Смещенный р-я-переход

Из рассмотренной картины следует, что относительно переключения диод ведет себя как сопротивление R, созданное областью объемного заряда, и зашунтированное емкостью Сд, обусловленной накоплением заряда неосновных носителей при прямом смещении и рассасыванием его при обратном смещении. Эту емкость называют диффузионной емкостью р—я-перехода. При подаче прямого смещения ток в диоде в начальный момент представляет собой в основном ток заряда емкости Сд и по своей величине может быть большим. При переключении диода в обратное направление обратный ток представляет собой в начальный момент в основном ток разряда емкости Сд и также может быть большим. [c.232]

Рис. 8.8. Схема метода определения заряда диффундирующих ионов (х — смещение в электрическом поле п (без поля) и гг (с полем) — радиусы р — я-переходов после прогрева).

Как видно из формул (2-96) и (2-97), в отличие от случая многослойного плоского конденсатора порядок расположения материалов в слоях цилиндрического конденсатора существенна п р я ж е н н о с т ь поля в отдельных слоях. Для того чтобы получить наиболее выгодное распределение (получение более "низких максимальных значений ,), нужно стремиться во внутренние слои многослойного цилиндрического конденсатора помещать диэлектрики с большим е ( градирование изоля-ц и и , применяемое, например, в технике силовых кабелей высокого напряжения). Это — частный случай общего правила в неоднородном поле для уменьшения электрической нагрузки электроизоляционных материалов следует в места с наибольшим электрическим смещением помещать материалы с наибольшим е. тем, что направления силовых ли-поля и линий индукции совпадают, индукции при переходе из одной [c.150]

Рассмотренные схемные модели получены в одномерном приближении и не учитывают многих эффектов, свойственных интегральным транзисторам. Для современных интегральных транзисторов характерна асимметричная структура. Транзисторы этого типа обладают следующими свойствами неоднородной областью базы (наличие градиента концентрации примесей в ней) вытеснением инжекции к периферии эмиттера пренебрежимо малым инверсным коэффициентом усиления существенно разной площадью эмиттерного и коллекторного переходов влиянием подложки на процессы в транзисторе работают при высоких уровнях инжекции, т. е. необходимо учитывать диффузию и дрейф носителей в базе. На рис. 6.5 показана схема протекания токов в интегральном п-р-я-тран-зисторе. Процессы носят выраженный двумерный характер. Отмеченные особенности приводят к появлению следующих эффектов, которые не учитывались в предыдущих моделях уменьшению коэффициента В с увеличением уровня инжекции зависимости коэффициента В от тока коллектора накоплению заряда в коллекторе при прямом смещении коллекторного перехода (фактор очень важен при моделировании режима насыщения транзистора) уменьшению Тэ и увеличению Тк при увеличении тока коллектора изменению крутизны статических вольт-амперных характеристик транзистора в режимах высоких уровней инжекции, т. е. при больших токах коллектора. Подходы к получению модели интегрального транзистора разработка оригинальных моделей, отражающих свойства интегрального транзистора модификация описанных выше схемных моделей. [c.136]

Характеристика р-п-перехода при изменении приложенного напряжения может быть хорошо смоделирована эквивалентной схемой рис. 7.12. Элементы Я и I соответствуют сопротивлению и индуктивности полупроводникового образца, контактов и выводов, которыми при ближайшем рассмотрении будем пренебрегать. Два конденсатора С и Ср, а также резистор г — нелинейные элементы, значение которых зависит от условий смещения. [c.210]

Положение уровня Ферми в примесных полупроводниках зависит как от концентрации примеси, так и от того, является ли примесь донорной или акцепторной. В случае донорной примеси (я-полупроводник) имеет место переход электронов донорных атомов в зону проводимости при этом концентрация электронов возрастает, что приводит к возрастанию энергии Ферми Wp и смещению уровня Ферми вверх, к зоне проводимости. Чем больше концентрация доноров, тем большее количество электронов переходит в зону проводимости и тем на большую величину смещается уровень Ферми. В случае введения в полупроводник акцепторных примесей (р-полупроводник) наблюдается обеднение электро- [c.58]

Если центр круга К находится в точке оси то в плоскости z получим симметричный профиль К , называемый рулем Жуковского (показан на рисунке пунктиром). Круг С переходит в отрезок Р Р, служащий скелетом руля Жуковского в том смысле, что при уменьшении относительной толщины руля контур его будет стягиваться к отрезку РР. Чтобы получить руль небольшой (по сравнению с его длиной) толщины, дадим точке малое смещение влево от точки О, равное по абсолютной величине Хс. где Я 1. Тогда уравнение окружности К можно представить в виде [c.188]

Совместная работа комплексного гидротрансформатора с двигателем рассмотрена на рис. 21.34. Характеристика двигателя представлена на рис. 21.34, а, характеристика гидротрансформатора, обладающая прозрачностью ,— на рис. 21.34, б. В качестве расчетного рабочего режима, по которому согласуют гидротрансформатор с двигателем, выбирают обычно точку перехода на режим гидромуфты (точка Р на рис. 21.34, б). Расчетная точка Р на характеристике двигателя делит ее на две зоны. В зоне I двигатель передает момент через гидротрансформатор, т. е. с увеличением в К раз. На характеристике выхода (рис. 21.34, в) ей соответствует ветвь увеличенных моментов Я — Р. Зона II соответствует передаче через гидромуфту. На характеристике выхода ей отвечает ветвь Р Т, представляющая характеристику двигателя, смещенную на величину з скольжения в гидромуфте. Такая харак- [c.361]

Объясняется это тем, что волны напряжений и деформаций распространяются в шаботе с конечной скоростью с = / /р (для стали с я 6200 м/с), и поле скоростей смещения частиц вначале неоднородное. Спустя (3—5) То поле скоростей успевает выровняться и стать однородным, а потенциальная энергия упругих волн переходит в кинетическую энергию отскока с учетом которой и получены формулы (27.34) и (27.35). Для расчетов г д жестких ударов при tц < (3—5) То этими формулами пользоваться нельзя. [c.362]

Рис. 7.9. Концентрация носителей положительно смещенного я+р-перехода

Функция ф, содержащая безразмерные величины, включает параметры деталей, связанные довольно сложной зависимостью. Как показывает график на рис. 6.21, а, сила Р существенно зависит от расстояния Но между деталями и взаимного смещения бо- Из графика видно, что с увеличением бо сила Р падает и при некотором критическом значении меняет знак. Следовательно, в области малых бр детали отталкиваются друг от друга, а в области больших 6 притягиваются. С ростом расстояния Яо между деталями точка перехода (где = 0) сдвигается по оси абсцисс вправо. Абсолютное значение силы взаимодействия уменьшается с увеличением ко. Зависимость Р (бо) для пустотелых деталей проявляется слабее, чем для сплошных деталей. Так, значение бо для тонкостенных трубок в 3—5 раз больше значения бо для сплошных стержней [11, 12], Для предотвращения слипания деталей типа сплошных стержней, толстостенных трубок и пластин их выборка из магнитного накопителя должна осуществляться захватными устройствами, перемещающимися перпендикулярно направлению магнитного поля накопителя. Детали в магнитном накопителе размещаются с предварительной их ориентацией, поэтому большой практический интерес представляют захватные устройства, обеспечивающие селективную выборку из накопителя правильно ориентированных деталей. [c.208]

Усилительные электронные приборы, такие как транзистор, имеют много источников шума, более сложных по своей природе. Уровень шумов транзистора зависит от его материала и конструкции, а также от характера смещения р-я-перехода. Несмотря на это, шумовые характеристики любого транзистора независимо от специфических условий смещения могут быть представлены в виде, показанном на рис. 14.2. Здесь транзистор представлен в виде нешумящего элемента (он изображен на рисунке в виде нешумящего усилителя), обладающего такой же характеристикой передачи, что и транзистор. Все источники шума представлены в виде генераторов шумового напряжения Vy (/) и генераторов шумового тока /у (/), подключенных ко входу усилителя. [c.349]

Таким образом, приложенное к р — я-переходу внешнее напряжение вызывает появление в первый момент времени импульса тока во внешней цепи, приводящего в конечном счете к увеличениго или уменьшению объемного заряда р — га-перехода. Поэтому переход ведет себя как емкость. Ее называют барьерной, или зарядовой,, емкостью, так как она связана с изменением потенциальгюго барь- ера р — -перехода. При подаче на переход обратного смещения барьерная емкость заряжается, при подаче прямого смещеиня— разряжается. [c.235]

Ниже мы опишем один типичный эксперимент ). Малошумя-ш,ий одночастотный лазер, работающий на длине волны 1,153 ж/с, освещает р — я-переход германиевого фотоприемника (с обратным смещением 30 в и сопротивлением нагрузки 75 ком). Фотоприемник помещается на оси лазера в 20 см от последнего. [c.401]

Приложение к тиристору обратного напряжения (рис. 5.5, г, знаки без скобок) вызывает смещение р-п перехода 172 в прямом, р-п переходов П1 к ПЗ ъ обратном на-поавлеииях. Технологически при изготовлении тиристора обеспечивается более высокая концентрация примеси в р - и /12 слоях по сравнению с ру и х-слоями, р-п переход ПЗ более узкий, чем П1, и пробивается при напряжении, значительно меньшем максимально допустимого об.доп- результате практически все обратное напряжение прикладывается к р-п переходу Я/ и обратная ветвь 1 вольтамперной характеристики аналогична вольтамперной характеристике р-п перехода, смещенного в обратном направлении. [c.194]

Величина равна половине смещения I при переходе по кругу от ф v = = -f я/4 до фJv=—л/4. Коэффициент поглощения а определяется по зависимости kXN от поскольку из уравнения (3.48) видно, что а есть наклон, а Р= (Маг) 1 д,, о. Однако удобнее пользоваться для нахождения а/р графиком зависимости Дат от /аг. Затем для каждого измеренного Дат можно определить значение а и принять его с 1едиее значение в качестве окончательного. [c.104]

Часто встречающиеся индексы 1 — малое колесо 2 — большое колесо е — окружность выступов г — окружность впадин А — точка, ограничивающая активный участок профиля Г — точка перехода эвольвентного участка профиля в галтель Я — точка пересечения галтели с эвольвентой у подрезанного колеса и — инструмент (долбяк) ст — станочное зацепление расч — расчетное значение факт — фактическое значение ис — сточенный долбяк 2 — сумма (чисел зубьев, коэффициентов смещения) р — разность (чисел зубьев, коэффициентов смещения). [c.4]

В эл.-магн. стоячей В. фазы колебаний олектрпч. и магн. полой смещены во времени на п/2, поэтому поля обращаются в нуль по очереди . Аналогичное смещение по фазе происходит и в пространстве пучности Е приходятся на узлы Я и т. д. Поэтому поток энергии в таких В. в среднем за период колебаний равен пулю, но в каждой четвертьволновой ячейке происходит ме-риодич, с частотой 2(о) перекачка электрич. анергии в магнитную и обратно. В случае звуковых В, аналогичным образом ведут себя звуковое давление р и колебат. скорость частиц V, при этом кинетич. энергия переходит в потенциальную и обратно. Т. о., стоячая В, в любой физ. системе как бы распадается на совокупность независимых осцилляторов, колеблющихся в чередующихся фазах. Волновое поле внутри замкнутого объёма с идеально отражающими стенками (резонатора). существует в виде стоячих В. Простейший пример — система, состоящая из двух параллельных, от]ражающи1 зеркал, между к-рыми оказывается запертой плоская эл.-магн. В. интерферометр Фабри—Перо). Поскольку на поверхности идеально проводящего зеркала тангенциальная составляющая электрич. поля Еравна нулю, границы x=L фиксируют узлы ф-ции [c.318]

Соответствующим током дырок из п-области можно было бы пренебречь, если бы область я-типа была легирована намного сильнее и имело место условие р Пр. Однако любой механизм, который увеличивает запас носителей в области объемного заряда при обратном смещении, вызовет увеличение обратного тока выше предельной величины. Например, в транзисторе э.миттер увеличивает подачу носителей к обратно смещенному коллекторному переходу. В этом случае при повышенном уровне инжекции ток обычно остается насыщенным. [c.374]

В первом переходе фрезерование может вестись набором из двусторонних дисковых фрез I (рис. XI.7, 6). Здесь окончательной обработке подвергаются выступы по размеру Я/ и определяются углы между ними. Установка фрез набора на размер Ш должна контролироваться с учетом торцевого биения, тогда как их наружные диаметры могут отклоняться друг от друга на 0,25—0,3 мм. Во втором переходе (рис. XI.7, в) дисковой фасонной (под радиус 0/2) частозубой фрезой 2 обрабатыва-ьотся начисто посадочные поверхности на размер диаметра О. Чтобы не допустить смещения их относительно оси вала (радиальное биение), снятие всего диаметрального [ р шуска с достижением размера в пределах поля допуска производится с одновременной вертикальной ручной подачей (по лимбу или индикаторному упору) на все шесть в расс . атриваемом случае шлицев. [c.234]

Комбинируя скалярный и векторный потенциалы так, чтобы удовлетворить условиям на свободной поверхности сферы, найдем смещения, зависящие от Р 1(соз0). Эта функция переходит через Нуль I раз, когда 0 изменяется от О до я, Следовательно, число I означает число иодальных окружностей на поверхности сферы. Для фиксированной резонансной моды смещение проходит через нуль на интервале между центром сферы и ее радиусом ровно п раз, поэтому п представляет собой число иодальных сферических поверхностей внутри сферы, [c.126]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...