Спектры трансурановых элементов

Спектры трансурановых элементов пока остаются изученными слабо Измерены длины волн большого числа линий у Ри и Ат [П0-иб гих линиях наблюден изотопический сдвиг (см. 95). Линии частично сопоставлены нейтральным атомом и ионом в определенных состояниях ионизации. Также частично разобраны спектры Ат II и Ат I Нормаль- [c.309]

Изотопы с малым периодом полураспада относительно спонтанного деления применяют для приготовления нейтронных источников, имеющих спектр деления другие трансурановые элементы (например, Ри) — для приготовления нейтронных источников, в которых используется реакция (а, п) на бериллии. [c.431]

Актинидов, как и редких земель, должно быть 14, так что их группа должна заканчиваться на элементе с Z 103. Спектры -этих элементов, особенно трансурановых, изучены пока слабо, что не позволяет в большинстве случаев с уверенностью установить их наиболее глубокие электронные конфигурации. Тем не менее можно считать установленным, что, как и в случае редких земель, последовательное заполнение f-оболочки электронами имеет место лишь для трехкратных ионов. У ионов в состояниях ионизации с меньшей кратностью и у нейтральных атомов актинидов встречаются конфигурации 5f, 5f - 6d, 5f 7s , 5f 6d7s, 5f 6d7s . Торий, как указано ниже, содержит f-электрон лишь в состоянии трехкратной ионизации (Th IV). Вероятные наиболее глубокие электронные конфигурации ионов и нейтральных атомов актинидов приведены в табл. 75, [c.303]

Структура электронных спектров кристаллов при обычных условиях сильно размыта под действием тепловых колебаний атомов кристаллич. структуры, и в большинстве случаев наблюдаются широкие размытые спектральные полосы. При гелиевой темп-ре. можно наблюдать дискретные спектральные линии, к-рые возникают при прямых переходах между экситонными зонами, при переходах между дискретными уровнями электронов и дырок, локализованных на дефектах решётки, либо на акцепторных или донорных примесях в гомеополярных полупроводниках (см. Спектроскопия кристаллов). Помимо колебаний атомов на форму и ширину экситонных линий влияют тип связи в кристалле, его зонная структура и микроструктура экситонного возбуждения. В сильнолегир. полупроводниках ширина линии может зависеть от степени легирования. Дискретные линии наблюдаются и при комнатной темп-ре в поглощении и люминесценции кристаллов, содержащих ионы переходных металлов (хром, железо, палладий, платина и др.), лантанидов и трансурановых элементов, имеющих незаполненные d- и /-оболочки. В кристаллах высокого качества линии таких примесных ионов, напр, линия иона в рубине и линия в иттрий-алюминиевом [c.263]

Очень важно, что каждый из америциевых ионов дает ярко выраженный и характерный только для него спектр поглош,ения. Это позволяет очень эффективно использовать спектрофотометрический метод для исследования окислительно-восстановительных процессов, происходящих с ионами америция в растворах. А это важно не только для химии трансурановых элементов, но и для понимания механизма окислительно-восстановительных реакций вообще. В этом следует видеть одно из важных практических применений искусственного элемента америция. [c.141]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...