Схема зеркального отражения

В каких случаях реализуется схема зеркального отражения молекул от обтекаемой поверхности и когда вероятней диффузное отражение [c.711]

Схема зеркального отражения молекул от поверхности реализуется в том случае, когда эта поверхность очень гладкая и наклонена под малым углом атаки. Однако даже при полированной поверхности только малая часть молекул отражается зеркально. Наиболее вероятной оказывается схема диффузного отражения, которая предполагает наличие шероховатости и щeJ eй, размеры которых соизмеримы с поперечными размерами молекул. В этой схеме молекулы в результате соударения а [c.713]

В соответствии со схемой зеркального отражения молекул (рис. 13.3) касательная составляющая скорости не изменяется ни по величине, ни по направлению, в то время как нормальная составляющая, сохраняя величину, изменяет направление на обратное. В соответствии с этим p = [c.715]

Схема зеркального отражения молекул [c.715]

Рис. 3. Преломление параллельных Рис. 4. Схема зеркального отражения лучей через плоскую границу раздела двух сред

Схема зеркального отражения 14—15 [c.446]

На практике обычно реализуется схема смешанного отражения, при которой большая часть молекул отражается диффузно, а меньшая — зеркально. В этом случае коэффициент аккомодации импульса соответствует условию 0смешанная схема является наиболее общей, то, получив соответствующие зависимости для этой схемы, можно затем в случае зеркального или полностью диффузного отражения найти из этих зависимостей необходимые результаты, приняв соответственно / = о или / = 1. [c.722]

Фирмой разработан вариант системы, который может быть применен для опознавания дефекта. С этой целью используется система многонаправленного отражения с несколькими приемниками излучения. Обычно применяется зеркально отраженный от контролируемого материала свет и свет диффузно отраженный, направляемый на грань вращающейся призмы дополнительным зеркалом. Такая схема позволяет повысить отношение сигнал/шум. [c.90]

Согласно экспериментальной проверке при падении продольной волны на поверхность цилиндра амплитуда дифрагированных волн на 30. .. 40 дБ меньше, чем амплитуда зеркально отраженного сигнала, что находится на пределе чувствительности аппаратуры. В то же время для падающей поперечной волны амплитуда дифрагированных волн составляет 15. .. 25 дБ от амплитуды зеркально отраженного сигнала, что вполне может быть зарегистрировано аппаратурой, поэтому основной схемой формирования волн обегания—соскальзывания стала схема, представленная на рис. 1.25, б. [c.42]

Рис. 1.26. Зависимость отношения амплитуд зеркально отраженного и дифрагированного сигналов от радиуса цилиндра при совмещенной схеме контроля (образец из стали 45 / = 2,5 МГц)

Упругие свойства зерен, соединенных в плоскости сварки через оксидную пленку, а также их ориентация, форма и размеры отличаются от соответствующих параметров зерен качественного соединения. Эта особенность может быть использована при выявлении дефектов контактной сварки типа оксидных пленок. Экспериментально установлено, что при взаимодействии УЗ-волн, направленных в металл под углом 50 к плоскости сварки, амплитуды зеркальных сигналов от дефектов типа оксидных пленок превышают амплитуды сигналов структурных шумов бездефектного шва. Поскольку такие дефекты являются плоскими и характеризуются в основном зеркальным отражением, для их обнаружения рекомендуется применять зеркальный эхо-метод контроля по схеме тандем, т. е. прозвучивание шва двумя преобразователями, расположенными с одной стороны шва друг за другом при этом один преобразователь излучает УЗ-колебания, другой — принимает. [c.357]

К приборам с постоянной наводкой относятся такие радиометры, у которых приемная поверхность термостолбика расположена в плоскости изображения входной диафрагмы прибора. В этом случае отверстие входной диафрагмы прибора может рассматриваться как своего рода источник излучения, яркость которого равна яркости излучения измеряемого объекта. Принципиальная схема зеркального радиометра с постоянной наводкой показана на рис. 7-3. Лучи, проходящие через отверстие входной диафрагмы mn, после отражения от сферического зеркала образуют изображение этой диафрагмы т п в плоскости приемной поверхности термостолбика. При всех измерениях, независимо от расстояния до измеряемого объекта, площадь изображения т п должна полностью перекрывать всю площадь приемной поверхности термостолбика. [c.265]

Из результатов расчетов для схем диффузного и зеркального отражений следует, что при малых I значения потоков на выходе близки. С ростом I в случае зеркального отражения поток увеличивается быстрее, чем для схемы диффузного отражения. [c.338]

Наконец, отметим, что при дифракции на совершенном кристалле падающая плоская волна вызывает одну дифрагированную плоскую волну. Их направления в симметричном случае Брэгга подчиняются закону зеркального отражения, что позволяет применять для рентгенооптических схем с такими кристаллами соотношения геометрической оптики. [c.307]

При проектировании голографической установки необходимо обеспечить высокую стабильность системы, поэтому стремятся к тому, чтобы в схеме было как можно меньше зеркальных отражений. Практически это сводится к выбору наипростейшей установки. [c.98]

Наибольшее распространение получила схема зеркально-диффузного отражения (см. формулу (10.3) 2.10). В этом случае [c.351]

Спектры рассеянного света и ФЛ регистрируют таким образом, чтобы зеркально отраженный пучок возбуждающего света не попадал в щель спектрального прибора, поскольку его интенсивность на много порядков больше интенсивности рассеянного света и ФЛ. На рис. 2.27 показана одна из оптических схем, применяемых для регистрации спектров рассеяния света и фотолюминесценции. [c.53]

Рис. 2.27. Схема спектрометрии рассеяния света и фотолюминесценции 1 — лазер, 2 — образец, 3 — собирающая линза, 4 спектральный прибор с фотоприемником, 5 — зеркально отраженный пучок

Рис. 5.8. Схема термометрии по спектру диффузного рассеяния падающий световой пучок (1), зеркально отраженный пучок (2), диффузно отраженный свет (3), фотоприемник ( ), монокристалл (5)

Измерение коэффициентов формы. Этот метод применяют при контроле сварных швов. Коэффициент формы определяют как отношение максимальных амплитуд сигналов, полученных при прямом отражении от дефекта А и по схеме тандем В (рпс. 60). В схеме тандем предусмотрено расположение приемного искателя на участке поверхности изделия Bi, на который приходит максимальный сигнал, испытавший двойное зеркальное отражение от вертикального дефекта и дна изделия. Для реализации этой схемы применяют приспособление, обеспечивающее соблюдение условия [c.218]

Содержание опыта сводится к введению запыленного зеркала в лазерный пучок и получению лазерного зайчика , окруженного интерференционной картиной. Ход полос в ней зависит от расположения прибора относительно пучка. Любопытная особенность картины, связанная с наличием в центре нулевой полосы зеркального изображения освещающего источника, отличает ее от картины, полученной по любой другой интерференционной схеме, и обусловлена тем обстоятельством, что лучи, рассеянные в направлении зеркального отражения 9 = г) имеют нулевую разность хода. Предметом демонстрации может являться сам факт формирования интерференционной картины с зеркальным изображением 8 в средней части нулевой полосы, а также факт влияния свойств рассеивающего покрытия на индикатрису рассеяния и распределение освещенности в картине, и контрастность полос. [c.21]

ХИ.З. Схема зеркального отражения молекул от поверхности реализуется в том случае, когда она очень гладкая и наклонена под малым углом атаки. Однако даже при полированной поверхности только малая часть молекул отражается зеркально. Наиболее вероятной оказывается схема диффузного отражения, которая предполагает наличие шероховатостей и щелей, размеры которых соизмеримы с поперечными размерами молекул. В этой схеме молекулы в результате соударения с поверхностью полностью передают ей свой импульс и энергию, попадая в щель или оказываясь между бугорками шероховатостей. По исте- [c.704]

ХП.8. В соответствии со схемой зеркального отражения молекул (рис. З.ХП.1) касательная составляющая скорости не меняется ни по величине, ни по направлению, в то время как нормальная составляющая, сохраняя свою величину, изменяет направление на обратное. В соответствии с этим pi— =Pj,=P и Тг=тг=т. Подставив эти значе-Рис. 3.XII.1. Схема зеркально- ния в выражения для коэффициентов акко-ГО отражения молекул модации, получим [c.706]

При зеркальном взаимодействии угол отражения р равен углу падения р. Общее изменение направления скорости относительно оси тела вращения определяется углом 2р. Это изменение направления вызывает изменение количества движения молекул при отражении от участка поверх- Рис. 13.4. Схема для расчета сопротивлв-ности 2пгд/, которому соответствует лобо- ния при зеркальном отражении [c.721]

В рассмотренных ньютоновых схемах отражения взаимодействия молекул с донным срезом конуса не происходит и, следовательно, Схдон = О- Для расчета значения с при зеркальной схеме ньютонового отражения воспользуемся выражением (13.28). После подстановки в него значения .мид = 1/(21 Рн) = 0,866 получаем [c.724]

Таким образом, в точку наблюдения приходят поперечные волны, порожденные волнами обегания — соскальзывания, трех типов. Поперечная волна, касающаяся цилиндра, возбуждает неоднородную волну обегания квазиповерхностного типа, т. е. состоящую из комбинации поперечной и поверхностной волны. Ее волновое число хЬ, являющееся комплексным, определяет неоднородность этой волны. На рис. 1.25 показаны возможные схемы образования волн обегания — соскальзывания. Волна обегания переизлучает в пространство волну соскальзывания поперечного типа (см. рис. 1.25, а). Поперечная волна, падающая под третьим критическим углом, возбуждает волну обегания продольного типа с волновым числом ki-rb. Эта волна переизлучает волну соскальзывания поперечного типа (см. рис. 1.25, б). Наконец, лучи падающей волны, проходящие вблизи цилиндра, создают волну обегания типа волны Релея, которая также переизлу-чается в пространство в виде волны соскальзывания поперечного типа (см. рис. 1.25, е). На рис. 1.25, г—д показаны способы образования волн обегания — соскальзывания при падающей продольной волне. Особенность образования волн в соответствии со схемой, приведенной на рис. 1.25, е, заключается в том, что кроме обежавшей продольной волны наблюдается еще и поперечная, отходящая под третьим критическим углом. Таким образом, помимо зеркально отраженного поля в точку наблюдения приходят еще три сигнала, соответствующие рассмотренным выше волнам обегания — соскальзывания обежавшие цилиндр со скоростью, близкой к i, а такх<е со скоростями, близкими к Ст и Сд. Причем варианты а и б на рис. 1.25 могут быть объединены, поскольку при яЬ > 10 [c.41]

Анализ акустического тракта выполним для схемы, изображенной на рис. 2.14, а. Отражение от бесконечной плоскости можно рассматривать как зеркальное отражение падающих на плоскость акустических волн (см. подразд. 2.2). В соответствии с этим акустическое поле, возникающее в результате отражения от бесконечной поверхности, можно нредсгавнть как акустическое поле мнимого излучателя, рассеянное на реальном и мнимом изображении экрана-дефекта. Мнимые излучатель и дефект расположены зеркально-симметрнчно по отношению к действительному излучателю и дефекту (рис. 2.15), В результате акустический тракт при контроле зеркально-теневым [c.120]

Двухсторонние швы тавровых соединений с технологическим не-проваром в корне контролируют с внешней стороны полки безэталон-ным способом (рис. 3.10, а). При контроле используется два преобразователя с углами ввода 50°, включенных по раздельной схеме и расположенных на фиксированном расстоянии в специальном держателе. Для выявления непроваров шириной более допустимой величины используется предварительно построенная по испытательному образцу зависимость амплитуды зеркально-отраженного сигнала от моделей непроваров различной ширины. [c.73]

Электрическая схема-аналог и метод моделирования остаются точно такими же, как и в рассмотренном ранее случае изотропного объемного и поверхностного рассеяния. Нетрудно убедиться в том, что когда зеркальная отражательная способность тел будет отсутствовать (/Кзер) = 0, 1 = 1, 2,. .п), все отмеченные новые величины для диффузно-зеркального отражения переходят в обычные, характерные для диффузно-отражающих тел. [c.297]

Метод TIS используют достаточно широко в последние десять лет [8, 21, 43]. Типичная схема установки для определения а методом TIS приведена на рис, 6.5. Излучение от лазера 2, проходя через отверстие 5 в сферчие-ском зеркале 6, падает на образец 7, который может быть как плоским, так и сферическим. Зеркально отраженный от образца пучок выходит обратно через [c.236]

В схеме прибора предусмотрен ряд устройств для юстировки. Так, правильная установка образца, обеспечивающая выход и попадание зеркально отраженного пучка на приемник 10, достигается с помощью системы зеркал 11 и приемника 1, а установка приемника 8 в точку, где собираются отраженные от зеркала 7 лучи, осуществляется визуально с помощью оптического устройства 4, снабженного волоконной оптикой. В ряду приборов отметим установку [42], где реализован относительный метод измерения TIS, и измерение а проводится сравнением с эталонным образцом, среднеквадратичная шероховатость поверхности которого измерена с максимальной точностью. Установка для измерения TIS с фотометрическим шаром фирмы Балзерс схематично изображена на рис. 6.6, где излучение от Не—Ne-лазера 1, проходя прерыватель 2, ослабитель 3 и апертуру 4, падает на поверхность исследуемого образца 5. Зеркально отраженный поток выводится из фотометрического шара через отверстие 9. Интегральное значение рассеянного потока с детектора 8 поступает на синхронный усилитель 6, куда одновременно поступает опорный сигнал падающей интенсивности. Сигнал с синхронного усилителя пропорционален отношению /о//д, входящему в формулу (6.11). Измеренное значение а индицируется на цифровом вольтметре 7. Значения а порядка 0,5 нм были измерены с помощью описанной установки фирмы Балзерс в работе [37]. Как было показано в работе [30 ], метод позволяет проводить измерения а и не дает возможности определения параметров поверхности в плоскости (X, У). Это ограничение метода TIS было преодолено в приборе, в котором была обеспечена возможность измерения углового [c.237]

Разновидностью метода термометрии по сдвигу края поглощения является измерение температуры с помощью спектроскопии диффузного отражения (diffusive refle tan e spe tros opy), разработанной в последнее десятилетие применительно к термометрии кристаллов с шероховатой поверхностью [5.13-5.15]. На лицевую (полированную) поверхность пластинки падает пучок света от источника, либо имеющего сплошной спектр, либо перестраиваемого по длине волны. Вторая (тыльная) поверхность является шероховатой и рассеивает свет. Шероховатость не создают специально для регистрации рассеянного света и измерения температуры, она присутствует на нерабочей поверхности практически всех полупроводниковых кристаллов. Регистрируют спектр незеркально отраженного света для того пучка, который прошел сквозь пластину, отразился от шероховатой поверхности и еще раз прошел сквозь пластину (пучок, зеркально отраженный от передней поверхности, не регистрируется оптической схемой). Схема эксперимента приведена на рис. 5.8. [c.116]

Рис. 127. Схема лучистого теплообмена между коицентриче-скими сферами при зеркальном отражении

Рис. 142 Схема лучистых оотаков в излучающих системах при зеркальном отражении от поверхности

Коэффициент формы дефектов Кф определяется в виде отношения амплитуд сигналов — отраженного от дефекта обратно к искателю (Лобр) и испытавшего двойное зеркальное отражение от дефекта и внутренней поверхности изделия (Л) при прозву-чивании дефекта эхо-зеркальным способом (схема тандем ) двумя однотипными наклонными искателями, расположенными с одной стороны шва (рис. 38). Пример измерения Кф трещины в шве показан на рис. 39. [c.73]

Наиболее опасные дефекты — трещины — ориентированы яреимущественно в вертикальной плоскости (рис. 69). Такие дефекты, расположенные в сечении шва, плохо выявляются при од-нощуповой схеме прозвучивания. Если в швах меньшей толщины, соизмеримой с эффективным диаметром ультразвукового пучка, суммарная амплитуда эхо-сигнала от плоскостных дефектов в сечении увеличивается за счет многократного зеркального отражения от дефекта и стенок, то в толстостенных швах этот угловой эффект уже не работает. Качественно это иллюстрируется рис. 70. Это приводит к тому, что такие дефекты при наклонном падении на них ультразвука могут быть выявлены только путем регистрации боковых лепестков индикатрисы рассеяния, интенсивность которых в десятки раз меньше, чем у основного лепестка. [c.117]

Для определения коэффициэнта зеркального отражения света В. И. Лайнером [7] был применен рефлектометр, принципиальная схема которого представлена на рис. 110. [c.213]

Схема V используется при наблюдении люминесценции весьма концентрированных растворов, когда все свечение сосредоточено около передней стенки кюветы и поперечное наблюдение по схеме II применить нельзя, так как свечейие оказалось бы либо очень слабым, либо отсутствовало бы полностью. Наблюдение люминесценции но схеме V ведется с той же стороны под некоторым уг-Л0Л1 как и возбуждение. Схема V используется поэтому очень часто, когда имеют дело с непрозрачными твердыми телами или порошками. Угол между направлением возбуждения и направлением наблюдения надо выбирать так, чтобы он значительно отличался от угла зеркального отражения. Лучше всего, чтобы он был меньше этого угла. Облучаемую поверхность исследуемого объекта рекомендуется устанавливать перпендикулярно к оси возбуждающего пучка. [c.548]

Блеск покрытия обусловлен его способностью зеркально отражать падающий на покрытие световой поток. Это один из основных критериев оценки декоративных и защитных свойств лакокрасочного покрытия. Снижение блеска, как правило, обусловлено механическим разрушением или деструкцией покрытия и появлением на его поверхности шероховатостей, уменьшающих долю зеркально отраженного света. Фотометрические методы определения блеска основаны на измерении величины фототока, возбуждаемого в фотоприемнике пучком света, зеркально отраженного от поверхности покрытия. Измерение блеска покрытий проводят с помощью фотоэлектрических блескомеров типа ФБ-2, ФБ-5. На рис. 38 приведена принципиальная схема блескомера ФБ-2. За эталон матовой поверхности принято увиолевое стекло, зеркальная составляющая отражательного потока которого условно равна 65 /о- [c.150]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...