Подрешетки

Вакансии в катионной подрешетке. . .. KD- [c.35]

Вакансии в анионной подрешетке. . .. Аа+ [c.35]

Разупорядочение ионных кристаллов происходит преимущественно в той подрешетке, ионы которой обладают меньшим радиусом, более низкой валентностью и меньшей деформируемостью. Разные типы разупорядоченности иногда могут переходить один в другой при повышении или понижении температуры. Так, РЫа ввиду большой поляризуемости ионов I при низких температурах обладает катионной проводимостью, в то время как анионная проводимость становится значительной только в области более высоких температур. [c.38]

Воспользовавшись приемом, который был использован при выводе выражения для концентрации дефектов по Френкелю в элементарных кристаллах, и полагая, что в каждой подрешетке концентрация вакансий равна концентрации междоузельных атомов,, получим [c.93]

Здесь E A, Ем А, EiB, ув —энергии образования междоузельных атомов и вакансий в подрешетках Л и В N а а Nb — концентрации атомов в каждой подрешетке. Формулы (3.27) и (3.28) получены без учета изменения термической энтропии, связанного с изменением частот колебаний атомов при возникновении дефектов. [c.94]

Аномально высокая ионная проводимость появляется при некоторой температуре Ткр, характерной для каждого вещества. Такое увеличение проводимости обусловлено, в конечном счете, скачкообразным разупорядочением ( плавлением ) подрешетки, образованной одним из сортов ионов. Другая подрешетка, т. е. объемная структура, образованная другим сортом (или сортами) ионов, сохраняет при этом жесткость и обеспечивает тем самым механическую прочность кристалла как целого. [c.275]

С повышением температуры намагниченность каждой из под-решеток антиферромагнетика уменьшается так, что при всех температурах имеет место взаимная компенсация магнитных моментов подрешеток. В точке Нееля намагниченность каждой подрешетки становится равной нулю и антиферромагнетик переходит в парамагнитное состояние. [c.343]

Если в рассмотрение вводится также взаимодействие между ионами одной подрешетки, то это соотношение уже не выполняется п в может иметь даже положительное значение [221]. [c.521]

Поверхностная энергия границы сверхпроводящей и нормальной фаз 635 Поверхностное натяжение 729, 735 Поглощение первого звука 851, 852 Подрешетки 410 [c.930]

Элементарная ячейка шпинели с ионами Fe " представляет собой гранецентрированную кубическую решетку с 8 молекулами указанного состава. Такую ячейку можно разбить на 8 октантов, каждый соответствует по составу указанной формуле и содерл<ит четыре аниона 0 , между которыми внедрены два катиона в, так называемом, положении В и один в положении А. Положению В или подрешетке В отвечает расположение катиона в центре кислородного октаэдра, он окружен шестью ионами кислорода. В положении А или в подрешетке А катион находится в тетраэдре, он окружен четырьмя кислородными ионами. Расположение ионов одинаково в двух соседних октантах, разделенных ребром н различно в октантах с общей вершиной или разделенных гранью. Одни характеризующие ионы располагаются [c.241]

Разнообразные процессы упорядочения на подрешетке междоузлий наблюдаются на опыте в ряде сплавов внедрения, например, в дейтеридах Та, Nb, V [10]. [c.13]

Процессы рассмотренного типа интересны тем, что при разупорядочении дальний порядок исчезает только на подрешетке междоузлий, тогда как на подрешетке узлов атомы металла сохраняют строго периодическое расположение. Процессы такого типа, как отмечалось во введении, в определенном смысле аналогичны плавлению, происходящему на одной из подрешеток, и иногда называются [6] переходами типа твердое тело — жидкость. [c.168]

Необходимо отметить, что при переходе в более высоколежащую зону переходного слоя - в область нестехиометрии - взаимодействие дефектов кристаллической решетки со структурой составляющего данную решетку набора частиц играет роль предвестника новой фазы. Например, в решетке РеО избыточные вакансии в катионной подрешетке образуют ассоциаты дефектов - кластеры из двух вакансий в подрешетке Ре и межузельного атома Ре Когда таких кластеров становится много, то они распределяются упорядоченно [75] - в этом пределе кластеры становятся структурными элементами решетки другого соединения - Рез04, Именно в этой части дефекты решетки следует называть не вакансиями, а дефектами решетки вычитания на базе кристаллической решетки объемной фазы, либо на базе кристаллической решетки стехиометрического соединения частиц обеих граничащих фаз - в зависимости от химических свойств объемных фаз и внешних условий (температуры., давления и др.). [c.122]

В бинарных кристаллах, например простейших типа АВ, дефекты по Френкелю и дефекты по Шотткй могут возникать как в подрешетке А, так и в подрешетке В. При этом возможно образование следующих типов точечных дефектов 1) вакансии в подрешетке Л 2) вакансии в подрешетке Б 3) парные дефекты (вакансия и междоузельный атом) в подрешетке А 4) парнке дефекты в подрешетке В 5) атомы подрешетки А, попавшие в междоузлия подрешетки В 6) атомы подрешетки В, внедренные в междоузлия подрешетки Л 7) атомы подрешетки Л, попавшие в вакансии подрешетки В 8) атомы подрешетки В, занимающие вакансии подрешетки Л. [c.93]

Предположим, что в кристалле бинарного соединения АВ нет примесных атомов и имеется riiA междоузельных атомов в подрешетке Л, Пгв междоузельных атомов в подрешетке В и соответственно ПуА И Пчв вакансий. [c.93]

Здесь 0 может быть положительным пли отрицательным в зависимости от того, оказывают ли рассматриваемые ионы одной и той же подрешетки ферромагнитное или антиферромагиитное влияние друг на друга. При учете анизотронии коэффициенты а и В становятся тензорами. [c.411]

Андерсон [219, 220] предположил, что антпферромагнитный кристалл состоит из нескольких пар антипараллельных подрешеток различных ориентаций при этом учитывалось взаимодействие со вторыми (следующими за ближайшими) соседями. В этом случае утверждение, что восприимчивость порошка при абсолютном нуле равна двум третям от восприимч11вости при температуре перехода, уже несправедливо. Если имеются только две антииараллельные подрешетки со взаимодействием только между ионами, принадлежащими различным подрешеткам, то значение в, полученное из измерений в области парамагнетизма [формула (55.1)], связано с соотношением [c.521]

Зауер и Темперли [225] рассмотрели влияние отличной от нуля температуры, пользуясь приближением Брэгга —Вильямса, т. е. предполагая наличие дальнего порядка. Как и в теориях, основанных на предположении о молекулярном поле (см. п. 55), решетка разделялась на две подрешетки с антинараллельными ориентациями. Кроме того, вводились параметры п г , характеризующие доли диполей с неправильными ориентациями в каждой из подрешеток. Нахождением минимума свободной энергии кристалла рассчитывались равновесные значения / и в зависимости от приложенного магнитного ноля при любой температуре. [c.522]

Поверхностные уровни 1 амма — электронные состояния, локализованные у поверхности кристалла. Подрешетка магнитная — совокупность одинаковых атомных магнитных момешов, обладающая определенной пространственной периодичностью. [c.284]

Fel, Тригональная f li 10 0 = - 23 К Метамагнетик Н > Н Поведение в магнитном поле описывается моделью с 8—12 подрешетками (4 фазовых перехода по магнитному полю) [3, 6, 17] [c.673]

Магнитные свойства. Среди магнитоупорядоченных материалов в особую группу выделяют ферримагнетики, или, иначе, ферриты. В отличие от простых ферромагнетиков, или антиферромагнетиков, характерной особенностью которых является расположение магнитных атомов в трансляционно-эквивалентных узлах, к ферримагнети-кам относят материалы, в которых имеются неэквивалентные в кристаллографическом и (или) в магнитном отношении подрешетки. При таком определении ферри-магнетизма ферромагнетик представляет собой частный Jiy4afl ферримагнетика с одной магнитной подрешеткой, а простой антиферромагнетик — частный случай ферримагнетика с двумя эквивалентными подрешетками. Наличие неэквивалентных подрешеток определяет богатство магнитных свойств ферримагнетиков, отличающихся от свойств ферро- и антиферромагнетиков, хотя при определенных условиях можно найти общие черты среди этих различных групп магнетиков. [c.707]

Оптические и магнитооптические свойства. Ферриты обладают сравнительно высокой прозрачностью в ряде участков ближнего и далекого инфракрасного спектров. Ферриты-гранаты характеризуются лучшей прозрачностью, чем ферриты-шпинели. Так, в иттриевом феррите-гранате имеются окна прозрачности при длинах волн K>L<0,1 мм и 1<л<10 мкм между двумя этими областями наблюдается сильное решеточное поглощение. В редкоземельных ферритах-гранатах в первой области прозрачности могут наблюдаться поглощение при ферромагнитном резонансе (если поле анизотропии велико) в случае обменного резонанса редкоземельной подрешетки в поле железных подрешеток, а также электронные переходы между уровнями основного мультиплета редкоземельных ионов. Во второй области наблюдаются электронные переходы в редкоземельных ионах и (при более коротких длинах волн) электронные переходы в ионах яселеза в октаэдрических и тетраэдрических позициях. Ферриты-гранаты в видимой и ближней инфракрасных областях спектра обнаруживают значительный эффект Фарадея при распространении света вдоль вектора намагниченности и примерно такой же по модулю эффект Коттона — Мутона (магнитное линейное двупреломле-ние) при распространении света перпендикулярно вектору намагниченности fl09—110]. [c.708]

Магнитные свойства и намагниченность насыщения. В гранатах в отличие от ферритов со структурой шпине-ля были введены в рассмотрение три магнитные подре-шетки. Наиболее сильное антиферромагнитное взаимодействие, определяющее температуру Кюри Тс, осуществляется между ионами трехвалентного железа в октаэдрической 16а- и тетраэдрической 24 -подрешетках. Подрешетка редкоземельных ионов 24с наиболее сильно связана отрицательным обменным взаимодействием с тетраэдрической подрешеткоД (в гранатах с легкими редкоземельными ионами от Рг до Sm — октаэдрической подрещеткой), причем эта связь примерно в 10 раз слабее, чем (а — d)- взаимодействие. Намагниченность насыщения Ms в случае тяжелых редкоземельных гра- [c.716]

Рис. 29.20. Координации ионов в различных подрешетках в структуре граната СазА1251з012 [152]

Изложенные представления о возникновении магнитного момента в ферритах дают лишь общую тенденцию изменения свойств, от которой возможны отклонения. В большинстве случаев экспериментально определяемые магнитные моменты ферритов отличаются от расчетных. Например, магниевый феррит, который не должен иметь нескомпенсированн эго магнетизма, в действительности ферромагнитен, и его молекула имеет магнитный момент, близкий к магнетону Бора. В ферритах со структурой обраш,енной шпинели ионы F e не всегда поровну располагаются в подрешетках Л и В, что приводит к появлению дополнительного нескомпенсированного момента. [c.187]

Специфические магнитные свойства гранатов объясняются тем, что ионы в них расположены не в двух под-решетках, как в феррошпинелях, а в трех. Отрицательное взаимодействие между ионами в тетраэдрических и октаэдрических подрешетках, в которых имеется различное количество магнитоактивных ионов, определяет основную часть магнитного момента этих ферримагне-тиков. [c.191]

Цинковый и кадмиевый ферриты, которые обладают структурой нормальной шпинели, немагнитны. В этом случае диамагнитные ионы Zn + и d + занимают Л-узлы, тем самым взаимодействие А—В ликвидируется, взаимодействие в подрешетке В В—В-вза-имодействие) мало и не в состоянии создать упорядочение магнитных моментов. [c.101]

Рассматриваются различные процессы упорядочения и распада, происходящие па подрешетке междоузлш" кристалла, причем в этих процессах наряду с атомами внедрения могут принимать участие и вакантные междоузлия. Характерной особенностью таких процессов, в частности разнообразных фазовых превращений, явля- [c.6]

Во втором случае, когда взаимодействие между внедренными атомами существенно, происходит кооперативный процесс и на подрешетке однотипных междоузлий может произойти фазовый переход в упорядоченное состояние при конечной температуре упорядочения (в котором принимают участие и вакантные мезкдоузлпя). Характерной особенностью таких процессов является то, что потеря дальнего порядка в размещении атомов с повышением температуры происходит только на подрешетке меягдоузлий, тогда как все узлы оказываются занятыми одинаковыми атомами металла, т. е. на подрешетке узлов сохраняется полный порядок. Такой процесс аналогичен плавлению, происходящему только на [c.12]

Рис. 6. Элементарная ячейка вполне упорядоченного сплава АзВ типа РезА1. Подрешеткп а, с п 1 заняты атомами А, подрешетка Ь — атомами В.

Представим себе кристалл, не oдepяiaщий точечных дефектов при температуре абсолютного нуля. В таком кристалле точечные дефекты кристаллической решетки могут возникнуть при нагревании в результате теплового возбуждения. В течение достаточно долгой выдержки кристалла при постоянной температуре и давлении система приближается к состоянию равновесия, в котором устанавливается определенная концентрация дефектов, равновесная при данных условиях. Такими точечными дефектами являются появившиеся в результате теплового возбуждения вакансии и межузельные атомы металла, а такн е атомы в чужих подрешетках упорядоченного сплава стехиометрического состава. Равновесная концентрация таких дефектов при абсолютном нуле равна нулю. [c.34]

Если зке сплав А — В является упорядоченным, то в нем выделяются, например, две подрешетки узлов с различным средним окружением их соседними атомами. Расчет, [26, 27, 14] показывает, что в этом случае вакансии с различными вероятностями, зависящими от состава и степени дальнего порядка, встречаются на этих подрешетках, причем в равновесном состоянии не только их общее число, но и распределение по подрешеткам, определяется из условий равновесия. Для сплавов с ОЦК решеткой типа р-латуни, где переход порядок — беспорядок является фазовым переходом второго рода, кривые зависимости логарифма чисел н и вакансий на первой и второй подрешетках от Т при температуре перехода То имеют излом. Совпадая и являясь прямолинейными при 2 > 2 с, эти кривые начинают при Т С. То расходиться В разные стороны, причем прямолинейность их здесь нарушается. В сплавах с ГЦК решеткой типа АпСпз переход порядок — беспорядок является переходом первого рода. Степень дальнего порядка в них при упорядочении в точке Т = То скачкообразно возрастает от нуля до определенного значения, в связи с чем в этой точке имеют место не изломы, а противоположные по направлению скачкообразные изменения кривых зависимости 1п и от Т - [c.72]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...