Рассеяние электронов на электронами

Рассеяние фотона на электроне. Фоток с энергией е испытал рассеяние на покоившемся свободном электроне. Найти энергию е рассеянного фотона, если угол между направлениями движения рассеянного и налетающего фотонов равен д. [c.232]

Согласно Фейнману, процесс электромагнитного взаимодействия между двумя зарядами ei и еа (например, рассеяние электрона на электроне) можно схематически изобразить на плоскости координата (л )—время ( ) в виде рис. 1. Здесь внешними изломанными линиями изображаются мировые линии взаимодействующих заряженных частиц до и после взаимодействия. В соответствии с законами сохранения лептонного и электрического зарядов внешние линии нигде не обрываются. Они выходят из —оо и уходят в Ч-оо. Наклоном линии относительно оси t можно характеризовать величину импульса электрона . Внутренней волнистой линией изображается виртуальный фотон. Сам процесс взаимодействия изображается [c.14]

Рис. 60. Диаграммы Фейнмана для рассеяния электрона на электроне

Атомная амплитуда f(S) будет равна, как видно из (7.30), числу электронов Z при 5 = 0 и будет убывать при увеличении S, поскольку распределение электронов в атоме можно представить функцией колоколообразного типа. Физически это соответствует тому, что при рассеянии волн на электронах, расположенных в различных местах атома, между волнами возникает разность хода. Усреднение по всем положениям электронов и приводит к уменьшению f(S) при 5=9 0. Абсолютная величина амплитуды рассеяния электронами атома равна произведению [(//) на e lm , т. е. на классический радиус электрона rei. [c.185]

Рис. 7.12. Простейшая диаграмма, описывающая рассеяние электрона на электроне.

Рис. 7.13. Диаграмма, описывающая рассеяние электрона на электроне посредством обмена двумя фотонами.

Рис. 7.14. Приближенное диаграммное равенство, показывающее, что полная амплитуда рассеяния электрона на электроне с хорошей точностью равняется амплитуде простейшего механизма рассеяния.

Первым из процессов 2-го порядка мы поставили рассеяние фотонов на электронах, т. е. комптон-эффект. Рассмотрение этого процесса начнем с его кинематики. Если обозначить через к, к импульсы падающего и рассеянного фотонов, а через р,р начальный и конечный импульсы электрона, то законы сохранения импульса и энергии при комптон-эффекте запишутся в виде (см. 2) [c.334]

Рассеяние фотона на электроне [c.147]

Подзоны Ландау испытывают в магн. поле дополнит, расщепление, обусловленное собственным спиновым магн. моментом электрона. При интенсивном лазерном возбуждении в полупроводнике можно наблюдать вынужденное рассеяние света на электронах проводимости, сопровождающееся переворотом спина. Поскольку величина спинового расщепления на подзоны для нек-рых полупроводников оказывается значительной, этот эффект используется для плавной перестройки частоты лазерного излучения с помощью магн. поля (нанр., в комбинационных лазерах). [c.702]

Более сложен вопрос о величине электрич, (зарядового) формфактора Н. Geo- Из экспериментов по рассеянию на дейтроне можно сделать заключение, что Gga в интервале квадратов переданных импульсов (0—1) (ГэВ/с) . При о вследствие равенства нулю электрич. заряда Н. Оеп 0, однако экспериментально можно определить Эта величина наиб, точно находится из измерений длины рассеяния Н. на электронной оболочке тяжёлых атомов. Оси. часть такого взаимодействия определяется магн. моментом Н. Наиб, точные эксперименты дают длину пе-рассеяния a e —1,378(18)-10" см, что отличается от расчетной, определяемой магн. моментом Н. a g = —1,468-10 см. Разность этих значений даёт среднеквадратичный электрич. радиус Н. (г ) = = 0,088(12) Фили Оеп я )1 я = = —0)02 Ф . Эти цифры нельзя рассматривать как окончательные из-за большого разброса данных разл. экспериментов, превышающих приводимые ошибки. [c.268]

Для Vg —v -системы в обычной среде различие и Л(, Возникает из-за рассеяния Vg на электронах за счёт заряженных токов [c.311]

В образцах с большой концентрацией электронов становится существенным рассеяние на них фононов. Это уменьшает Тф и ограничивает макс. значение термоэдс увлечения (эффект насыщения), Б сильно вырожденных полупроводниках, когда рассеяние фононов на электронах является преобладающим, максимально возможное значение [c.201]

Каждая Ф. д. имеет неск. интерпретаций в зависимости от направления движения вдоль линий этой диаграммы. Так, для Ф. д., изображённой на рис. 3, допустимы следующие варианты. Первый—движение по линиям слева направо—рассеяние фотона на электроне (Комптона эффект). В вершине I нач. электрон поглощает нач. фотон, при этом образуется промежуточный электрон, к-рый распространяется от вершины I к верщине 2. Здесь он излучает конечный фотон и превращается в конечный электрон. Результатом процесса является перераспределение 4-импульса (энергии и импульса) между электроном и фото- [c.277]

Даже при таком довольно грубом объяснении электро- и теплопроводности электронов имеется одно существенное отличие от случая фононов. Для чистых неметаллов всегда предполагалось, что теплопроводность при нормальных температурах главным образом определяется рассеянием фононов друг на друге (это также вытекает из соответствующей теории). В металлах обычно считается, что рассеяние электронов на электронах несущественно (это действительно так, см. п. 2 3 гл. 11). Только при низких температурах имеется некоторое сходство между процессами рассеяния, когда и фононная, и электронная теплопроводности определяются в некотором смысле дефектами решетки. Но и при этом имеется различие для достаточно чистых образцов фононная теплопроводность в неметаллах при низких температурах [c.173]

В металле фононы наряду с электронами участвуют в переносе тепла, поэтому электрон-фононные взаимодействия ограничивают как электронную, так и фононную теплопроводности. Рассеяние фононов на электронах в широком интервале температур, является основным фактором, определяющим решеточную теплопроводность металла. [c.190]

Главный член в скорости рассеяния фононов на сидячих дислокациях пропорционален Т , и его температурное поведение такое же, как при рассеянии фононов на электронах (если величина Т/ро не слишком мала). Поэтому непосредственная интерпретация экспериментальных результатов возможна, если при деформации или отжиге, проведенных при исследовании, не меняется злектрон-фононное взаимодействие или очень сильно меняется ро. Если эти условия выполнены, то обе компоненты теплового сопротивления, подчиняющиеся закону Т , можно отделить друг от друга. [c.242]

При этом преобладает решеточная теплопроводность, которая возникает при средней длине свободного прО бега фононов порядка диаметра образца. Электронная теплопроводность тогда не дает заметного вклада, и рассеяние фононов на электронах пренебрежимо мало. [c.249]

Чтобы можно было наблюдать дифракцию нейтронов на кристаллах, длина волны нейтрона должна быть порядка периода пространственной решетки ( 10 см). Такая длина волны соответствует энергии нейтронов меньше 100 эв. Дифракция медленных нейтронов на кристаллах представляет большой интерес, так как появляется возможность определять межатомные расстояния независимо от числа орбитальных электронов в атоме благодаря тому, что нейтроны рассеиваются на ядрах (при рентгеновской дифракции рассеяние происходит на электронах). Кро,ме того, при отражении от поверхности кристалла в заданном направлении выделяются нейтроны с определенной энергией. [c.202]

Рис. 3.1. Диаграммы Фейнмана а) рассеяние электрона на электроне б) рассеяние нейтрино на электроне

На рис. 3.1, б приведена диаграмма рассеяния нейтрино на электроне. Это процесс слабого взаимодействия, и обмениваемой виртуальной частицей является промежуточный векторный бозон. [c.82]

Рассеяние фотонов на электронах. В начальном состоянии 4-импульсы электрона и фотона соответственно равны р = = (Е/с, р), = Ни/с, Ним с), где п — единичный вектор в направлении движения фотона. В конечном состоянии соответствующие величины равны р = Е /с, р ), Нк = Ни /с, Ни п /с). Пайти [c.481]

РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНА НА ЭЛЕКТРОНЕ [c.139]

Особый случай неупругого рассеяния имеет место, когда энергия фотона достаточна, чтобы вырвать электроны из связанных состояний вообще, т. е. атом ионизируется и выделяется свободный электрон. Этот случай рассматривается в 4.18. По мере дальнейшего увеличения энергии фотона можно полностью пренебречь энергией связи и получить как раз случай (комптоновского) рассеяния фотона на электроне. Так как, особенно в тяжелых атомах, энергии связи электронов образуют целую область, то эти переходы будут происходить в различные стадии для разных электронов. Однако в углероде и бериллии переход к комптоновскому пределу заканчивается при энергии фотона 100 кэв. Следующие три параграфа (4.17—4.19) посвящены фотон-атомным взаимодействиям трех типов [c.142]

Дуализм свойств света. При исследовании законов фотоэффекта в опытах по наблюдению рассеяния фотонов на электронах обнаруживается квантовая, корпускулярная природа света. Но вместе с тем свет обнаруживает способность к дифрагсции, интерференции, преломлению, отражению, дисперсии, поляризации и все эти явления полностью объясняются на основе представлений о свете как электромагнитной волне. [c.304]

До IIX пор мы считали, что мировая линия е—е (рис. 51) Ч Г гйз — оо в +00 и что ее нижняя часть (идущая из —оо в вершину) изображает процесс гибели электрона с данным 4-импульс,ом Pi, а верхняя (уходящая из вершины в +оо) — процесс рождения, электрона с другим 4-импульсом Pz. Однако Фейнман показал, что из-за упомянутой выше специфики в овой-ствах частиц и античастиц позитрон можно интерпретировать как. электрон, движущийся против направления времени (рис. 52). В тако м истолковании нижняя часть мировой линии (идущая из,, вершины в —оо) изображает процесс гибели позитрона с 4-импульсом Ри а верхняя часть (идущая из +схэ в вершину) — процесс рождения позитрона с 4-импульсом Рг). Таким образом, рассмотренная раньше ( 2) диаграмма (см. рис. 1) изображает не только рассеяние электрона на электроне (рис. 53), но и рассеяние позитрона на позитроне (рис. 54), а также (рис. 55) рассеяние электрона (позитрона) на позитроне (электроне). [c.100]

Область применения КЭД — расчет электронных оболочек атомов, спектров излучения и поглощения света атомами, рассеяние рентгеновского излучения, движение заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, рассеяние электрона на электроне или позитроне и т. д. Выдающимся успехом квантовой электродинамики является объяснение отклонения магнитного момента электрона от предсказьлваемых классической электродинамикой значений. [c.179]

Недавно Уилкинсон и др. [221] изморили когерентное и некогерентное рассеяние нейтронов на электронах ванадия, свинца и ниобия выше и ниже Т0ЧК11 перехода. Ни в одном из этих случаев не было обнаружено изменения когерентного рассеяния или диффузного фона. Этот результат показывает, что при переходе в сверхпроводящее состояние не нронсходпт зал1етных изменении электронного распределения. Исследование рассеяния Нейтронов на ядрах в свинце и ниобии показало, что при переходе не происходит резко выраженного изменения колебаний атомной решетки ). Эти же авторы показали, что полное сечение для тепловых нейтронов у олова в нормальном и сверхпроводяш,ем состояниях одинаково в пределах 1 %. [c.672]

Реакция рассеяния фотона на электроне (14) при услэвии /IV Жо носит название томпсоновского рассеяния. Для этого случая [c.146]

Реакцию рассеяния фотона на электроне при услэвии h Жо называют комптоновским рассеянием. [c.146]

КЛЁЙНА — НИШИНЫ ФОРМУЛА — выражение для дифференц. сечения da рассеяния фотона на электроне (см. Комптона аффект). В лаб. системе координат [c.375]

МЁЛЛЕРОВСКОЕ рассеяние — процесс упругого рассеяния электрона на электроне, описываемый низшим порядком теории возмущений в квантовой электродинамике (КЭД). Указанный процесс изображается двумя Фейнмана диаграммами. В этом приближении не учитываются радиационные поправки, а также излучение мягких фотонов, к-рым всегда сопровождается процесс рассеяния заряж, частиц. [c.95]

Измерение фор.мфакторов протона в экспериментах по рассеянию на нём электронов, а также формфакторов я- и К-меэонов в экспериментах по рассеянию последних на электронах вещества позволило определить соответствующие среднеквадратичные радиусы [c.243]

Эксперим. метод определения Ф.д. основан на сравнении с опытом результатов расчёта разл. физ. эффектов, выполненного в соответствии с существующей теорией. Такое сравнение (во всех случаях, когда оно могло быть проведено) до сих пор не показало к.-л, расхождений. Поэтому эксперимент даёт пока лишь верх, границу Ф. д. Для этой цели используются прежде всего опыты при высоких энергиях, выполняемые на ускорителях и характеризующиеся относительно невысокой точностью. К ним относятся опыты по проверке нек-рых предсказаний кван-ттой электродинамики (рождение и аннигиляция пар, рассеяние электронов на электронах и т. д.), а также дисперсионных соотношений для рассеяния пионов на нуклонах. К др. типу принадлежат прецизионные статич. эксперименты измерения аномального магн. момента электрона и мюона, лэмбовского сдвига уровней энергии и т. д. Обсуждались предложения по использованию информации, идущей от космич. объектов,—космич. лучей сверхвысоких энергий ( 10 эВ>, пульсаров, квазаров, чёрных дыр. [c.381]

Несколько лет спустя по совету того же Евгения Львовича я подошел к Давиду Абрамовичу на семинаре и сказал, что я хотел бы стать его студентом. Нет, это не была любовь с первого взгляда, ни с его, ни с моей стороны. До этого я его никогда не видел. Я ожидал увидеть гиганта, гениальность которого подавляюще самоочевидна, а увидел простого выдающегося человека, которых в Теоротделе явно было очень много. С папиросой. Он спросил, чем я хочу заниматься. Начитавшись всякой литературы, которую я понимал только отчасти, я бойко сказал, что либо нарушением микропричинности, либо связью между теорией когомологий и теорией обобщенных функций. Он прищурился, долго смотрел на меня и сказал Ну хорошо, для начала рассчитайте мне сечение рассеяния нейтрино на электроне . [c.387]

Где мои мечты И это — великая наука, из-за которой я со страхом в душе каждый вторник приходил на семинар в Теоротдел в полном осознании своего ничтожества, но также с полным пониманием, что дороги назад у меня нет И вместо нелокальных теорий и понимания структуры мира — сечение рассеяния нейтрино на электроне .. [c.387]

Примеры диаграмм Фейнмана приведены на рис. 3.1 и 3.2. На рис. 3.1, а представлено рассеяние электрона на электроне. Прямые линии изображают движение электронов (стрела времени направлена слева направо), волнистая — виртуальный фотон. Точки, соответствующие испусканию и поглощению фотопа, называются вершинами. Линии на диаграммах, один из концов которых свободен (внешние линии), соответствуют свободным частицам, сталкивающимся или вылетающим. [c.82]

Эта диаграмма по форме сходна с приведенной на рис. 3.1 диаграммой электромагнитного процесса рассеяния электрона на электроне. Как видно из сопоставления рис. 7.2 и 3.1, функции цветовых зарядов кварков и глюопов в сильных взаимодействиях сходны с функциями электрических зарядов и фотонов во взаимодействиях электромагнитных. [c.125]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...