Структура элементов ПИМС

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в создании элементов микросхемы и их соединений в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). Технология изготовления ПИМС строится на сочетании двух основных методов диффузии и фотолитографии. С помощью диффузии (введение примесей) создаются объемные структуры элементов ПИМС, фотолитография позволяет получать необходимые конфигурацию и размеры этих структур [c.538]

Все элементы ПИМС создаются на транзисторной структуре. В транзисторе используются все области коллекторная, базовая, эмиттерная. На рис. 25.3а,б показаны поперечное сечение типового транзистора, его структура и геометрия в плане. На рис. 25.4-25.7 изображены структура и геометрия диода (рис. 25.4), резистора (рис. 25.5), возможных вариантов конденсатора (рис. 25.6, 25.7). [c.541]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...