Проводимость излучения активная

Первый способ [245, 246] основан на частотной зависимости активной и реактивной проводимостей излучения (7.110) простой эквивалентной схемы, например, схемы, приведенной на рис. 8.16,6. При более высокой частоте, чем средняя частота /о, величины реактивной проводимости излучения и статической емкости имеют разные знаки. Если выберем частоту /г > /о таким образом, что активная проводимость излучения будет равна нулю, то при достаточно большом числе электродов можно достичь нулевого значения и реактивной проводимости и тем самым параллельного резонанса. Число необходимых при этом электродов возрастает с уменьшением коэффициента электромеханической связи, поэтому используют подложки только из ниобата лития или пьезоэлектрической керамики. Однако ввиду низкой добротности такое решение не и.меет практического применения. [c.389]

Прежде чем переходить к описанию работы оптического квантового генератора, сделаем замечание о смысле принятого для него названия. Для формирования потока направленного излучения в активной среде используются процессы излучения атомов или молекул, квантовых систем, обладающих дискретным набором возможных значений энергии и испускающих кванты энергии — фотоны. Это определяет целесообразность применяемого термина оптический квантовый генератор , или, сокращенно, — ОКГ ). В радиотехнических ламповых генераторах, в которых используется движение электронов проводимости и частоты излучения низки, квантовые эффекты существенной роли не играют, и возможно классическое описание большинства происходящих в них явлений. [c.779]

Полупроводниковые лазеры используют в качестве активных элементов неорганические вещества (кристаллы), обладающие свойствами полупроводников. В отличие от лазеров на примесных кристаллах генерация излучения в полупроводниках происходит не на переходах между уровнями примесных ионов, а на переходах между зоной проводимости и валентной зоной или между зонами и уровними, образуемыми примесями в запрещенной зоне, самого полупроводника. Таким образом, активным веществом является сама кристаллическая матрица, а примеси служат источником зарядов (электронов и дырок), рекомбинация которых приводит к возникновению фотонов. [c.755]

Gi — активная проводимость полезной нагрузки излучения G2 — активная проводимость механических потерь. Электрическое сопротивление 2э представим в виде последовательных индуктивности (4.95) и сопротивления электрических потерь R, которое удобно записать через тангенс угла потерь (или декремент 6э) электрической цепи заторможенного преобразователя [c.182]

Радиационный контроль за объектами природной среды (почвы, атмосферного воздуха и поверхностных вод) ведется путем измерения мощности дозы гамма-излучения, отбора проб и измерением суммарной бета-активности атмосферных выпадений и воды в основных водоемах, измерением концентрации радиоактивных аэрозолей в приземном слое атмосферы. Этот контроль должен носить регулярный характер и решать задачи раннего предупреждения в случае ядерных аварий. Измерения, проводимые при данном типе контроля, относят к мониторинговым типам измерений и проводят на постоянных постах и метеостанциях. Осуществляется также радиационный контроль почв сельскохозяйственных угодий, продукции растениеводства, кормов и удобрений. [c.616]

Мы видим,что существует большое количественное различие между разреженной и плотной средами с электрической проводимостью. Можно сказать, что разреженная активная среда практически непрозрачна, т. е. она черная . Такая среда почти полностью поглощает падающее на нее излучение. В противоположность этому плотная активная среда действует как очень малая сосредоточенная нагрузка. Такая среда почти полностью отражает падающее излучение. [c.506]

Рассмотрим работу полупроводникового лазера применительно к положительно смещенной N-p-P двойной гетероструктуре, представленной на рис. 9.12. Для того чтобы смоделировать поведение такой структуры при положительном смещении, допустим, что свободные электроны в активном слое р-области находятся в тепловом равновесии со свободными электронами в iV-области. Это предполагает, что процессы столкновения и рекомбинации, которые поддерживают распределение по уровням, идут настолько интенсивно, что ни высокая плотность тока, ни оптическое излучение не вносят заметных искажений. Тогда вероятность того, что в активной области зона проводимости будет заселена, определяется разницей энергии рассматриваемого состояния Ва и уровня Ферми в iV-области е/ л - Вероятность определяется функцией Ферми (см. (7.2.3)) [c.270]

Тот факт, что такая ситуация оказывается сильно неравновесной, выявляется из различия эффективных энергий Ферми для электронов и дырок. Эти энергии соответствуют квазиуровням Ферми. Покажем, что индуцированное излучение может превысить поглощение только для тех фотонов, энергия которых не превышает разницу квазиуровней Ферми. Поскольку энергия фотона должна превышать ширину запрещенной зоны, это означает, что оба или, по крайней мере, один из квазиуровней Ферми в активной области должен лежать вне запрещенной зоны и находится внутри валентной зоны или зоны проводимости. Этому требованию можно удовлетворить, используя сильное легирование и достаточно прямое смещение iV-p-перехода, как показано иа рис. 10.4. [c.270]

И спектр сужается, как показано на рис. 3.8.12,6. В легированном 51 сильно компенсированном активном слое инжектированные электроны продолжают заполнять состояния в хвосте зоны проводимости и тем самым сдвигают пик интенсивности излучения в сторону более высоких энергий [28], что хорошо видно нз сравнения рис. 3.8.12, а и б. На рис. 3.8. 2, б показано, как непосредственно за порогом /пор в спектре суперлюминесценции возникает очень узкая линия излучения. На рис. 3.8.12, з приведен спектр лазерной генерации в увеличенном масштабе по энергии. Показанные на нем линии излучения являются продольными модами, удовлетворяющими фазовому условию [c.210]

Оу(со) Активная проводимость акустического излучения преоб- [c.561]

Используя принцип обратимости и теорему Тевенина, можно фильтр на ПАВ заменить на выходных клеммах источником напряжения 1/го с внутренним активным Rг и реактивным X2(Напряжение источника является произведением иапряжения на входных клеммах и передаточной функции фильтра, рассчитанной, например, с помощью модели дискретных источников. Полное внутреннее сопротивление источника получим из эквивалентной схемы выходного преобразователя, содержащего параллельно включенные статическую емкость, активную н реактивную проводимости излучения, которые определим из выражений (7.66) или (7.ПО), если преобразователь неаподизованный. В эквивалентной схеме фильтра иа ПАВ, приведенной на рис. 8.16,6, взаимодействие между преобразователями не учитывается. [c.388]

Б случае лазерных и СВЧ-методов формирования плазмы определяются мощности падающего, отражённого и прошедшего излучения, к-рые позволяют вычислить поглощаемую в плазме апергию, ср. активную проводимость. [c.606]

С. на основе гомопереходов в прямозонных полупроводниках, легированных т. в. мелкими примесями (см. Примесные уровни), имеют существ, недостаток — сильное поглощение излучения внутри кристалла (коэф. поглощения а — 10 см Ч. Снижение потерь па межзонное поглощение достигается уменьшением энергии излучения за счёт Компенсации примесей в активной области (напр., в эпитаксиальной р — л-структуре GaAs, легированной Si). При сильном легировавии и компенсации хаотически расположенный в пространстве заряд примесей создаёт искривление границ зон, при к-ром локальная ширина запрещённой зоны остаётся постоянной (см. Сильнолегированный полупроводник). Это приводит к тому, что в распределении плотности состояний появляются участки при энергиях ниже зоны Проводимости и выше валентной зоны — т. н. хвосты плотности состояний, пространственно разделённые в обеих зонах. В С. с такой структурой в излучат, рекомбинации принимают участие глубокие и удалённые группы состояний, При этом излучаемые фотоны характери- [c.466]

Возможности С. м. в генераторах и усилителях мощного излучения расширяются в случаях, когда проводимость активной среды обладает резонансной зависимостью от частоты или (и) — в случае среды с пространственной дисперсией — от постоянной распространения волны. Для С. м. используются и геом, факторы — различия в связи между активной средой и модами, обладающими разной пространственной структурой. [c.485]

В принципе световое и вообще электромагнитное поле содержит все возможные длины волн, направления распространения и на правления поляризации. Но главное назначение лазера как прибора состоит в генерации света с определенными характеристиками. Первый этап селекции, а именно по частоте, достигается выбором лазерного материала. Частота V испускаемого света определяется формулой Бора Ну = и нач — конечн и фиксируется выбором уровней энергии активной среды. Разумеется, линии оптических переходов не являются резкими, а по различным причинам уширены. Причиной уширения могут быть конечные времена жизни уровней вследствие излучательных переходов или столкновений, неоднородность кристаллических полей и т. д. Для дальнейшей селекции частот используются оптические резонаторы. В простейшем СВЧ-резонаторе, стенки которого имеют бесконечно высокую проводимость, могут существовать стоячие волны с дискретными частотами. Эти волны являются собственными модами резонатора. Когда ученые пытались распространить принцип мазера на оптическую область спектра, было не ясно, будут ли вообще моды у резонатора, образованного двумя зеркалами и не имеющего боковых стенок (рис. 3.1). Вследствие дифракции и потерь на пропускание в зеркалах в таком открытом резонаторе не может длительно существовать стационарное поле. Оказалось, однако, что представление о типах колебаний (модах) с успехом может быть применено и к открытому резонатору. Первое доказательство было дано с помощью компьютерных вычислений. Фокс и Ли рассмотрели систему двух плоских параллельных зеркал и задали начальное распределение поля на одном из зеркал. Затем они исследовали распространение излучения и его отражение. После первых шагов начальное световое поле рассеивалось и его амплитуда уменьшалась. Однако после, скажем, 50 двойных проходов мода поля приобретала некую окончательную форму и ее амплитуда понижалась в одно и тоже число раз при каждом отражении (с постоянным коэффициентом отражения. Стало ясно, как обобщить понятие моды на случай открытого резонатора. Это такая конфигурация поля, которая не изменяется [c.64]

СВЧ-излучение, длинноволновое излучение (импедансометрия), магнитная активность организма. Магнитное поле Распределение диэлектрической проницаемости и проводимости Появились идеи технической реализации метода. Созданы экспериментальные системы [c.185]

Эффективность работы П. п. определяется в основном электрич. потерями, связанными с наличием активной электрич. проводимости в пьезополупроводниках, и потерями, обусловленными отражением части электрич. или акустич. энергии от преобразователя в режиме излучения или приёма соответственно. Потери на отражение зависят от согласования удельного электрич. (акустич.) импеданса преобразователя и волнового сопротивления электрич. (акустич.) тракта и могут быть, в принципе, сведены к минимуму выбором параметров преобразователя, сопротивлений его электрич. и акустич. нагрузок и применением согласующих устройств. Напр., для компенсации реактивного сопротивления преобразователя на резонансной частоте иногда параллельно ему подключают компенсирующую индуктивность Ь такой величины, чтобы резонансная частота L -кoн-тура совпала с / . Часто параллельный L -кoнтyp одновременно выполняет роль трансформатора, согласующего активные составляющие сопротивлений излучателя и питающего его генератора или приёмника и его электрической нагрузки. Применяют и другие согласующие системы, напр, объёмный резонатор на высоких частотах. При этом добротность согласующего устройства должна быть достаточно большой и не снижать эффективности преобразователя. Электрич. потери в режиме одностороннего излучения на основной резонансной частоте характеризуются коэфф. а, выраженным в децибелах [c.276]

Прайер и др. [110] изготовили ДГС-лазеры на основе PbS— PbSo,6Seo.4. выращенные методом ЭМП на подложках PbS п-типа, полученных осаждением из газовой фазы. Путем подбора компенсирующего давления Se, были выращены активные слои как П-, так и р-типа проводимости. Лазеры полосковой геометрии были получены методом заращивания полосок шириной 100 мкм, сделанных в покрытии Mgp2, нанесенном на подложку PbS. Наилучший результат—получение непрерывного )ежима работы вплоть до 96 К — был получен при d 1 мкм. Три 77 К /пор(77К) = 400 А/см , а длина волны излучения лежала около 5 мкм. [c.80]

Крессела и Хорайлоу [70], Эттенберга [Й] и Алферова и др. [71]. Различие в данных по /пор, полученных для определенной длины волны разными авторами, является следствием различной толщины активной области. Резкое увеличение /пор при 0,77 мкм, видное на рис. 7.4.15, возникает из-за теплового заброса инжектированных носителей в непрямые минимумы зоны проводимости. Эти носители не дают вклада в стимулированное излучение. Распределение электронов между прямым и непрямыми минимумами зоны проводимости обсуждалось в 6 гл. 4. [c.222]

НОВ в /.-минимуме зоны проводимости, которая при п — = 2-10 см- н f — с = 0,079 эВ равна rai = 3,4-10 см Ана.яогичные вычисления для -минимума зоны проводимости дают х = 1,5 10 см . В -минимуме концентрация электронов с энергиями, превышающими АЯс,составляет —1,5 10 см , а в -i-мииимуме все электроны имеют энергию больше АЕс- Эти электроны могут утекать из активного слся и приводить к появлению составляющей тока, которая не дает вклада в вынужденное излучение. Ток утечкн мы рассмотрим ниже в этом параграфе. [c.282]

Умножив амплитуды излучения дискретных источников, нормированные к единице, на коэффициент с, заданный выражением (7.64), получим абсолютные значения амплитуд. Однако из этих абсолютных значений амплитуд нельзя вывести свойства реальной возбужденной ПАВ, поскольку информация, содержащаяся в модели дискретных источников, недостаточна. С помощью выражений (7.48) либо (7.49) и (7.51) можно вывести абсолютное значение передаточной функции. Физическое значение имеет, однако, квадрат абсолютного значения, определяющий вносимое затухание преобразователя. Он позволяет в соответствии с выражением (7.61) получить выражение для входной активной проводимости преобразователя. Входная реактивная проводимость преобразователя складывается из реактивной проводимости ушСо статической емкости Со н составляющей, которая описывает аккумулированную энергию преобразователя прн возбуждении ПАВ. Эта составляющая называется излучательной реактивной проводимостью и определяется из излучательной активной проводимости преобразователя Св (ш) с помощью преобразования Гильберта [c.323]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...