Ловушка ионная

Техника лазерного охлаждения сделала возможным уменьшить кинетическую энергию накопленных в ловушке ионов до такого уровня, когда движение центра инерции иона должно рассматриваться на основе квантовой механики. Поскольку удерживающий ионы потенциал квадрупольной ловушки, типа показанной на рис. 1.2 ловушки с крышками, в первом приближении квадратичен, движение центра инерции описывается гамильтонианом гармонического осциллятора. [c.44]

I — насос жидкого хладоагента 2 — стол с образцами для испытаний 3 — форвакуумный насос 4 — азотная ловушка 5 — масляный диффузионный насос 6 — генератор водородных ионов 7 — собирающая линза 8 — сепаратор электронов 9 — электромагнитный сепаратор для ускорения пучка протонов 10 — монохроматор II — интегрирующая сфера 12 — источник ультрафиолетовой радиации 13 — штанга для подъема образцов после облучения [c.182]

В отличие от упругой тепловая поляризация устанавливается достаточно медленно. Приложение внешнего злектрического поля к диэлектрику, находящемуся в состоянии термодинамического равновесия, приводит к определенной перестройке системы (диэлектрика). В результате этого через некоторое время, называемое временем релаксации, устанавливается новое поляризованное равновесное состояние. Если электрическое поле выключить, то за счет тепловых колебаний и перемещений частиц восстанавливается хаотическая ориентация диполей или хаотическое распределение электронов и ионов в ловушках . Поляризованное состояние че- [c.283]

В этом случае, когда уровни ионов активаторов лежат выше валентной зоны, дырка всплывает на эти ионы, вернее электроны с центра свечения рекомбинируют с дыркой. Вследствие этого в решетке появляются ионизованные центры свечения, а в зоне проводимости — электроны, перенесенные сюда ранее при возбуждении из валентной зоны. Дальнейший процесс идет по описанной выше схеме электроны из полосы проводимости непосредственно или после нескольких промежуточных локализаций на ловушках рекомбинируют с возбужденными центрами и дают свечение. Таким образом четвертый вариант аналогичен второму варианту, усложненному переносом дырки на активатор. [c.186]

Однако зависимость у(Т) часто обусловлена не экспоненциальным ростом концентрации носителей, как в полупроводниках п ехр(-Ж/кТ), а ростом подвижности р схр(-ШкТ). Это связано с тем, что дрейфовая подвижность ионов мала и осуществляется путем их перескока с ловушки на ловушку, разделенных потенциальным барьером (так называемая прыжковая электропроводность). Вероятность таких тепловых перескоков прямо пропорциональна ехр(-ЖД Т). [c.99]

Таким образом, главная опасность заключается в том, что под действием облучения может нарушиться симметричность характеристик термисторов, что приведет к различию между прямым и обратным сопротивлением во всех случаях, где закись меди является одним из основных компонентов смеси. Остальные окислы металлов ведут себя под облучением в основном подобно закиси меди, причем в большинстве случаев наблюдается остаточный эффект ионных смещений вблизи поверхности материалов. Ионные смещения, например, в окиси цинка [5] уменьшают каталитическую активность окислов. В связи с этим появляется возможность рассеяния или захвата электронов ловушками, что может изменить важные для термисторов электрические характеристики. [c.362]

Эластичные магниты применяют в качестве корректоров отклоняющей системы телевизоров, в ионных ловушках как уплотнительные и герметизирующие элементы, а также для удаления металлической пыли и опилок, содержащихся во взвешенном состоянии в газах и жидкостях, для ленточных конвейеров (при транспортировке магнитного порошка) в конвейерах поточной линии для удержания небольших металлических изделий и т. д. [c.130]

Базовым элементом установки является камера 6 с водяным змеевиком. Откаточный насос 10 обеспечивает в камере вакуум до 10 ... 10 Па. Для вымораживания паров масла предусмотрена азотная ловушка //. Дуговой разряд возбуждается между водоохлаждаемым анодом 5 и распыляемым материалом - катодом 4. Для первоначального возбуждения дуги служит вспомогательный электрод 2. Электродуговой ускоритель плазмы работает от силового специализированного источника постоянного тока 3. Для экстракции ионов из плазменного потока и их ускорения в направлении напыляемого изделия использован высоковольтный источник питания /, а от него на напыляемое изделие 7 подается отрицательное смещение от десятков вольт до 2...3 кВт. В более совершенных установках предусмотрено несколько испарителей (до шести). [c.376]

Структурная схема прибора МС-62 приведена на рис. 6.3. Конструктивно прибор выполнен в виде двух стоек. На стойке аналитической части смонтировано два электромагнита, две камеры анализаторов с источником и приемниками ионов, два ртутно-диффузионных насоса с высоковакуумными охлаждающими ловушками и вентилями большого проходного сечения, трансформатор подогрева анализаторов, электромагнитные клапаны вакуумных коммуникаций и система напуска газа в ионный источник. [c.148]

Полная схема вакуумных коммуникаций приведена на рис. 6.4. Высокий вакуум получают при помощи двух ртутно-диффузионных насосов типа ДРН-10, один насос установлен в области ионного источника, а второй — в непосредственной близости от ионных коллекторов. Такое расположение насосов способствует получению высокого вакуума в аналитических камерах, проходящих в узких межполюсных зазорах отклоняющего электромагнита. Высоковакуумные охлаждающие ловушки подключены к камерам анализатора через вентили 3 и 12. которые имеют большое сечение проходного отверстия для откачки (30 мм). С помощью этих вентилей камера анализатора может быть отключена от системы вакуумной откачки. В этом положении при работающих вакуумных насосах камера анализаторов через вентиль 4 заполняется до атмосферного давления сухим воздухом, поступающим из атмосферы через фильтр 20 и фор-вакуумную ловушку 21. Эту операцию выполняют при закрытых вентилях для откачки форвакуумного баллона 16. Отключенная таким образом от диффузионных насосов высоковакуумная часть прибора, заполненная чистым (без следов водяных паров) воздухом до атмо- [c.150]

Вариантом квадрупольного анализатора служит т. н. трёхмерная квадрупольная ловуш-к а (рис. 9), представляющая собой два гиперболоида вращения, ограниченных по бокам кольцевым электродом 3, также с гиперболич. сечением внутр. поверхности, Электроды 1 ж 2 заземлены, на электрод 3 подаётся ВЧ-напряжение. В электроде 1 имеется отверстие для ввода ионизирующих электронов электрод 2 выполнен в виде сетки, за к-рой расположен коллектор 4. Ионы образуются внутри ловушки электронным ударом (импульсно включается электронный пучок). После импульса прикладывается ВЧ-напряжение, изменением амплитуды к-рого осуществляют развёртку масс-спектра. Из-за симметрии ловушки ионы попадают как на верхний, так и на нижний электроды. В приведённой на рис. 9 конструкции регистрируется сигнала. [c.56]

Жидкие диэлектрики при облучении в основном структурируют, что приводит к образованию осадка в результате накопления ус-стойчивых продуктов радиационно-химических реакций. По окончании облучения в жидких электроизоляционных материалах продолжительное время могут существовать свободные радикалы и захваченные ловушками ионы, что следует учитывать при проведении испытаний. [c.320]

Горячую плазму можно получать путем инжектирований (впрыскивания) в ловушку ионов, предварительно ускоренных до нун ной энергии. [c.32]

Что касается логических квантовых ворот, то их экспериментальная реализация была продемонстрирована совсем недавно [44,45] (см. также [46,47]). Как действуют такие ворота, проще всего разобрать на примере устройства [44], где использовался один единственный ион В, находящийся в радиочастотной ионной ловушке. Ионы настолько сильно охлаждены, что могут занимать только два осцилляторных уровня продольных колебаний в ловушке. Эти уровни, раздвинутые друг от друга на 11 МГц, служат двумя состояниями, 0f-), V), управляющего кубита. Управляемый кубит (target qubite) состоит из двух уровней, 0я), 1я) сверхтонкой структуры иона в основном состоянии. Расстояние между этими уровнями, равное 1250 МГц, лежит в радиодиапазоне, но в условиях эксперимента соответствующие переходы возбуждались двумя лазерами на частоте их биений. [c.133]

Возможна и рекомбинация через локальный уровень, лежащцр вблизи дна зоны проводимости (рис. 16.4, 5—8, 9). В этом случае электрон со дна зоны проводимости захватывается так называемыми ловушками — локальными уровнями (рис. 16.4, 6), иногда называемыми также уровнями прилипания. Если эти уровни лежат неглубоко от дна зоны проводимости, то под действием тепловой энергии электрон может быть переброшен обратно в зону проводимости (рис. 16.4, 7). В дальнейшем электрон, так же как и в первом случае, опускаясь на уровень активатора, рекомбинирует с образовавшейся дыркой в валентной зоне. Возбужденный ион активатора за счет получения энергии рекомбинации становится центром высвечивания. Ввиду задержки электрона на локальных уровнях такое свечение бывает продолжительным. Его длительность определяется также глубиной локальных уровней. Если локальный уровень лежит так далеко от дна зоны проводимости, что тепловая энергия при данной температуре кристалла недостаточна для возвращения электрона обратно в зону проводимости, то он может быть пленен на этом уровне до сообш,ения ему нужной энергии другим способом, скажем облучением. Электрон из этого пленения можно освободить также путем дальнейшего нагревания кристалла. Подобное свечение называется термовысвечиванием. [c.363]

Элементарные процессы в кристаллофосфорах. Значительно более сложна картина процессов, происходящих Б кристаллофосфорах. Общее представление о ней можно получить, обратившись к ркс. 8.2. Здесь Ei — вершин а валентной зоны, Е — дно зоны проводимости, АЯ — ши-]7нна запрещенной зоны, Е я Е — соответственно основной и возбужденный -уровни примесного иона-активатора (здесь для простоты рассматриваются только два уровня г, общем случае примесный ион имеет большее число уровней), 9 — один из экситонных уровней, —уровень примеси, играющей роль ловушки для электронов про- [c.188]

Рекомбинационными ловушками являются доиорные или акцепторные уровни, достаточно удаленные от граннц запрещенной зоны. Процесс рекомбинации через ловушку может происходить следующим образом. На первой ступени 1 процесса электрон захватывается незанятым уровнем ловушки (рис. 8-9, б). Таким образом, электрон выбывает из процесса электропроводности, а ловушка становится отрицательным ионом. В stom состоянии ловушка будет находиться до тех пор, пока к ней не подойдет дырка. Электрон перейдет на свободный уровень в валентной зоне, т, е. осуществится вторая ступень рекомбинации 2. [c.249]

Аналогично может происходить н рекомбинация дырок через ловушку, имеющую в исходном состоянии лишний электрон (рис. 8-9, в). На первой ступеин / происходит переход электрона из човушки на свободный уровень валентной зоны, а на второй 2 — переход электрона из зоны проводимости на уровень ловушки. Двухступенчатый процесс рекомбинации более вероятен, так как он не требует одновременного присутствия в данной точке полуировод-ника электрона и дырки. Ловушка воспринимает также и количество движения, необходимое для соблюдения закона сохранення импульса, и часть энергии, освобождаемой в процессе рекомбинации. Рекомбинационными ловушками могут быть любые дефекты в кристаллах примесные атомы или ионы, различные включения, не- [c.249]

Вакуумная система установки выполнена по схеме, показанно на рис. 70. Она состоит из вакуумной камеры 1, форвакуумного насоса 2, ионно-сорбционного насоса 3 (типа НЭМ-100-2). Форвакуумный насос соединяется с каморой через цеолитовую ловушку 4. Измерение остаточного давления в камере осуществляется манометрическими ламгГами 5 и 6. [c.135]

Сепарация частиц по массам всегда проявляется в плазменных ускорителях. Напр., в ускорителях с замкнутым дрейфом частицы, родившиеся в одной точке и поэтому прошедшие одну и ту же разность потенциалов и пересекшие один и тот же магн, поток, на выходе из ускорителя имеют разные азимутальные скорости и М 1 (вследствие сохранения обобщённого момента кол-ва движения), что и приводит к сепарации. Чётко проявляется М.-с. тяжёлых ионов (примесей) в замкнутых магнитных ловушках, напр, в токомаках. [c.53]

Рис. 9. Трёхмерная нвадруполь-ная ионная ловушка г — гиперболический электрод с отверстием для ввода ионизирующих э.дектронов е 2 — гиперболический электрод с сетной з — кольцевой гиперболический электрод 4 — коллектор ионов.

Существует неск. методов Н. п. В установках с магн. удержанием плазмы (токамаках, открытых ловушках, стеллараторах и др.) основными являются омический (джоулев) нагрев нагрев с помощью ВЧ эл.-магн. поля нагрев пучками атомов. В импульсных установках с магн. удержанием плазмы применяют также нагрев с помощью быстроыарастающего магн. поля, инжекции в плазму электронных и ионных пучков и лазерного излучения. [c.236]

Трудности повышения параметров плазмы в амбиполярных ловушках связаны гл. обр. с возможностью усиленного рассеяния ионов концевых пробкотронов на надтепловых флуктуациях. [c.490]

Совсем др. возможности увеличения времени удержания связаны с переходом к О. л. с длиной L, превышающей длину свободного пробега ионов. Пример систем такого типа — много пробочная ловушка (МПЛ), предложенная в нач. 70-х гг. Установка имеет вид цепочки связанных между собой пробкотронов (рис. 1, г), [c.491]

В 1980-х гг. появилась гипотеза о круговороте плазмы в. магнитосфере Земли. Эксперим. подтверждение этой гипотезы получено при измерениях ионного состава Р. п.— среди энергичных частиц зарегистрирована значит, доля ионосферных ионов (ионов кислорода и молекулярных ионов). Хотя мн. аспекты процессов ускорения и переноса частиц в магнитосфере недостаточно ясны, в первом приближении Р. п. можно считать промежуточным резервуаром накопления энергичных частиц, перемещающихся по энергетич. шкале в процессе круговорота . Предполагается, что круговорот плазмы в магнитосфере Земли происходит по следующей схеме. В полярных областях вдоль открытых силовых линий геомагн. поля, уходящих в удалённые области магнитосферы, ионосферные ионы и электроны с энергией неск. эВ (превышающей их тепловую энергию) испаряются из плотных слоёв атмосферы, преодолевая гравитац. притяжение Земли (т, и. полярный ветер). Попадая в плазменный слой хвоста магнитосферы, эти частицы ускоряются до энергий порядка неск, кэВ и вовлекаются в конвективное движение плазмы к Земле, На внеш. границе Р. п. (на геоцентрич. расстояниях 6—10 На, Нд — радиус Земли) большие квазистационарные электрич. поля и сильно неоднородные магн. поля увеличивают энергию частиц ещё на один-два порядка. Далее, перемещаясь ближе к Земле, в район максимума потоков частиц Р, п. (2—5 На), в результате, рассеяния на колебаниях электрич. и магн. полей, частицы попадают в область всё более сильного магн. поля, испытывая индукд, ускорение вплоть до энергий в сотни МэВ. Те же процессы рассеяния, к-рые приводят к радиальному перемещению частиц к Земле, обусловливают их попадание в конус потерь (см. Магнитные ловушки). Он определяется соотношением между полем в вершине силовой линии (в экваториальной плоскости) и нолем вблизи торца геомагн. ловушки (в верх, слоях атмосферы). Частицы, у к-рых достаточно велика продольная (по отношению к магн. полю) компонента скорости при движении вдоль силовой линии, попадают в плотные слои атмосферы. Здесь они сталкиваются с ионами или нейтральными атомами и тормозятся, теряясь среди тепловых ионов. После переноса в полярные области заряж. частицы готовы вновь стать полярным ветром и начать новый цикл, Помимо высыпания в верх, атмосферу др. механизмом потерь является перезарядка энергичных частиц (см. Перезарядка ионов) на нейтральных атомах экзосферы. Этот процесс особенно важен для долгоживущих энергичных частиц. В целом различия в механизмах ускорения и потерь разных составляющих Р. п.— электронов, протонов и др. частиц — настолько [c.208]

В основе Т,, м. лежит ограничение движения составляющих плазму заряж. частиц (электротюв и ионов) в направлении, поперечном к магн. полю В, за счёт силы Лоренца. В результате траектории частиц выглядят как спирали, обвивающие магн. силовые линии, и если бы частицы не испытывали столкновений (точнее, кулоновского взаимодействия между собой), то Т. м, в магн. ловушках была бы идеальной. Но при большой частоте столкновений v, значительно превосходящей циклотронную частоту ui = eBjm вращения чаети[1ы (с зарядом е и массой т) вокруг магн. силовой линии, когда ср. длина свободного пробега частицы I-V/V (у — ср. тепловая скорость) много меньше ср. радиуса спирали гв —у/<Ив (лар.моровский радиус), магн. поле практически не влияет на траекторию частиц и Т. м, отсутствует, Т. м. становится эффективной при [c.93]

Источник с электронно-циклотронным резонансом (E R). Этот тип источника—двухступенчатый, В первой ступени с помощью электронов, разогретых за счёт передачи энергии вынужденных СВЧ-колебаний на ларморовской электронной частоте / , тоздаётся низкозарядная плазма при давлении 10 —10 тор (подводимая мощность СВЧ<0,5 кВт,/л = 6,4—16 ГГц для разл. типов конструкций). Во второй стадии создаётся давление 10 тор, холодная плазма диффундирует а зеркальную магнитную ловушку, где за счёт электронно-циклотронного резонанса (мощность СВЧ 1—1,5 кВт) энергия электронов плазмы повышается до 1 —10 кэВ. Магн. ловушка в зоне ионизации плазмы быстрыми электронами увеличивает время их взаимодействия с ионами до 10—50 мс (ял 10 с/см ) и заметно повышает заряд ионов. Источник прекрасно воспроизводит характеристики пучка, обладает высокой надёжностью в работе и большим сроком службы. [c.196]

При работе масс-спектрометра газ непрерывно поступает из пробы в ионный источник, рабочее давление которого значительно выше, чем в анализаторе. Поскольку источник и анализатор сообщаются, возникают технические трудности, связанные с поддержанием возможно большего перепада давления между источником и анализатором, как одного из условий работы масс-спектрометра. Л елаемый перепад. давлений достигается установлением необходимых соотношений между скоростью откачки соответствующей области и проводимостью вакуумных каналов. Конструируя ионный источник, стараются, чтобы его ионизационная камера соединялась с анализатором только через апертурную щель для прохода ионного луча. Таким образом, область ионного источника отделяется от анализатора только щелью, которая представляет большое сопротивление молекулярному потоку газа. С помощью раздельной регулировки проводимости каналов откачки газа из источника и анализатора добиваются возможно большего перепада давлений между ними. Для облегчения регулирования откачки объемов источника и анализатора обычно используют два диффузионных насоса. Между о.хлаждающими ловушками и трубой масс-спектрометра предусмотрены высоковакуумные вентили, с помощью которых устанавливается необходимая скорость откачки указанных частей прибора. [c.94]

Смотреть страницы где упоминается термин Ловушка ионная : [c.561] [c.403] [c.428] [c.1689] [c.180] [c.7] [c.596] [c.30] [c.146] [c.56] [c.236] [c.406] [c.490] [c.491] [c.614] [c.615] [c.616] [c.232] [c.647] [c.134] [c.136] [c.61] [c.151]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...