Эмиссионные явления

ЯВЛЕНИЯ (поверхностные — явления, обусловленные избытком свободной энергии поверхностного слоя тела, особенностями его структуры и состава термоэлектрические — электрические явления, возникающие в металлах и полупроводниках при наличии градиентов температуры фотоэлектрические— электрические явления, происходящие в веществе под действием электромагнитного излучения эмиссионные—явления, связанные с испусканием электронов твердыми и жидкими телами в результате внешних воздействий) [c.303]

Эмиссионные явления заключаются в испускании электронов с поверхности вещества. [c.236]

Разработка новых методов для получения информации о тончайшем поверхностном слое металла стала возможной благодаря современным достижениям в области высоковакуумной техники, эмиссионной электроники. Хорошо известно, например, что эмиссионные явления очень чувствительны к состоянию поверхности. Анализом каждого вида эмиссии можно получать ту или иную информацию о свойствах поверхности. В настоящее время разработано большое число методов исследования поверхности. Некоторые из них уже используют при анализе поверхностей трения и достаточно широко применяют, например, электронную оже-спектроскопию (ЭОС), другие еще только начинают использовать на практике. [c.59]

Электрический ток в вакууме. Эмиссионные явления [c.237]

Эмиссионная пятнистость. Эмиссионные свойства поверхности всякого катода (термо-, авто- и фотоэлектронного) неодинаковы. На ней существуют участки с различной работой выхода электронов. Различие плотности тока в отдельных участках катода, особенно при низких температурах, доходит до такой степени, что практически весь эмиссионный ток течет только через участки с наименьшей работой выхода. Это явление, заметное и у чистых металлов, но особенно резко выраженное у пленочных катодов, называют эмиссионной пятнистостью. [c.68]

Наиболее характерным пассивным методом, использующим бегущие волны, является акустико-эмиссионный метод (рис. 21, е). При акустической эмиссии упругие волны излучаются самим материалом в результате внутренней динамической локальной перестройки его структуры. Такие явления, как возникновение и развитие трещин, аллотропические превращения, движение скоплений дислокаций, — наиболее характерные источники акустической эмиссии. Контактирующие с изделием пьезопреобразователи принимают упругие волны и позволяют установить место их источника (дефекта). [c.204]

Переходя к пассивным акустическим методам контроля, отметим акустико-эмиссионный метод, при котором используют бегущие волны (рис. 2.5, г). Этот метод основан на анализе параметров упругих волн акустической эмиссии, возникающих в результате динамической локальной перестройки объекта контроля. Такие явления, как возникновение и рост трещин, аллотропические превращения, движение скоплений дислокаций — наиболее характерные источники волн акустической эмиссии. Контактирующие с изделием пьезопреобразователи, принимающие упругие волны, позволяют установить наличие источника эмиссии, а при обработке сигналов от нескольких преобразователей — и расположение источника. [c.99]

Применение акустико-эмиссионного метода. В последнее время для обнаружения и оценки параметров трещин все шире применяется явление акустической эмиссии (АЭ) — излучение развивающейся трещиной акустических волн [59]. АЭ сопровождает процесс деформирования материала от стадии переориентации комплексов микродефектов до полного разрушения контролируемой детали. С помощью АЭ можно диагностировать и прогнозировать состояние контролируемого объекта на стадии, когда последний остается еще работоспособным. [c.444]

По этой встроенной системе были созданы отечественные ядерные ТЭП Топаз [115]. Испытания реактора Топаз-1Ь> подтвердили воспроизводимость характеристик первого образца установки Топаз-1 [115]. Однако было замечено, что после 1200 ч работы реактора наблюдалось небольшое снижение его электрической мощности. Это явление и сравнительно низкий КПД преобразования в реакторах Топаз-1 и Топаз-П обусловлены, прежде всего, отравлением эмиссионной поверхности окислами титана и циркония, в незначительных количествах входящих в состав молибденового сплава ВМ-1, из которого был изготовлен катод электрогенерирующего канала (ЭКГ). Окислы образуются при дегазации в условиях недостаточного вакуума и обладают малой работой выхода, что ухудшает сорбцию цезия н препятствует образованию металлопленочного катода. [c.22]

Поскольку полный ток углеграфитового автокатода обусловлен эмиссией электронов из большого количества кристаллитов на поверхности катода, предлагаемая модель с помощью явления самопроизвольной перестройки эмиттирующих кристаллитов позволяет объяснить излом вольт-амперной характеристики полного тока при высоких напряжениях эмиссии началом самопроизвольной перестройки кристаллитов на эмиссионной поверхности катода и суперпозицией потоков электронов, эмиттированных из нормальных и перестроенных кристаллитов. [c.116]

Изменение геометрии катода, повторяющееся циклически, вряд ли возможно (анализ эмиссионных картин показывает, что геометрия поверхности в течение эксперимента неизменна), поэтому наиболее вероятны первый и третий механизмы. При этом следует заметить, что, согласно описанной выше модели происходящих адсорбционно-десорбционных процессов, нельзя рассматривать эти два механизма в отрыве друг от друга, т. к. прозрачность потенциального барьера из-за явлений адсорбции изменяется не столько на микровыступах, сколько в порах, впадинах, капиллярах, т. е. на тех участках поверхности, с которой до этого эмиссия могла не происходить. Поэтому од- [c.125]

Акустические наблюдения импульсной генерации типа 3 (рис. 6.1), генерируемой единичным эмиссионным центром, показывают, что при увеличении тока происходит смещение усредненного спектра шумов в более высокочастотную область, т. е. среднее число импульсных переключений тока в единицу времени с ростом тока увеличивается. Укорочение на три порядка максимального интервала между импульсными переключениями при увеличении тока с 1 нА до 10 мкА подтверждает наблюдаемое явление. В то же время при наблюдении эмиттирующей поверхности в автоэмиссионном проекторе видно, что количество эмиссионных центров в терминах автоэмиссионной картины при увеличении тока с 1 нА до 10 мкА практически не меняется. Это позволяет заключить, что с увеличением тока скорость флуктуационных процессов на поверхности катода возрастает. Возрастание скорости процесса при измерениях а аналогично эффекту увеличения что при неизменности должно приводить к уменьшению зависимости а от времени. Таким образом, наблюдаемое уменьшение разброса является результатом сдвига флуктуаций эмиссионных областей и центров в область более коротких времен за счет возрастания скорости флуктуационных процессов на поверхности катода. Увеличение тока с 1 нА до 10 мкА приводит также к росту скорости импульсного переключения эмиссионных центров с временами фронтов от 1 мс для токов 1 —ЮнА до десятков наносекунд и менее для тока 10 мкА. Предельно короткие значения фронтов не разрешены. [c.222]

Свойства М. с. определяют явления катализа, роста кристаллов (в частности, эпитаксиальных плёнок), поведение суспензий, эмульсий М. с. используют в эмиссионной электронике и микроэлектронике. [c.210]

Акустико-эмиссионный метод. Акустическая эмиссия, или эмиссия волн напряжения, - явление генерации упругих волн в твердых телах и при нагружении (рис. 16.85). Главным источником акустической эмиссии следует считать процессы разрушения в кристаллах и скоплениях кристаллов. При этом могут образовываться микро- и макротрещины. Излучаемые при этом импульсы упругих волн в зависимости от материала имеют широкий частотный диапазон - от десятков до сотен мегагерц. [c.298]

Долговечность катода зависит от сохранения им эмиссионных свойств. Катод лампы может быть накален, но не излучать электроны. Явление, при котором катод теряет способность излучать электроны, называется потерей эмиссии. Потеря эмиссии может быть частичной или полной. Полная потеря эмиссии ламп в усилителях звукового кино обычно приводит к исчезновению звука, а частичная —к значительному ухудшению качественных показателей усилительных устройств. [c.54]

Метод акустико-эмиссионной диагностики связан с регистрацией волновых явлений, возникающих при деформировании (в том числе и при контакте) и разрушении твердых тел. [c.10]

Эмиссионные явления находят применение в физическом металловедении в качестве методов исследования, весьма чувствительных к структуре и состоянию поверхности. К их числу можно отнести и фотоэлектронную эмиссию, применение которой, особенно в околопороговой области частот, интенсивно разрабатывается в последнее время [1]. [c.31]

Центр автоэмиссионных технологий имеет штат специалистов высокой квалификации с 0П1.1Т0М работы в области эмиссионных явлений вакуумной техники, радиоэлектроники и вычислителыюй техники. В ЦЛТ МФТИ проходят научную практику студенты и аспиранты ФФКЭ МФТИ. [c.288]

Эмиссионные явления заключаются в испускании электронов с поверхности вещества. Термоэлектронной эмиссией казыагется ис- [c.215]

Г. Вакуумом называется такая степень разрежения газа, при которой можно пренебрегать соударениями между его молекулами и считать, что средняя длина свободного пробега 7 (II.2.3. Г) превышает линейные размеры с1 сосуда, в котором газ находится (7>й). Проводимость межэлект-родного промежутка в состоянии вакуума называется электрическим током в вакууме. Молекул газа при этом столь мало, что процессы их ионизации не могут обеспечить такого числа электронов и положительных ионов, которое необходимо для электропроводности. Проводимость меж-электродного промежутка в вакууме может быть обеспечена лишь с помощью заряженных частиц, возникших за счет эмиссионных явлений на электродах. [c.237]

Полупроводники, как оказалось, были в состоянии давать исключительно большие значения термоэлектронной и вторичной электронной эмиссии. Используя это явление, Л. А. Кубецкий в 1930 г. предложил усилительное устройство, основанное на принципе умножения числа электронов с помощью электронной бомбардировки надлежащим образом расположенных эмиссионных поверхностей. [c.320]

Для объяснения наблюдавшихся явлений авторами [174] предложена модель полевой эмиссии электронов из углеродного катода (рис. 3.9). В модели углеродный автокатод представляется как металлический автокатод, покрытый микрочастичками диэлектрика, образующими сплошную пленку на его эмиссионной поверхности. При некотором поле электроны получают возможность туннелировать через барьер на границе металл—диэлектрик в зону проводи- [c.113]

Эмиссионная М. с. расширяет класс исследуемых объектов и физ. явлений. Метод обладает высокой чувствительностью. Можно исследовать образцы с чрезвычайно малой концентрацией радиоакт. ядер (порядка 10 %). В процессе ядерных превращений и каскада у-переходов электронная оболочка иона или его электронное окружение оказываются в неравновесном зарядовом состоянии. Если время жизни неравновесного состояния меньше времени жизни возбуждённого состояния ядра, то в спектрах испускания наблюдаются дополнит, линии с хим. сдвигом и квадрупольным сцеплением, соответствзтощими неравновесному зарядовому состоянию. [c.106]

Активность О. с а. я. зависит от природы их центр, источников. Оптич. эмиссионные спектры, к-рые ещё в нач. 1970-х гг. доминировали в построении моделей, есть явление вторичное. Эмиссионные линии возникают довольно далеко от центра (10 —10 см), поэтому осн. информацию о центр, источниках О, с а. я. даёт исследование переменности их излучения в широком диапазоне эл.-магн. спектра. Естественно, что для большинства О. с а. я. исследована оптич. переменность. Наиб, подробные наблюдения переменности проведены для ядра сейфертовской галактики NG 4151. Этот объект считается классич. прототипом О. с а, я. [c.393]

Физическое состояние поверхности связывают с экзоэлектронной эмиссией. Под эгао-электронной эмиссией понимают явление нестационарной электронной эмиссии с поверхности твердого тела, находящейся в возбужденном состоянии, при внешнем тепловом или световом стимулирующем воздействии с энергией ниже порога возникновения стационарных эмиссионных эффектов. Для оценки экзоэлектронной эмиссии используются параметры [c.149]

Послойный рентгенографический анализ скользящим пучком лучей выявил вторую важную особенность формирования структуры поверхностных слоев металла при трении в условиях избирательного переноса. При съемке под малым углом падения первичного пучка рентгеновских лучей к исследуемой поверхности на рентгенограмме выявлены не одна, как обычно для однофазного материала, а две системы линий, соответствующие интерференции от кристаллографических плоскостей двух материалов медной пленки и основного металла. Две системы линий свидетельствуют о существовании дискретной границы между сформировавшейся пленкой и основным материалом образца. Результаты послойного (в анализируемом рентгенографически диапазоне толщин) эмиссионного микроспектрального анализа показали, что межфазная граница представляет собой слой окислов. Трение в условиях избирательного переноса осуществляется в восстано- вительной среде, поэтому поверхностные слои металла не окисляются. Однако не исключена возможность диффузии кислорода в подповерхностные слои (явление внутреннего окисления), где он взаимодействует в первую очередь с более активными атомами примесей и легирующих элементов. Условия формирования устойчивой структуры подповерхностного слоя определяются числом и совокупностью анодных компонентов сплава, формированием общего диффузионного потока его составляющих. [c.135]

Выше были Описаны результаты исследования структуры катодного пятна и свойств его отдельных частей в условиях стационарной дуги. Чтобы получить представление о само м процессе становления дуги и механизме управления эмиссионным током катода, необходимо дополнительно сследовать явления, происходящие у катода при увеличении тока. [c.175]

Рассмотренная стадия форсирования процессов дугового цикла является подготовительной ступенью ко второй стадии процесса становления нового режима тока, переломным пунктом к чему служит максимум на осциллограммах напряжения. Внезапное прекращение роста напряжения в точке Б и начало последующего крутого спада кривой служат признаком резкого уве пичения эмиссионного тока катода. Так как отмеченное увеличение тока протекает при явлениях уменьшения напряжения на электродах дуги и одновременного бурного деления ячеек, приводящего к увеличению эмиссионной поверхности, то его можно связать лишь с увеличением числа ячеек на катоде. Следовательно, физическая сущность второй стадии состоит в формировании посредством усиленного деления имею-ши.хся ячеек некоторого дополнительного количества ячеек, не-12 179 [c.179]

Все сказа н ное выше хорошо объясняет появление искровых линий в свечении разряда и спонта нное возникновение новых центров эмиссии катода. То и другое явления следует рассматривать лишь как естественную цепь следствий резко нарастающей интенсивности процессов дугового цикла в пределах ячеек, деление которых не способно обеспечить необходимую скорость развития эмиссионной поверхности катода. Действительно, возбуждение коротковолнового искрового спектра обязано своим происхождением резкому повышению ионизирующей способности электронов в результате подъема напряжения на электродах дуги. При содействии возникающего при таких условиях сильного электрического поля это коротковолновое излучение в свою очередь способно вызвать спонтанное образование на катоде новых очагов эмиссии посредством фотоэффекта. Таким путем отчасти компенсируется недостаточная скорость развития эмиссионной поверхности посредством обычного процесса деления ячеек. Спонтанное появление новых катодных пятен, таким образом, лишь подчеркивает то обстоятельство, что при рассматриваемых режимах резкого нарастания тока узким местом разряда, тормозящим этот процесс, служит недостаточная скорость развития эмиссионной поверхности катода посредством деления ячеек катодного пятна. [c.184]

Рассмотренные здесь явления при высоких скоростях увеличения тока весьма типичны для искрового разряда, что дает основание отнести возникающую лри таких условиях форму разряда к области искровых разрядов, несмотря на есколько необычную для них ситуацию крайне низкой ллотности среды. В настоящее время принято связывать все своеобразие искрового разряда с наличием очень узкого канала со 100%-й, ионизацией среды, достигающейся благодаря сосредоточению в канале больших. М1гно1венных значений тока и подводимых к каналу мощностей. При этом не уделяется достаточного внимания явлениям, протекающим непосредственно у катода. Как показывают приведенные выше опыты с ртутной дугой низкого давления, 100%-я ионизация и связанный с нею интенсивный искровой спектр наблюдаются и в условиях разряда низкого давления при больших сечениях разрядного канала. Очевидно, наличие узкого канала не является обязательным для возникновения указанных признаков искрового разряда, так как тот же самый результат в виде 100 %-й ионизации среды и искрового спектра может быть достигнут путем подведения достаточно высокой мощности к широкому столбу разряда, особенно в разрядах с низкой плотностью ореды. Судя по результатам опытов с ртутной дугой, для понимания особенностей искрового разряда при низких давлениях первостепенное значение приобретают процессы, происходящие у катода. Вследствие ограниченной скорости развития эмиссионной поверхности катода, лимитируемой инерционным процессом локального нагревания поверхностных участков до их вскипания, необходимая эмиссия катода дости гается при очень высокой скорости нарастания тока лишь за счет форсирования электрических процессов дугового цикла. Одним из результатов этого форсирования процессов у катода является достижение 100%-й ионизации среды в лежащей выше области разряда и появление искрового спектра. Весьма характерным аккомпанементом форсированных режимов дуги является также спонтанное возникновение на катоде новых очагов эмиссии. [c.185]

Анализ споктроп. Экспериментальное исследование эмиссионных спектров дает, в первую оче )едь, информацию о длинах волн или частотах спектральных линий, их интенсивности и контурах. Кроме того, экспериментально можно выявить характер спектра поглощения, влияние на спектральные линии внешних полей (явления. Зеемана п Штарка), вероятности перехода и т, д. Используя эти данные, выделяют группы линий, принадлежащие отдельным сериям, определяют численные значения термов, [c.24]

Авторы не ставили себе цель рассмотреть все процессы при сварке, которые связаны с поверхностными явлениями. В частности, не были раоомотрены связь эмиссионных свойств электродов с поверхностными явлениями роль поверхностных явлений при сварке разнородных металлов и т. д. Не рассматривалась также отделимость шлаковой корки и связь этого процесса с поверхностными явлениями, поскольку эти вопросы довольно подробно изложены в работах С. Б. Якобашвили и И. И. Фру,мина. [c.4]

К пассивным методам АК относят акустико-эмиссионный метод (см. 2.7), в котором используют бегущие волны (рис. В.7). Явление акустической эмиссии (от лат. ет1551о — испускание, излучение) состоит в излучении упругих волн материалом ОК в результате внутренней динамической локальной перестройки его структуры. Такие явления, как возникновение и развитие трещин, превращения кристаллической структуры, движение скоплений дислокаций, — наиболее характерные источники акустической эмиссии. Контактирующие с ОК преобразователи принимают упругие волны и позволяют установить наличие источника эмиссии, а при обработке сигналов, проходящих от нескольких преобразователей, — также расположение источника. [c.12]

Эмитированные эл-ны, ускоряясь в радиальных (относительно острия) направлениях, бомбардируют экран, вызывая свечение люминофора, и создают на экране увеличенное контрастное изображение поверхности катода, отражающее её крист, структуру (рис. 2, о к ст. Ионный проектор). Контраст автоэлектронного изображения определяется плотностью эмиссионного тока, к-рая зависит от локальной работы выхода, изменяюще -ся в зависимости от кристаллографич. строения поверхности эмиттера и от величины поля у поверхности эмиттера. Увеличение в Э. п. равно отношению Я/Рг, где Л — расстояние катод — экран, Р — константа, зависящая от геометрии трубки. Разрешающую способность Э. п. ограничивают наличие тангенциальных составляющих скоростей автоэлектронов у кончика острия и (в меньшей степени) явление дифракции эл-нов. Предел разрешения Э. п. составляет [c.891]

Метод базируется на результатах многолетних фундаментальных исследований, включающих изу еНие акустико-эмиссионных процессов при деформировании и разрушении металлических композиционных материалов. Данный меггод, являясь методом неразрушающего контроля (НК), осноЁЫваетсж на явлении акустической эмиссии (АЭ) и позволяет заблаговременно предупреждать и локализовывать место возможного разрушения. [c.109]

Метод базируется на результатах многолетних фундаментальных исследований, включающих изучение акустико-эмиссионных процессов при деформировании и разрущении металлических и композиционных материалов. Данный метод, являясь методом неразрушающего контроля (НК), основывается на явлении акусти-ческой эмиссии (АЭ) и позволяет заблаговременно предупреждать и локализовать место возможного разрушения. Метод позволяет обнаружить дефекты типа трещин, зоны значительных пластических деформаций и коррозионных повреждений, утечки. [c.211]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...