающихся последующими промежуточными стадиями. Как в пленочной, так и в адсорбционной теориях пассивности считается установленным образование поверхностных хемосорбционных (промежуточных) соединений. На первичный акт перехода ион-атома металла при образовании такого промежуточного соединения оказывает влияние механическое воздействие на металлический электрод. [c.86]

В ионных кристаллах диэлектриков с малым числом свободных электронов может проявиться хим. сдвиг спектральной линии ЯМР, Однако из-за большой ширины спектральной линии в стационарных. методах ЯМР хим. сдвиги определяются с трудом и для их исследования обычно используется импульсная методика ЯМР, [c.677]

Во введении уже отмечалось, что вторым после термооптических искажений фактором влияния вариаций температуры на характеристики лазерного излучения является температурная зависимость спектроскопических параметров активных сред. Дрейф температуры приводит к изменению взаимодействия ионов активатора с решеткой, что влечет за собой деформацию контуров линий поглощения и люминесценции, сдвиг по частоте максимумов этих линий, изменение значений времен жизни на уровнях, их населенностей и поперечных сечений вынужденных переходов. [c.102]

Применение в качестве стандартов длин волн—линий водородоподобных ионов может привести к ошибкам из-за сдвигов и уширений, связанных с эффектом Штарка. [c.232]

Герцберг [188] измерил лэмбовский сдвиг для уровня иона гелия НеП. Для этого он исследовал тонкую структуру линии НеН А,= 1640 А ). Схема переходов для этой линии показана на рис. 7.9. Линии НеП возбуждались в полом катоде, охлаждаемом жидким азотом. Схема трубки изображена на рис. 7.10. [c.317]

Изотопические сдвиги удобнее всего наблюдать на разделенных четных изотопах элементов, которые не обнаруживают сверхтонкой структуры. Такие сдвиги были, например, изучены Герцем [5 ] на смесях изотопов неона Ne2o и Ne s и Копферманом и Крюгером [ ] на смесях изотопов и в которых искусственно отношение изотопов было получено близким к 1 1, В табл, 116 эти экспериментальные данные для нескольких линий неона и аргона сравнены с величиной нормального сдвига, вычисленной по формуле (5), Как видно из таблицы, для линий нейтральных атомов наблюденные сдвиги не сильно отличаются от вычисленных значений для линий ионов наблюденные сдвиги относительно велики. Вообш.е, как правило, линии ионов обнаруживают большие сдвиги, чем линии нейтральных атомов. В некоторых случаях и для нейтральных атомов наблюденные сдвиги сильно отличаются от вычисленных значений Av . Так, для ряда линий видимой части спектра Мо1(Мо — Mo ) сдвиги в среднем равны Av = — 0,0126 см знак — означает, что линии более тяжелого изотопа сдвинуты в красную сторону спектра. Значение Avj, для этих линий получается равным -f-0,0020 [c.558]

Как и в двух предыдущих примерах, между электронными спинами ионов Мп + существует сильное обменное взаимодействие, которое уменьшает магнитное поле электронов в месте расположения ядер фтора до его среднего значения, вызывающего хорошо известный сдвиг линии ядерного резонанса фтора. Отличительная особенность состоит в значительной относительной величине сдвига резонанса, которая при вращении поля в плоскости (001) включает изотропную часть, составляющую 7,34% (при 77° К), и анизотропную дипольную часть, почти в 10 раз меньшую. Эти результаты, по крайней мере качественно, находятся в согласии со спектром электронного резонанса Мп +, разведенного вZIlF2 [36]. Наблюдались добавочные линии, обусловленные взаимодействием электронного спина с ядерными спинами При этом величина сдвига согласуется со сдвигом, наблюдавшимся в спектре ядерного резонанса в МпРг. Объяснение такого сильного взаимодействия следует искать в не чисто ионном характере связи Мп + — Р- и в том, что, следовательно, в месте каждого ядра фтора существует заметная плотность неспаренных спинов, приводящая к увеличению изотропного контактного взаимодействия между электронными спинами и ядерными спинами фтора. Детальное обсуждение этого вопроса проведено в работе [36]. [c.190]

Итак, среднее положение смещенных линий сдвигается относительно длины волны Х.0 света, излучаемого покоящимся атомом, на порядок В статье, опубликованной в 1941 г., Айвс и Сти- луэлл сообщили, что наблюдаемое смещение средней длины волны равно 0,074 А, в то время как при расчете по формуле (43) для величины р, определенной по значению ускоряющего потенциала, приложенного к исходным ионам, получается смещение 0,072 А. Это является превосходным подтверждением релятивистской теории эффекта Доплера. [c.361]

В тех случаях, когда светящиеся атомы или ионы имеют направленную скорость, линии будут в силу принципа Допплера сдвинуты. Эти сдвиги наблюдаются при высвечивании атомов и ионов в каналовых лучах. [c.486]

Эмиссионная М. с. расширяет класс исследуемых объектов и физ. явлений. Метод обладает высокой чувствительностью. Можно исследовать образцы с чрезвычайно малой концентрацией радиоакт. ядер (порядка 10 %). В процессе ядерных превращений и каскада у-переходов электронная оболочка иона или его электронное окружение оказываются в неравновесном зарядовом состоянии. Если время жизни неравновесного состояния меньше времени жизни возбуждённого состояния ядра, то в спектрах испускания наблюдаются дополнит, линии с хим. сдвигом и квадрупольным сцеплением, соответствзтощими неравновесному зарядовому состоянию. [c.106]

К наибольшему У. с. л. приводит взаимодействие с за-ряж. частицами в плазме—т. и. штарковское уширение. Для водородоподобных линий осн. роль играет квазистатич. уширение ионами за счёт линейного Штарка эффекта. При этом ширина линии ЗшмЛ г (Л , — концентрация ионов), а сдвиг практически отсутствует. В случае неводородоподобных линий определяющим является уширение электронами вследствие квадратичного эффекта Штарка. Штарковское уширение широко используют для определения концентрации заряж. частиц. [c.262]

Второй механизм, через который вариации температуры вызывают изменение характеристик лазерного излучения, состоит в температурной зависимости спектроскопических параметров активных сред. При повышении температуры изменяется взаимодействие иона активатора с решеткой, что влечет за собой деформацию контуров линий поглощения и люминесценции (сдвиг их по частоте, уменьшение степени неоднородности уширения линии и поперечного сечения вынужденных переходов), а также изменение населенности рабочих уровней активатора. Для неодимсодержащих сред эти эффекты уменьшают коэффициент усиления в активном элементе (см. п. 2.3), а вместе с ним — и КПД лазера. [c.6]

Лэмбовский сдвиг может быть также измерен при исследовании анизотропии излучения линии [196а]. Уровень возбуждается в результате разрушения метастабильных атомов, находящихся на уровне Анизотропия пропорциональна лэмбовскому сдвигу, метод целесообразно применять при измерении лэмбовских сдвигов уровней многозарядных ионов для водорода, гелия и лития существуют более точные методы. [c.321]

Изомерный сдвиг спектра образца, прошедшего только диффузионный обжиг (типа 4—О, рис., в), указывает на то, что в нем ионы железа присутствуют в состоянии Ре +. Эти результаты согласуются с данными химического анализа. Симметричность спектра свидетельствует об отсутствии в образце ионов Ре +, которым соответствует иная область изомерных сдвигов (1,0—1,8 мм1сек относительно нитропруссида натрия вместо 0,4—0,9 мм сек для Ре ). По ущирению линий можно заключить, что в спектре присутствуют несколько шестикомпонентных расщеплений, близких по величине поля и изомерному сдвигу. Дисперсия значений полей и изомерных сдвигов может быть вызвана тем, что ионы Ре + находятся как в тетраэдрических, так и в октаэдрических положениях, значения полей в которых отличаются незначительно, а также набором различных конфигураций локального окружения иона Ре + из-за неупорядоченного расположения ионов в первой и второй координационной сферах. Величина поля в 465 кэ типична для чисто магниевого феррита при комнатной температуре [1]. [c.19]

Тонкая и сверхтонкая структура. Значит, часть спектральных линий обладает тонкой и сверхтонкой структурой, к-рую можно обнаружить с помощью приборов высокой разрешающей силы. Тонкая структура — это очень узкая мультиплетпая структура (см. Мультиплетность) и структура, вызванная сдвиго.и уровней (см. также Л.шба — Ри-зерфорда опыт). Тонкой структурой обладают линии водорода и сходных с ним ионов (ile II, Li III п т. д.). Для водорода величина тонкого расщепления [c.24]

Неадиабатическое электронно-колебательное взаимодействие. Неадиабатическое электронно-колебательное взаимодействие также приводит к температурному сдвигу и температурному уменьшению времени жизни электронного уровня, тем самым и к уширению чисто-электрон-ной линии и ее колебательных повторений. Неадиабатическое уширение может иметь ярко избирательный характер в случае совпадения энергий некоторых колебательных подуровней двух (и более )электронных состояний, когда возникает ситуация, близкая к состоянию преддиссоциации в молекулах. Расчет для мелких электронных ловушек в полупроводниках, глубина которых сравнима с энергиями предельных оптических фононов и где, следовательно, учесть неадиабатичность необходимо, проведен в работе [130]. Аналогичное рассмотрение выполнено также Кривоглазом [131]. Однако и в случае глубоких локальных состояний электронов в примесных центрах ионных кристаллов неадиабатичность, являющаяся здесь обьпсно малой поправкой, может ярко проявляться из-за чрезвычайной чувствительности чисто-электронной линии в случае малого изменения упругих постоянных при электронном переходе она может играть роль основной причины температурного уширения чисто-электронной линии. Это в особенности существенно в тех случаях, когда поблизости от возбужденного электронного уровня имеются другие электронные состояния, например, если соответствующий электронный уровень расщеплен на компоненты, расстояния между которыми порядка 10" эв. В работе Б. 3. Малкина [93] показано, что, исходя из предположения о неадиабатической связи между возбужденными уровнями Сг , как причине температурного сдвига и уширения / -линии рубина, можно прийти к согласующимся с экспериментом выводам. [c.38]

ГИЯ, требуемая на перенос электрона от свободного иона кислорода к свободному иону цинка, равна — 26,9 eV. Та же величина для S— и Zn++ равна — 22,9 eV. Соберём теперь ионы в решётки ZnO и ZnS и будем постепенно уменьшать постоянную решётки, начиная от бесконечно больших значений. Потенциал решётки в тех точках, где находятся положительные ионы, отрицателен, и наоборот, так что во время этого процесса уровни отрицательных ионов понижаются, а уровни положительных ионов повышаются. Это изменение обозначено пунктирными линиями на рис. 215 и 216 из них виден общий сдвиг, который может быть вычислен из потенциалов Маделунга решёток окиси цинка и сульфида цинка. При наблюдаемых междуатомных расстояниях дискретные уровни свободных ионов расширяются в полосы, характерные для зонной структуры, а ниже первой незаполненной зоны, которая адиабатически связана с наиннзшим уровнем свободного Zn- -, [c.475]

С другой стороны, в нормальных парамагвжтмых кристаллаж, в которых относительное расположение парамагнитных ионов и резонирующих -адер хорошо известно, можно наблюдать сдвиг адерной резонансной линии, обусловленный средним полем э.лектронов, наложенным -на внешнее поле. Резонирующие ядра, занимаюдрю неэквивалентные - положения в элементарной ячейке, испытывают различные сдвиги, и резонансная линия может иметь-сложную структуру. [c.188]

Смотреть страницы где упоминается термин Сдвиг линий ионных : [c.505] [c.647] [c.11] [c.203] [c.271] [c.380] [c.715] [c.393] [c.192] [c.224] [c.274] [c.29] [c.432] [c.23] [c.11] [c.103] [c.31] [c.33] [c.47] [c.114] [c.388] [c.190]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...