Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Частота вращения электронов циклотронная

Частота вращения электронов циклотронная 526 Число Био 194  [c.553]

Поведение ГМЭ и ТМЭ существенно различается (качественно и количественно) в областях слабого и сильного магнитных полей. Граница между этими областями определяется безразмерной величиной шт, где Ф = еВ1(т с) — циклотронная частота вращения электрона с эффективной массой т х — время между актами рассеяния.  [c.737]

Генераторами мощных колебаний миллиметрового диапазона волн являются мазеры на циклотронном резонансе. В них применяются винтовые электронные пучки в продольном статич. магн. поле, взаимодействующие с поперечным по отношению к оси пучка перем. электрич, полем резонатора или волновода. Возбуждение колебаний происходит па циклотронной частоте вращения электронов в магн. поле или на одной из её гармоник, а группировка электронов в сгустки обуслов-  [c.433]


Другой важной величиной в плазменных МГД-генераторах является циклотронная частота вращения электронов  [c.525]

Теперь весьма соблазнительно возбуждать любую систему двумя резонансными толчками в надежде увидеть эхо даже в том случае, когда нет каких-либо предварительных указаний, что эхо теоретически возможно. Например, если в сильном магнитном поле создать плазму — ионизованный газ, то свободные электроны плазмы будут двигаться по спиралям вокруг осей, направленных вдоль магнитного поля. Частота вращения электронов, называемая циклотронной частотой, зависит только от величины магнитного поля, но не от скорости электронов. Как и в случае ядерных спинов, мы снова имеем резонансную магнитную систему, и вполне разумно заинтересоваться вопросом сможем ли мы здесь получить эхо.  [c.151]

При увеличении волнового числа к, когда частоты (18), (19) приближаются к циклотронным частотам 2д , фазовая скорость начинает зависеть от к, т. о. появляется дисперсия. Особенно прост случай распространения вдоль магнитного поля. Вдоль поля распространяются 2 поперечные волны с круговой поляризацией. У одной из них, наз. обыкновенной, вектор электрич. поля вращается в направлении вращения ионов. Фазовая скорость этой волны обращается в нуль при о) = При этой частоте имеет место аномальная дисперсия — возникает т. п. ионный циклотронный резонанс. У 2-й волны, необыкновенной, с вращением вектора Е в направлении вращения электронов, фазовая скорость обращается в нуль прио) = 3д , где имеет место электрон-  [c.20]

Неравенство (33.27а) указывает, что электрон совершает много оборотов вокруг силовой линии магнитного поля, прежде чем он испытает столкновение. Неравенство (33.276) позволяет считать поле волны на траектории электрона стационарным, так как частота циклотронного вращения значительно больше частоты звука. Неравенство (33.27в) указывает на резкую неоднородность звукового поля по отношению к характерному радиусу электронной орбиты  [c.207]

НОМ поле, параллельном поверхности металла, когда радиочастотное поверхностное сопротивление убывает всякий раз, как частота становится кратной циклотронной частоте (т.е. частоте вращения электронов). Из измерения периода соответствующих осцилляций радиочастотного поверхностного сопротивления можно получить циклотронную частоту и циклотронную массу, а значит (как объяснено в гл. 2), и информацию о дифференциальных свойствах ПФ. Этот эффект вскоре был обнаружен Фосеттом [145] и в дальнейшем подробно исследовался на различных металлах, особенно Ки-пом и его группой в Беркли (см., например, [236]) Циклотронную массу можно, конечно, также определить из температурной зависимости амплитуды эффекта дГвА.  [c.40]


Классическая интерпретация. Рассмотрим взаимодействие электронов, первоначально равномерно распределенных на циклотронной окружности, с электрич. полем Е волны, имеющим компоненту, вращающуюся с частотой, равной циклотронной частоте электронов (рис. 1,а). В результате взаимодействия циклотронная частота электрона Б, отбирающего энергию у волны, уменьшается и он начинает вращаться медленнее, а циклотронная частота электрона В, отдающего энергию волне, возрастает и он вращается быстрее. Поэтому вблизи электрона А, вращающегося с ненозмущённой частотой, образуется сгусток электронов. Для того чтобы электроны в среднем отдавали свою энергию волне, сгусток должен перемещаться синхронно с тормозящей фазой волны. Для этого частота вращения волны (с учетом доплеровской поправки и — гц) должна немного превышать исходную циклотронную частоту электронов.  [c.25]

В магн. поле ларморовское вращение электронов П. приводит к появлению т. н. магнитотормозного излучения синхротропное излучение, циклотронное излучение) на гармоЕшках циклотронной частоты, осо- бенно существенного при больших (релятивистских)  [c.599]

Ц. р. обусловлен совпадением или кратностью частоты со внешнего электромагнитного поля с ча( то-той Q вращения электронов проводимости в постоян-иом магнитном поле Я в плоскости, перпендикулярной Н (см. Циклотронная частота). Поэтому необходимое условие Ц. р. — достаточно большое время ( во-бодного пробега электропов т, за к-рое успевает проявиться периодичность их движения в плоскости, перпендикулярной Н (электрон между последоват. столкновениями делает много оборотов), т. е. Qt 1.  [c.398]

При распространении вдоль магнитного поля плоскость поляризации магнитогидродинамических волн вращается альфвеновские волны — в сторону циклотронного вращения ионов, а магнитозвуковые — в сторону вращения электронов. Рассмотрим эти волны при со < со /, когда частота вращения много меньше со. Тогда их можно описать простым модельным уравнением, вьшоду которого посвящен данный параграф. В линейном приближении пакет таких волн в координатном пространстве описывается дисперсионным уравнением (1.31). Компоненты магнитного поля в фурье-пространстве связаны соотношениями  [c.46]

ЧАСТОТА (биений циклическая — частота негармонических колебаний, получающихся в результате наложения двух одинаково направленных гармонических колебаний с близкими частотами волны — частота гармоническая (синусоидальная), соответствующая упругой волне колебаний частиц среды вращения — величина, равная отношению числа оборотов, совершенных телом, ко времени вращения линейная— частота гармонических колебаний обращения—частота периодического движения точки по замкнутой траектории несущая — частота модулируемой волны резонансная — частота колебаний, при которой наступает явление резонанса собственная—частота гармонических колебаний системы, не подвергающейся действию внешних сил характеристическая—частота колебаний определенной группы атомов в молекулах, соответствующая определенной химической связи щжлическая — частота гармонических колебаний, умноженная на два пи циклотронная — частота обращения заряженных частиц в постоянном магнитном поле в плоскости, перпендикулярной к вектору напряженности этого поля) ЧИСЛО [Авогадро — число молекул (или атомов) в одном моле вещества (6,022136 10 моль ) волновое — отношение циклической частоты к скорости волны вращательное квантовое определяет энергию ротатора квантовое (главное—целое число, определяющее энергетические уровни водородного атома в стационарном состоянии магнитное— целое число, определяющее проекцию вектора орбитального момента импульса электрона на направление внешнего магнитного поля орбитальное — целое число, определяющее орбитальный момент импульса электрона в атоме спиновое определяет спиновой момент импульса электрона в атоме) координационное — число ближайших к данному атому соседних атомов в кристаллической решетке]  [c.296]


Граница раздела N — S может быть создана внутри однородного металла, находящегося при низкой темп-ре Т < Тс (Те — критическая темп-ра сверхпроводящего перехода), с помощью неоднородного магн. ноля Я. В той области, где Н > Нс (Я — критическое магнитное поле свер.хпроводника), металл находится в нормальном состоянии. Из выражения для циклотронной частоты II — eHlm следует, что при одноврем. изменении знаков заряда е и массы т направление вращения носителей в магн. поле не меняется. Поэтому центры кривизны траекторий электрона и дырки в точке отражения лежат по разные стороны от общей касательной (рис.).  [c.503]

Ооределеиие эффективной массы носителей. В простейшем случае изотропного квадратичного закона дисперсии носителей изоэнергетич. поверхность р)= = ( о — сфера (см. Зонная теори.ч). Определение частоты позволяет найти скалярную эффективную массу носителей W, к-рая совпадает с циклотронной массой т . В случае более сложных законов дисперсии эфф. масса отличается от циклотронной массы. Для эллипсоидальных изоэнергетич. поверхностей зависит только от направления //, что позволяет определить гл. значения тензора эфф. масс. Напр., для электронов в Ge (кубич. симметрия) изоэнергетич. поверхность—совокупность 4 сфероидов (двухосных эллипсоидов), оси вращения к-рых направлены вдоль диагоналей куба, т. е. кристаллографич. осей [111]. В этом случае циклотронная частота  [c.430]

Циклотронный резонанс в металлах. Расположение внешних полей относительно плоского образца (обычно используемая геометрия опыта по циклотронному резонансу в металле) схематически показано на рнс. 10.24. Радиус орбиты электрона в магнитном поле напрянсенностью 10 кГс (1 тесла) составляет примерно 10 см и, таким образом, много больше толщины скин-слоя при микроволновых частотах переменного электрического поля для чистых хметаллов при низких температурах. Электроны при вращении по орбитам, как изобра Кено справа на рис. 10.24, будут взаимодействовать с переменным электрическим полем лишь на небольшом участке каждого оборота. Электроны получают результирующее ускорение, если при последовательных прохождениях скин-слоя они оказываются каждый раз в фазе высокочастотного поля. Условие резонанса состоит в том, что период Т обращения электрона по орбите должен быть целым кратным периода 2л/со переменного поля, т. е.  [c.361]


Смотреть страницы где упоминается термин Частота вращения электронов циклотронная : [c.426]    [c.67]    [c.483]    [c.107]    [c.361]   
Теоретические основы теплотехники Теплотехнический эксперимент Книга2 (2001) -- [ c.526 ]



ПОИСК



Циклотрон

Частота вращения

Частота циклотронная



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте