Параметр рассеяния

Формула (70.7) не дает возможности определить знак параметра рассеяния для синглетного состояния. Поэтому без дополнительного анализа нельзя установить, является синглетное состояние связанным или нет. Ответ на этот вопрос был получен в результате рассмотрения опытов по рассеянию нейтронов на молекулярном водороде. [c.504]

Мэе [так как сечение рассеяния, как показывает формула (70.7), не зависит от знака параметра рассеяния]. В подобном случае говорят, что система имеет виртуальный уровень. [c.505]

Измерив е при разных углах 0 (и разных энергиях Г), получим новый экспериментальный параметр рассеяния Р(0, Т). [c.81]

Приведение параметров диссипации энергии основывается на равенстве величин потенциальной энергии деформации, Для этой цели достаточно в равенства (5.65) ввести в слагаемые в качестве множителей параметры рассеяния энергии / , /г и /, после чего определить приведенное значение параметра рассеяния энергии [c.104]

По расположению датчиков относительно объекта контроля различают три основных варианта одностороннее расположение, двустороннее и под прямым углом оптических оСей друг к другу (способ фиксации параметров рассеянного излучения). Резонансные СВЧ методы делятся по виду резонансного эффекта (электронный парамагнитный, ядерный магнитный, ферромагнитный и др.). [c.217]

Исследования в области усталости материалов показали, что существует связь между разрушением вследствие усталости и неупругим поведением материалов [1]. На базе этого предложены критерии определения циклической долговечности, использующие рассеянную энергию в качестве основного параметра. Рассеянная энергия может быть использована и для оценки демпфирующих свойств материала. Поэтому представляет интерес разработка метода определения удельной рассеянной энергии, который применим не только при одноосном напряженном состоянии на образце материала, но и для реальной конструкции. [c.81]

Если функция v =/(лг) является нелинейной, но величина лг подчинена закону Гаусса с весьма малым параметром рассеяния (малым значением о или г), то вычисление среднему значению Е (х)] тогда закон распределения может быть принят за [c.292]

Неравно точные измерения (с разными весами). Если отдельные измерения сделаны посредством инструментов, имеюш,их различную точность, характеризуемую различными параметрами рассеяния i , то определяются веса измерений по формуле [c.303]

По найденным параметрам рассеяния смещений б легко определить параметр распределения вторичной не- [c.192]

Значение остаточного ресурса детали как вероятностной величины заключено в числовом интервале. Чем шире этот интервал, тем с большей вероятностью находится в нем значение оцениваемого параметра. Рассеяние остаточного ресурса деталей подчиняется закону распределения Вейбулла с коэффициентом вариации F = 0,33...0,40. Величина смещения начала рассеяния равна 0,3. Доверительную вероятность принимают равной 0,8...0,9. [c.133]

Если известны параметры рассеяния характеристик прочности и нагружен-ности, то расчет на выносливость целесообразно производить вероятностными методами. [c.513]

ПО параметрам а , а . Аппроксимация зависимости Э7П, сг , 0Г(0 от I ведет к аналитическим моделям для т, р, q некоторые из этих моделей предложены в [1]. Однако надежных сведений о зависимости средних и дисперсионных параметров рассеяния от скорости падения пока мало [c.457]

Поглощение относится к фундаментальным параметрам рассеяния. — Прим. ред. [c.333]

Параметры рассеяния в многоканальных реакциях. Завершим построение аппарата теории неупругих процессов на пути вывода соотношений, определяющих конкретные характеристики процесса многоканального рассеяния. Предварительно мы кратко коснемся вопроса об итерационной процедуре решения уравнения для потенциала (точнее, уравнения (13) для величины [c.315]

Завершая этот пункт, вернемся к вопросу об унитарности матрицы рассеяния. Это требование, как уже подчеркивалось, выполнено даже при конечном числе итераций уравнения (17), сохраняющих эрмитовость величины Строго говоря, такое утверждение правильно, если последующее решение уравнения для матрицы рассеяния с целью определения параметров последнего можно осуществить без дополнительных приближений. В противном случае свойство унитарности могло бы оказаться утерянным именно в процессе приближенного решения самого этого уравнения. В действительности эти опасения излишни. Все необходимые действия, позволяющие найти параметры рассеяния по известным величинам а, 3 и и, — решение системы линейных уравнений (20) для г, интегрирование уравнений (24) для 6 с известной правой частью, вычисление г] по формуле (25) — не вызывают трудностей и могут быть выполнены с любой точностью. [c.317]

Первое слагаемое в первом равенстве описывает первичные источники, причем в них могут входить и внешние, и внутренние источники, как и в скалярном случае. Векторный аргумент ш заменяет два скалярных г], (р. Вид фазовой матрицы X определяется тем, что сначала параметры Стокса падающей волны преобразуются от внешнего базиса к внутреннему, затем включается матрица рассеяния, а потом получающиеся параметры рассеянной волны во внутреннем базисе переводятся во внешний. [c.266]

Количественный анализ, основанный на регистрации параметров рассеяния, осуществляется методами нефелометрии и турбидиметрии. При нефелометрических исследованиях величины Пг, г и остаются постоянными, поэтому выражение (2.15) можно записать в виде [c.100]

Хотя функция /о (х) вносит ненулевой вклад только при очень малых значениях параметра рассеяния поведение разности / (з) — /о (в) в пределе О нетривиально. В этом можно убедиться, положив формально 5 = О в выражении (17) и считая а (г) = 1 [c.15]

При выборе верхней границы диапазона длин волн излучения учитывалось, что уже при температуре 300°С в диапазоне /. = 0—10 мкм сосредоточено 75% излучения абсолютно черного тела [125]. Нижняя граница для d была принята с учетом дианазона размеров частиц, к которым в общем случае применима техника псевдоожижения [69]. Пределы изменения величины Ур соответствуют характерным для рассматриваемой дисперсной системы значениям порозности. Из неравенств (4.1) следует, что параметр рассеяния для частиц, составляющих дисперсную среду, больше 15 [125]. Вблизи от частицы будут справедливы законы геометрической оптики, а дифракционные возмущения, вносимые частицей в лучистый поток, будут накапливаться по мере удаления от нее. Расстояние, на кото- [c.132]

Перемеиденшг Х,у, 7), давление, температура, кинетическая энергия турбулентного потока, параметр рассеяния турбулентной энергии [c.63]

Экспериментальное исследование. Для получения исчерпывающей информации о структуре парокапельного потока необходимо знать функцию распределения частиц по размерам и их концентрацию. Применение традиционных способов определения степени дисперсности и концентрации частиц в замкнутых испарительно-конденсационных системах затруднительно (или невозможно), так как требует разгерметизации системы. Оптические мето ды имеют преимущества перед другими, поскольку не оказывают влияния на характер протекающих процессов. Ввиду того что измерения параметров рассеянного излучения в замкнутой системе затруднительны, предпочтительным является метод, связанный с измерением показателя ослабления (метод спектральной прозрачности). [c.44]

Здесь г = й и11д и — параметр рассеяния, Т — абс. темц-ра (см. Рассеяние носителей заряда в твёрдом теле) отсчитывается от дна зоны проводимости. [c.552]

ФАЗОВЫЙ АНАЛИЗ — метод обработки эксперим. данных, применяемый при анализе столкновений частиц. Задача Ф. а.— нахождение фазовых параметров рассеяния микрочастиц. Такой анализ необходим, когда динамич. теория не позволяет вычислить все или хотя бы нек-рые из фаз рассеяния, как это имеет место для сильных взаимодействий, Задача, эквивалентная Ф. а.,— восстановление матрицы рассеяния из эксперимента. [c.271]

ЭР-100 4 ступени 25, 50, 75 и 100 кВ). Разрешающая способность Э. достигает Ю —10 нм и зависит от энергии электронов, сечения электронного пучка и расстояния от образца до экрана, к-рое в совр. Э. может изменяться в пределах 200—600 мм, Управление совр. Э., как правило, автоматизировано. Р. М. Имамов. ЭЛЕКТРОНОГРАФИЯ—метод изучения структуры вещества. основанный на исследовании рассеяния образцом ускоренных электронов. Применяется для изучения атомной структуры кристаллов, аморфных тел и жидкостей, молекул газов и паров. Физ. основа Э.— дифракция электронов при прохождении через вещество электроны, обладающие волновыми свойствами (см. Корпускулярно-волновой дуализм), взаимодействуют с атомами, в результате чего образуются дифрагированные пучки, интенсивность и расположение к-рых связаны с атомной структурой образца и др. структурными параметрами. Рассеяние электронов определяется эл.-статич. потенциалом атомов, максимумы к-рого отвечают положениям атомных ядер. [c.584]

Использование такой зависимости позволяет с ошибкой примерно 30... 40% определять деформацию ползучести при времени и напряжении, для которых известно значение средней долговечности. Определив параметры рассеяния характеристик ползучести и длительной прочности на одном уровне напряжений и приняв их независимыми от уровня напряжений при Г= onst, можно с помощью зависимости ес=/( / р) получить характеристики ползучести при любом времени и напряжении. Этот способ получения харак-. теристик ползучести можно, наряду с другими [42, 77], использо- [c.25]

Штенцель [15] провел подробные расчеты параметров рассеянной волны для значений волнового фактора ka в пределах от 0,5 до 10. Расчеты сделаны с использованием других функций и содержали вычисления комплексного коэффициента отражения по давлению г р. [c.306]

Возмущение за счет влияния размера атомов при диффузном рассеянии, связанном с ближним порядком, будет малым, когда смещения А малы, а область значений и ограничена первой из двух элементарных ячеек обратной решетки вокруг начала. Бори и Спаркс [35] и Грэгг [170] показали, что в этих условиях вклад, связанный с влиянием размера атомов, можно выделить, используя отличия их симметрийных характеристик от параметров рассеяния, связанного с ближним порядком. Таким образом, дифракционные данные, включающие влияние размера атомов, можно использовать для определения параметров а а У [c.381]

Микроскопический расчет термодинамических параметров адронного вещества, основанный на современной теории сильного взаимодействия — квантовой хромодинамике, пока возможен лишь при весьма высоких давлениях или температурах, когда проявляется свойство асимптотической свободы [1]. При менее экстремальных условиях (и, в частности, в рассматриваемой ниже перелятивистской относительно адронов области) разумно пользоваться пол у феноменологическим подходом, связывая термодинамику системы с параметрами рассеяния частиц друг на друге (см., например, [2]). [c.270]

Смотреть страницы где упоминается термин Параметр рассеяния : [c.6] [c.62] [c.43] [c.45] [c.52] [c.249] [c.104] [c.82] [c.83] [c.84] [c.393] [c.113] [c.90] [c.25] [c.134] [c.163] [c.163] [c.162] [c.168] [c.14] [c.271] [c.461]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...