Сопротивление емкостное

Сопротивление емкостное регулируемое. Конденсатор регулируемый [c.542]

Равенство сопротивлений емкостных и индуктивных ветвей, а следовательно, и токов в них достигается при определенной частоте 7о, называемой резонансной частотой или частотой собственных колебаний контура. При этом [c.100]

В зависимости от электрического параметра, в который преобразуется упругая деформация, применяют месдозы омического сопротивления, емкостные, электромагнитные, магнитоупругие, пьезоэлектрические [1]. [c.272]

А - индуктивного сопротивления и активного сопротивления В - емкостного сопротивления и активного сопротивления С - индуктивного сопротивления и емкостного сопротивления В - индуктивного сопротивления, емкостного сопротивления и активного сопротивления. [c.38]

На рис. 5.9 показаны зависимости полного сопротивления дросселей 2 от частоты. Из рисунка следует, что дроссель, начиная с частот единицы мегагерц, обладает полным сопротивлением емкостного характера, т. е. перестает выполнять свои функции это следует учитывать при проектировании и эксплуатации ИВЭП. [c.198]

Для исследования состояния поверхности металлических образцов и процессов адсорбции на ней, а также свойств окисных и защитных изоляционных пленок на поверхности металла применяют емкостно-омический метод (рис. 358). Емкость и сопротивление исследуемого электрода определяют компенсационным методом — подбором соответствующих величин емкости и сопротивления Rs на мостике переменного тока с осциллографом в качестве нуль—инструмента. В электрохимических исследованиях этот метод сочетают с поляризационным методом, измеряя импеданс (полное активное и реактивное сопротивление цепи переменного тока) при различных значениях потенциала исследуемого электрода (см. 166). [c.465]

Связь между амплитудным значением силы тока 1т и амплитудным значением напряжения t/m по форме совпадает с выражением закона Ома для участка цепи постоянного тока, в котором вместо электрического сопротивления R используется емкостное сопротивление конденсатора Х(,-. [c.243]

Как и индуктивное сопротивление катушки, емкостное сопротивление конденсатора не является постоянной величиной. Его значение обратно пропорционально частоте пере- [c.244]

Емкостное сопротивление конденсатора и индуктивное сопротивление катушки зависят от частоты (I) приложенного напряжения. Поэтому при постоянной амплитуде U колебаний напряжения амплитуда 1 , колебаний силы тока в цепи зависит от частоты (1) переменного напряжения. [c.244]

При постепенном увеличении (от нуля) частоты приложенного напряжения емкостное сопротивление Xf. конденсатора уменьшается. Это приводит к возрастанию амплитуды колебаний силы тока. В противоположность емко- [c.244]

При дальнейшем увеличении частоты индуктивное сопротивление катушки начинает превышать емкостное сопротивление [c.245]

Найдите емкостное сопротивление конденсатора электроемкостью 10 мкФ в цепи переменного тока с частотой 50 Гц. [c.296]

При какой частоте переменного тока емкостное сопротивление конденсатора электроемкостью 200 нФ будет равно 1 кОм [c.296]

В индуктивном датчике деформация мембраны под действием давления приводит к изменению индуктивного сопротивления катущки, а в емкостном датчике — к изменению зазора между мембраной и обкладкой, что вызывает соответствующее изменение электрической емкости плоского конденсатора, образованного мембраной и обкладкой. Для исследования вращающихся объектов емкостные датчики имеют ограниченное применение из-за их низкой чувствительности и зависимости вырабатываемого сигнала от вибраций. [c.315]

Отсюда следует, что по изменению сопротивления АД можно определить деформацию е . По сравнению с емкостными датчиками, используемыми в мерном стержне Девиса, датчики сопротивления имеют преимущество, а именно с их помощью возможно непосредственное измерение деформации и отпадает необходимость в дифференцировании кривой и ( . Однако датчики сопротивления обладают следующими недостатками конечная длина датчика ограничивает его разрешающую способность при быстро изменяющихся деформациях датчик сопротивления измеряет деформацию на поверхности стержня. В последнее время при исследовании процесса распространения волн напряжений широко используются датчики, основанные на пьезоэлектрическом эффекте. В зависимости от конструкции пьезодатчиков можно получить высокие частоты собственных колебаний (до 60 кГц), что находится в соответствии с указанными требованиями. Датчик содержит чувствительный элемент (цилиндрический или кольцевой) из поляризованной пьезокерамики, инерционный груз и контактное устройство, соединяющее пьезоэлемент с регистрирующей аппаратурой. Пьезоэлемент датчика, как правило, изготовляется из титаната бария. Недостатком таких датчиков является непостоянство чувствительности, что требует тарировки каждого датчика отдельно. Как и датчик сопротивления, пьезодатчик измеряет среднее напряжение на площадке контакта, поэтому при проведении эксперимента, в котором спектр волн напряжений содержит компоненты высокой частоты, должна быть обеспечена высокая точность его выполнения. В отличие от датчиков сопротивления, которые позволяют производить измерения в одном направлении, датчики с титанатом бария одинаково чувствительны к напряжениям в направлении длины и радиальном направлении. [c.26]

Рис. 4-5, Принципиальная схема емкостного моста с переменными сопротивлениями а — принципиальная схема б — схема с указанием паразитных элементов

Существует воЗ)Можность преобразовать деформацию в изменение различных электрических величин емкости, индуктивности или сопротивления. В зависимости от того, какой электрический параметр преобразователя изменяется при деформации тела, различают преобразователи сопротивления, индукционные и емкостные. Благодаря простоте и удобству, наибольшее распространение получили проволочные преобразователи сопротивления (тензометрические датчики). [c.217]

Для количественной оценки размеров дефекта целесообразно применить постоянный ток, поскольку ввиду емкостной проводимости сопротивление покрытия для [c.126]

Омические и индуктивные сопротивления, омические и емкостные утечки на единицу длины трубопровода здесь рассчитываются из выражений [c.432]

Взаимосвязь между удельным электросопротивлением изоляции трубопровода Гц и его постоянной распространения у следует из уравнений раздела 23.3.1 она может быть получена в зависимости от диаметра трубопровода d также и с кривых на рис, 23,6 в случае частоты 50 Гц и с кривых на рис. 23.13 в случае частоты 16 % Гц. При обычной изоляции трубопроводов с толщиной слоя s=3-H-4 мм и относительной диэлектрической постоянной е,=5 в случае удельного электросопротивления изоляции ги до 10 Ом-м при частоте [=50 Гц и до 3-10 Ом м при f=16% Гц емкостным сопротивлением изоляционного покрытия можно пренебречь в сравнении с омическим Для таких сравнительно низких значений справедливо упрощенное соотношение [c.443]

Пьезоэлектрические аппараты обладают резко выраженной частотной зависимостью собственного электрического сопротивления —, их сопротивление емкостное. При подключении пьезоприемника 1к электрической нагрузке отдаваемое им напряжение не получит дополнительных частотных искажений только в том случае, когда эта нагрузка также имеет емкостный характер. [c.192]

Фиг. 19. Емкост- чения проволочных датчиков. Однако в дина-ная мостовая изме- мометрии ПОЧТИ исключительно применяют мос-рительная схема. товые схемы переменного тока повьпиенной и высокой частоты. Высокая частота здесь необходима потому, что на низких частотах реактивное сопротивление емкостного датчика очень велико и сравнимо с сопротивлением изоляции соединительных проводов. Токи утечки в этом случае будут такого же порядка, что и ток в датчике, а мощность сигнала на выходе датчика будет мала. С увеличением частоты мощность сигнала возрастает, хотя и остается недостаточно большой, чтобы его можно было зарегистрировать без предварительного усиления.

По структуре П. делятся на простые и сложные. Простые П. неносредственно преобразуют одни величины в другие. К ним относятся, напр., термоэлемент (преобразующий темп-ру в эдс постоянного тока), пьезоэлектрический датчик (механич. усилие—в эдс), висмутова.я спираль (напряженность магнитного поля — в измепепие омич, сопротивления), емкостный датчик (взаимное перемещение пластпн конденсатора — в изменение емкости). См. также Чувствительные элементы. [c.193]

Заметим, что наличие в механической части преобразователя йнерционного сонротивления представляется в Электрической цепи эквивалентным сопротивлением емкостного характера [c.92]

Эти устройства осуществляют автоматический контроль изоляции постоянным оперативным током. В качестве постороннего источника энергии применяется понижаюгций трансформатор с выпрямителем. В измерительной цепи т аких схем, кроме постоянного оперативного тока постороннего ист очника энергии, проходит переменный ток, вызванный напряжением контролируемой сети. Для его ослабления применяют фильтрующие сопротивления (емкостные или индуктивные). [c.73]

Параметрический (варакториый) диод является полупроводниковым прибором, который используется как элемент цепи с переменным реактивным сопротивлением (емкостным). По своей структуре параметрические диоды разделяются на диоды с р-п переходом и контактами металл - полупроводник (диоды с барьером Шотки). Наиболее перспективными являются последние. Изменение реактивного сопротивления обусловлено тем, что емкость р-п перехода или барьерная емкость контакта металл - полупроводник изменяются под воздействием приложенного напряжения. Это позволяет использовать параметрические диоды для модуляции или пере1слючения СВЧ сигналов генерирования гармоник управляющего сигнала усиления СВЧ колебаний преобразования частоты одного из двух подводимых сигналов. Параметрические диоды используются в режиме обратного смещения. Малый обратный ток параметрического диода в рабочем режиме позволяет получить очень малый коэффициент шума параметрических усилителей на этих диодах. [c.93]

Емкостное сопротнвленне. Величину, обратную произведению циклической частоты ы на электроемкость С конденсатора, называют емкостным сопротивлением конденсатора. Обозначив емкостное сопротивление Xq, запишем [c.243]

При выполнении условия (V1.1), т. е. при равенстве индуктивного сопротивления катушки емкостному сопротивлению конденсатора, и одинаковой силе тока одинаковыми оказываются и амплитуды колебаний напряжения на конденсаторе и катушке. Колебания напряжения на катушке и конденсаторе противоположны по фазе, поэтому сумма напряжений на них при выполнении условия (71.1) в любой момент времени равна нулю. В ре-Г1ультате напряжение на активном сопротивлении при резонансе оказывается равным полному напряжению [c.244]

В унифицированной СЗ по рис. 5.2, пригодной для ЭД разного типа, ротор представляется эквивалентными активными 21, К22 и индуктивными Х21, Х22 элементами, образующими две параллельные цепи. Для синхронного режима СД сопротивления одной из ветвей определяются наличием возбуждения, а другой — лишь его явнополюсно-стью. При отсутствии возбуждения (АД, СРД) для неявнополюсного СД, а также для гистерезисных ЭД в СЗ присутствует лишь одна ветвь ротора с сопротивлениями Кг тл Х - Последнее в зависимости от степе-Ди возбуждения и нагрузки СД может быть положительным или. отрицательным (выступая как емкостное). Намагничиваюший контур представлен в СЗ действительным индуктивным сопротивлением цепи намагничивания Хд (н) (хотя ток в нем при наличии возбуждения и не равен фактическому току XX), а введение в него в соответствии с понятием комплексной магнитной проницаемости активного сопротивления Го (т>) позволяет достаточно точно учесть также и потери в стали статора, что при обычном анализе синхронных ЭД вызывает определенные затруднения. [c.114]

ЭТОМ охранный электрод образца соединяется с заземленным экраном, а высоковольтный — с указанной вершиной (рис. 3-2). В два другие плеча включаТотся переменный резистор R3 и постоянный резистор R4, шунтированный конденсатором переменной емкости С4. В такой схеме вее напряжение практически приходится на емкостные плечи, так как их сопротивление переменному току 1/(ц)С) много больше сопротивлений резисторов, включенных в другие плечи. Поэтому, несмотря на наличие высокого напряжения, можно безопасно уравновешивать мост изменением параметров R3 и С4. Для защиты цепи в случае пробоя образца предусмотрены разрядники. Индикатором равновесия моста обычно служит вибрационный гальванометр (см. ниже), зачастую включенный через усилитель. [c.51]

Емкостные мосты. В эту группу входят четырех плечие мосты, содержащие в плечах только активные и емкостные элементы. Одна из таких мостовых схем с переменными активным сопротивлением и емкостью имеет в плечах одинаковые безреактивные резисторы / и R2, сменные конденсаторы СЗ и С4, постоянный Я4 и переменный кз резисторы (рис. 4-3). Потери в конденсаторах должны быть пренебрежимо малы. Параллельно конденсатору С4 присоединяют образец и уравновешивают мост изменением параметров элементов С4 и НЗ, стараясь иметь емкость конденсатора С4 минимальной, Если ЭТО не удается, заменяют конденсатор СЗ другим— большей емкости. Пусть первое равновесие достигнуто при значениях емкости С[ и сопротивления Отключив образец, вторично уравновешивают мост при других значениях и i з. [c.66]

Внешнее емкостное сопротивление Хе обусловлено потоком Ф,, (см. рис. 9-15, а). Для расчета л = 1/(соСй), где — внешняя или, точнее, краевая емкость рабочего конденсатора, можно использовать некоторые общие свойства электрического поля конденсатора и магнитного поля индуктора. Если рассмотреть схему замещения индуктора с нагреваемой деталью, основанную на общности потока обратного замыкания (см. 6-1), то легко заметить полную аналогию между этой схемой и схемой 9-15, б. Схема замещения индуктора по общему потоку получается из схемы замещения конденсатора путем замены всех емкостей индуктивностями, а сопротивление становится сопротивлением провода индуктора. [c.164]

В другое высоковольтное плечо моста включен высоковольтный об разцовый конденсатор С . Постоянный резистор R , шунтирован ный переменной емкостью С4, и безындукционный переменный ре зистор / з включены в низковольтные плечи моста. В схеме моста сопротивление переменному теку 1/(oj ) емкостных высоковольтных плечей намного больше сопротивлений, включенных в низковольтные плечи. Следовательно, практически все падение напряжения, подаваемого с высоковольтного трансформатора ВТ, приходится на емкостные, высоковольтные плечи моста. Поэтому можно безопасно производить уравновешивание моста путем изменения сопротивления и емкости С4. В случае пробоя образца С или образцо- [c.150]

Область микродеформации характеризуют обычные кривые на-пряжейие — деформация , для построения которых используются механические устройства испытательных машин для записи зависимости нагрузка — деформация . Этот интервал изучают с помощью датчиков перемещений (сопротивления, индуктивных или емкостных), а также с помощью прецизионных электромеханических устройств. [c.39]

При расстояниях между электродами до 100 м и обычной измерительной частоте ПО Гц влияние частоты остается в пределах точности измерений. Двухполюсные мосты для измерения сопротивления обычно работают со звуковой частотой (800 2000 Гц) и при этом дают резко различающиеся результаты. Для определения переходного сопротивления на землю мелких деталей протял енных сооружений подходит прибор для измерения сопротивления заземления с частотой 25 кГц [31]. Однако у труб с битумным или полимерным покрытием емкостное сопротивление может оказаться меньше омического сопротивления растеканию тока с дефектных участков, которое в таком случае лучше измерять включением и выключением постоянного тока. [c.115]

Через омическое сопротивление 10 протекает ток силой не более 0,2 мА. Омически-емкостной контур 10, 11 и включенный перед ним дроссель 6 предназначаются для защиты диодов при пиковых напряжениях и больших токах короткого замыкания. При этом размеры дроссельной катушки выбирают с таким расчетом, что в случае неисправности падение напряжения на дросселе и группе диодов (8, 9, 10, 11) вызывает срабатывание пробивного предохранителя 5. [c.310]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...