Расплавы кристаллов

Результаты исследования влияния перегрева расплава на деформацию корки показали, что нагрев Zn на 200° С выше точки плавления приводит к сглаживанию граней в полом слитке. Это явление можно объяснить тем, что в сильно перегретом расплаве кристаллы растут на стенке изложницы в первый момент кристаллизации медленнее, а, следовательно, равномернее, чем в слабо перегретом расплаве. [c.94]

Решение. Так как чисто эвтектический состав, как это видно из диаграммы рисунка 14,а, содержит 60%. металла В, в расплаве же его содержится больше (75%), то первыми начнут выпадать из расплава кристаллы металла В. Выделится же этого металла такое количество, что оставшаяся в сплаве-эвтектике часть этого металла будет удовлетворять пропорции [c.110]

Первичная структура белого чугуна формируется в результате роста в расплаве кристаллов аустенита и цементита. [c.67]

Смешанными твердыми телами являются многие керамические материалы, имеющие в своем составе кристаллическую и стекловидную фазы. Кристаллическую структуру могут иметь не только неорганические соединения. Сейчас известен ряд синтетических органических смол с кристаллической структурой. Кристаллическую структуру имеет парафин. Одно и то же тело может иметь и кристаллическую и аморфную структуру. Если расплавить кристаллы кварца и достаточно быстро охладить этот расплав, то мы получим аморфное кварцевое стекло, так как в процессе охлаждения не успевает произойти кристаллизация. [c.17]

СКИХ органических полимеров с кристаллической и смешанной структурами. Кристаллическую структуру имеет парафин. Одно и то же по Химическому составу тело может иметь кристаллическую или аморфную структуру. Например, если расплавить кристаллы кварца и достаточно быстро охладить этот расплав, мы получим аморфное кварцевое стекло, так как в процессе быстрого охлаждения не успевает произойти кристаллизация. [c.6]

При температуре начала затвердевания 0о зародыши имеют концентрацию х . При более низкой температуре 6 внешний слой кристаллов обогащается растворенными элементами и из-за слабой диффузии концентрация в сердцевине становится рав-пой вместо лгц. В момент исчезновения расплава кристаллы находятся во взаимном контакте, межкристаллические пространства 5/ содержат растворенный элемент в количестве xf, центры зерен имеют концентрацию х средняя концентрация х равна исходной концентрации расплава х. [c.14]

Градиенты температуры (в основном осевой), кроме того, зависят от скорости кристаллизации вследствие выделения скрытой теплоты кристаллизации. С увеличением скорости выращивания осевой градиент температуры уменьшается. Следует иметь в виду, что на процессы роста вытягиваемого из расплава кристалла значительное влияние оказывает также характер распределения температуры в расплаве. Большие градиенты температуры в расплаве приводят к конвективным потокам в нем, что, в свою очередь, приводит к хаотическим колебаниям температуры на фронте кристаллизации и скорости роста кристалла, а следовательно, к увеличению количества собственных дефектов в кристалле. [c.242]

Существенными недостатками при выращивании монокристаллов из расплава являются неравномерное распределение примесей (а следовательно, и электрических свойств) по длине кристалла, винтовая макронеоднородность распределения примесей в кристаллах, а также структурные несовершенства в кристаллах Се и 51. [c.391]

Как известно, металлы имеют кристаллическую структуру. При затвердевании металла в расплаве одновременно возникает много центров кристаллизации, вследствие чего рост каждого кристалла стеснен соседними. В результате технический металл состоит из большого числа кристаллов неправильной огранки, называемых кристаллитами или кристаллическими зернами. Относительно друг друга кристаллические зерна ориентированы самым различным образом. Вместе с тем в каждом из них атомы расположены совершенно определенно и образуют так называемую кристаллическую решетку, состоящую из повторяющихся одинаковых ячеек. [c.104]

Ионные растворы, образующиеся при плавлении ионных кристаллов или кристаллов с ковалентной полярной связью, обладают громадной концентрацией, так как при плавлении твердых тел объем расплава увеличивается только на 6—8%. Расстояния между ионами в расплаве будут близки к расстояниям между ними в кристалле, а следовательно, энергия взаимодействия между ними будет приближаться к их энергии в кристаллической решетке. [c.289]

У кристаллов появляются ветви второго порядка, свойственные дендритному строению. Последние порции расплава могут оказаться настолько концентрационно переохлажденными, что в них зарождаются новые кристаллы, которые, препятствуя росту столбчатых кристаллов, образуют в центре шва зону с равноосной структурой. [c.454]

Транзистор выращенный — транзистор, изготовленный путем выращивания монокристалла германия или кремния из расплава полупроводника благодаря периодическому внесению в расплав различных легирующих примесей или периодическому изменению скорости вытягивания кристалла в выращиваемом монокристалле создаются чередующиеся зоны с электронной и дырочной проводимостью при выпиливании соответствующего куска монокристалла получают транзисторную структуру [9]. [c.157]

К модификаторам I рода относятся такие, которые образуют в расплаве высокодисперсную взвесь. Частицы этой взвеси служат зародышами, вокруг которых образуются и растут кристаллы. Для металлических расплавов такими модификаторами могут быть тугоплавкие металлы или их соединения. [c.45]

Объемные (трехмерные) дефекты—это микропустоты и включения другой фазы. Они возникают обычно при выращивании кристаллов или в результате некоторых воздействий на кристалл. Так, например, наличие большого количества примесей в расплаве, из которого ведется кристаллизация, может привести к выпадению крупных частиц второй фазы. [c.85]

Дислокации возникают в кристаллах в процессе получения последних, например, при затвердевании расплава. Точно механизм их образования неизвестен. Предполагается, что он связан с осаж-102 [c.102]

В зависимости от соотношения параметров решетки кристаллов паяемого металла и кристаллов, образующихся из расплава, ориентированная кристаллизация может протекать по-разному. Выделяющаяся из расплава новая фаза отличается от паяемого металла видом атомов, типом и параметрами решетки. Образующиеся из нее кристаллы сопрягаются с подложкой такой гранью, в которой расположение атомов наиболее соответствует расположению аналогичных атомов в грани кристалла паяемого металла. Вероятность такой кристаллизации будет тем больше, чем меньше различия межатомных расстояний в плоскостях сопрягающихся фаз. Так, при осаждении алюминия на монокристаллические пластинки платины, при ориентированной кристаллизации меди на никель силы притяжения атомов паяемого металла вынуждают атомы осаждающегося металла занимать узлы не своей решетки, а решетки подложки. Следовательно, кристаллы паяемого металла навязывают образующемуся из расплава кристаллу свой собственный период решетки. Деформация постепенно, с увеличением толщины слоя растущего кристалла снижается. При определенной толщине слоя, кс.нтакти-рующего с подложкой, кристалл приобретает обычный для него период решетки. Это обстоятельство свидетельствует о том, что при пайке в зоне контакта паяемый металл — расплав припоя при наличии ориентированной кристаллизации и различии. между кристаллами подложки и кр сталлами, образующимися из расплава, существует промежуточный слой, в котором решетки как образовавшегося кристалла, так и кристалла подложки находятся в напряженном состоянии. [c.29]

Диаграммы состояния строят для равновесных условий. В этих условиях образующиеся одновременно расплавы, кристаллы или твердые растворы и соединения не изменяются качественно и количественно при заданных концентрации компонентов и температуре в течение сколь угодно длительного времени. Такое равновесное состояние достигается только при очень малых скоростях изменения температуры. Это относится главным образом к охлаждению. Перестройки решетки и процессы выделения, описываемые диаграммами состояния, так же как и концентрационные изменения твердых растворов, связаны с изменением расположения участвующих в этих процессах атомов, т. е. с диффузией. Поскольку скорость диффузии с понижением температуры уменьшается, то ускоренное охлаждение препятствует установлению равновесного состояния, например, в системах Fe—Feg , Си—Sn или А1—Mg. Ускоренный нагрев, ведущий к увеличению под вижности атомов, подавляет установление равновесия в значительно меньшей стеиени. [c.32]

Кожухотрубчатые кристаллизаторы с вращающимся ротрром, на котором укреплены плоские ножи, описаны в [14, 15, 41]. Эти аппараты применяют для выделения парафина, фракционного разделения изомеров ксилола и ряда других органических смесей [14, 15]. Роторные кристаллизаторы работают непрерывно. Исходная смесь подается под избыточным давлением в полость между стенкой охлаждающего цилиндра и ротором. При охлаждении расплава кристаллы образуются преимущественно на внутренней поверхности охлаж- [c.535]

Г. А. Алфинцев, Д. Е. Овсиенко [70, с. 40—53] изучали механизм роста из расплава кристаллов Ga, Bi, Sn в зависимости от переохлаждения на фронте кристаллизации. Установлено, что грани (001) кристалла чистого Ga при Л =0,48°С на фронте кристаллизации не растут. При Д/=0,76°С грань (001) начинает расти со скоростью 1,56-10 м/с. Грань (111) начинает расти только при А >1,10°С. Деформация кристалла Ga путем изгиба или укола растущей грани тонким стеклянным стерженьком приводит к резкому увеличению (примерно в 160 раз) скорости роста граней (001) и (111). Деформированные кристаллы уже растут при Д <0,05°С. Авторы предполагают, что в результате деформации возникают винтовые дислокации в растущем кристалле, в то время как в недеформированном образце рост происходит путем возникновения на грани двумерных зародышей. Скорость роста кристаллов Sn при одинаковых переохлаждениях на границе раздела фаз на несколько порядков больше, чем кристаллов Ga и Bi. [c.67]

Известно несколько таких кристаллов. Так, этиловый эфир пара-лъяшю-бензойный кислоты (анестезин) при получении из раствора кристаллизуется с центром инверсии. Другая, нецентросимметрическая модификация зтих кристаллов, пригодная для сложения и удвоения частот лазеров, получается из расплава [109]. Для получения кристаллов хорощего качества необходима термостабилизация печи и предварительная многократная очистка шихты. Другой кристалл, который можно получать только из расплава, — кристалл ацетамида. Вещество очень гигроскопично, позто- [c.77]

Для еще большего подавления конвекции тигель заполнялся расплавом лишь наполовину и сверху закрывался платиновои крышкой е отверстием. Затравочный кристалл крепился к сапфировому стержню и вытягивался со скоростью 6,6 мм/ч при вращении 38 об/мин. Сразу после отрыва от расплава кристалл выводился из печи со скоростью 28,5 мм/мин. Используя такую технологию выращивания, авторам работы [61] удалось получить нерастрескивающиеся кристаллы диаметром менее 6 мм, кристаллы же большего диаметра растрескивались. Ограниченность размера диаметра является недостатком описываемого метода, так как кристаллы такого размера могут найти лишь ограниченное применение. Кроме того, использование печи сопротивления создает трудности для наблюдения за ростом кристалла регулировка температуры в процессе выращивания также осложнена вследствие большой тепловой инерционности системы. Далее, низкий градиент температуры на поверхности кристалл-расплав затрудняет отвод теплоты кристаллизации во время роста. Для НБН это тем более важно, потому что кристаллы со структурой вольфрамовой бронзы имеют низкую теплопроводность [64]. Создание оптимального градиента в печи сопротивления представляет значительную трудность, тогда как при использовании высокочастотного нагрева градиенты температуры можно варьировать в широких пределах. [c.207]

Результаты XHMirte KOfo анализа пбрвых выращенных из расплава кристаллов сведены в табл. 6.15. Хотя ин-терцретация этих результатов может быть проведена в пределах точности 1 мол. %, разница между количеством содержащегося КаО в расплаве и кристалле, видимо, уменьшается с увеличением концентрации ниобия. [c.286]

Высокоглиноземистый алюминат натрия КзаО ИА12О3 (Р-глинозем) получается кристаллизацией соответствующего расплава. Кристаллы относятся к гексагональной системе с показателями светонреломления 0 = 1.668 /У е = 1.630. Плотность [c.160]

ЗРЬО Р2О5 с температурой плавления 1014° имеет две полиморфные модификации с температурой перехода 171°. Получаемые медленным охлаждением расплава кристаллы имеют гексаго-нально-призматический габитус, одноосные, оптически отрицательные с показателями светопреломления 7Vg= 1.970, = 1.934. Плотность — 7.220 г/см (низкотемпературная модификация). [c.344]

Высокоглиноземистый алюминат натрия хи 2 - -112 глинозем) получается кристаллизацией соответствующего расплава. Кристаллы относятся к гексагональной системе с показателями светопреломления ]Уо=1.668, е= 1.630. Плотность 3.249 г/см . Кристаллическая структура Ка202-11А120з изучена Адельскольдом [6]. Кристаллическая решетка характеризуется следующими параметрами а=5.59, с=22.49 А. [c.201]

С образованием ВаО-ЕгОз-38102 и расплава. Кристаллы ВаО 2г02-38102 имеют показатели светопреломления [Л =1.682, 7Ур=1.678, плотность 3.74 г/см , плавятся без разложения прибли- [c.290]

Выращиваемые из расплавов кристаллы ниобата и танталата лития по сравнению с KDP и DKDP более устойчивы к воздействиям внешней среды при эксплуатации, требуют меньших управляющих напряжений. Однако размеры получаемых кристаллов меньше и они оптически менее однородны, что ограничивает рабочие апертуры устройств. Ниобат и танталат лития, как и другие кристаллы кислородно-окта-эдрического типа, непрозрачны в ультрафиолетовой области и нестойки [c.258]

Роет кристаллов. Из слабо переохлаждённых паров, р-ров и, реже, из расплавов кристаллы растут в форме многогранников. Их наиб, развитые грани обычно имеют простые индексы, кристаллографические, напр, для алмаза это грани куба и октаэдра. В силу геом. соображений размер каждой грани, как правило, тем больше, чем [c.319]

Из расплава кристаллы (напр., большинства металлов) часто растут не огранёнными, а округлыми. Округлые поверхности растут не послойно (тангенциально), а нормально, когда присоединение новых ч-ц к кристаллу происходит практически в любой точке его поверхности. Поверхности кристаллов, растущих послойно, атомногладкие. Это означает, что осн. масса возможных ат. положений в слое занята (рис. 5). Поверхности, растущие нормально, шероховатые. На них число вакансий и адсорбиров. атомов соизмеримо с полным числом возможных ат. положений (рис. 6). Переход от атомно-гладких к шероховатым поверхностям должен иметь хар-р фазового перехода. Такой переход происходит, в частности, при изменении состава системы. Атомно-шероховатые поверхности, а часто и торцы ступеней на атомно-гладких поверхностях содержат множество изломов. На изломах атомы могут переходить в крист, фазу поодиночке, не объединяясь в агрегаты и потому не преодолевая связанных с этой коллективностью потенц. барьеров. Рост шероховатой поверхности и ступеней обусловлен гл. обр. скоростью присоединения отд. ч-ц к изломам. В результате скорости роста шероховатых поверхностей почти одинаковы во всех направлениях и форма растущего кристалла округлая кристаллы с атомно-гладкими поверхностями растут послойно и образуют многогранники. [c.320]

Было показано, что не только, в жидких расплавах, но и при превращении в твердом состоянии новая форма образуется путем зарождения и роста кристаллов скорость этих процессов зависит от переохлаждения. В отличие от кристаллизации из жидкости процесс превращения в твердом состоянии (перекристаллизация) обычно протекает при сильном переохлаждении, и таммановская зависимость с. к. и ч. ц. для этого случая даже более приемлема, чем для случая первичной кристаллизации. [c.49]

Общая теория кристаллизации жидкостей допускает возможность такого сильного переохлаждения расплавов, при котором число центров и скорость роста кристаллов становятся равными нулю (см. рис. 29) и жидкость, загустевая, превращается в стекло, не претерпевая кристаллизации. Долгое время достичь такого состояния в металлах не удавалось, и многими высказывались сомнения относительно получения такого состояния. Однако затвердевание металлов и их сплавов подчиняется общим закономерностям теории кристаллизации, и это указывает на то, что в принципе такое состояние получить возможно и, что наконец, в последние годы удалось получить аморфные металлы. [c.640]

Механическая смесь — компоненты сплава обладают полной взаимной нерастворимостью и имеют различные кристаллические решетки. При этих условиях сплав будет состоять из смеси кристаллов составляющих ее компонентов. Механическая смесь имеет постоянную температуру плавления. Механ1[ческая смесь, образовавшаяся одновременной кристаллизацией из расплава, называется эвтектикой в процессе превращения в твердом состоянии— эвтектоидом (например Fe , + Fe/] — ледебурит Feg + Fe — перлит). [c.6]

Исследуемый металл, нагретый до расплавления, охлаждается и начиная с температуры Гл в нем образуются зародыши твердой фазы. До тех пор пока количество твердой фазы невелико, металл находится в жидкотвердом состоянии (так определяет эту стадию затвердевания акад. А. А. Бочвар), пластичность расплава практически не отличается от пластичности жидкости, так как кристаллы твердой фазы свободно перемещаются в жидкости, не ограничивая ее способность перетекать и занимать любую форму (рис. 12.40, а). [c.475]

При кристаллизации полимеров из расплава возможно фракционирование отдельных видов молекул. Так, при кристаллизации смешанных кристаллов полиэтилена и полидейтероэтилена происходит преимущественно кристаллизация высокомолекулярного полидейтероэтилена, а молекулы по- [c.64]

Для получения аморфных металлов (метааяические стекла) нужны скорости охлаждения порядка миллионов градусов в секунду. Такие скорости охлаждения достигаются при разбрызгивании мелких капель жидкого металла на хорошо отполированную поверхность бысфо вращающегося холодного медного диска. Толщина пленки аморфного металла достигает нескольких микрометров (до 60 мкм) и ширины 200 мм или проволоки диаметром 0,5-20 мкм. Другой вариант - прокатка тонкой струи расплава между двумя массивными медными валиками, расплющивающими капли жидкого металла. При нагреве аморфный металл может реализовать свое стремление к кристалли- [c.118]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...