Кристаллы поглощавшие

В кристаллах, обладающих поглощением, картина Д. л. более сложна. Как известно, волны в поглощающих средах неоднородны векторы Л, Л> и Л, Л в общем случае поляризованы эллиптически, причём эллипсы различны и ориентированы по-разному. Поэтому в общем случае имеет место. эллиптическое Д. л. эллипсы векторов двух волн Di и подобны, ортогональны и имеют одно направление обхода, но разные размеры вследствие анизотропии поглощения (см. Дихроизм). То же имеет место для векторов Hi и В , но эллипсы их отличаются от первых формой и ориентацией (ориентации совпадают лишь при круговой поляриза]1Ви). [c.560]

В абсорбционной С. к. определяют зависимость поглощения образцов от длины волны падающего излучения в разл. областях спектра коэф. поглощения может составлять от 10 до 10 м , соответственно образцы должны иметь толщины от десятков см до микрон. Для исследования очень сильно поглощающих образцов используют спектроскопию отражения, позволяющую по Френеля формулам получить Коэф. отражения и поглощения света. По поляризац. характеристикам определяют двулучепреломление и дихроизм кристаллов. [c.625]

Если поглощающее ядро находится в области кристалла, в которой заряды других ионов или собственных электронов атома (когда распределение их не является сферически симметричным) создают градиент напряженности электрического поля, то линия также расщепляется. Такое расщепление называется квадрупольным. [c.463]

Излучающие или поглощающие атомы, занимая неэквивалентные положения в решетке, могут иметь различных соседей и, следовательно, различную электронную структуру. Соответственно их вклад в мессбауэровский спектр будет различным из-за разного сверхтонкого взаимодействия. Поэтому возникает возможность различать типы расположения атомов в кристалле и, следовательно, изучать процессы, связанные с перераспределением атомов примеси и матрицы, их сегрегацией, возникновением упорядоченных структур, выделением избыточных фаз из твердого раствора и т. д. [c.465]

Последнее приближенное равенство получено в гармоническом приближении теории кристаллов, когда тепловые смещения излучающего или поглощающего атома (и) подчиняются гауссову распределению. [c.169]

Необходимым условием изучения дефектов структуры с помощью эффекта Мессбауэра является связь излучающего или поглощающего ядра с дефектом. Так, появление квадру-польного дублета а кубических кристаллах закиси железа нестехиометрического состава показывает, что даже в решетках с кубической симметрией наличие катионных вакансий, связанных с ионом железа, приводит к нарушению этой симметрии и изменению спектра. Аналогичная ситуация будет, если излучающее или поглощающее ядро связано с примесным атомом. [c.170]

Наряду с экстинкцией существенное влияние на дифракционные свойства поглощающего кристалла оказывает пространственное распределение в нем волнового поля, образованного падающей и дифрагированной волнами. При изменении угла падения плоской волны в границах дифракционного пика максимумы волнового поля в кристалле плавно смещаются в пределах межплоскостного расстояния системы отражающих плоскостей. При их совпадении с атомными слоями наблюдается повышенное поглощение, а при сдвиге поглощение аномально мало. В соответствующей последнему случаю узкой области углов падения сохраняется высокий коэффициент отражения, несмотря на значительное фотоэлектрическое поглощение в кристалле. Этот эффект, впервые наблюдавшийся при дифракции на прохождение, получил название эффекта Бормана [7]. [c.307]

Механическая обработка поверхности расширяет дифракционный профиль, снижает интегральное отражение за счет образования на поверхности поглощающего слоя. Такие же изменения вызывают постепенное разрушение поверхностного слоя под действием атмосферной влаги [46], что частично объясняет разброс данных, полученных разными авторами или последовательно измеренных на одном образце. Удаление нарушенного слоя химическим полированием восстанавливает отражательную и разрешающую способности кристаллов [12, 46]. Для защиты водорастворимых кристаллов от протравливания поверхности рекомендуется напыление слоя алюминия толщиной 50 нм [13]. [c.312]

Расчеты и эксперименты показывают, что в диапазоне длин волн свыше 1 нм совершенные кристаллы обладают лучшими рентгенооптическими параметрами по сравнению с мозаичными. Дифракция Б них описывается динамической теорией в поглощающих кристаллах. Их коэффициент отражения в целом падает, а ширина дифракционного профиля растет с длиной волны, однако не превышает нескольких угловых минут. [c.313]

Однако, если излучающее и поглощающее ядра связаны в кристаллической решетке (или во всяком случае в конденсированной фазе), то при определенных условиях энергию отдачи воспринимает не отдельное ядро, а кристалл в целом, масса которого на много порядков превосходит массу ядра. Появляется конечная вероятность испускания (поглощения) у-квантов без отдачи. В спектре этому процессу соответствует несмещенная линия естественной ширины. Иначе говоря, максимум испускания (и поглощения) соответствует энергии Е ,, не смещенной на R (пунктирная линия на рис. 11.1), а ширина линии на половине высоты [c.135]

Наиболее важными поглощающими центрами в галоген идах щелочных металлов являются так называемые F-центры, которые под действием длинноволнового света разрушаются, и происходит обесцвечивание кристалла. Скорость процесса обесцвечивания возрастает с температурой. Поэтому голограмма записывается при температуре выше 80° С, а восстанавливается при нормальной температуре. Разрешающая способность определяется размерами молекул. [c.150]

Благодаря высокой интенсивности излучения импульсных лазеров запись голограмм производится па спец. материалах, т. к. многие материалы, предназначенные для непрерывной записи голограмм, мало чувствительны к коротким импульсам излучения. В И. г. используются тонкие ыагк. плёнки, к-рые могут быть локально нагреты лазерным излучением до точки Кюри (MnBi, EuG и др.), что приводит к изменению магн. п магпитооптич. свойств [1] полупроводниковые кристаллы, поглощающие жидкости и газы, комбинационно-активные среды (см. Комбинационное рассеяние света), среды с инверсией заселённостей и фазовой памятью [4]. [c.132]

В 1958 г. немецкий физик Мёссбауэр предложил метод резкого уменьшения энергии отдачи Гд как при испускании, так и при поглощении улучей. Идеей метода является использование излучающих и поглощающих ядер в связанном виде, т. е. в составе кристаллических решеток. В этом случае при определенных условиях (достаточно малая энергия перехода и низкая температура по сравнению с дебаевской температурой кристалла) становятся возможными ядерные переходы без изменения энергетического состояния кристалла, т. е. с передачей энергии отдачи упругим образом всему кристаллу в целом. Так как масса кристалла много больше массы ядра, тс в соответствии с формулой (11.14) потери на отдачу становятся чрезвычайно малыми и процессы испускания и поглощения могут происходить практически без отдачи . [c.178]

Установка включает в себя радиационную головку с источником °Со активностью 800 Ки, заключенную в теплозащитный экран. Сечение выходящего пучка автоматически регулируется в зависимости от ширины прокатываемого блюма. Регулировка достигается за счет ступенчатого перемещения поглощающих шторок коллиматора с помощью автоиомного привода. Блок приемников излучения, помещенный в водоохлаждаемый кожух, содержит десять сцинтилляционных детекторов с размерами кристалла 40x50 мм. Такая мозаика детекторов позволяет регистрировать поток излучения, прошедший через осевую зону шириной до 200 мм. [c.153]

Испытания, проведенные Ф. И. Катушевым и Д. Б. Ратне-ром, показали, что предохранить детали от коррозии можно при помощи остающихся на поверхности металла кристаллов нитрита натрия, поглощающих из окружающей среды воду и образующих нечто вроде пленки раствора, непрерывно создающей окнсную пленку на поверхности металла. Качество консервации раствором нитрита натрия зависит от тщательности обезжиривания и промывки поверхности деталей. [c.416]

К. ф. в поглощающих кристаллах обладают особенностями, напр, в двуосных поглощающих кристаллах иэогира не проходит через оптич. ось. [c.442]

Поглощающие кристаллы. Для описания свойств поглощающих кристаллов вводят симметричный тензор проводимости T,f , связывающий вектор плотности токами напряжённость поля Е ii Ofi E/ - Ур-ния связи имеют вид Di = s/ifEi с комплексным симметричным тензором диэлектрич. проницаемости е1/с=Б,- с 4лг(0 >а,/(. [c.513]

Регистрация нелинейного отклика используется для нелинейнооптич. диагностики кристаллич. структуры приповерхностных слоёв сильно поглощающих монокристаллов полупроводников и металлов (особенно диагностики с иико- и субпикосекундным временным разрешением). Совр. эксперим. техника позволяет легко регистрировать квадратичные и кубичные по полю эффекты в отражённом от кристалла свете, нелинейные взаимодействия в тонких приповерхностных слоях. [c.300]

Коллиматор формирует рабочий пучок первичного излучения — квазипараллельный или с заданной расходимостью. С коллиматором может быть совмещён кристалл-монохроматор, выделяющий излучение нужного спектрального состава. В Р, к., использующих синхрот-ронвое излучение, для подавления гармоник служат зеркала полного отражения. В конструкциях коллиматора предусмотрены, устранение излучения, рассеянного от краёв формирующих пучок деталей, а также возможность установки Селективно поглощающих фильтров. [c.343]

При дифракции в геометрии Брэгга (вектор h пер-пендикуля1№н поверхности кристалла) в толстом кристалле, Полностью поглощающем падающее излучение, существует одна Р. с. в. Условие s в выполняется в нек-рой области углов падения — в т. н. области Полного дифракц. отражения (ПДО), причём фаза de непрерывно меняет своё значение от нуля до л при сканировании через эту область. [c.363]

В ДГ, содержащей активную узкозонную область, заключённую между двумя широкозонными эмиттерами, прозрачными для генерируемого излучения, и не содержащей поглощающий свет подложки (т, н, многопроходные двойные гетероструктуры, МД Г), фотоны, отразившиеся от поверхности внутрь кристалла, могут после многократных отражений внести вклад в выходящее излучение. При этом потерь фотонов на поглощение в активной области Оа 9 А1 5А8 не наблюдается в связи с тем, что поглощение происходит с пере-язлучением, квантовый выход к-рого близок к 1. Мно-гопроходность приводит к резкому возрастанию Двн-Так, в С, на основе МДГ Са1,, А1 кАз (рис. 3) достигнут т ен = 21% в красной области спектра и 38% в ИК-днапазове. [c.467]

ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ—дефекты кристаллич. решётки, поглощающие свет в спектральной области, в к-рой собств. поглощение кристалла отсутствует (см. Спектры кристаллов). Первоначально термин Ц. о. относили только к т. н. / -центрам (от нем. Farbenzentren), обнаруженным в 1930-х гг. в шёлочно-галоидных кристаллах Р. В. Полем (R. W. Pbhl) с сотрудниками и представляющим собой анионные вакансии, захватившие электрон. В дальнейшем под Ц. о. стали понимать любые точечные дефекты, поглощающие свет вне области собств. поглощения кристалла,— катионные и анионные вакансии, междо-узельные ионы (собственные Ц. о.), а также примесные атомы и ионы (примесные Ц. о.), Ц. о. обнаруживаются во мн. неорганич. кристаллах и стёклах, а также в природных минералах. [c.426]

Анализ формул Френеля показывает, что фазовые характеристики отражённой световой волны чувствительнее к изменениям оптич. параметров, чем амплитудные, к тому же измерения фазовых характеристик могут быть проведены с большей точностью, чем амплитудных. Это обусловливает широкое применение Э. отражения. Для анизотропных сред необходимы измерения в неск. плоскостях падения. Для поглощающих кристаллов любых симметрий наиб, общий метод заключается в измерении на одном аншлифе параметров эллипсов при одном угле падения для трёх плоскостей падения и при другом для одной плоскости (5 ]. Более простые методы пригодны лищь для высоких симметрий без поглощения. [c.609]

Э. пропускания основана ка тех же принципах — измерении параметров эллипса прошедшего через ве[цество света (при полной поляризации). В Э. пропускания практически не выделяется влияние поверхностных слоев на фоне влияния основной толщи она применяется для измерения оп-тич. параметров слабо поглощающих кристаллов, для измерения естеств. и магн, вращения плоскости поляризации, естеств. и магн. кругового дихроизма, поскольку для этих параметров теория отражения слабо разработана и трудна [c.610]

Исследование квадрупольного расщепления позволяет получить важную информацию о положении излучающего (или поглощающего) ядра в кристалле, а также о характере поля, создаваемого зарядами кристалла на ядре, о степени искаженности рещетки. [c.463]

Согласно этой модели, динамические характеристики движения дислокаций обусловлены диффузионноконтролируемым механизмом, по ко-т>ррому движение дислокаций определяется скоростью перемещения ступенек, генерирующих и поглощающих из кристалла точечные дефекты. [c.165]

В качестве просветляющихся сред для лазеров на АИГ-Nd используются различные растворы полиметиновых красителей [91]. Поглощающие центры, -на которых происходит работа ласеивнола затвора, могут быть введены в твердотельные полимерные вещества. В последнее время начинают осваивать просветляющиеся, фильтры с поглощающими -F-центрами в кристаллах типа LiF [c.120]

Оптические свойства. Измерения оптических свойств кристаллов производились при комнатной температуре, неполяризованный свет распространялся вдойь оси с кристалла. С использованием выражения для интенсивности прошедшего через поглощающий кристалл света [11] [c.244]

Кроме рассмотренных светочувствительных сред, существует ряд других материалов, пригодных для голографической регистрации. Приведем краткий перечень некоторых из них биохромиро-ванная желатина, магнитные слои, тонкие поглощающие слои, нелинейные кристаллы и термопластические материалы. [c.151]

Создание в результате акта поглощения периодического в пространстве неравновесного распределения элементарных возбуждений, которые либо непосредственно участвуют в четырехволновом смешении (например, решетка свободных носителей в полупроводниках), либо в результате вторичных процессов модулируют показатель преломления среды (тепловые решетки в поглощающих жидкостях, решетки пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах). Спектральный диапазон этого, [c.42]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...