Электроотрицательность элемент разность

Полуколичественным критерием химической индифферентности является разность электроотрицательностей элементов. Электроотрицательность характеризует относительную силу, с которой атом элемента удерживает электрон. Чем больше разность электроотрицательностей, тем хуже изоморфная смесимость. [c.73]

Однако при образовании sp -гибридов в этих соединениях возникает также ионная, или гетерополярная, составляющая связи. Мерой ионной компоненты связи может служить разность электроотрицательностей элементов. Как уже указывалось выше, электроотрицательность атома является мерой его способности притягивать электрон. [c.264]

В соединениях, образованных сравнительно сильно различающимися по электроотрицательности элементами, примесные атомы, при прочих равных условиях, замещают те атомы соединения, для которых разность электроотрицательностей между атомом компонента соединения и примесью меньше. В тех случаях, когда величина АХ атомов компонентов соединения невелика, а примесь имеет промежуточную электроотрицательность, определяющую роль играет геометрический фактор разность ковалентных радиусов примеси и компонентов соединения. [c.132]

Если относительная ионность равна 1, т. е. составляет 100%, то связь между атомами чисто ионная если же она равна О, то связь чисто ковалентная. В промежутке между О и 1 имеем ковалентную связь с частично ионным характером. Чем больше разность электроотрицательностей, т. е. чем дальше отстоят два элемента один от другого в ряду электроотрицательности, тем отчетливее проявляется ионный характер связи. [c.59]

G точки зрения электронного строения и атомно-кристаллической структуры наиболее перспективными соединениями для дисперсионного упрочнения тугоплавких металлов должны быть такие, которые при диссоциации в жидком и твердом металле образуют ионы, идентичные ионам металла, с которым они взаимодействуют. Тугоплавкие карбиды, нитриды, окислы, бориды (например, Zr , HfN, V , ZrB и другие) построены из р -ионов, перекрытие орбита-лей которых приводит к сильным коротким сг-связям, играющим важную роль в образовании ОЦК структур металлов IV—VI групп. Важнейшим условием является тугоплавкость и термодинамическая устойчивость таких соединений, повышающаяся при возрастании разности электроотрицательностей неметаллического элемента (В, С, N, О) и переходного металла. [c.114]

На рис. 47 сопоставлены теплоты образования, температуры плавления и микротвердости боридов, карбидов, нитридов и окислов титана, циркония, гафния и тория. Можно видеть, что энергия образования соединения, отражающая энергию межатомных связей, повышается от боридов к окислам в соответствии с увеличением разности электроотрицательностей металла и элемента внедрения и возрастанием соответствующей доли ионности по Полингу. Это убедительно подтверждает ионный механизм образования соединений путем передачи валентных электронов атома металла в заполняющуюся р-оболочку неметаллического атома. Температуры плавления повышаются от диборидов к монокарбидам, а затем снижаются при переходе к мононитридам и двуокисям, оставаясь, однако, выше уровня 2500° С (кроме менее тугоплавких окислов гитана и алюминия). Микротвердость соединений снижается от 2500—3000 кгс/мм у боридов при переходе к карбидам, нитридам [c.122]

Если в электролит погружены два разных металла, находящиеся в контакте, то причина возникновения гальванического элемента очевидна. Однако, когда в электролит погружен только один металл, на его поверхности также могут возникнуть короткозамкнутые гальванические элементы. При этом участки поверхности металла с более электроотрицательным потенциалом становятся анодами и растворяются. Чем же объясняется, что различные участки поверхности металла обладают разными потенциалами Причины этого многочисленны. Например, существует разность потенциалов, хотя и незначительная, между различно обработанными поверхностями, и значительно большая разность потенциалов между разными структурными состав- [c.27]

При погружении металла в раствор электролита ион-атомы, находящиеся на поверхности, испытывают воздействие двух сил. С одной стороны, на них действуют силы притяжения других ион-атомов и электронов, более удаленных от поверхности, стремящиеся удержать их в кристаллической решетке. С другой стороны—силы гидратации, обусловливаемые полярностью молекул воды, будут стремиться вырвать ион-атом в раствор. Если силы гидратации преобладают, ион-атом переходит в раствор в виде положительно заряженного иона, оставляя на поверхности металла соответствующее количество электронов. Эти электроны будут удерживать у поверхности перешедшие в раствор ионы, имеющие противоположный электронам заряд, вследствие чего образуется двойной электрический слой, характеризующийся скачком потенциала <рис. 162). В случае идеально однородной поверхности после возникновения такого двойного слоя процесс дальнейшего перехода ион-атомов в раствор, т. е. разрушения металла, должен прекратиться. Если же в раствор электролита поместить два различных металла, соединенных между собой проводником или непосредственно соприкасающихся, то вследствие разности потенциалов, присущей данной паре металлов, создадутся условия для постоянного нарушения двойного слоя. Электроны с металла более электроотрицательного, т. е. анода, будут перетекать на металл с более электроположительным потенциалом—катод, где и произойдет их разряд. Таким образом, в полученном гальваническом элементе будет возникать электрический ток. [c.308]

Общий способ определения ионных связей эмпирически задается разностью электроотрицательностей АХ=Ха — [198]. Электроотрицательность является мерой сродства элемента к валентному электрону ее определяли разными способами. По этому вопросу имеется обширная литература, которая отражает существенные разногласия относительно наилучшего способа определения электроотрицательности. Хотя она и не определена точно, тем не менее электроотрицательность является реальным свойством элемента. Таблицы, составленные разными авторами, по-видимому, дают близкие значения АХ. [c.180]

Если иа систему, состоящую из двух электродов и раствора электролита, наложить разность потенциалов извне от какого-нибудь источника постоянного тока, то у электродов начинают протекать реакции окисления-восстановления, осуществляемые электрическим током. Окисление при этом имеет место на аноде, имеющем более электроположительный потенциал, к которому движутся анионы, а восстановление происходит на катоде, имеющем более электроотрицательный потенциал, к которому движутся катионы. Коррозионный же элемент сам является источником тока и процессы, протекающие в нем, обратны процессам, происходящим при электролизе. [c.25]

Найдем степень ионности связи бинарных соединений А В°- , где N — номер группы элемента А. Если предположить, что степень ионности связи 6 линейно связана с разностью электроотрицательностей компонент АХ A , то для соединений ее можно рассчитать по [c.61]

Разность электроотрицательностей, входящих в состав полупроводниковых соединений элементов, должна быть менее 0.8-1. Это требование связано с тем, что степень ионности связи пропорциональна разности электроотрицательностей. Увеличение степени ионности связи приводит, как мы выяснили ранее, к увеличению и к уменьшению п,р, то есть переходу к диэлектрикам. [c.73]

В местах пор работают гальванические элементы основной металл — покрытие , причем сила тока работающего элемента (для катодных покрытий скорость разрушения основного металла) прямо пропорциональна начальной разности потенциалов и обратно пропорциональна анодной и катодной поляризации и омическому сопротивлению. Начальная разность потенциалов всегда на какую-то величину больше разности потенциалов электродов работающего элемента, так как в последнем потенциал катода смещается в Сторону электроотрицательных значений, а потенциал анода — в сторону электроположительных значений. [c.296]

Если атомы компонентов соединения идентичны (элементарные вещества), то С2 = О и связь — чистая ковалентная . В этом случае обменное электронное облако полностью симметрично относительно центра между атомами, а взаимодействующие атомы нейтральны. Если атомы компонентов соединения различны, но С2 < . С , то связь будет преимущественно ковалентной, а атомы компонентов соединения заряжены антиионно и электронная плотность смещена в сторону компонента А. С ростом ионной составляющей связи С2 антиионный заряд будет уменьшаться благодаря смещению электронного облака в сторону более электроотрицательного атома компонента В. Таким образом, при смешанной кова-лентно-ионной связи электронное облако является подвижным и асимметричным. Это свойство полупроводниковых соединений составляет их важнейшую особенность. При сохранении кристаллической структуры с Zk = 4 подвижное электронное облако с увеличением разности электроотрицательностей компонентов соединения может смещаться к более электроотрицательному элементу, в результате чего могут не только полностью исчезать антиионные заряды, но и создаваться эффективные заряды, соответствующие ионным, и тем не менее соединение будет оставаться полупроводником. [c.63]

В этой же таблице приведены и величины электроотрицательности, характеризующей склонность атома притягивать обобществленные электроны, когда атом становится частью молекулы. Существует несколько шкал электроотрицательности. Например, согласно [8], электроотрицательность есть полусумма энергии ионизации и энергии сродства к электрону. Большое распространение получила шкала электроотрицательности по Полингу [9], построенная с учетом эмпирических данных об энергии связи различных элементов и привязанная к электроотрицательности атома F, принятой за максимальную (и равную 4). По Полингу, мерой электроотрицательности может служить разность энергий связи двухатомной гетероядерной молекулы и полусуммы энергии [c.35]

Второй необходимый фактор для образования растворов замещения - химическое подобие компонентов, в частности, близость типа химической связи. В качестве параметра, определяющего возможность образования твердого раствора замещения, используют различие в степени ионности связи, иногда - разность электроотрицательностей атомов замещающих друг друга элементов и др. Непрерывные твердые растворы замещения образуются между изоморфными металлами, близко стоящими в Ta6j iHiie Менделеева. В качестве примеров можно привести системы Ag-Au, K-Rb, Se-Te, Mo-W, Au- u, Ge-Si, Nb-Ta, o-Ir, состоящие из близких компонентов одной фуппы Ir-Pt, Au-R, u-Ni, Ni-Fe, Fe- r, состоящих из близких компонентов одного периода Au-Pd, o-Pd, Fe-Pd, состоящее из компонентов близких фупп и периодов. [c.37]

Разность электроотрицательностей уменьшается в ряду соединений, образованных между данным элементом одной группы и элементами другой группы по мере увеличения их атомного номера. Однако это уменьшение не означает усиления ковалентной составляющей связи. На самом деле ковалентный характер связи по мере увеличения атомного номера элемента становится менее ярко выраженным за счет уменьшения энергии ионизации более тяжелых атомов, что вызывает ослабление связей и уменьшение ширины запрещенной зоны. Другими словами, волновые функции электронов, или орбитали, простираются на большие области кристалла, в результате чего связь по своей природе становится более металлической. В рядах таких соединений по мере увеличения молекулярного веса обычно наблюдается уменьшение температуры плавления. В табл. 9 приведены некоторые полупроводниковые соединения и их свойства (в сравнении с германием и кремнием), иллюстрирующие высказанные выше соображения. Исключением является ряд соединений— PbS, PbSe, РЬТе — [c.265]

Наиболее простое осуществление катодной защиты состоит в присоединении к трубопроводу протектора, изготовляемого из металла более электроотрицательного по отнощению к стали. Благодаря разности потенциалов между протектором и трубопроводом в цепи образовавщегося гальванического элемента проходит ток. [c.210]

Электроотрицательность характеризует способность какого-либо атома в молекуле притягивать к себе электроны и приближенно равна сумме энергии ионизации и энергии химического сродства электронов атома. Чем больше разность электроотрицательностей Д , тем больше склонность двух данных элементов к образованию химических соединений. Поэтому склонность к возникновению хрупкости может возрастать, если уменьшается разность электроотрицательностей X твердого и жидкого металлов. Действительно, в отдельных случаях эта корреляция оказалась справедливой. Например, висмут (X = 1,9) охрупчи-вается ртутью (X = 1,9), а жидкий галлий (X = 1,6) на него не действует медь (X = 1,9) охрупчивается ртутью и жидким висмутом, но не галлием. [c.237]

При рассмотрении систем, образованных компонентами с благоприятным размерным фактором, можно найти много примеров, когда два компонента, сильно отличающиеся один от другого по своим электрохимическим свойствам, образуют хи-мичеокие соединения, причем область первичных твердых растворов в таких системах незначительна. В таких случаях можно сказать, что это происходит в результате влияния электрохимического фактора, которое проявляется тем сильнее, чем больше разность электроотрицательностей растворителя н растворяемого элемента. Из элементарных соображений следует, что в таких случаях, как правило, образуется устойчивое соединение, а не твердый раствор, особенно если соединение образуется по правилу. валентности (например, МдзЗЬг). [c.142]

Рассмотрим два сорта атомов А и В. Пусть когда одинаковые атомы А или В соединяются в молекулы, то между ними образуется ковалентная связь. Обозначим энергию связи в таких молекулах Одд и Dgg. Если ковалентная связь образуется между разнородными атомами А и В, то энергию связи Одв для молекулы АВ можно, вообще говоря, представить как среднее энергий связей и Dbb — Одв = Одд + Овв)/2. Однако опыт показывает, что Одв фактически больще этой величины, то есть Одв — Одд + Dbb)/2 = А > 0. Причина этого несоответствия заключается в поляризации связи, то есть образовании положительно и отрицательно заряженных ионов А > я В > , между которыми возникает кулоновское взаимодействие. Появляется ионная составляющая в энергии связи — Д. Л. Полинг установил, что по мере увеличения разности электроотрицательностей АХ = Хд — Хв между атомами А и В увеличивается и Д. Кроме того, он выразил параметр Д через разность электроотрицательностей взаимодействующих атомов следующим образом Д (эВ) X , —XbY. Согласно этой формуле, вклад в Д дает только разность электроотрицательностей атомов А и В, а абсолютные значения Xji я Хв не являются определяющими. Они могут выражаться в относительных единицах. В периодической таблице элементов значение X = 1 приписано атому лития, а для остальных элементов значения X найдены из известных разностей АХ. [c.59]

Известно, что помимо соблюдения благоприятного размерного фактора, необходимым условием образования твердых растворов замещения является наличие у замещающих атомов валентных электронов в таких же квантовых состояниях, как и у атомов основной решетки. В Ge и Si ковалентная тетраэдрическая связь осуществляется посредством sp -орбиталей. При этом основную роль в образовании ковалентной связи здесь играют р-электроны. Поэтому, для того чтобы примесные элементы могли образовывать с Si и Ge стабильные твердые растворы замещения, их атомы должны обладать валентными электронами на s- и р-орбиталях. У элементов IB и VIII групп, в отличие от элементов IIIA и VA групп, на внешней электронной оболочке совершенно отсутствуют р-электроны, обусловливающие основную связь в кристаллической решетке Ge или Si. С другой стороны, разность электроотрицательностей этих элементов в Si или Ge, как правило, невелика. Следовательно, ионная составляющая связи здесь не играет значительной роли. Все это способствует неустойчивому состоянию атомов IB и VIII групп в узлах кристаллической решетки Ge и Si, что приводит к их малой растворимости и высокой скорости диффузии. [c.317]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...