Сегнетоэлектрические кристалл

Кузьминов Ю. С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением, М, Наука. [c.314]

Наконец, лампой-вспышкой с сегнетоэлектрическим кристаллом могут пользоваться фотографы. Однако им придется иметь какой-то дополнительный источник тепла для подогрева кристалла, хотя бы свечу. [c.128]

Василевская A. ., Сонин A. . Связь диэлектрических и электрооптических свойств сегнетоэлектрических кристаллов группы KDP в параэлектрической фазе. — ФТТ, 1971, т. 13, №6, с. 1550. [c.296]

Электрооптический эффект наблюдается в некоторых сегнетоэлектрических кристаллах. [c.149]

Обычно чистые сегнетоэлектрические кристаллы не обладают высокой чувствительностью к свету, что позволяет использовать их в электрооптике для модуляции лазерного излучения. Однако легирование переходными металлами, нарушение стехиометрии, отжиг в восстановительной атмосфере, облучение у-лучами и приложение электрического поля позволяют значительно увеличить их светочувствительность. [c.322]

Чувствительность сегнетоэлектрических кристаллов к оптически индуцированному изменению показателя преломления (в скобках указана толщина образца в мм) [c.331]

Коэффициенты поляризации второго порядка, которые описывают нелинейные взаимодействия лазерных лучей с сегнетоэлектрическими кристаллами, отличаются по величине для разных материалов на несколько порядков. [c.369]

На рис. 8.12 показаны зависимости б от Р, для нескольких сегнетоэлектрических кристаллов при температуре 300 К. Линия 1 рассчитана с помощью приближенной модели ангармонического осциллятора. Линия 2 соответствует экспериментальным данным, обработанным по методу наименьших квадратов, где все точки имеют одинаковые статистические веса. Линия 3 показывает зависимость средней величины б, имеющей стандартное отклонение а. На рисунке приведены такн е экспериментальные значения б для нескольких соединений, большинство которых лежит внутри интервала б а. [c.371]

Параметры некоторых сегнетоэлектрических кристаллов [57, 58 [c.378]

Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением [c.400]

Еще одной из систем, в которой реализуются высокие нелинейности, являются сегнетоэлектрические кристаллы с размытым фазовым переходом (кристаллы ниобата бария-стронция). [c.58]

Иона ф., Ш и р а н е Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М. Мир, [c.299]

Тс—температура Кюри сегнетоэлектрического кристалла [c.312]

Большое практическое значение имеют смешанные сегнетоэлектрические кристаллы, отличающиеся малым tgS и высоким удельным сопротивлением. Смешение двух сходных сегнетоэлектриков дает обычно сегнето-электрик с точкой Кюри, расположенной между точками Кюри компонентов, а смешение сегнетоэлектрика [c.334]

В сегнетоэлектрических кристаллах, где имеется переход из сегнето-электрического состояния в парафазу, за параметр порядка можно принять электрический дипольный момент единицы объема тела. В фазовых переходах некоторых металлов при низких температурах в сверх-проводимое состояние параметр порядка связан с особенностями электронной структуры, а именно с появлением пар взаимосвязанных валентных электронов. [c.243]

Сегнетоэлектрики — вещества, обладающие в некотором температурном интервале спонтанной поляризацией в отсутствии внешнего электрического поля. Но так как сегнетоэлектрический кристалл (рис. 1.2) состоит из больпюго количества областей (доменов) с раз- личными направлениями ориентации их спонтанных электрических моментов, геометрическая сумма которых равна нулю, то на опыте можно наблюдать изменения такого момента с температурой. [c.13]

Рассмотрим конкретный пример кристалла титаната бария (BaTiOj). Он представляет собой сегнетоэлектрический кристалл с температурой фазового перехода Т . = 120 °С. Ниже температуры перехода Т < Т ) кристалл является ацентрическим с точечной группой 4mm и преобладает линейный электрооптический эффект. Выше температуры перехода Т > Т ) кристалл обладает симметрией тЗт (кубической) и линейный электрооптический эффект исчезает. Пусть поле действует вдоль направления <110) в кристалле [c.282]

При считывании используется одно из двух излучений, при этом стирания записи не происходит. Перекос заряда при записи обеспечивает изменение показателя преломления благодаря электрооптическому эффекту. Для записи используют сегнетоэлектрические кристаллы LiNbOa [102] и KTN [103], чистые или легированные. Эффективность записи можно усилить, приложив внешнее поле. [c.168]

К у 3 ь м и н о в Ю. С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением,— М Наука, Главная редакция физико математжчеокой литературы, 1982 — 400 с. [c.2]

В различных модельных теориях сегнетоэлектрических кристаллов АВОз со структурой типа перовскита предполагается та или иная степень ковалентности связей ионов в кристаллической решетке. Маттиас [32], например, считает, что в сегнетоэлектрических кристаллах реализуются Чисто ионные связи. Веневцев и Жданов 33] высказываются более осторожно, считая, что эти связи носят преимущественно ионный характер. Беляев [16] предполагает, что характер связей близок к их характеру в соответствующих окислах. Смоленский [34], Мегоу [35] и Вузден [36] полагают, что сегнетоэлектрики представляют собой ионные соединения с определенной долей ковалентных связей. Последняя точка зрения подтверждается работами Блохина [37]. Мегоу считает также, что возникновение спонтанной поляризации связано с резким усилением ковалентного характера связей в точке Кюри. [c.18]

В начале 60-х годов Г. А. Смоленский с сотрудниками [1—4] открыли семейство сегнетоэлектриков сложного состава со структурой перовскита. Позднее некоторые из них были получены в монокристаллическом состоянии, что позволило подробно изучить диэлектрические, оптические и электрооптические свойства этих соединений. Оказалось, что сегнетоэлектрические кристаллы PbsZnNbaOg и PbjMgNbaOg обладают значительным квадратичным электрооптическим эффектом. Отличительной особенностью этих соединений является размытый фазовый переход, который определяет релаксационный характер диэлектрической проницаемости и электрооптического эффекта. Кристалл PbaZnNbaOg и его магниевый аналог могут быть получены достаточно крупных размеров и хорошего оптического качества, что выгодно отличает их от кристаллов КТН. Последнее обстоятельство обусловливает их практическое применение в электрооптических модуляторах и дефлекторах света. [c.66]

В обн ем случае линейный электроонтический эффект в сегнетоэлектрических кристаллах интерпретируется как квадратичный электроонтический эффект, основанный на спонтанной поляризации [6]. Квадратичные электроопти-ческие константы даются выражениями [c.271]

Настоящий раздел содержит две главы — 7 и 8. Гла ва 7 посвящена рассмотрению вопросов взаимодействия лазерного излучения видимого диапазона длин волн с сегнетоэлектрическими кристаллами, в основном с ниоба-тами и танталатами щелочных и щелочноземельных металлов. Рассмотрение этих вопросов представляет большой научный и практический интерес, так как большинство этих материалов применяется в качестве модуляторов и преобразователей излучения квантовых генераторов. Здесь следует отметить, что рассматривается взаимодействие излучения с кристаллами, приводящее к появлению неоднородностей показателя преломления (эффект фоторефракции). Как следствие этого эффекта возрастает остаточное светопропускание и увеличивается интервал температурного синхронизма генерации второй гармоаики. [c.291]

Рассмотрение этих вопросов представляет интерес с двух точек зрения с точки зрения повышения стойкости кристаллов к лазерному излучению, а также, наоборот, увеличения чувствительности для использования этз1х кристаллов в качестве среды для голографической записи информации. Предложено несколько физических моделей механизма взаимодействия лазерного излучения с сегнетоэлектрическими кристаллами. Проявление того или иного механизма обусловлено структурой энергетических уровней в запрещенной зоне кристалла, а также видом воздействия (пятно или голографическая решетка). На структуру энергетических зон кристалла можно воздействовать путем введения примесей, восстановления катионов, диффузией ионов в кристалическую решетку. Таким образом, можно управлять чзпвствительностью кристаллов к лазерному излучению. [c.291]

Индуцированное светом изменение показателя преломления в сегнетоэлектрических кристаллах LiNbOa и LiTaOs впервые наблюдали в 1966 г. Ашкин с соавторами [1] и Чей с соавторами [2]. В этих крис аллах под действием сфокусированного луча газового лазера мощностью несколько милливатт очень легко создается оптическая неоднородность. Она возникает вдоль луча лазера вследствие изменения главным образом показателя преломления необыкновенного луча Пе. [c.293]

Объемный фотовольтаический эффект, являющийся одним из основных свойств сегнетоэлектрических кристаллов, объясняется локальной асимметрией положения примесного иона в сегнетоэлектрической матрице. Вследствие различия расстояний Nb +—Fe + вдоль направлений оси + с и — с вероятности переноса заряда в этих направлениях и Р-) при фотовозбуждении в зону проводимости будут различными. Зона проводимости кристалла LiNbOs образуется ds-орбиталями ионов Nb Г23]. Под действием фотовозбуждения возникает ток, текущий в предпочтительном направлении Р. Вероятности термической рекомбинации в направлениях с также будут различаться. Токи /+ в направлениях с даются выражением [c.308]

Следует отметить, что в двупреломляющих сегнетоэлектрических кристаллах Ал 10 —10 и брэгговские углы падения для межмодовой и внутримодовой дифракции отличаются существенным образом [5.16, 5.22—5.24] (рис. 5.6). В свою очередь в кубических оптически активных кристаллах расщепление поверхности волновых векторов весьма невелико (Апс 0-8 10 в BSO при Я л 0.5 мкм). Поэтому брэгговские углы падения для наблюдения межмодовой дифракции, как правило, лишь незначительно отли- [c.83]

При сегнетоэлектрическом переходе неполярный кристалл становится спонтанно поляризованным. Как правило, неполярная фаза является более высокотемпературной, чем полярная. Сегнето-электрические переходы могут быть близки к модели ФП как первого, так и второго рода, причем почти в каждом сегнетоэлектрическом кристалле ФП имеет свои особенности. Число известных сегнетоэлектриков и близких к ним кристаллов (антисегнетоэлек-трпков, сегнетпэлектриков, виртуальных сегнетоэлектриков, несобственных сегнетоэлектриков) превосходит 600, а с твердыми растворами превышает 5000. Целесообразно поэтому остановиться на рассмотрении лишь наиболее обших явлений, связанных с ФП в сегнетоэлектриках. [c.101]

Антисегнетоэлектрические ФП близки по своей физической природе к сегнетоэлектрическим, а антисегнетоэлектрики по своей структуре и химическому составу близки к сегнетоэлектрическим кристаллам. Однако в антисегнетоэлектриках Рс = 0, потому что появляющаяся при ФП спонтанная поляризация скомпенсирована в пределах одной элементарной ячейки. Энергия антиполярного состояния близка к энергии полярной фазы, поэтому внешние воздействия могут превратить антисегнетоэлектрик в сегнетоэлект-рик сильное электрическое поле ( > к) вызывает ФП из апти-полярной в полярную фазу, при этом возникает двойная петля диэлектрического гистерезиса. [c.108]

Теплометрические преобразователи на пироэлектриках применяются для измерения температуры, теплоемкости, теплопроводности, теплообмена и др. Предельная чувствительность таких приборов составляет 10 К- В теплометрии целесообразно использовать поляризованные (монодоменные) сегнетоэлектрические кристаллы с высокой точкой Кюри (например, ниобат или танталат лития). В этих пироматериалах в широком температурном интервале пирокоэффициент мало изменяется с температурой и характеризуется временной стабильностью. [c.174]

Образование полидоменной структуры в сегнетоэлектрических кристаллах выгодно энергетически, так как монодоменный кристалл создает в окружающем пространстве электрическое поле (являясь электретом). Энергия внешнего поля понижается с уменьшением размеров доменов, но при этом возрастает энергия доменных стенок, разделяющих области с разным направлением спонтанной поляризации. В зависимости от температуры, свойств окружающей среды и структурных дефектов сегнетоэлектрическо-го криста.1ла образуется устойчивая полидоменная структура [c.176]

Два противоположных значения спонтанной поляризации сег-нетоэлектрика (+Рс и —Рс) в сегнетоэлектрических кристаллах могут длительно сохраняться, обеспечивая тем самым в запоминающих устройствах ЭВМ запись и хранение информации по двоичному коду. Например, импульс положительной полярности ориентирует домены и приводит к остаточной поляризации, примерно равной +Рс- Последующий положительный считывающий импульс в этом случае не приводит к переполяризации и ток через сегнетоэлектрический элемент памяти оказывается ничтожно малым. Если же записан отрицательный импульс, то при считывании происходит переполяризация — скачок поляризации от —Рс до +Рс, что приводит к импульсу тока через сегнетоконден-сатор. Аналогичным образом сегнетоэлектрическая пленка может управлять током канального транзистора, если сегнетоэлектрик используется в качестве подзатворного диэлектрика (напыляется в ходе изготовления микросхемы). [c.188]

Из таблицы следует, что наибольшей эффективностью обладают сегнетоэлектрические кристаллы вблизи точек Кюри, а также перовскитный сегнетоэлектрик с размытым фазовым переходом KTN. На лучших из испытывавшихся материалов, в частности кристаллах KDP и DKDP, вблизи Гк на > = 0,63 мкм было. получено разрешение в 200 элементов, что соответствует величине отклонения в 2,6 мрад/кВ. Ни один из описанных в литературе вариантов аналоговых дефлекторов широкого применения не нашел. [c.205]

Отметим еще одну возможность использования изменения упругой податливости в области ФП. Механическое или электрическое поле может перестроить направления синхронизма в нелинейных оптических средах [130]. Эти эффекты реализуются как на сегнетоэлектрических кристаллах вбизи 7, так и в нематических жидких кристаллах (НЖК) при переходе Фредерикса (в слое НЖК с однородной ориентацией направление директора изменяется под влиянием внешнего поля) [150]. Таким образом, появляется возможность упростить конструкцию многоцветных перестраиваемых лазеров с каскадным преобразованием частоты. [c.259]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...