Эквивалентная схема р-я-перехода

Построим теперь эквивалентную схему перехода и исследуем его поведение. Эта схема представлена на фиг. 158. Если обозначить через ф и V значения разности фаз и потенциалов, получаемые вычитанием соответствующих значений в сверхпроводнике 2 из значений в сверхпроводнике 1, то ток J через переход задается выражением [c.584]

Задача силового анализа такого механизма статически неопределима, поэтому для возможности использования уравнений статики при решении задач силового анализа звено 2 (или звено 4) удаляют и переходят к кинематически эквивалентной схеме (рис. 4.4, б). [c.41]

Вариация реактивной проводимости. Изменение (вариация) реактивной проводимости осуществляется обычно изменением емкости колебательного контура. В схеме используется высокочастотный генератор с фиксированной частотой. С ним слабо связан измерительный колебательный контур, содержащий катушку индуктивности и конденсатор переменной емкости (рис. 4-10, а), па-, раллельно которому может присоединяться испытуемый образец. Генератор работает в режиме неизменного тока, поэтому напряжение на параллельном колебательном контуре (рис. 4-11, а) при изменении реактивной проводимости (обычно емкости) контура переходит через максимум, а затем уменьшается. Наибольшее напряжение на контуре отвечает состоянию резонанса В контуре есть потерн, поэтому эквивалентная схема, помимо Г и С, содержит проводимость соответствующую потерям (рис. 4-11,6). Если по оси абсцисс откладывать емкость проградуированного конденсатора С И снимать зависимость и (С), т. е. резонансную кривую, один раз для контура без образца и второй раз — с образцом, то [c.78]

Таким образом, диод может быть представлен следующей упрощенной эквивалентной схемой параллельно нелинейному активному сопротивлению р — п-перехода включены нелинейная диффузионная Сд и барьерная Со емкости, последовательно с этой цепочкой подключено сопротивление г пассивных областей ди.ода ( )ис. 8.21). Для выяснения особенностей работы диода на высоких частотах проанализируем более подробно эту схему. [c.236]

После составления эквивалентной схемы машины переходят к составлению дифференциальных уравнений движения системы и их решению—к расчету динамики переходного процесса. [c.17]

Переход от реальной машины к абстрактной эквивалентной схеме, составляющий предмет прикладной динамики машин, в подавляющем большинстве случаев представляет значительные трудности для инженеров. Решение таких задач существенно облегчается при использовании накопленного опыта. Это предопределяет содержание курса прикладной динамики, методы которой разъясняются на конкретных примерах выполненных динамических исследований. [c.3]

Примером математической модели сложного компонента может служить модель транзистора. На рис. 3.3 представлена эквивалентная схема биполярного транзистора, на которой зависимые от напряжений источники тока = г ехр(му(/и<р )) и i = г ехр [uj /(/иф )) отображают статические вольт-амперные характеристики/г-и-переходов / и тепловые токи переходов — температурный потенциал и ии — напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах С и — емкости переходов R uR — сопротивления утечки переходов, R nR — объемные сопротивления тел базы и коллектора [c.90]

Для перехода к электрическим эквивалентным схемам по общепринятой первой системе аналогий следует вопом-нить, что элементы, соединенные в узел, имеют общую скорость, т. е. в эквивалентной схеме через изображающие их электрические сопротивления должен протекать один и тот же ток. Иначе говоря, эти сопротивления соединены последовательно. На основании этого правила примеру 1 соответствует последовательный колебательный контур из I, С и Н. Элементы же, на которые действуют одинаковые силы, в эквивалентной схеме находятся под одним и тем же напряжением, -1 е соединены параллельно. Следовательно, примеру 2, соответствует эквивалентный параллельный контур I, С. Пользуясь обоими правилами, можно составить для примера 3 эквивалентную схему в виде двух контуров с емкостной связью и напряжением, приложенным параллельно Сь В эквивалентной схеме для примера 4 индуктивности, изображающие массы, оказываются соединенными параллельно, и общий ток через них больше, чем через каждую из них. Это соответствует уменьшению общей индуктивности в схеме и как бы уменьшению общей массы в механической системе, поскольку общий ток в этой схеме — это относительная скорость движения масс, которая, конечно, больше, чем скорость каждой из масс относительно неподвижной опоры. [c.34]

ПРАВИЛА И СПОСОБЫ ПЕРЕХОДА К ЭКВИВАЛЕНТНЫМ СХЕМАМ [c.34]

Уравнение для определения температуры перехода составляется на основе эквивалентной схемы (рис. 22,9, б) [c.838]

Для расчета времени заполнения пневматических камер через элемент сопло—приемный канал можно использовать выводы, полученные при переходе к эквивалентным схемам заполнения камер через обычный дроссель и основанные на упрощенном представлении механизма заполнения камер через элемент сопло—приемный канал , а расчет времени опустошения производить по тем же формулам, что и при обычном опустошении через входной дроссель. [c.99]

Переход к эквивалентным схемам позволяет использовать при расчете времени заполнения глухих и проточных камер через элемент сопло—приемный канал полученные ранее соотношения, характеризующие процесс заполнения камер через обычный дроссель. [c.106]

Получающаяся эквивалентная схема интегрального п—р—п—р-транзистора показана на рис. 8, там же отмечено, каким элементам структуры соответствуют те или иные ветви схемы. Для большей простоты на рисунке не показаны сопротивления утечек переходов Яу.э, Яу.к, Яу.т которыми в большинстве случаев можно пренебречь без сколько-нибудь существенной потери точности. Математическая модель интегрального транзистора представляется следующими уравнениями [19] [c.66]

Модель полупроводникового диода получается на основе представления его структуры в виде обедненной области р—п-перехода и электрически нейтральных полупроводниковых областей. Отсюда следует эквивалентная схема, изображенная на рис. 11, и модель в виде одного дифференциального уравнения [c.69]

Поэтому важнейшими характеристиками программы являются максимальная сложность анализируемых схем и удельная трудоемкость вычислений при одновариантном анализе. Максимальная сложность анализируемых схем часто называется мощностью программы и оценивается максимально допустимым количеством ветвей сокращенной эквивалентной Омакс, либо полной эквивалентной схемы а макс. Часто используются также такие показатели сложности, как количество электронно-ды-рочных переходов Прп макс, количество узлов Рмакс- Между всеми этими показателями существует тесная связь (см. табл. 4), поэтому всегда возможен пересчет одного показателя в другой. [c.120]

Для теоретического исследования динамических процессов составляем дифференциальные уравнения движения системы, пользуясь известной методикой С. Н. Кожевникова. Особенности этих уравнений состоят в том, что переход каната через разрез изменит расчетные эквивалентные схемы (рис. 178) и структуру уравнений для первой и второй схемы, что является результатом изменения места присоединения массы с моментом инерции Метод составления уравнения для этих двух расчетных эквивалентных схем подробно рассмотрен в работе [146]. [c.389]

Рис. 5. Эквивалентная схема р—/г-перехода.

Пользуясь формулами перехода из одной координатной системы в другую, находят последовательно положение точки М в координатных системах эквивалентной схемы. Тогда уравнение движения точки М в координатной системе заготовки будет представлять собой К как функцию радиус-векторов [c.49]

На макроуровне основой формализации является структурирование объекта и использование законов, выражающих условия неразрывности и равновесия, для объединения ММЭ полученной структуры в общую систему уравнений. Структурирование приводит к такому представлению объекта в виде графа или эквивалентной схемы, когда отдельным ребрам графа соответствуют типовые элементы системы, а вершинам — соединения элементов друг с другом. Для типовых элементов заранее разработаны ММ и создана библиотека ММЭ. При этом ММЭ называют компонентными уравнениями. Эти уравнения связывают фазовые переменные, относящиеся к данному элементу. Уравнения законов неразрывности и равновесия, связывающие фазовые переменные, относящиеся к разным элементам системы, называются топологическими уравнениями. Математическая модель системы представляет собой совокупность компонентных и топологических уравнений. В такой модели при переходе к окончательной форме осуществляется ряд преобразований с целью повышения вычислительной эффективности последующего моделирования. [c.27]

Динамический импеданс преобразователя с электрической связью на резонансной частоте равен нулю, и эквивалентная схема рис. 2.51, а переходит в схему на рис. 2.55, где Ят — механическое сопротивление, а Рт — сопротивление излучения. К-п. д., очевидно, равен отношению мощности, рассеиваемой на [c.115]

Обсудим теперь две эквивалентные схемы, которые оказываются весьма полезными при включении соответственно с общей базой и с общим эмиттером. Обратимся сначала к включению с общей базой. Здесь мы представим шум при помощи э. д. с. е, включенной последовательно с Ее, и источника тока I, включенного параллельно коллекторному переходу (рис. 6.3,а). [c.121]

Получение эквивалентных схем — обычная для инжене-ров-схемотехников операция, выполняемая при анализе функционирования радиоэлектронных устройств. Переход от принципиальной электрической схемы к эквивалентной [c.169]

Эквивалентная схема биполярного транзисто-р а представлена на рис. 2.17,6. Так как транзистор состоит из двух р-и-переходов эмиттер-база и коллектор-база, то элементы /э. Со, Ryo, С , / ук — элементы соответствующих р-п-переходов, h — Blg—BJk — источник тока, отражающий пролет неосновных носителей через базу и определяющий усилительные свойства транзистора В и — нормальный и инверсный коэффициенты усиления тока), Гэ, и гв — объемные сопротивления областей соответственно эмиттера, коллектора и базы. [c.91]

Рис. 5.14. Смешение уровнен Ферми р-п-переходя под влиянием падающего излучения (а) и эквивалентная схема диода с р-/ьпереходом (б)

Рис. 5,15. Эквивалентная схема р-п-перехода, облучаемого солнечным светом н замкнутого на внсше1юю нагрузку

Фиг. 196. Схема перехода от профиля в потоке сжимаемого газа к эквивалентному профилю в песна-гмаемой жидкости.

Эквивалентная схема в этом случае упрощается (рис. 22,9, б) и суммарное тепловое сопротивление между переходом и окружающей средой равно [c.837]

При переходе от схемы (см. рис. 51, а) к эквивалентной схеме (см. рис. 51,6) предполагается, что давление Рпит, принимает значение Рпит . В свою очередь [c.104]

Оперирование структурными параметрами компонентов неудобно при проектировании принципиальных электрических схем. Действительно, при анализе схем в значительной мере используется аппарат теории электрических цепей на основе замены принципиальных схем эквивалентными. Элементами эквивалентных схем являются сопротивления, емкости, индуктивности, токи и напряжения источников. Эти величины называются электрическими параметрами. Часто перечисленные величины не являются постоянными, но могут быть представлены в виде несложных с вычислительной точки зрения функций некоторых других величин. Тогда электрическими параметрами являются аргументы этих функций. К особенностям электрических параметров обычно относят возможность определения этих параметров по результатам измерения токов и напряжений на внешних выводах компонента. Примерами электрических параметров биполярных транзисторов при анализе малосигнальных схем могут служить широкоизвестные Н- и у-параметры, при анализе нелинейных схем — объемное сопротивление тела базы, барьерные емкости, тепловые токи и температурные потенциалы переходов, коэффициент усиления тока и др. [c.18]

При моделировании МДП-транзисторов общепринятой эквивалентной схемой является схема на рис. 7 [22], [23], где Сз.и и Сз.с — емкости затвора на исток и сток, диоды Ди.п и Дс.п отображают наличие р—п-перехода в подложке, а и / с — сопротивления тела полупроводника между выводами истока и каналом и выводом стока и каналом. Различия в моделях МДП-транзисторов обусловливаются видом аппроксимирующих выражений для зависимости тока источника /<г от падений напряжения Мз.и и з.с на емкостях Сз.п и Сз.с и от падений напря- [c.63]

В биполярных интегральных схемах довольно распространенным компонентом является многоэмиттерный транзистор. Одна из возможных конфигураций такого транзистора изображена на рис. 9, а. Л/ -эмиттерный транзистор можно представить как совокупность п одно-эмиттерных транзисторов, моделируя каждый из них по изложенной ранее методике. На рис. 9, б для примера дана эквивалентная схема двухэмиттерного транзистора на основе эквивалентной схемы рис. 5, в. Для простоты на нем не показаны элементы, отражающие наличие изолирующего перехода, и опущены ветви сопротивлений утечек. Область коллекторного перехода разделена на три секции, две из них, изображенные ветвями /к.дь Ск и /к.д2, Ск2, относятся К активным зонам базы, [c.67]

Менее точной, но более простой моделью двухэмиттерного транзистора является модель, соответствующая эквивалентной схеме рис. 10. Эта схема получается из схемы рис. 9, б при допущении одинаковости падения напряжения на всем протяжении коллекторного перехода. Различия между моделями, соответствующими схемам (рис. 9, б и рис. 10), заключаются в неодинаковости представления объемных сопротивлений и в неодинаковости параметров коллекторного перехода. В схеме (рис. 9, б) параметры, определяющие /к.д1, Скь /г1 и /к.д2, С, 2, /г2, связаны только с секциями активных зон базы, а в схеме рис. 10 пара.метры, определяющие /к.д, Ск, /г, связаны с активными и пассивными зонами базы. [c.68]

При моделировании тиристоров можно использовать эквивалентную схему трехпереходного транзистора (см. рис. 8). Однако в уравнениях модели тиристора, соответствующих этой эквивалентной схеме, обязателен учет зависимости коэффициентов передачи тока В и Би от напряжения на среднем переходе и токов /д.д и /д.д крайних переходов. [c.71]

Модель программы ПА-1 получается в случае, если область базы представить одной секцией модели Линвилла и пренебречь дрейфовыми составляющими токов перехода. Для статического режима получим распределение токов в базе (рис. 6.2,а). Здесь /э, /б, /к — токи через выводы эмиттера, базы и коллектора. Электроны, инжектируемые эмиттером и коллектором в базу, частично рекомбинируются в ней, образуя рекомбинационные токи, а частично достигают противоположного перехода. Здесь / э, /пк — общий электронный ток соответственно через эмиттерный и коллекторный переходы. Рекомбинация происходит во всей области базы. Параметры и переменные усредняются в пределах секции, поэтому рекомбинационный ток представляется в виде двух сосредоточенных составляющих /рек.э и /рек.к. Ток ПереНОСа /г = / э—/рек.э. Дырочная составляющая эмиттерного диффузионного тока /рэ не создает переноса носителей между эмиттером и коллектором, так как для основных носителей в базе р-типа переходы создают не пропускающий дырки потенциальный барьер. Поэтому ток /рэ полностью входит в ток базы. Сумму рекомбинационного /рек.э и дырочного тока /рэ обозначим /эд. Аналогично, /кд — сумма рекомбинационного /рек.к и дырочного тока /рк коллекторного перехода в зоне базы. Задачу получения математической модели транзистора можно сформулировать следующим образом — необходимо связать токи /г, /эд, /кд с напряжениями (по отношению к базе) на эмит-терном 7эб и коллекторном [/кб переходах. Представив эти токи как зависимые источники, можно от распределения токов в базе перейти к исходному варианту эквивалентной схемы. Дополнив статическую схему емкостями эмиттерного Сэ и коллекторного Ск переходов, сопротивлениями утечки переходов Яуэ, Яук и объемными сопротивлениями тел базы Гб и коллектора Гк, получим полную эквивалентную схему транзистора (рис. 6.4). [c.134]

Оценка эффективности конкретных пьезоэлектрических преобразователей или систем преобразователей осуществляется путем присоединения электрических или эквивалентных механических источников и нагрузок к клеммам соответствующей эквиваленг-нон схемы, проведения анализа получающейся электрической цепи и последующего перехода к механическим и акустическим параметрам. Рассмотрены эквивалентные схемы для преобразователей с двумя парами механических клемм (двумя поверхностями), к которым может быть приложена нагрузка. Анализ значительно упрощается в часто встречающихся на практике случаях, когда нагрузка присоединена только к одной паре клемм (одна поверхность преобразователя нагружена, а другая свободна) или когда свободны обе поверхности. Так как эти упрощения влияют сходным образом на эквивалентные схемы различных типов, мы ограничимся здесь исследованием только одного типа преобразователя — стержня, совершающего продольные колебания по длине, с электродами, нанесенными на его боковые поверхности (эквивалентная схема. этого преобразователя показана на фиг. 57). [c.291]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...