Расщепление уровней)

Энергетические уровни электронов в твердом теле объединены в серии и образуют энергетические зоны. Число расщепленных уровней в каждой зоне равно числу атомов, объединенных в кристалл. Установлено наличие трех зон нижняя зона валентных связей запрещенная зона зона проводимости. [c.32]

Уровни электрической структуры — это уровни энергии, получающиеся при расщеплении уровней энергии свободных атомов и молекул во внешнем электрическом поле. Происходит расщепление как электронных уровней атомов и молекул, так и вращательных уровней молекул, обладающих дипольным электрическим моментом. Величина расщепления электронных уровней энергии в сильных полях (порядка десятков и сотен тысяч вольт па сантиметр) достигает десятитысячных и тысячных долей электрон-вольта. Для вращательных уровней энергии в применяемых электрических полях порядка тысяч вольт па сантиметр величина расщепления составляет миллионные доли электрон-вольта. В видимой и ультрафиолетовой областях спектра наблюдается расщепление спектральных линий атомов в электрическом поле, соответствующее расщеплению электронных уровней энергии, которое носит название эффекта Штарка. Расщепление вращательных уровней дипольных молекул в электрическом поле может изучаться непосредственно радиоспектроскопическим методом электрического резонанса. [c.229]

Расщепление уровней в электрическом ноле кристаллической решетки. [c.386]

Характер расщепления уровней с различными L (или J) в полях различной симметрии иллюстрируется данными табл. 1. [c.386]

Расходимость при низких частотах 245, 282 Расширение адиабатическое 7, 20, 41, 52, 67, 78, 79, 96, 98, 99, 423 Расщепление уровней магнитных ионов 385, 386, 388, 403, 405, 408, 409, 426, 463 Реальные газы 46, 49 [c.931]

Зеемановское расщепление уровня — снятие вырождения атомного уровня энергии, вызываемое внешним магнитным полем. [c.267]

Рис. 19. Схема мультиплетного расщепления уровней и линий атома лития а—резонансная линия Х=670,784 нм б — головная линия диффузной серии Х = 610,364 нм

В качестве примера на рис. 21 изображена схема сверхтонкого расщепления уровней и линий резонансного дублета натрия (переход 3 51/2 — 3 1/2,3/2). Натрий (2=11) имеет единственный стабильный изотоп с массовым числом А = 23. Ядро иНа относится к группе [c.68]

Изотопический сдвиг для нечетных изотопов определяется по положению центра тяжести компонент их сверхтонкой структуры, в качестве которого берется частота V, соответствующая переходу ме.жду центрами тяжести расщепленных уровней. Их положение определяется из соотношения [c.69]

В задаче изучается структура резонансной линии лития 1=670,78 нм, возбуждаемого в разрядной трубке с полым катодом, с применением в качестве прибора высокой разрешающей силы интерферометра Фабри—Перо. Наблюдаемая структура этой линии обусловлена изотопическим сдвигом и тонким (мультиплет-ным) расщеплением уровней. Сверхтонкая структура линии в условиях опыта остается неразрешенной. [c.73]

Для теоретической интерпретации результатов по ферромагнитному резонансу и анизотропии редкоземельных ферритов-гранатов необходим одновременный учет расщепления уровней ионов под действием кристаллического поля, спин-орбитального и обменного взаимодействий, которые подчас являются величинами одного порядка. В настоящее время информация об электронных уровнях ионов редкоземельных элементов еще недостаточна для надежной теоретической интерпретации результатов. [c.716]

Если принять во внимание взаимодействие орбитальных и спиновых моментов электронов, то интервалы между соседними компонентами расщепленного уровня, которым отвечают значения полного электронного момента / и / — 1, можно представить в виде [6] [c.839]

Измеренные значения энергии расщепления соседних компонент низколежащих мультиплетов атомов приведены на рис. 32.1—32.43. Как правило, приближение Z-S-связи подходит для описания не слишком сильно возбужденных уровней энергии атомов из начала и середины таблицы Менделеева. Погрешности определения энергии тонкого расщепления уровней были учтены при округлении значащих цифр в пределах 1 для последней цифры. [c.839]

Взаимодействие атомных электронов с мульти-польными моментами ядра (магнитными и электрическими) приводит к расщеплению уровней энергии, ха- [c.839]

Основную роль в сверхтонком расщеплении уровней играет взаимодействие электронов с мультиполь-ными моментами ядра наинизших порядков — магнитным дипольным и электрическим квадрупольным моментами. В первом приближении моменты J и 1 можно считать сохраняющимися и тогда полная энергия уровня записывается в виде суммы [71 [c.839]

Сверхтонкое расщепление уровней [c.840]

Атомный Сверхтонкое расщепление уровней [c.841]

Квантовые числа Сверхтонкое расщепление уровней [c.842]

Изотоп, терм основного Квантовые числа Сверхтонкое расщепление уровней [c.843]

Сверхтонкое расщепление уровней [c.844]

Квантовые числа полного момента (F. F ) Сверхтонкое расщепление уровней [c.845]

Диффузная серия получается в результате переходов с (/-уровней на 2/7-уровень (рис. 69). Расщепление уровней d много меньше, чем расщепление уровня 2 р. Фактически при переходах с уровней d на уровень 2р излучаются три линии, поскольку изображенный штриховой линией переход запрещен правилами отбора. Однако две линии, получающиеся при переходе с двух расщепленных уровней d на один и тот же уровень р, расположены весьма близко друг к другу и практически сливаются. Благодаря этому они воспринимаются как одна размытая линия. Расщепление же между парой линий и ОДИНОЧНОЙ линией значительно. Поэтому в целом все эти три линии воспринимаются как дублет из размытых ли- [c.205]

В качестве примера рассмотрим расщепление уровней атома натрия, переходы между которыми приводят к излучению главной серии (рис. 83). Энергетический уровень / 3/2 с полным моментом J = /2 расщепляется на четыре подуровня, соответствующие четырем возможным ориентациям полного момента относительно магнитного поля (т = - /2, - V2 /2, /2) Энергетические уровни Л/2 и Si/2 с полным моментом J = V2 расщепляются на два подуровня каждый, которые соответствуют двум возможным ориентациям полного магнитного момента относительно индукции магнитного поля (nij = = — I2, Vz)- На рис. 83 принято во внимание, что естественное мультиплетное расщепление энергетических уровней больше, чем расщепление, обусловленное помещением атома во внешнее магнитное поле. [c.250]

Расщепление уровней. Поскольку орбитальный магнитный момент и спиновый магнитный момент атома [c.252]

МО направленным спином электрона. Орбитальный момент атома при L = = 1 может тремя способами ориентироваться относительно индукции магнитного поля (ш, = —1, О, 1). Это дает три значения энергии взаимодействия и приводит к расщеплению уровня Р на три подуровня (рис. 85). При каждой ориентировке орбитального магнитного момента спиновый магнитный момент может независимо ориентироваться двумя способами. Благодаря этому каждый из трех [c.253]

Уровни магнитной структуры — это уровни энергии, получающиеся при расщеплении уровней энергии свободных атомов и молекул во внешнем магнитном поле. Величина расщепления электронных уровней энергии в сильных полях составляет десятитысячные доли электрон-вольта, вращательных уровней и уровней сверхтон- [c.228]

С таким механизмом связаны, по-впди-мому, и аномалии в поведении теплоемкости разбавленных парамагнитных солей (см. п. 35). В случае редкоземельных элементов точный анализ явления сильно усложняется в связи с магнитным взаимодействием. Паркинсон и др. из результатов измерений на гидратированных сульфатах рассматриваемых редкоземельных элементов вычислили соответствующее расщепление уровней и связанный с ним вклад в теплоемкость, которую сравнили затем с экспериментально измеренными значениями избыточной теплоемкости. Учитывая всю сложность такого рода расчетов, названные авторы нашли, что предложенное ими объяснение, по-видимому, правильно, так как теоретические результаты достаточно хорошо согласуются с данными калориметрических измерений. [c.343]

Альберг и др. [188] изучали две соли редкоземельных элементов Sni2(S0 Jg 8Н2О и N(12(804)3 8Н2О. Они нашли, что в обеих солях расщепление уровней имеет величину, меньшую 1 Кроме того, из данных измерений между 3 и 40° К у второй соли было обнаружено расщепление, составляющее 77 слГ . [c.367]

Если в соли имеют место различные взаимодействия, приводящие к различным расщеплениям уровня, то кривая энтропии в поле, равном нулю, имеет более сложный ха])актер. Предположим, что соль обладает четырехкратно вырожденным основным уровнедг, который благодаря эффекту Штарка в кристалле расщеплен на два двукратно вырожденных уровня, находящихся один от другого на расстоярши 0,2 см кроме того, предположим, что наблюдается уишреиие каждого из этих двух уровней па величину 0,01 см , вызванное магнитным взаимодействием. Тогда в области температур вблизи 0,3"" К энтропия уменьшается от / 1п4 до Я п2 [c.428]

Здесь величина к А порядка расщепления уровня. В этом случае М больше не является постоянным в течение адиабатического размагничивания и, следовательно, адиабатическая восириимчивость отлична от нуля. Предполагая, что справедлив закон Кюри и соотношение (29.10), и ис-.пользуя формулы (9.1) и (9.6), можно получить выражение для изменения температуры с полем вдоль изоэнтроинчоской кривой [c.462]

Большие возможности в изучении изотопического сдвига предоставляет использование обогащенных и разделенных изотопов. Сравнение длин волн линий различных изотопов в одноизотопных источниках позволяет измерять смещения, которые невозможно разрешить в линиях изотопов. В последнее время ряд особо прецизионных измерений изотопических сдвигов был выполнен с помощью лазеров. Для исследования сверхтонкого расщепления уровней наряду с оптическими методами применяются также методы радиоспектроскопии, обладающие очень высокой точностью. [c.73]

Квадратичный штарк-эффект может наблюдаться и в атомных систе.мах с одним электроном (в атоме водорода и в водородоподобных ионах). В этом случае дополнительная энергия, пропорциональная < , обусловлена взаимодействием некоторых уровней атома, возмущающих друг друга. Это имеет место, когда энергия взаимодействия атома с полем становится сравнимой с энергетическим расстоянием между соседними уровнями. Например, в водородном атоме имеется очень малое тонкое расщепление уровней. В очень слабых электрических полях штарковское смещение уровней меньше величины тонкого расщепления, и наблюдается линейный эффект Штарка. При увеличении поля в результате возрастающего щтарковского расщепления уровней происходит их сближение. Они начинают взаимодействовать друг с другом. Наиболее сильно взаимодействуют уровни с одинаковым главным квантовым числом п, но с разными побочными квантовыми числами I, различающимися на единицу. Например, уровень Р, у которого 1=1, сильно возмущается близкими уровнями 8 и имеющими соответственно 1=6 и 1 = 2. В результате такого взаимодействия к линейному штарк-эффекту добавляется квадратичный. [c.265]

При дальнейшем увеличении поля тонкое расщепление уровней можно не учитывать по сравнению с дополнительной энергией, приобретаемой атомом в поле. В таком приближении уровни тонкой структуры можно считать вырожденными (совпадающими по энергиям). При этом снова наблюдается линейный штарк-эффект. Для водородного атома с его очень малым тонким расщеплением уровней электрические поля практически во всех источниках света являются достаточно большими, чтобы наблюдался линейный эффект Штарка. [c.265]

Формулы (5.64) и (5.65) относятся к случаю квадратичного штарк-эффекта, когда электрические микрополя в плазме недостаточно сильны, и энергия взаимодействия атома с полем много меньше энергии тонкого расщепления уровней. Уширение и сдвиг линий в этом случае невелики, и для их наблюдения необходимо использовать спектральные приборы высокой разрешающей силы (например, интерферометр Фабри-Перо). Кроме того, теоретические данные для линий с квадратичным штарк-эффектом нельзя считать достаточно точными. Во всяком случае надежную величину концентрации электронов можно получить, лишь усредняя результаты определения Уе по нескольким линиям данного элемента. [c.271]

Сверхтонкое расщепление уровней принято обозначать в виде F )=AEff > A, где АЕ р, — расстояние между соседними компонентами с полными моментами F и F = F—1, измеренное в отсутствие внешнего магнитного поля. Зависимость величины Av от параметров сверхтонкого расщепления Л и В имеет вид [c.839]

В табл. 32.3 представлены измеренные значения энергии сверхтонкого расщепления Av(F, F ), а также значения параметров А, В для ряда слабовозбужденных уровней атомов [3, 1—9]. Погрешности в определении искомых величин сверхтонкого расщепления уровней были учтены нами при округлении значащих цифр в пределах 1 для последней приведенной цифры. [c.839]

Атомный номер 2 Изотоп, терм основного состояния, спин ядра I Терм 1 Квантовые числа полного момента (F, F ) Саеохтонкое расщепление уровней [c.839]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...