Очистка веществ

Основные положения применения ионообменного метода получения особо чистых веществ даны в работе [102]. Там же приводится описание методов подготовки ионитов, используемых для очистки веществ. [c.118]

Эффективность разделения смесей и очистки веществ от примесей в процессе фракционной кристаллизации сильно зависит от полноты отделения маточника от кристаллической фазы на стадии сепарации полученной суспензии. В реальных условиях количество остающейся маточной жидкости может составлять [c.526]

В тех случаях, когда для очистки веществ может быть использована сублимация, то ей следует отдать предпочтение перед кристаллизацией или экстракцией растворителем. [c.551]

Вакуумная сублимационная аппаратура и установки - это сублиматоры вакуумные десублиматоры оборудование для замораживания установки для сублимационной сушки и очистки веществ в вакууме. [c.552]

Установки для сублимационной сушки и очистки веществ в вакууме. Установки сублимационной сушки периодического действия. Вакуумная сублимационная установка УВС-8 предназначена для высушивания предварительно замороженных жидких, пастообразных или кусковых пищевых продуктов животного и растительного происхождения (рис. [c.557]

Атмосферные сублимационные аппараты и установки. Основными частями оборудования для атмосферных сублимационной сушки и очистки веществ являются сублиматор, десублиматор, системы прокачки парогазовой смеси, фильтрации и гравитационного или инерционного отделения взвешенных частиц сублимата. [c.560]

Говоря о лазерах, следует заметить, что сейчас зарождается новое направление и в самой химии — лазерная химия, которая занимается изучением химизма воздействия лазерного излучения на вещество и использованием его специфического воздействия на определенные химические связи для получения новых соединений, очистки веществ, разделения изотопов и т. д. [c.10]

Для повышения чувствительности методов анализа часто используют ректификацию, зонную перекристаллизацию, возгонку, экстракцию и другие методы, обычно применяемые для очистки веществ. Обогащенный примесями остаток легче подвергать анализу. [c.65]

Указанное распределение примесей в кристалле при выращивании может быть использовано для очистки вещества от примесей методами кристаллизации. Однако оно совершенно нежелательно на окончательной стадии получения монокристалла, так как с неравномерным распределением примесей по длине кристалла связано неравномерное распределение его электрических и других свойств. [c.494]

В тех случаях, когда коэффициент распределения к, представляющий отношение содержания примеси в твердой фазе к содер жанию примеси в соприкасающемся с ней расплаве, близок к единице, содержание примеси в кристалле мало отличается от содержания ее в расплаве. При таком распределении примесей применение перекристаллизации для очистки вещества становится нерациональным. Кремний, например, практически невозможно очистить методами кристаллизации от всегда содержащегося в нем бора, который имеет коэффициент распределения в кремнии, близкий к единице (к = 0,9), и потому практически не оттесняется растущим кристаллом в расплав. [c.503]

Книга содержит материал, касающийся 40 элементов. Вначале приведены сведения общего характера определение атомных и молекулярных весов, очистка веществ, влияние ряда факторов на скорость химических реакций, электролитическая диссоциация, электрохимические свойства растворов. Далее приведено большое количество работ различной сложности выполнения. [c.435]

Высокая эффективность метода лазерного селективного воздействия па атомы и молекулы лежит в основе применения этого метода для детектирования единичных атомов и молекул, т, е. для контроля чистоты различных сред [2, 11, 12, 14]. Другим направлением, в котором метод лазерного селективного воздействия нашел широкое ирименение, является лазерная очистка веществ от принесен [14], [c.96]

Очистка веществ экстракцией. Слово экстракция означает извлечение. Очистка веществ экстракцией основана на различной растворимости отдельных веществ в различных растворителях. Распределение вещества между двумя несмешивающимися жидкостями происходит обратно пропорционально растворимости данного вещества в каждом из растворителей. Очистку экстракцией проводят, взбалтывая раствор с не смешивающейся с водой жидкостью, в которой загрязнения растворяются лучше, чем в воде. Экстракцию проводят в делительной воронке (рис. 25). [c.43]

Изменение растворимости в зависимости от температуры исиользуют для очистки вещества перекристаллизацией. Если растворимость вещества мало изменяется с изменением температуры, очистка его перекристаллизацией практически невозможна. В этом случае производят упаривание насыщенных растворов, вследствие чего некоторая доля очищаемого вещества выкристаллизовывается, а примеси остаются в растворе. [c.374]

К наиболее трудным для глубокой очистки веществ относятся такие шихт-ные материалы, необходимые для синтеза многокомпонентных стекол с помощью традиционного процесса варки, как окислы щелочных и щелочноземельных металлов, алюминия, кремния, а также сера, селен, теллур, мышьяк и др. [36]. Классические способы обеспечивают изготовление вс с практически неограниченной непрерывной длиной и со сравнительно низкой стоимостью, однако заметное превышение их затухания над теоретическим минимумом ограничивает длину регенеративного участка в ВОЛС, т. е. непрерывную строительную длину вс между ретрансляторами. [c.58]

Влияние перегрева расплава на изменение порога метастабильности под действием ультразвука изучалось в опытах с салолом. С повышением температуры перегрева степень дезактивации нерастворимых примесей увеличивается это является своеобразной очисткой вещества и способствует понижению порога метастабильности. С увеличением степени чистоты салола влияние ультразвука на изменение температуры порога метастабильности уменьшается. [c.446]

Зонная плавка. Этот вид кристаллизационного процесса глубокой очистки веществ в отличие от направленной кристаллизации проводится (рис. 23-16) при медленном (со скоростью 0,5-20 см/ч) перемещении вдоль образца очищаемого вещества 1 нагревателя 4, [c.311]

При полнейшей очистке вещества всеми современными методами эффект уменьшается, но не исчезает, остается и у поверхности, находящейся под вакуумом, причем эллиптичность не опускается ниже 10 . Иначе говоря, несомненно, имеется остаточный эффект, не обусловленный загрязнениями. [c.78]

В ряде работ [18, 19, 38] производилось обширное (около 100 жидкостей) исследование. Для полного устранения возможных загрязнений и измерения зависимости от температуры была произведена особая очистка веществ и измерения в запаянных под вакуумом кюветах. В результате очистки величины р, как и следовало ожидать, снижаются по сравнению со значением, полученным при открытой поверхности последние этапы очистки уже практически не имеют значения. Это говорит о том, что необходимая для данного случая чистота поверхности достигнута и остаточное значение р обусловлено уже не загрязнениями поверхности, а определенными свойствами молекулярной структуры ее. [c.200]

Итак, получение чистых полупроводниковых материалов производится химическими и металлургическими методами. Химическая очистка, например, германия и кремния заключается в получении их летучих соединений (как правило, галогенидов, см. гл. 6), которые легко отделяются от примесей и их соединений, а затем в восстановлении предварительно очищенных летучих соединений до элементарных Ое и 51. Металлургические методы заключаются в многократной перекристаллизации слитка основного вещества путем последовательного расплавления его участков. В этом курсе мы не будем рассматривать химические методы очистки веществ, так как они специфичны для каждого вещества, а остановимся на металлургических (кристаллизационных) методах очистки, при которых вещество может очищаться в процессе его выращивания. Кристаллизационные методы очистки основаны на различии содержания примесей в жидкой и твердой фазах, находящихся в равновесии при данной температуре (см. рис. 5.1). Следствием этого свойства является оттеснение примеси к концу слитка или ее захват в начальных частях слитка в ходе кристаллизации, то есть очистка вещества от примеси в любом случае. [c.192]

Ое и 51 — это два важнейших полупроводниковых элемента. Их способность к взаимодействию друг с другом и с другими химическими элементами имеет большое значение для электронной промышленности, поэтому процессы очистки мы будем рассматривать на их примере. Для разработки методов кристаллизационной очистки вещества необходимо знание фазовой диаграммы состояния вещества с присутствующими в нем примесями. Ое и 51 кристаллизуются в кубической структуре типа алмаза и могут образовывать неограниченные твердые растворы только с немногочисленными элементами, которые также имеют структуру типа алмаза и атомные радиусы не сильно отличающиеся от атомных радиусов Ое и 51. Как правило, растворимость большинства примесей в Ое и 51 очень невелика (иО.1 ат.%). Кроме того, как уже упоминалось, кристаллизационные методы применяются на конечной стадии процесса очистки, а содержание остаточных примесей в очищаемом веществе настолько мало, что их взаимное влияние или взаимодействие между собой в среде основного материала практически отсутствует. Все это позволя- [c.192]

Для оценки эффективности очистки веществ от примесей кристаллизацией из расплава служит коэффициент разделения К, представляющий собой отнощение концентрации растворенного вещества в твердой фазе к его концентрации в жидкой фазе [c.195]

Точный расчет Ко на основе фазовых диаграмм часто затруднен, поскольку во многих случаях имеющиеся фазовые диаграммы недостаточно точны в области малых концентраций примеси. Фазовые диаграммы поэтому часто используются только для примерной оценки Ко Ко > 1 или Ко < 1), что позволяет принципиально оценить поведение примеси в условиях очистки вещества кристаллизационными методами. [c.196]

Синфазность в технологии. Процессы разделения и очистки веществ, как правило, проводят в интенсивных гидродинамических режимах. Это и понятно, так как в уравнения переноса входят конвективные члены, зависящие от гидродинамической обстановки. Но сама обстановка неоднородна и ею можно управлять, например геометрией единичного тела или системы тел, взаимодействующих со средой. Все сказанное выше указывает на возможность существование определенных сослно-шсний между гидродинамическими, концентрационными полями и геометрическими характеристиками контактных устройств, в том или ином виде взаимодействующими с потоками сплошной среды. Эти соотношения должны обеспечить максимальный перенос вещества или высокоэффективный массообмен. Одним из таких соотношений является синфазность геометрических и концентрационных нолей. [c.31]

Г. 3.— частный случай закона распределения вещества между нссмсшиваюпцшися растворами отношение концентраций спредел. компонента в таких растворах не зависит от общего кол-ва этого компонента. Этот факт используется в зопиой очистке вещества. [c.436]

И. играет важную роль в энергетике, холодильной технике, в процессах сушки, испарительного ох.пажде-ция и т. д. в системе из двух или более компонент рав-новеспый состав пара отличается от состава жидкой фазы, что используется для разделения (очистки) веществ (метод перегонки). [c.219]

Катионит КУ-23 Очистка конденсатов во многих отраслях промышленности, разделение и выделение цветных и редких металлов, разделение и очистка веществ в химической промышленности. Способен к обратимой сорбции [фупных органических катионов. Перспективно использование в фильтрах смешанного действия при обработке вод с высоким содержанием органических соединений [c.20]

Метод зонного рафинирования, разработанный первоначально для очистки веществ, помещенных в лодочку, с соответствующими изменениями, позволяющими избежать загрязнения материалом тигли, оказался эффективным для очистки компактного ниобия. Зона расплавленного металла, создаваемая индукционпы.ч или электронно-лучевым нагревом, перемещается вдоль вертикально закрепленного пиобиевого стержня (метод плавающей зоны ), благодаря чему на одном конце происходит сегрегация примесей, более растворимых в жидком металле. При бестигельной зонной плавке небольшого прутка (например, диаметром 10 мм) с применением одного из вышеупомииутых методов нагрева обычно сохраняется первоначальная форма образца, что указывает на действие сил поверхностного натяжения. Если же проводится бестигельная зонная плавка с поднимающейся зоной при индукционном нагреве, диаметр образца может быть намного больше, например 25 мм или более. В том случае, когда нагрев внезапно прекращается, расплавленный металл немедленно вытекает. Это служит доказательством, что гидростатическое давление расплавленного металла сдерживается поднимающим усилием, благодаря чему таким путем можно рафинировать образцы большего диаметра. [c.439]

Другой областью применения сублимации является очистка веществ. В настоящее время таким методом очищают от примесей бензойную кислоту, камфору, хинизарин, ан-трахинон, хлорид алюминия, йод и многие другие вещества. Определенные технологические выгоды дает сублимащюнная очистка некоторых металлов, например магния. [c.551]

Основными частями оборудования для сублимационной сушки и очистки веществ являются сублимационная камера (или сублиматор), десублиматор и вакуум-насосная система. В состав сублимационной сушильной установки, помимо этого, входят морозильный аппарат и холодильное оборудование. Принципиально схемы процесса вакуумной сублимационной сушки и вакуумной сублимационной очистки веществ аналогичные. В сублиматоре происходит испарение сублиманда, а в десублиматоре пары осаждаются с образованием сублимата. В случае сублимационной сушки целевым продуктом является остаток, представляющий собой пористое вещество неорганического или органического происхождения. При вакуумной сублимационной очистке, как правило, целевой продукт - сублимат. [c.553]

В случае сублимации неподвижного или перемешиваемого слоя сыпучего материала, не имеющего каркаса (например, при сублимащ -онной очистке вещества), расчет ведут по зависимостям, приведенным в [12]. [c.554]

Сублимационная установка непрерывного действия для очистки веществ (антрахинона, бензантрона, метилантрахинона и др.) с перемешиванием продукта показана на рис. 5.4.9. Сублиматор 3 представляет собой нагреваемый цилиндр, внутри которого передвигается сырье, перемешиваемое механическим устройством - лопастным мешателем. Это же устройство служит для удаления остатка. Десублиматор [c.559]

При альфа-распаде ядро любого изотопа элемента № 102 превращается в ядро одного из изотопов фермия (элемент № 100) и ядро гелия (альфа-частицу). Энергия альфа-частиц при этом будет строго определенной. Следовательно, зарегистрировать искомое ядро можно двумя способами либо измерением энергии образовавшихся альфа-частиц Е и периода полураспада (Ггу , либо наблюдением дочерних продуктов распада — ядер атомов фермия. Однако в первом случае существенной помехой определения будет фон, обусловленный альфа-распадом короткоживущих изотопов других элементов. При этом образуются альфа-частицы, энергия которых близка к энергии альфа-частиц, возникших при распаде ядер 102-го элемента. В частности, густой фон появляется, если в материале мишени или других деталей установки, подвергающихся облучению, есть примеси свинца, висмута, ртути. Вероятность фоновых реакций значительно больше (иногда в миллионы раз) вероятности реакции, приводящей к образованию 102-го элемента. Поэтому тщательная очистка вещества мишени от микропримесей свинца и близлежащих элементов и сверхчистые материалы для [c.194]

Термические свойства. Для изучения фазовых превращений при нагревании селенидов Ярембаш [288] использовал дифференциально-термический анализ в сочетании с рентгеновским, микроструктурным и химическим. С помощью этих методов можно определить также оптимальные условия для кристаллизации и очистки веществ транспортными химическими реакциями. Однако следует заметить, что при повышенных температурах селениды могут взаимодействовать с кварцем, из которого сделан сосуд для дифференциально-термических исследований, что приведет к неправильным результатам. [c.180]

Получение особо Ч. в. — чрезвычайно сложная технологич. задача, решенная пока для немногих веществ. Наиболее широко для очистки веществ применяют реакции восстановления из соединений, образование летучих соединений с последующим их разложением, промывку, избирательное растворение, вакуумную плавку и др. Эффективными оказались электрохим. методы, сорбция, хроматографи.ч и ионный обмен. Высокой степени очистки удается достичь экстрагированием, дистилл.чцией и ректификацией, а также кристаллизационными методами, среди к-рых особое место занимают нормальная направленная кристаллизация (по Бриджмену), вытягивание из расплава (по Чохральскому) и зонная плавка, позволяющие получать вещества в виде. монокристаллов с совершенной структурой. Перспективно комплексное применение различных методов очистки. [c.416]

П. р., особенпо водные, имеют большое нрактич. значение нри очистке веществ перекристаллизацией в техно. югии разработки соляных месторождений. Выделен 10 солей пз П. р. прп измепеиип условий пграет большую роль прп образовании минералов. [c.363]

По сведениям завода-изготовителя, этилен был химически чист. Дополнительную очистку вещества и контроль состава в [32] не проводили. По оценке авторов исследования, погрешность значений плотности ыилена равна 0,2 % [c.15]

Под простой перегонкой понимают процесс однократного частичного испарения исходной жидкой смеси и конденсации образующихся при этом паров. Ее применяют для разделения смесей, представляющих собой легколетучее вещество с некоторым содержанием весьма труднолетучих веществ. Обычно прост)то перегонку используют для предварительного разделения, очистки веществ от примесей, смол, загрязнений. При этом сконденсированные пары называют дистиллятом, а оставшуюся неиспаренной жидкость-остатком. [c.99]

Кристаллизацией называют процесс образования твердой фазы в виде кристаллов из раствора и расплавов, а также из газов и паров. Кристаллизация широко применяется в химической, нефтехимической, металлургической, медицинской, пищевой и других отраслях промышленности для решения следующих задач выделения кристаллической фазы из растворов и расплавов, разделения смесей при однократной или многократной частичной кристаллизации, глубокой очистки веществ от примесей, вьфащивания монокристаллов. Получение большого количества кристаллов в промышленном масштабе называют массовой кристаллизацией. В результате проведения массовой кристаллизации получают сыпучий продукт-кристаллы различного размера. [c.290]

Постоянные и случайные примеси. Материалы, получаемые промышленным способом, обычно содержат примеси, изменяющие особенно сильно свойства полупроводников, а также металлов и диэлектриков. Так, в чистом железе при спектральном анализе было обнаружено 27 химических элементов. Примеси бывают постоянными, являющимися обычно спутниками основвых элементов, составляющих материал и попадающих в материалы из сырья, применяемого для его производства. Например, в стали содержатся следующие постоянные примеси кремний, марганец, сера, фосфор, кислород и азот. Кроме того, в материалах могут встречаться случайные или местные примеси. Они попадают в материалы потому, что содержатся в местном сырье, или вследствие особенностей данного технологического процесса. Так, в железной руде, добытой на Урале, содерлсится медь, которая всегда имеется в выплавляемых из такой руды чугунах н сталях. Степени очистки веществ. В технике вещества по степени очистки делят ка следующие четыре класса [c.4]

В полупроводниковой технологии кристаллизация из жидкой фазы, как правило, применяется на последнем этапе технологического процесса очистки вещества. При этом наряду с высокой степенью очистки материала от примесей достигается и необходимое соверщенство кристаллической структуры, то есть в конечном счете полупроводники получают в виде высокочистых монокристаллов. [c.192]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...