Переход индуцированный

Согласно вычислениям (см. упражнение 247) величина 1/сг определяется временами жизни атома на уровнях т, п, обусловленными спонтанными переходами и тушащими столкновениями. С другой стороны, произведение o ((u)u( o) равно числу переходов, индуцированных излучением в единицу времени и в расчете на один атом в единице объема. Поэтому зависимость от комбинации Ь и) и(са)1а имеет простое физическое толкование [c.778]

Пытаясь получить эту формулу из квантовых представлений, согласно которым поглощение и излучение света квантовой системой (молекулой или атомом) сопровождается переходом этой системы из одного энергетического состояния в другое, А. Эйнштейн в 1916 г. высказал гипотезу о наличии в природе процесса индуцированного излучения. Суть его заключается в том, что в квантовых системах, т. е. в системах с дискретными возможными состояниями, помимо спонтанных и безызлучательных переходов могут происходить так называемые вынужденные переходы, индуцированные электромагнитным полем. На рис. 1.2 схематически показаны все возможные виды переходов между двумя выделенными энергетическими состояниями I и 2, характеризуемыми энергиями Si и 82 соответственно. [c.13]

Здесь п — эффективное число легких носителей на атом — статистический вес -состояний Рз и Psd — квадраты матричных элементов 5-5 и s- переходов, индуцированных фононами ц — энергия Ферми 0 —характеристическая температура, соответствующая минимальной энергии фонона, которая может вызвать i- переход. [c.26]

Вероятность перехода, индуцированного этим нолем, равна Р1 где Д — ширина линии. При [c.388]

Поскольку вероятность перехода, индуцированного радиочастотным полем, равна вероятности обратного перехода, радиочастотное поле стремится уменьшить разность населенностей, существующую при тепловом равновесии. Если р и р- — новые равновесные значения населенностей, установившиеся в результате конкурирующих процессов радиочастотного поглощения и спин-решеточной релаксацией, то спиновая температура Тз (более высокая, чем температура решетки) определяется соотношением [c.134]

ВЕРОЯТНОСТИ ПЕРЕХОДОВ, ИНДУЦИРОВАННЫХ СНИН-ФОНОННЫМ [c.375]

Вероятность перехода, индуцированного этим полем, равна Pi — уН / где Асд — ширина линии. При [c.388]

Достаточно одному атому хрома совершить спонтанный переход с метастабильного уровня на основной с испусканием фотона, как возникает лавина фотонов, вызванная индуцированным излучением атомов хрома, находящихся в метастабиль-ном состоянии. Если направление движения первичного фотона строго перпендикулярно плоскости зеркала на торце рубинового цилиндра, то первичные и вторич- [c.316]

Кроме спонтанного испускания и поглощения, Эйнштейн ввел представление еще об одном радиационном процессе, — индуцированном (или вынужденном, или стимулированном) испускании. Индуцированное испускание, в отличие от спонтанного, состоит в испускании фотона под действием внешнего электромагнитного поля атом, находящийся в энергетически более высоком состоянии ( т). переходит в состояние с меньшей энергией ( ), и излучается фотон с частотой Ытп = Вт — Еп)/Н. Энергия, излучаемая в результате вынужденных переходов, и их число в единице объема за единицу времени записываются аналогично (211.5) и (211.6) [c.734]

Величина Втп называется коэффициентом Эйнштейна для вынужденного (индуцированного) испускания. Если поле отсутствует и (( >тп)— 0), то вынужденные переходы не происходят. Таким образом, внешнее поле вызывает переходы, сопровождающиеся как поглощением, так и испусканием фотонов. [c.735]

Волны, испущенные в результате вынужденных переходов, обладают, как показал Эйнштейн, следующей важной особенностью их частота, фаза, направление распространения и состояние поляризации такие же, как у излучения, вызвавшего переходы. Другими словами, индуцированно испущенные фотоны неотличимы от фотонов, падающих на атомы, и роль индуцированного испускания сводится только к увеличению амплитуды поля. [c.739]

Указание. Рассуждаем по аналогии со случаем индуцированного испускания при переходах атома между состояниями тип. Согласно формулам (223.3) и (211.15) имеем соотношения [c.912]

Переход квантовой системы из возбужденного состояния в основное может быть осуществлен как самопроизвольно, так и под влиянием внешних воздействий. В первом случае переход называют спонтанным, во втором — индуцированным (или вынужденным). Вынужденные переходы могут происходить, например, под действием фотонов, энергия которых hv—E —Ei (здесь 2 —энергия возбужденного состояния, Е[ — энергия основного состояния). Как спонтанные, так и индуцированные переходы могут быть излучательными. Излучение, возникающее при спонтанных переходах, называют спонтанным, а при вынужденных — индуцированным (или вынужденным). [c.316]

На явлении индуцированного излучения электромагнитных волн возбужденными квантовыми системами основана работа оптических квантовых генераторов (лазеров). Принцип работы лазера можно понять, рассматривая квантовые переходы между двумя энергетическими уровнями 2 и Е (E2>Ei). [c.316]

В состоянии термодинамического равновесия вероятность заполнения какого-либо энергетического уровня уменьшается с увеличением его энергии. Таким образом, в квантовой системе число частиц П2, находящихся в состоянии Е2, меньше, чем число частиц Hi в состоянии El. Другими словами, населенность верхнего уровня меньше, чем населенность нижнего. Кроме спонтанного и индуцированного излучения в такой системе может также происходить и поглощение электромагнитной энергии. Фотоны с энергией hv = E2—El поглощаются, а частицы с уровня Ei переходят на уровень Е2. Так как i> 2, поглощение является доминирующим. Индуцированные переходы 2-> i в этом случае лишь уменьшает коэффициент поглощения. [c.316]

По трехуровневой схеме работают твердотельные лазеры на кристаллах рубина. Рубин — это кристалл корунда АЬОз с примесью ионов хрома Сг +. Инверсная населенность и индуцированные переходы осуществляются здесь между уровнями хрома. [c.317]

Напомним, что при движении газа со скоростью дрейфа (см. 5) индуцированное электрическое поле равно и противоположно наложенному, в результате чего ток через газ не идет и никакого магнитогидродинамического воздействия нет. Как видим, при неизменной величине электромагнитного воздействия знак производной скорости изменяется на противоположный при переходе от дозвукового течения (М<1) к сверхзвуковому (М>1) и наоборот. [c.240]

Рассмотрим скорость, индуцированную пеленой свободных вихрей, сбегаю ших с присоединенного шнура. В соответствии с рис. 9.6 в точке Л4(хо, Zg) элемен тарная величина индуцированной скорости dV = —[d Г/(4я/г )1 ( os а + os а") Принимая здесь d Г = у(х, tg)dx, h = (xq — х) os у — Zg sin у, переходя к без размерным координатам = х/Ь, = z/b и интегрируя по от 0 до с , получаем [c.282]

Переходя к формулировке уравнений движения пьезоэлектрической среды, будем пренебрегать массовыми силами, которые возникают в результате взаимодействия индуцированных токов и поляризации материала с электрическими и магнитными полями. Тогда уравнения движения пьезоэлектрической среды будут иметь обычный для теории упругости вид [c.238]

Скорость обратных переходов I п, в результате которых испускаются фотоны частоты v , складывается из скоростей спонтанного и индуцированного излучения, причем скорость индуцированного испускания зависит от Lv Итак, [c.150]

В соотношениях (4.2.7), (4.2.8) iV , Nf — числа атомов в состояниях п и f. Величины Afn, Bjn называют эйнштейновскими вероятностями спонтанных и индуцированных переходов. [c.150]

Эйнштейновские вероятности спонтанных и индуцированных переходов 150 Элементарная кинетическая [c.461]

Что такое индуцированные и спонтанные переходы и чем они характеризуются [c.78]

В. Хорстехемке и Р. Лефер [26] распространили понятие фазового перехода на новый класс неравновесных явлений перехода, связанными со случайными свойствами среды. Этот тип переходов авторы [26] назвали неравновесными фа ювыми переходами, индуцированными шумами. Этим на 5ванием подчеркнут тот факт, что новый класс явлений перехода тесно связан с классическими равновесными фазовыми переходами и с неравновесными переходами, характерными для синергетических систем. При анализе неравновесных фазовых переходов, индуцированных случайными свойствами среды (внешний шум), придается важная роль флуктуациям свойств среды, которые в точках неустойчивости системы перестают быть шумом и приводят к глобальным изменениям в системе. [c.43]

Внеш. магн. поле оказывает существ, влияние на О. ф. п., подавляя их или, наоборот, способствуя их возникновению. Поле Яцд может также индуцировать О. ф. и. Напр., в целом ряде антиферромагнетиков при достаточно большом (критическом) значении магн. поля Hf, приложенного вдоль оси антиферромагнетизма, происходит переориентация спинов, и намагниченность магн. подрешёток устанавливается перпендикулярно направлению действующего магн. поля [3] (см. Спин-флоп переход). Индуцированные полем О. ф. п. наблюдались также в слабых ферромагнетиках, в частности в редкоземельных ортоферритах, для к-рых были исследованы разнообразные фазовые диаграммы [c.470]

Электронный переход Мг — может также происходить при магнитном дипольном излучении (разд. 2,б,а). Структура перехода должна быть совершенно такой же, как при электрическом дипольном переходе типа Mi — т. е. должна наблюдаться полоса 0—0. Однако, как уже подчеркивалось, интенсивность таких магнитных дипольных переходов обычно значительно меньше, чем в случае электричг ских дипольных переходов, индуцированных электронно-колебательными взаимодействиями. В дей-. ствительности линейно-изогнутых или изогнуто-линейных переходов таких типов не наблюдалось. [c.221]

Переходы, индуцированные кориолисовым взаимодействием. Структура полосы при запрещенных электронных (или электронно-колебательных) переходах будет отличаться от структуры полосы при разрецюнных переходах, если запрещенные переходы становятся возможными в результате взаимодействия с вращением, т. е. в результате кориолисова взаимодействия. Рассмотрим в качестве наиболее наглядного примера полосу 0,0,. .. — [c.265]

Энергия раджочастотного поля, поглощенная в единицу времени образцом, содержапдам в единице объема Ш спинов I с магнитными моментами у%1, легко вычисляется по формуле (11.30), которая определяет вероятности переходов, индуцированных в единицу времени радиочастотным полем с амплитудой Hi = — вращающимся с частотой 0J = 2nv. Если можно пренебречь насыщением, то разность в населенностях между состояниями 1 = т и Для каждого спина равна [c.42]

Если учесть, следуя Эйнигтейну, также индуцированный переход атома с испусканием, то величина примет вид [c.341]

Нндуцированное излучение, наоборот, обладает такими же характеристиками, что и вынуждающее излучение. Индуцированные фотоны имеют ту же частоту, направление распространения, фазу и поляризацию, что и фотоны, вызвавшие вынужденные переходы. [c.316]

Кроме спонтанного испускания и поглощения Эйнштейн ввел представление о вынужденном (индуцированном или стимулированном) испускании. Под действием внешнего электромагнитного поля атомы, находящиеся в возбужденном состоянии (например, на уровне 2), могут согласно Эйнштейну либо поглощать энергию, переходя на более высокий уровень, либо, наоборот, отдавать энергию к = Ё2— ь возвращаясь на более низкий уровень энергии. Такие переходы являются вынужденными и обусловливают вынужденное испускание. Вероятность этих переходов в единицу времени есть 2lWv Величина Б21 называется коэффициентом Эйнштейна для вынужденного испускания. Если внешнее поле отсутствует (и = 0), то вынужденные переходы не происходят. Таким образом, внешнее электромагнитное поле вызывает переходы, сопровождающиеся как поглощением, так и испусканием энергии. Следует отметить, что существование вынужденного испускания не противоречит и классической теории. Согласно законам электродинамики электромагнитная волна, падающая на колеблющийся диполь, в зависимости от соотношения фаз их колебаний может усиливать или тормозить колебания диполя. Иными словами, излучение, падающее на атом, может заставлять последний не только поглощать, но и испускать соответствующие кванты энергии. [c.143]

Вынужденное испускание. Гипотеза Эйнштейна относительно вынужденного испускания состоит в том, что под действием электромагнитного поля частоты V молекула может, во-первых, перейти с более низкого энергетического уровня Е1 на более высокий 2 с поглощением кванта энергии кх = Е2— 1 (рис. 35.1,6) и, во-вторых, перейти с более высокого уровня 2 на более низкий 1 с испусканием кванта энергии Ау = 2— ( (рис. 35.1, в). Первый процесс принято называть поглощением, второй — вынужденным (индуцированным или стимулированным) испусканием. Скорость каждого из этих процессов пропорциональна соответствующим вероятностям 12 и 21 , где 12 и 21 — коэффициенты Эйнштейна для поглощения и вынужденного испускания и — спектральная плотность излучения. Согласно принципу детального равновесия при термодинамическом равновесии число квантов света йп, поглощенных за время (11 при переходах / —>- 2, должно равняться числу квантов с1п2, испущенных в процессе обратных переходов 2- 1. Число поглощенных квантов согласно Эйнштейну пропорционально спектральной плотности радиации и и числу частиц П на нижнем уровне [c.269]

Исследуя форму индуцированных импульсов, Фабер пришел к выводу, что фазовый переход осуществляется в три хорошо различимые стадии. Сначала сверхпроводящая нить, параллельная поверхности, растет в продольном направлении с постоянной скоростью порядка 10 см/сек, затем расширяется, и вокруг средней части образца за 0,1 сек образуется сверхпроводящая оболочка толщиной 5-10 см, которая увеличивается за счет внутренней части образца, пока из него не будет вытеснен весь поток, вероятно, сквозь маленькие щели в оболочке. Последний процесс протекает лчень медленно, в течение нескольких секунд. [c.660]

Интенсивность комбинационного рассеяния света определяется матричным элементом индуцированного дипольного момента, соответствующего переходу молекулы из колебательного состояния с энергией, в состояние Е -. Расчеты квантовой теории показывают, что в процессе рассеяния света молекула соверщает виртуальный переход или через некоторое промежу- [c.109]

Рассмотрим характер излучательных переходов, основываясь на классической работе Эйнштейна, который еще в 1917 г. ввел понятие о спонтанных и индуцированных переходах. Система, состоящая из двух уровней, показана на рис. 29. Если Е > Е , энергетический уровень 2 лежит выше уровня / и частица находится на уровне 2, то она может перейти на уровень /, испустив квант электромагнитного излучения Лv2l = Е — Е . При этом возможно как спонтанное, так и вынужденное излучение. Вероятность спонтанного излучения, т. е. того, что процесс произойдет за промежуток времени (И, составляет Л 21 При облучении происходит взаимодействие кванта излучения с частицами, составляющими систему, что приводит к одному из двух процессов переходу частицы с уровня / на уровень 2 (поглощение) или, если частица была возбуждена, к обратному переходу (испускание). Вероятность, что какой-то из процессов произойдет за время сИ, пропорциональна плотности излучения и (у) и поэтому может быть записана соответственно В12 и (V) (И и 21 и (V) си. [c.60]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...