Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Кристаллохимический анализ

Соединив прямыми линиями центры ближайших друг к другу атомов первой координационной сферы, можно построить выпуклый многогранник — координационный полиэдр с числом вершин, равным координационному числу. Представление о полиэдрах часто используется для кристаллохимического анализа. Описанные здесь структуры называют координационными, хотя точнее их на-  [c.161]

КРИСТАЛЛОХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ВОЗНИКНОВЕНИЯ СПОНТАННО-ПОЛЯРИЗОВАННОГО СОСТОЯНИЯ у ВЕЩЕСТВ СО СТРУКТУРОЙ ПИРОХЛОРА  [c.97]


Химическая К. занимается изучением связи между внешней формой кристалла и его химич. составом. Сюда относятся явления полиморфизма, изоморфизма, изучение количественного распределения всех исследованных до сих нор кристаллических веществ по системам и пр. Одной из интереснейших и практически важных глав химич. К. является кристаллохимический анализ. Этот метод, созданный Федоровым, имеет целью заменить химич. анализ гораздо более быстрым кристаллографич. исследованием. Метод этот имеет конечно свои недостатки, заключающиеся главн. образ, в невозможности определять кристаллы, принадлежащие к кубической системе, и в нек-рой трудности усвоения метода. В последние годы проф. А. К. Болдыревым (Ленинград) сделана интересная попытка упростить метод Федорова-и сделать его доступным каждому рядовому химику.  [c.311]

Основной задачей рентгеноструктурного анализа является определение кристаллической структуры вещества. К этой физической (или кристаллохимической) задаче примыкает обширная область прикладного рентгеноструктурного анализа, связанная с материаловедением идентификация вещества по его крис-  [c.94]

Подробный анализ характера явлений, сопровождающих рост граней кристаллов, был сделан К. М. Горбуновой и П. Д. Данковым [11] в разработанной ими кристаллохимической теории электрокристаллизации.  [c.14]

Вопросы о том, какие именно примеси будут проявлять электрическую активность в том или ином полупроводнике и какие из них окажутся амфотерными, требуют специального анализа. К сожалению, ответы на эти вопросы нельзя получить исходя из простых представлений о свойствах примесного атома, основанных на близости геометрических (атомных или ионных радиусов) и электрохимических (электроотрицательностей) характеристик примесного атома и той кристаллохимической позиции, которую он занимает в полупроводнике. Ни тот, ни другой критерий не могут быть использованы для атомов переходных металлов (случай амфотерных узельных и амфотерных междоузельных центров) из-за неприменимости представления о радиусах и электроотрицательностях, как о постоянных атомных характеристиках [30]. Эти критерии оказываются неприменимы и для амфотерных диссоциативных примесей по тем же причинам, что и в предыдущем случае. Прогнозирование проявления амфотерных примесных центров всех типов в полупроводниках возможно только на основе строгой теории о узельной и междоузельной растворимости примесей в полупроводниках. Современному состоянию этой проблемы, различным подходам к ее рещению посвящена монография [31].  [c.120]

Эти принципы, несмотря на свою упрощенность, играют и сейчас большую роль в кристаллохимии. Тем не менее на следующем этапе кристаллохимического анализа атомы нередко рассматриваются с учетом направленности ковалентных связей. В этом случае их точечные симметрии будут соответствовать направленности этих связей. Определенную точечную симметрию имеют и многоатомные комплексы (острова), причем их симметрия может быть и некристаллографической. Стоит отметить, что иногда связи между такими комплексами также могут рассматриваться как приблизительно центрально-симметричные.  [c.155]


Зависимость сегнетоэлектрических свойств кристаллов ВаТ10з от характера химической связи освеш,ена Беляевым [1], а кристаллохимический анализ температурных фазовых переходов в сегнето- и антисегнетоэлектрических соединениях со структурой  [c.271]

Зависимость сегнетоэлектрических свойств кристаллов BaTiOg от характера химической связи освещена Беляевым [1], а кристаллохимический анализ температурных фазовых переходов в сегнето- и антисегнетоэлектрических соединениях со структурой типа перовскита (BaTiOg) и других — в работе Венецева и Жданова [2].  [c.389]

В изучаемой системе шлаковое стекло—SiOa—NaaO—HgO в процессе взаимодействия между компонентами создаются условия для образования минеральных фаз. Среди типов химической связи четко идентифицируются Si—О, Si—О—Si, Si—О—Al, Si—О—Mg, Al—ОН. По кристаллохимическому анализу можно предположить присутствие слоистых силикатов (триоктаэдриче-ских), а также цепочечных. Наличие интенсивных полос поглощения гидроксильных групп и водородных связей указывает на присутствие среди новообразований большого количества коллоидной фазы. В зависимости от состава и условий твердения количество образуемых фаз и их состав также меняются.  [c.82]

Ни в одной из работ не рассматривается, почему Со М О, , столь сильно отличается по диэлектрическим свойствам от других аналогичных по составу представителей группы хшрохлоров.. Особенно странным является тот факт, что пирохлоры Рб2 2 7 являются сегнетозлектриками СЮД, хотя злектронная поляризуемость ионов Рб примерно в пять раз больше поляризуемости ионов Сс1 [12]]. Причина этого лежит, очевидно, в различиях атомного строения пирохлоров и перовскитов. Ниже дается описание особенностей структуры пирохлоров, проводится геометрический анализ ионных контактов в них, а в итоге дается кристаллохимический анализ условий возникновения спонтанной электрической поляризации у веществ этого структурного типа.  [c.97]

Основным методом интерпретации явлений дифракции, с помощью которого ведется рассмотрение, служит метод преобразования Фурье с широким использованием операции свертывания функций. Введению в этот метод и общим основам теории дифракции рентгеновых лучей посвящена I глава. Во II главе рассматриваются симметрийные и кристаллохимические принципы строения цепных молекул, разбираются и классифицируются типы их взаимных укладок в агрегаты различного характера упорядоченности. Глава III посвящена дифракции на изолированной цепной молекуле и синтезу Фурье электронной плотности такой молекулы. Большое внимание уделено преобразованию Фурье в цилиндрических координатах. В IV главе разбираются общие закономерности функции интенсивности рассеяния объектами произвольного типа, в том числе закон сохранения интенсивности , свойства функции межатомных расстояний, формфактор. Глава V посвящена анализу функций, описывающих строение объектов с упорядоченностью произвольного типа — от кристаллов до газов, и соответствующих интерференционных функций.  [c.4]

Кристалл является наиболее удобным объектом для исследования атомного строения вещества. Рентгеноструктурный анализ кристаллов дает довольно надеж-1ную информацию о пространственном расположении атомов, однако химическую связь на основе лишь только одних кристаллохимических данных выяснить невозможно. Кристаллохимические данные очень важны (в сочетании с химическим анализом) для идентификации вещества и только сочетание электрофизических, магнитных, физико-химических и химических методов дает возможность выяснить некоторые вопросы химической связи. Как известно, удовлетворительное объяснение химической связи на основе квантовой механики было дано лишь во второй четверти XX века.  [c.7]

Первым шагом была проверка количественной зависимости Dq от R, вытекающей из теории [40]. Такие попытки предпринимались и ранее в отношении редкоземельных ионов TR, но так как анализ проводился на множестве кристаллов и без учета кристаллохимических особенностей, то они были безуспешны. Весьма плодотворным оказался следующий подход. Все кристаллы, в которых изоморфно замещает А1 (а также близкие к нему по ионным радиусам IVIg, Ga и др.), были разбиты на ряд групп, объединяющих изоструктурные либо близкие по структуре минералы (искусственные соединения). Это позволило более последовательно (и более четко) проследить зависимость спектров поглощения кристалла от его структуры и выяснить ряд закономерностей поведения спектров и прежде всего количественную зависимость Dq st f —). Величины Dq бы-  [c.190]



Смотреть страницы где упоминается термин Кристаллохимический анализ : [c.484]    [c.311]    [c.493]    [c.35]    [c.252]    [c.183]   
Техническая энциклопедия Том15 (1931) -- [ c.0 ]

Техническая энциклопедия Том 11 (1931) -- [ c.0 ]



ПОИСК





© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте