Ромбоэдрическая система кристаллы

Ромбоэдрическая система кристаллы --, 169. [c.672]

Далее, отражение в плоскости симметрии, перпендикулярной к оси у, есть преобразование х- х, у —у, z -> z, или для величин I, г I -> г , т] -> . Поскольку при этом преобразовании Ццх переходит в то эти две компоненты должны быть равны друг другу. Таким образом, кристаллы ромбоэдрической системы обладают всего шестью модулями упругости. Для того чтобы написать выражение для свободной энергии, надо составить сумму [c.54]

Как и кварц, кристаллы принадлежат к тригональной (ромбоэдрической) системе, но их класс симметрии Зт. В соответствии с табл. 22.1 матрица пьезомодулей имеет вид [c.240]

Для кристаллов гексагональной системы используются четыре оси. Три оси а, Ь, и составляют между собой угол 120° (60°) и перпендикулярны шестерным ( тройным ) осям. Четвертая ось с совпадает с шестерной ( тройной ) осью. Такая система координат называется установкой Браве . Кроме того, для кристаллов ромбоэдрической системы иногда используется установка Миллера тройка ребер ромбоэдра (между которыми заключена тройная ось) определяет оси а, Ь, с. [c.16]

На рис. 7, а изображен кристалл турмалина, принадлежащий к группе симметрии Ът ромбоэдрической системы (ось симметрии третьего порядка и три плоскости, проходящие через ось). Направление, совпадающее с осью [c.20]

Кристаллы уже рассмотренного вкратце (стр. 20) турмалина принадлежат к ромбоэдрической системе (класс Зт). Направление спонтанной поляризации здесь совпадает с осью 3. Кристаллы сульфата лития, сахара и виннокислого калия принадлежат к моноклинной системе (класс 2) ось 2 в этих кристаллах определяет направление спонтанной поляризации как особенная полярная ось. [c.34]

Соотношение (19) справедливо и для кристаллов тригональной (ромбоэдрической) системы. Тригональную структуру имеет сравнительно небольшое число соединений, поэтому чаще всего выполнение соотношения (19) свидетельствует о принадлежности вещества к гексагональной системе. [c.274]

Эти Графики применимы также для индицирования кристаллов ромбоэдрической системы в гексагональной системе индексов. При этом следует иметь в виду, что на рентгенограммах кристаллов ромбоэдрической системы отсутствуют линии, не удовлетворяющие условию [c.282]

При постоянном объеме элементарной ячейки кристалла ромбоэдрической системы сумма квадратов индексов для любого угла ромбоэдра (А + 2 /2 связана с соответствующей величиной для а = 90° соотношением [c.294]

При индицировании кристаллов в ромбоэдрической системе соотношение между и индексами имеет вид [c.294]

При исследовании материалов, принадлежащих к гексагональной и ромбоэдрической системам, можно пользоваться одинаковыми графиками, если. линии на рентгенограммах ромбоэдрических кристаллов индицировать в гексагональной системе. [c.667]

Связь между периодами решетки при индицировании кристаллов в ромбоэдрической и гексагональной системах выражается соотношениями [c.292]

На нижней горизонтальной оси графика рис. 82 [271] отложены значения тИ" = 1 для индицирования в гексагональной системе, на следующей горизонтальной оси —сумма квадратов индексов для кристаллов объемноцентрированной кубической системы в ромбоэдрических координатах, на следующей — для кристаллов простой кубической системы, затем для кристаллов гранецентрированной кубической системы и, наконец, на верхней оси —значения в гексагональной системе индексов. [c.294]

Кристаллическая реакция с образованием газообразного продукта реакции. Кристаллы сурьмы, обработанные атомарным водородом, вступают преимущественно в реакцию с образованием газообразного гидрида сурьмы по уравнению 5Ь+ЗП- 5ЬНз при комнатной температуре в области двойниковых границ, которые проходят по грани (111) (в ромбоэдрической системе) подугломв60° (рис. 15.10). [c.409]

Диэлектрическая проницаемость кристаллов средних систем (т. е. кристаллов, нринадлежат их к тетрагональной, гексагональной и ромбоэдрической системам см. табл. 1) подчиняется соотношениям 8 = ф 83. Таким образом, данные кристаллы имеют две различные диэлектрические проницаемости величину вд и одинаковые значения 8 (82) в двух перпендикулярных (к главному направлению, вдоль которого 8 = вд) направлениях. В этих кристаллах главная ось со значением е = совпадает с осью симметрии наиболее высокого порядка (с осью 3, 4, 4, 6 или Б), которая в кристаллах средних систем только одна. В кристаллах низших систем (ромбической, моноклинной и триклинной) диэлектрические проницаемости по всем главным осям различны =/= Ф Ф е . [c.29]

Рпс 82 График Эберта для индицирования рентгенограмм кристаллов ромбоэдрической системы. [c.298]

Чтобы можно было применить этот принцип, на рис. 4.5.1 в качестве примера изображена зависимость этого коэффициента в виде функции от определенного направления распра-странения волн в хорошем пьезоэлектрическом кристалле (ниобат лития LiNbOa из ромбоэдрической системы, класс Зт). Величина К в типичных пьезоэлектрических кристаллах имеет следующие порядки кварц К = 0.0093 кварц не слишком хороший пьезоэлектрик ), германий (/С = 0.32 следовательно, поправка к квадрату скорости (4.5.6) - 10%), dS (К = 0.19 поправка к керамики PZT4 (/( = 0.5—0.7). Кера- [c.236]

Переориентация доменов на углы, отличные от 180°, для системы титанат-цирконат свинца оказывается более полной [39], и коэффициент перед вторым членом в приведенном выше выражении достигает в этом случае 0,50 для тетрагональной системы и еще больших значений для кристаллов ромбоэдрической системы (неопубликованная работа Берлинкура). Более полная ориентация доменов ромбоэдрической системы обусловлена меньшими [c.263]

Фазовые соотношения в бинарных системах с попарным участием элементов, входящих в состав рассматриваемых ТР, хорошо известны [92] в системах Al—N, Si—С — это (в том числе) изост-руктурные гексагональные фазы A1N, Si , в системах Si—N, Al— С — ромбоэдрические Si3N4, AI4 3, в системе А1—Si индивидуальных фаз нет (эвтектика). В системе С—N кристаллические нитриды углерода , по крайней мере при равновесных условиях синтеза, не возникают. С учетом этих данных, становится понятной установленная [86] тенденция примесных атомов Si, С в A1N (и А1, N в Si ) к объединению, когда для примеси в кристалле реализуется элемент структурного и химического окружения в собственной гексагональной фазе (Si или A1N, соответственно) — как системе с наиболее благоприятным структурным типом для образования максимально химически стабильного состояния. Все иные рассмотренные типы локальной координации примесей ока- [c.58]

Таким образом, система, существующая в нескольких энергетических состояниях, переходит в состояние с наименьшей энергией не сразу, а ступенчатым образом, Обычно нет необходимости в каждом случае определять кристаллическую структуру этих промежуточных состояний, они могут различаться калориметрически благодаря их разным энергетическим уровням. Если, например, выкристаллизовывать при комнатной температуре из водного раствора соль КНОз, которая ниже 127,8° С кристаллизуется в ромбической, а выше этой температуры в ромбоэдрической сингонии, то сначала образуются ромбоэдры, устойчивые только при высокой температуре, которые позднее превращаются в ромбические кристаллы. Когда ромбические иглы при своем росте соприкасаются с уже выкристаллизованными ромбоэдрами, последние распадаются (соприкосновение со стабильной фазой) и превращаются также в агрегат ромбических кристаллов. Этот процесс ступенчатого перехода можно проследить под микроскопом. Превращение происходит преимущественно в местах контакта устойчивой фазы с нестабильной. [c.192]

В свою очередь, домены тетрагональной фазы ВаТбОд оказываются неоднородными, и их тоже нужно рассматривать как двухфазовые системы, состоящие из истинно тетрагональных участков и областей с переменной ромбичностью (зародышей ромбической фазы, см. работу С14] и рис. 106). Точно так же в ромбической фазе имеются зародыши ромбоэдрической фазы (см. рис. 10в), обуславливающие проявление в этой фазе сегнетоэлектрического колебания (кривая I") и соответствующий вклад в диэлектрическую проницаемость кристалла. [c.75]

Рис. 76. Схемы элементарных ячеек кристаллов гексагональной системы а) с четырехзначной системой индексов б) с трехзначпой системой индексов в) с ортогексагональной трехзначной снстемой индексов г) гексагональная и ромбоэдрическая ячейки

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...