Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Применение эквивалентных схем

Применение эквивалентных схем  [c.297]

Применение эквивалентных схем с сосредоточенными постоянными в случае составных преобразователей  [c.298]

Топологические уравнения подсистем записываются для узлов и контуров эквивалентной схемы, поэтому получение эквивалентной схемы — необходимый этап подготовки технического объекта к моделированию. Поскольку существующие методы получения топологических уравнений основаны на применении графов, рассмотрим основные определения и понятия из их теории.  [c.109]


При применении узлового метода в эквивалентной схеме допускаются и зависимые ветви, но аргументами функциональных зависимостей должны быть только элементы вектора ф. Допустим, переменная типа потока в k-ik ветви, включенной между узлами с номерами i и j, зависит от переменных величин типа потенциала в 1-м и т-м узлах  [c.135]

Упрощенная эквивалентная схема, полученная в результате применения к рассматриваемой системе привода врубовой машины КМП-2 принципа Рэлея, показана на рис. 11.2. Совершенно аналогично могут быть получены эквивалентные схемы при исследовании процесса резкого торможения многоприводных машин.  [c.387]

Если эквивалент № 2 применен правильно, то следует продолжать выполнение программы. В противном случае нужно приостановить выполнение программы и пересмотреть выбранную эквивалентную схему.  [c.45]

При применении этих программ пользователь описывает исследуемый объект на входном языке программы анализа не в виде системы уравнений, которая будет получена автоматически, а в виде списка элементов структуры, эквивалентной схемы, эскиза или чертежа конструкции.  [c.88]

Виды электрических схем принципиальные (однолинейные и многолинейные), элементные или развернутые, монтажные, схемы внешних соединений, принципиально-монтажные, совмещенные, поясняющие, схемы автоматизации производственных процессов, структурные, расчетные и эквивалентные схемы (схемы замещения). Назначение видов схем и области применения. Схемы первичной и вторичной коммутации. Чертежи осветительных и силовых установок, трансформаторных подстанций, распределительных устройств, электрооборудования. Конструктивные чертежи электрооборудования и аппаратуры. Дополнительные документы, поясняющие чертежи надписи на чертежах, экспликация, спецификация.  [c.321]

МС для молекулы с симметрией С >у типы S+ и эквивалентны стандартным обозначениям -f и —. Примеры применения этой схемы классификации к ровибронным состояниям приведены на рис. 12.5.  [c.379]

Эта система имеет некоторые преимущества при составлении электрических эквивалентных схем, однако к моменту ее появления первая система уже столь широко применялась и техника использования ее была столь развита, что практического применения вторая система не нашла.  [c.31]

Применение концептуальной схемы в технологии проектирования обеспечивает принципиальную возможность смысловой эквивалентности при преобразовании схем. С этой целью все преобразования должны осуществляться через концептуальную схему.  [c.35]

Наличие математической модели анализируемого объекта является необходимым условием для реализации расчетных методов оптимизации. Данная глава посвящена исследованию вопросов, связанных с получением математических моделей электронных схем. Методы моделирования схем, рассматриваемые в последнем параграфе главы, основаны на использовании аппарата анализа электрических цепей. Для применения этих методов к электронным схемам необходимо предварительно получить математические модели и эквивалентные схемы нелинейных компонентов. Вопросы моделирования компонентов излагаются в первых параграфах главы.  [c.51]


Наличие эквивалентных схем компонентов позволяет для моделирования электронных схем использовать методы теории электрических цепей, основанные на применении законов Кирхгофа к особым образом выбираемым контурам и сечениям электрической схемы. От выбора контуров и сечений, естественно, зависит форма получаемых уравнений и, следовательно, возможности применения того или иного метода численного решения этих уравнений. Другими словами, выбор метода моделирования предопределяется выбором метода одновариантного анализа.  [c.72]

Теоретически этот способ, как видно, очень прост. На практике, однако, его применение значительно усложняется по двум причинам. Во-первых, путь я не всегда определяется однозначно и, во-вторых, поглощение в диапазоне высоких частот является очень сложной функцией частоты. Это обусловлено тем, что как проводимость, так и диэлектрическая постоянная зависят от частоты и что эквивалентная схема электрически неоднородного пространства изменяется, например, из-за эффекта вытеснения тока (скин-эффекта).  [c.244]

Мощность, поступающая в преобразователь в установившемся режиме, или рассеивается в электрических и механических сопротивлениях, или излучается. По эквивалентной схеме преобразователя можно считать, что излучаемая мощность рассеивается на сопротивлении излучения. К. п. д. есть отношение выходной излучаемой мощности к входной, или суммарной мощности, подводимой к преобразователю. Для измерения к. п. д. используются два метода. В прямом методе непосредственно измеряются входная и выходная мощности. В импедансном методе отношение входной и выходной мощностей определяется из измерений импедансов. Импедансный метод проще, но в нем обязательно используются некоторые предположения, и поэтому он больше подвержен ошибкам, которые ограничивают его применение. Результаты этих двух методов не всегда согласуются. Когда они не согласуются и когда надо определить к. п. д. преобразователя в свободном поле, предпочтительнее использовать прямой метод. Если условия измерений отличаются от условий свободного поля, как, например, в технических применениях ультразвука, то предпочтительнее импедансный метод.  [c.113]

В усилителях на ПТ шум затвора и шум стока весьма слабо коррелированы. Следовательно, в случае смесителя на ПТ не будет сделано большой ошибки, если корреляцией между шумами затвора и стока пренебречь вообще. Эквивалентная схема смесителя легко получается из ВЧ эквивалентной схемы путем применения методов усреднения, описанных в п. А.  [c.190]

Обсудим сначала смеситель на транзисторе с общим эмиттером. ВЧ эквивалентная схема транзистора показана на рис. 6.3,6 эквивалентная схема смесителя легко получается путем применения приемов осреднения, использованных в п. А. Пусть крутизна прибора gm.it) равна  [c.192]

При расчетах систем автоматического регулирования с применением структурных схем -может возникнуть необходимость в переходе от одной структурной схемы к другой. Этот переход должен быть выполнен так, чтобы исходная и преобразованная структурные схемы, о казались эквивалентными, т. е. одинаковым образом отражали динамические свойства системы автоматического регулирования. Правила эквивалентных преобразований структурных схем основываются на теории, разработанной Б. Н. Петровым [46].  [c.78]

Для двухшаговой схемы (3.286) получается то же условие устойчивости, что и для одношаговой схемы (3.290), но с вычислительной точки зрения эти схемы не эквивалентны. Двухшаговую схему можно применять в соседних с границей узловых точках, а для одношаговой схемы требуются нефизические значения в узлах, расположенных за границей расчетной области. В случае применения этой схемы к течениям сжимаемой жидкости (Браиловская [1965]) к различиям приводит и нелинейность.  [c.136]

Первый способ [245, 246] основан на частотной зависимости активной и реактивной проводимостей излучения (7.110) простой эквивалентной схемы, например, схемы, приведенной на рис. 8.16,6. При более высокой частоте, чем средняя частота /о, величины реактивной проводимости излучения и статической емкости имеют разные знаки. Если выберем частоту /г > /о таким образом, что активная проводимость излучения будет равна нулю, то при достаточно большом числе электродов можно достичь нулевого значения и реактивной проводимости и тем самым параллельного резонанса. Число необходимых при этом электродов возрастает с уменьшением коэффициента электромеханической связи, поэтому используют подложки только из ниобата лития или пьезоэлектрической керамики. Однако ввиду низкой добротности такое решение не и.меет практического применения.  [c.389]


Эквивалентная схема нашей механоакустической системы, показанная на рис. 3.1,6, содержит трансформатор с тремя обмотками 5ь 5г, 5з. Коэффициент трансформации импеданса в этом трансформаторе пропорционален квадрату отношения чисел витков в обмотках,- поэтому с его помощью можно получить такие большие значения механоакустического импеданса, которые трудно реализовать прямыми механоакустическими методами. Рассматриваемая конструкция находит широкое практическое применение. На этом принципе основаны получившие всемирное признание микрофоны и громкоговорители высокого  [c.84]

Розенталь и Микутехст [67] показали, что точное решение, описывающее характер движения, импеданс и распределение напряжений для преобразователя, состоящего из трех частей (пьезокерамического элемента и двух концевых масс), рассматриваемых как распределенные постоянные, относительно мало отличается от решения, полученного в результате применения эквивалентной схемы с сосредоточенными постоянными. Это объясняется тем, что  [c.298]

Примечание, Примененне графов в АП будет показано несколько позднее, а пока будем пользоваться эквивалентными схемами, поскольку это более наглядно, так как условное изображение ветви характеризует тип элемента.  [c.77]

Пользователь САПР может не знать этих эквивалентных схем, ему достаточно сведений об области применения моделей, их описания на входном языке программного комплекса анализа и значений параме7 ров. Описание транзистора может выглядеть так  [c.91]

В зависимости от преобладания активных потерь в диэлектрике или обкладках и выводах эквивалентные схемы конденсаторов имеют различный вид. Для высокочастотных конденсаторов необходимо учитывать, в первую очередь, паразитную индуктивность выводов и потери в диэлектрике Гд (рис. 86, а). Для низкочастотных конденсаторов бумажного и пленочного типа эквивалентная схема аналогична. Для электролитических конденсаторов основным ограничителем по частоте являются потери в электролите Гд (рис. 86, б). Из схемы видно, что область возможного применения электролитических конденсаторов ограничивается диапазоном посюянного тока и звуковых частот.  [c.158]

Более точное отражение вольт-амперных характеристик транзистора достигнуто в модели, предложенной А. Н. Павловым и В. П. Панферовым [21] и примененной в программе ПАЭС-1. Эквивалентная схема для модели ПАЭС-1 изображена на рис. 5, г. Этой схеме соответствуют дифференциальные уравнения (3.1а), (3, 16), в которых  [c.62]

Необходимо подчеркнуть, что величины 0, найденные из еглкостных измерений, могут не соответствовать тем значениям, которые имеются в случае металла, корродирующего в ингибированной среде. Это связано с рядом причин. Во-первых, при емкостных измерениях наблюдается адсорбционное равновесие, тогда как в случае коррозионных процессов в присутствии ПАВ равновесие адсорбции может и не достигаться. Во-вторых, из-за сложности процессов, протекающих на границе металл — раствор, и трудности их моделирования простыми эквивалентными схемами, когда электрод подвергается коррозии и на нем одновременно происходит адсорбция ПАВ, рассчитываемая по значениям емкости величина 6 может быть хотя и пропорциональной истинному заполнению, но не соответствовать ему в точности. Так, применение формулы (1.92) для расчета 0 по результатам емкостных измерений наиболее оправдано в тех случаях, когда адсорбция ПАВ на металлах описывается изотермами Генри, Лэнгмюра, Фрумкина. Если применима изотерма Темкина, которая чаще всего выполняется при адсорбции органических ПАВ на твердых металлах, 0, рассчитанная по уравнению (1.92), отличается от истинной степени заполнения на некоторую величину, постоянную при данном Е, хотя рост 0 и пропорционален снижению емкости двойного электрического слоя. Это также вносит некоторую ошибку в расчет 0, Определенную ошибку вносит и шероховатость поверхности электродов, которая приводит к отличию видимой площади твердого металла от истинной.  [c.33]

В [3] анализируются погрешности подобной структуры, но применение ИМС с низким внутренним входным сопротивлением и двумя входами изменяет расчетные соотношения. В машем варианте 1рассмотре-ние ведем с помошью эквивалентной схемы, приведенной на рис. 4. Здесь К — ключ, показывающий, что до выхода УПТ-1 из зоны насыщения, ОС через Къ не действует.  [c.98]

Механические и электрические граничные условия вводятся в уравнения (3.82) и в (3.86) для определения постоянных А и В [как в (3.87)] в любых заданных условиях. Эти постоянные позволяют определить свойства конкретных преобразователей, не прибегая к лквивалентным схемам. Однако метод эквивалентных схем с применением эффективных способов теории цепей весьма удобен и широко используется.  [c.274]

Анализ различных пьезоэлектрических резонаторов или преобразователей и расчеты конкретных ультразвуковых установок можно проводить на основе прямого решения волнового уранне-ния. Однако часто значительно более удобным оказывается использование метода эквивалентных схем, при котором обе стороны преобразователя — как электрическая, так п механическая — представляются в виде электрических эквивалентов. Метод эквивалентных схем имеет определенные преимущества по сравнению < непосредственным решением волнового уравнения, которые заключаются в возможности привлечения эффективных методов теории электрических цепей, а также в том, что частично задача решается уже на этапе ее постановки. Однако при этом необходимо выяснить, совпадают ли граничные условия каждой конкретной задачи с теми условиями, которые использовались при первоначальном выводе эквивалентной схемы. Применение метода эквивалентных схем может дать такие же точные результаты, как  [c.283]

Хотя кварцевые пластины обладают очень высокой добротностью (т. е. малыми внутренними потерями), они имеют другие недостатки, которые ограничивают их применение в качестве элементов олоктрических цепей. Эквивалентная схема пьезоэлектрического кристалла, детально рассмотренная в гл. 3 и показанная на фиг. 111, состоит из емкости Со, параллельно которой включена цепь, состоящая из последовательно соединенных индуктивности Li и емкости j. Со представляет собой емкость кристалла на очень высоких частотах или емкость заторможенной пластины, когда параметры механической цопи можно не принимать  [c.405]


Заметим также, что при й = ссД /Дх = /з схема Дюфорта— Франкела, примененная к уравнению диффузии без конвективного члена, алгебраически эквивалентна схеме с разностями вперед по времени и центральными разностями по про-  [c.100]

Большое применение находят тройниковые разветв.тения. Если плоскость разветвления совпадает с плоскостью, в которой расположены магнитные силовые линии волны Ню, то тройник называют К-тройником (читается аш-тройником ). Этот тройиик изображен на рис. 25,6. Эквивалентной схемой его является параллельное соединение двух линий. Это можио наглядно представить по нанесенным в центре широкой стенки волноводов полоскам продольного тока.  [c.42]

Для применения в схемах вычислительных машин, которые обычно требуют диэлектрические постоянные от 2 до 6, очень прос тые и точные формулы были выведены Кауппом [3.44] на основ численных экспериментальных измерений диэлектрических постоян ных различных материалов для подложек. При этом используетс простая формула для волнового сопротивления, полученная дл одиночного провода над проводящей плоскостью [ур-ние (2.4.3) в комбинации с хорошо известной эквивалентностью круглого 1 прямоугольного поперечных сечений [415, 46], что дает в резуль  [c.60]

На ребре каждого электрода небольшая часть энергии падающей ПАВ отражается в результате резкого изменения параметров, определяющих граничные условия, хак механические (ненулевая толщина электрода, иная плотность материала), так и электрические (закорочение касательной составляющей электрического поля под электродом). Подробно вопросы отражения ПАВ рассмотрены в разд. 7.11, нз которого следует, что вследствие отражения ПАВ от ребер электродов требуется применение более сложных эквивалентных схем преобразователей  [c.413]

Здесь игла 7 закреплена в рычаге 2, на конце которого имеется площадка, противолежащая соответственной грани кристалла 3. Промежуток 4 между площадкой и кристаллом заполнен, например, маслом. Такое решение однако неудобно, во-первых, по причине наличия жидкого масла, а, во-вторых потому, что положение рычага с иглой никак не фиксируется. Поэтому естественно применить вместо масла резину, которая создаст и требуемое активное сопротивление и необходимую упругость закрепления. Эквивалентная схема системы с применением резийы несколько видоизменится, как видим на рис. 157, в котором Сз — гибкость резины, которая очевидно должна быть большой по сравнению с С , и тем более по сравнению с Сд.  [c.240]

Рассмотрение комбинированных электромехано- акустических систем, а также методов электромехани-1 ческих. аналогий и эквивалентных схем автором про- водится с точки зрения лагранжевой механики. Та-, кой, наиболее общий подход часто применяется в настоящее время для решения конкретных задач, свя-С занных с электроакустическими преобразователями, и оказывается весьма плодотворным. Достаточно общий математический подход применен и к рассмотрению вопросов передачи и воспроизведения сигналов электрическими и механическими линейными системами.-  [c.6]

ЛИ бы электрическим элементам, не имеющим индуктивности., В электрических системах почти полностью лишены индуктивности проводники, соединяющие пары точек. Исключительная. сложность, практическая невозможность реализации в механоакустической системе этого важнейшето элемента электрической эквивалентной схемы — коренное, почти неустранимое затруднение электроакустического метода..Таким образом, хотя на первый взгляд этот метод кажется действительно удачной находкой, при его практиче-I ском применении возникает много серьезных трудно-Стей, и все. искусство специалиста-акустика должно быть направлено на поиски какого-то выхода из этого лабиринта. С помощью так называемых чисто аку- стических методов пробиться через эти трудности  [c.79]


Смотреть страницы где упоминается термин Применение эквивалентных схем : [c.95]    [c.4]    [c.209]    [c.129]    [c.228]    [c.145]    [c.341]    [c.353]    [c.187]    [c.240]    [c.78]   
Смотреть главы в:

Методы и приборы ультразвуковых исследований Т.1 Ч.А  -> Применение эквивалентных схем



ПОИСК



237, 238 — Эквивалентные схемы

В эквивалентное

Применение Схемы

Применение эквивалентных схем с сосредоточенными постоянными в случае составных преобразователей

Эквивалентность пар



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте