Метод мгновенного испарения

Для завершения операций по изготовлению оболочковой изложницы необходимо удалить из нее материал модели. Эту операцию обычно осуществляют либо в паровом автоклаве, либо методом мгновенного испарения. В обоих случаях процесс начинают после того, как изложница полностью просушена. При удалении с помощью пара изложницу помещают в сосуд и подают в него пар под давлением 620-1035 кПа при 150—185 °С. Восковая масса, удаленная из изложницы таким способом, может быть регенерирована и использована вновь. Остатки массы удаляются при последующем обжиге изложницы. [c.173]

При лазерном или электронно-лучевом испарении удается испарять вещество из малого объема, достигая высоких локальных температур испарения. При этом отпадает проблема выбора материала испарительной камеры, а также его влияния на испаряемую систему. Использование методов мгновенного испарения заметно уменьшает вероятность фракционного разделения. [c.383]

К физ. методам относят методы термич. осаждения из молекулярных пучков в вакууме, мгновенного испарения, горячей стенки , а также методы катодного распыления и осаждения. По методу термич. осаждения из молекулярных пучков испаряемое вещество нагревается до требуемой темп-ры (выше или ниже темп-ры плавления испаряемого вещества в зависимости от упругости пара в точке плавления) в сверхвысоком вакууме ( 1,3 10" Па), при этом его атомы и молекулы попадают на подложку, где и происходит их конденсация. Наиб, совершенным является электронно-лучевой способ нагрева, отчего такой метод получил название молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Этот метод позволяет в процессе осаждения контролировать структуру и состояние поверхности под- [c.620]

Испарители мгновенного вскипания работают обычно на воде с затравкой или на воде, обработанной методом подкисления. Они могут быть как многоступенчатыми, так и одноступенчатыми, однако во всех случаях, когда применяется лишь упрошенный метод обработки питательной воды, отложения на поверхностях нагрева не образуются при темпера гурах воды до 120° С, т. е. когда давление в первой ступени не превышает 0,2 МПа. В одноступенчатых испарителях кипящего типа, когда температура питательной воды равна температуре насыщения в корпусе аппарата, количество вторичного пара (а следовательно, и количество дистиллята) равно примерно количеству конденсирующегося греющего пара, а в многоступенчатой установке количество образующегося дистиллята в таких условиях пропорционально числу ступеней испарения. [c.170]

Точное знание мгновенного расположения и состояния области эмиссии для нас недоступно из-за быстрых, не поддающихся (контролю изменений в распределении концентрации зарядов в лежащих выше областях, а также потому, что мы вообще не располагаем методами ее непосредственного наблюдения в рассматриваемых здесь условиях дугового разряда. Поэтому следует отказаться здесь от попыток описания всех изменений, которым подвергается сама область эмиссии. Нас будут интересовать ниже лишь изменения формы и расположения области испарения, которые в конечном счете определяют процесс перестройки катодного пятна и могут быть проконтролированы непосредственными наблюдениями. Но для описания этих изменений и не требуется точное знание расположения эмиссионной повер.хности на катоде в каждый момент времени. Для этого достаточно лишь располагать сведениями о распределении вероятности (ху) нахождения области эмиссии на различных участках катода в течение -каждого рассматриваемого цикла перестройки пятна. В самом деле, указанным полем вероятности однозначно задается распределение выделяемой на катоде тепловой энергии, от которой только и зависит направление процесса перестройки катодного пятна. Упрощая задачу, можно ограничиться исследованием вероятности нахождения на том или ином участке катода центра некоторой идеализированной области эмиссии в форме правильного круга. Также в порядке упрощения задачи допустимо считать, что центр области испарения каждой автономной группы ячеек, рассматриваемой как целое, просто смещается к концу данного цикла перестройки в точку, соответствующую максимуму вероятности нахождения центра эмиссии. Появление двух или большего числа таких максимумов может означать начало процесса деления этой группы на более мелкие автономные области или пятна. [c.201]

Совсем другая картина наблюдается при стыковой сварке методом оплавления. В этом случае (рис. 49) для возбуждения процесса непрерывного оплавления разомкнутые стержни медленно перемещают навстречу друг другу, чтобы они встретились при очень малом давлении и соприкоснулись в одной-двух наиболее выступающих точках. Вследствие малой величины площадки контактирования плотность тока в точке соприкосновения оказывается такой большой, что металл вокруг площадки мгновенно (практически за 1/1000—1/3000 с) нагревается до температуры кипения и даже испарения, а это приводит к взрыву металла перемычки. [c.117]

Метод мгновенного испарения близок к методу осаждения из молекулярных пучков и заключается в том, что исходное вещество непрерывно и равномерно поступает в испаритель, между ним и Составом газовой фазы поддерживается термодинамич, равновесие. Обычно этот метод используют для получения ЭС материалов, компоненты к-рых обладают разл, упругостями пара (напр., GaP, GaAlAs, GaAsP). [c.621]

В методе мгновенного испарения в отличие от метода молекулярных пучков исходное вещество непрерывно и равномерно поступает в испаритель. Между испаряемым веществом и газовой фазой поддерживается термодинамическое равновесие. Этот метод используют для получения эпитаксиальных слоев материалов, компоненты которых обладают сильно отличающимися давлениями паров (например, GaP, GaAlAs, GaAsP). [c.330]

При нанесении методов безвоздушного распыления материала, подогретого до 40—100°С, последний подают к распылительному устройству специальным насосом под давлением 4— ЮМПа. Нагрев материала способствует эначительному понижению его вязкости и снижению поверхностного натяжения, а применение высокого давления дает возможность наносить высоковязкие системы. При этом способе нанесения аэрозольная струя образуется и формируется не только за счет перепада давления при выходе материала из сопла, как при безвоздушном распылении материала без подогрева, но и за счет мгновенного испарения определенного количества нагретого растворителя, входящего в состав материала. [c.212]

В [5] методом конечных разностей для кинетического модельного уравнения изучался переходный режим течения между параллельными плоскими поверхностями раздела фаз при условии начального равновесия фаз и мгновенного установления в начальный момент разных температур Т, и Гг на поверхностях. Образующиеся ударные волны (от нагретых испаряющих поверхностей) и, возможно, волны разрежения (при конденсации на охлажденную поверхность), их взаимодействие и многократное отражение от поверхностей вплоть до выхода на установившийся режим составляло предмет исследования [5]. Начальная стадия движения при малых числах Кнудсена соответствует испарению в полупространство и для времени I > 10х где т, -характерное среднее время между столкновениями молекул, подтверждает предположение о квазистационарности процесса, принятое в [3]. [c.141]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...