Двухкомпонентные и трехкомпонентные системы

Двухкомпонентные и трехкомпонентные системы [c.185]

При увеличении концентрации алюминия в двухкомпонентной системе Си — А1 даже при закалке с очень высокой скоростью охлаждения невозможно предотвратить выделение 72-фазы, термоупругое мартенситное превращение не возникает. В связи с этим можно считать, что добавка N1 подставляет диффузию Си и А1 и стабилизирует /3-фазу. Действительно, если сравнить разрезы диаграммы состояния трехкомпонентной системы Си - А1 — N1 с разным содержанием N1, то можно [c.101]

Однако как в двухкомпонентной системе не могут образовываться двухфазные области, так в трехкомпонентной системе маловероятно образование трехфазной области. При дальнейшем насыщении в диффузионном слое будут аусте-иит, состав которого изменяется по линии 12—15 и карбид (Fe, Сг)з С, состав которого определяется линией 14—16 [45], [c.298]

Введение в двухкомпонентный сплав железо — никель фосфора позволяет повысить износостойкость и защитные свойства сплава. Включения фосфора в осадок также резко снижают внутренние напряжения покрытия. Для осаждения трехкомпонентной системы железо — никель — фосфор применяют следующий электролит (г/л) и режим нанесения покрытия [c.94]

Для трехкомпонентной (тернарной) системы диаграммы плавкости будет уже объемной вместо оси составов, на которой можно задать состав двухкомпонентной системы, состав будет определяться треугольником Гиббса (рис. 9.35). Стороны правильного треугольника будут представлять собой оси составов бинарных сплавов, а медианы, совпадающие с биссектрисами и высотами, будут показывать содержания данного компонента в тернарном сплаве. Оси температур — перпендикуляры, восставленные из вершин треугольника. Общий схематический вид диаграммы плавкости системы СаО — АЬОз — 5Юг приведен на рис. 9.36 в виде волнистой поверхности с глубокими впадинами эвтектик. [c.356]

Рассмотрим, например, трехкомпонентную систему. Выделяем i-й компонент (i = 1, 2, 3). Система, окружающая г-й компонент, является двухкомпонентной. По формулам, соответствующим структуре данной двухкомпонентной системы, определяем < Л ,- >, предварительно проведя перенормировку объемных концентраций (п - 1) компонентов к единице. Если трудно установить структуру двухкомпонентной системы, то она принимается простейшей, а именно слоистой с компонентами, расположенными параллельно потоку теплоты. Следовательно, получаем три значения <Лз1 >, <Лз2>, <Лзз>, затем найдем три значения Aj, Л , и по формуле (2.55) — значение Л. [c.70]

Ввиду чрезвычайно интенсивного увеличения числа изучаемых систем в первый выпуск нами включены материалы по двухкомпонентным системам и системам кремнезема и глинозема. Окислы циркония, титана и многие другие кислородные тугоплавкие соединения элементов удобней представлять при трактовке сложных систем металл—окислы металлов—кислород . Такие системы вместе с трехкомпонентными и более сложными будут рассмотрены в следующих выпусках. [c.4]

Исследуем возможности создания панкратических систем с большим перепадом увеличений [29]. Под большим перепадом увеличений М условимся понимать величины Л1>6 для двухкомпонентных систем и Л1>10 для трехкомпонентных, так как в практически созданных системах, в которых используются двухкомпонентные СПУ, перепад увеличений не превышает 6, а в системах с трехкомпонентными СПУ — пе превышает 10 [3]. [c.44]

Адсорбция и изменение поверхностного натяжения в зависимости от концентрации одного из компонентов или температуры протекают в многокомпонентных смесях совершенно иначе, чем в двухкомпонентных. Многокомпонентные системы, в которых концентрация одного из компонентов значительно превышает концентрацию всех остальных, можно рассматривать как аналоги трехкомпонентных систем подобного типа, поскольку все примеси являются или поверхностно-активными, или инактивными. По другому определению свободной поверхностной энергии под поверхностным натяжением подразумевают силу, направленную в сторону уменьшения поверхности раздела и действующую в плоскости, касательной к этой поверхности. Однако свободная поверхностная энергия равна поверхностному натяжению только в том случае, если не учитывать ту часть энергии, которая расходуется на адсорбцию вещества поверхностью. Поэтому прямые экспериментальные методы оценки поверхностного натяжения применимы в условиях обратимого изменения площади поверхности раздела фаз, когда вещество находится в равновесии с собственным паром. Из-за сложности, а в ряде случаев невозможности проведения таких экспериментов поверхностное натяжение твердых тел определяется чаще всего расчетным путем, что на-чительно снижает достоверность приводимых в различных источниках данных. [c.107]

Диаграммы состояния изображают фазовый состав системы при разных концентрациях компонентов X, температурах Т и давлении Р. Диаграммы состояния в общем случае являются пространственными. Размерность пространства зависит от числа независимых переменных, функцией которых является фазовый состав. Эти переменные и являются координатами, в которых строится диаграмма. Простейший тип фазовых диаграмм характеризует состояние чистого однокомпонентного материала в зависимости от давления и температуры, например, хорошо известная диаграмма состояния воды. Однако подобные однокомпонентные системы мы не будем рассматривать, а сразу перейдем к рассмотрению многокомпонентных систем, так как при получении полупроводников используются именно многокомпонентные диаграммы. Чаще всего такие диаграммы строят в координатах температура-концентрация Т — X). В этом случае для бинарных (двухкомпонентных) систем диаграммы изображаются на плоскости. Для тройных (трехкомпонентных) систем диаграммы строятся в трехмерном пространстве и т. д. Если кроме температуры переменным является также давление, то уже и для бинарных систем диаграммы становятся трехмерными Р — Т — X диаграммы). В дальнейшем мы будем рассматривать в основном только бинарные системы, построенные в координатах Т — X. Однако в этой главе будут также рассмотрены я Р — Т — X диаграммы некоторых полупроводниковых бинарных систем, имеющие большое практическое значение. [c.143]

Ребра ВС, D и DB — соответственно линии составов двухкомпонентных систем соль В —соль С и т. д. Грани тетраэдра АСВ, A D и ADB — треугольники — изображают составы ограничивающих трехкомионентных водно-солевых систем грань B D — треугольник солевого состава трехкомпонентной системы, образованной тремя солями — В, Си/). [c.112]

Изложенная ранее методика расчета двухкомпонентных панкратических систем с большим перепадом увеличений М может быть эффективно применена и к трехкомпонентным системам, для которых, можно получить и меньшие (по сравнению с двухкомпонеит-иыми системами) значения Дтах. Покажем это на следующе.ч примере. По табл. 16 выбираем систему со следующими параметрами М=10 (3=1 / = 0,0372 20 = —28.4532 Хо = 0,8809 / == 855 111 = 0,6657 /) - 0,116 . зд — — 30, По этим параметрам рассчитываем значения = А т) и 6 = 6(т) (табл, II). [c.78]

Вершины А, в к с обозначают чистые компоненты. Стороны АВ, ВС и СА соответствуют составам двухкомпонентных растворов. На каждой стороне нанесена шкала в молярных или массовых процентах (от О до 100%), Точки на площади треугольника соответствуют составам трехкомпонентных растворов, причем концентрация того или иного компонента раствора определяется длиной отрезков, проведенных параллельно каждой из сторон тре ольника до пересечения с другими (например, для точки М концентрации раствора характеризуются точками Д , Я и на рис. 18-3 составляют 18% компонента А, 25% компонента В и 57% компонента С). Действительно, сумма отрезков МЕ + МП + МН равна стороне треугольника, например АВ, так как МВ = /Д МЕ = 1В, МН = АВ, а сумма отрезков АО + + 1В = АВ, т. е. их сумма составляет 100%. Таким образом, любая точка внутри треугольника выражает состав трехкомпонентной системы, а точки на его сторонах-составы двухкомпонентных систем. [c.146]

Эффективные модули упругости компактной смеси порошков определяются методом последовательной гомогенизации [145]. На первом этапе рассматривается двухкомпонентная система, например железо — медь, с отношением объемных долей компонентов таким же, как и в полной трехкомпонентной смеси. В рассматриваемом случае это условие обеспечивается при объемной доле железа 0,466 и меди 0,534. Как показано в [143], при таком соотношении объемных долей компонентов эффективные модули упругости композита представляют собой среднее арифметическое значений верхней и нижней границ эффективных модулей вилки Хашина —Штрикмана [146]. Верхняя граница вилки для объемного модуля К [c.127]

Панкратические системы будут подробно рассмотрены в гл. IH. Существенный недостаток паикратических труб, особенно при больших перепадах увеличения, состоит в значительных изменениях положения входного зрачка окуляра, и необходимо принимать специальные меры (удачный выбор панкратической схемы), чтобы свести эти изменения к допустимой величине. В упомянутой главе будет показано, что замена двухкомпонентной паикра-тической схемы трехкомпонентной позволяет добиться строгого постоянства положения выходного зрачка. [c.205]

Применим теорему 2 к гамильтоновым уравнениям Янга — Миллса для однородного двухкомпонентного поля (см, 8 гл, I), Функция Гамильтона имеет вид (5,19), где V = х х2. Уравнения (5,21) допускают решение с = (1/ /2,1/ /2) -, собственные значения матрицы Гессе Г равны —1 и 3, Следовательно, Др1 = —7 и Др2 = 5, Эти числа рационально несоизмеримы, поэтому по теореме 2 уравнения Янга— Миллса не допускают нового голоморфного интеграла. Этот результат получил впервые С, Л, Зиглин в [64], Аналогичный результат имеет место и для трехкомпонентной модели Янга — Миллса, где V = х х -Ь х х -Ь х х. Здесь с = = (l/V ,l/V ,0)T, а числа Др равны соответственно /17, 5, В силу их рациональной несоизмеримости гамильтонова система неинтегрируема. [c.369]

Для детектирования излучения с длиной волны более 1 мкм требуются узкозонные полупроводники. Из перечисленных в таб-т. 7.2 двухкомпонентных сложных полупроводников П1 — V групп InSb имеет наименьшую ширину запрещенной зоны и может быть использован в качестве ( одетектора вплоть до 6 мкм. Для детектирования излучения лазера на Oj (10.6 мкм) необходимы другие материалы. Раньше на этих длинах волн использовались примесные полупроводники, такие как германий с примесью меди или ртути, действующие как примесное фотосопротивление. Возьмем в качестве примера соединение Ge — Hg. Ртуть вводит полосу акцепторных уровней с энергией на 0,09 эВ выше верхнего уровня валентной зоны. Конечно, при достаточно умеренных температурах они заполнены термически возбужденными электронами из валентной зоны. Но при достаточно низких температурах, менее 30 К, они оказываются в основно.м пустыми, и тогда электроны могут быть возбуждены оптически. Образованные таким образом дополнительные дырки увеличивают электрическую проводимость материала прямо пропорционально поглощенному световому потоку. Совсем недавно появились плоскостные фотодиоды с р-п-пере-ходом, сделанные на основе трехкомпонентного полупроводника из элементов И—VI групп — теллурнда кадмия с ртутью d x.Hg, .v Те. Уменьшение содержания кадмия позволяет сузить ширину запрещенной зоны этого материала при комнатной температуре от 1,8 эВ до 0. Если X = 0,2, ширина запрещенной зоны eg ж 0,1 эВ при 77 К и могут быть получены диоды с квантовой эффективностью, превышающей 0,25 на длине волны 10,6 мкм. Для избежания избыточного темпового тока, вызываемого тепловым возбуждением, необходимо охладить фотодиод до 120 К или ниже. В наземных системах связи для охлаждения фотодиода может быть использован жидкий азот (77 К), а в космических для достижения этих температур потребуются пассивные охладители. Использование обратного смещения 0,2... 0,5 В минимизирует емкость н улучшает временные характеристики диода, не вызывая дополнительного темпового тока в результате туннелирования. В этом случае могут быть получены полосы пропускания свыше 100 МГц. [c.417]

Коррекцию, обеспечивающую изменение трех параметров траектории (например, трех координат или трех составляющих вектора скорости либо трех некоторых функций, зависящих от координат и их производных), называют трехкомпонентной. Ее реализация наиболее сложна и требует высокоточной ориентации оси корректирующей двигательной установки относительно физически моделируемой на борту системы координат, в которой определялось направление вектора корректирующего импульса. Более простые и меиее высокоточные системы ориентации могут накладывать ограничения иа число свободных компонентов корректирующего импульса. Если при проведении коррекции могут варьироваться одни нли два компонента кор. ректирующего нмпульса, то такие коррекции называют соответственно ОДНО или двухкомпонентными. [c.281]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...