Диэлектрическая постоянная относительная

Диэлектрическая постоянная относительная 288, 289 Добротности модуляция 32 [c.509]

Пятивалентные атомы, введенные в естественный четырехвалентный полупроводник в качестве примесей, берут на себя четыре ковалентные связи с соседними атомами естественного полупроводника, а пятый электрон пятивалентного атома оказывается сравнительно слабо связанным. Этот электрон продолжает принадлежать своему атому, но его энергия связи с ним очень мала, а радиус орбиты велик по сравнению со значениями этих величин для свободного атома. Это обстоятельство обусловливается тем, что электрон в атоме движется как бы в среде, диэлектрическая постоянная которой равна диэлектрической постоянной естественного полупроводника. Относительная диэлектрическая постоянная = e/Eq у крем- [c.350]

Взаимосвязь между удельным электросопротивлением изоляции трубопровода Гц и его постоянной распространения у следует из уравнений раздела 23.3.1 она может быть получена в зависимости от диаметра трубопровода d также и с кривых на рис, 23,6 в случае частоты 50 Гц и с кривых на рис. 23.13 в случае частоты 16 % Гц. При обычной изоляции трубопроводов с толщиной слоя s=3-H-4 мм и относительной диэлектрической постоянной е,=5 в случае удельного электросопротивления изоляции ги до 10 Ом-м при частоте [=50 Гц и до 3-10 Ом м при f=16% Гц емкостным сопротивлением изоляционного покрытия можно пренебречь в сравнении с омическим Для таких сравнительно низких значений справедливо упрощенное соотношение [c.443]

Рис. 60. Зависимость ускорения растворения атома с ребра ступеньки от относительной диэлектрической постоянной Е растворителя (кривая I — lL = 1 эВ, кривая 2 — = = 2 эВ) и Е от напряженности поля Е (В/см) в двойном электрическом слое (3)

Л/е + и ), где W — работа гидратации А — работа сольватации Ё5 — относительная диэлектрическая постоянная растворителя в объеме (в общем случае е ф е ), с увеличением которой работа сольватации уменьшается аналогично работе сублимации. [c.170]

Таким способом можно прийти к хорошо известной формуле лорда Р е л е я для рассеяния света и погашения его, отсюда проистекающего. Известно, что она содержит показатель преломления, длину волны и постоянную Авогадро. Не останавливаясь на всем этом, сделаем только замечание относительно факта, кажущегося на первый взгляд довольно странным согласно формуле (26) рассеянная энергия пропорциональна не величине элемента объема, а квадрату этой величины. Присматриваясь к делу ближе, легко усмотреть, что в действительности рассеяние пропорционально первой степени dv как это можно было предвидеть. Для простоты ограничимся случаем газа. Разность между диэлектрической постоянной и единицей для пего можно считать пропорциональной числу N молекул, заключающихся в единице объема, и можно написать, обозначая через а постоянную [c.63]

Детальный численный анализ эффекта незеркального отражения проведен для решетки волноводного типа (см. рис. 118, б), наиболее часто используемой в технике милли- и субмиллиметровых волн. Брусья предполагались идеально проводящими, относительная диэлектрическая постоянная заполнения е = е + le", е" > О, комплексной. Последнее позволяет учитывать потери в неидеальных диэлектриках. Результаты численного эксперимента для случая автоколлимационного отражения на минус первой гармонике представлены на рис. 120, 121. Рис. 120, а позволяет сделать вывод, что основные закономерности, проанализированные в 18 для гребенки из вертикальных лент, сохраняются и для решетки волноводного типа более общего вида. Область 1,0 характеризуется отсутствием режимов полного автоколлимационного отражения. [c.176]

Пьезоэлектрические материалы. Упругие, относительные диэлектрические и пьезоэлектрические постоянные некоторых трансверсально-изотропных пьезоэлектрических материалов приведены в табл. 1.1 [5, 28, 29, 38], где диэлектрическая постоянная вакуума [c.10]

Марка пьезо- керамики Упругие постоянные, 10 Па Относительные диэлектрические постоянные Пьезоэлектрические постоянные, Кл/м [c.10]

Относительная диэлектрическая восприимчивость (диэлектрическая восприимчивость). Относительная диэлектрическая восприимчивость k — величина, равная отношению абсолютной диэлектрической восприимчивости к электрической постоянной, т. е. [c.71]

Существенный вклад в ширину полос инфракрасного поглощения вносят флуктуации энергии межмолекулярных взаимодействий, обусловленные тепловым движением частиц среды [2, 21]. Если молекулы обладают большими дипольными моментами, локализованными на концевых связях, то в жидкостях могут возникать локальные различия диполь-дипольных сил, моделирующие параметры колебательного движения атомов и, в частности, их частоту. Статистические различия межмолекулярных сил могут проявляться также в неполярных растворах вследствие флуктуаций числа частиц, входящих в первый координационный слой молекулы. Они приводят к отклонению локальных значений плотности, диэлектрической постоянной и показателя преломления среды от их средних значений. В результате возмущений частот внутримолекулярных колебаний в ИК-спектре возможно появление совокупности полос определенного колебательного перехода, смещенных друг относительно друга и имеющих свою ширину и форму. Огибающая совокупности полос дает сложный статистический контур. Механизм уширений, при котором ширина полосы определяется наложением элементарных составляющих, каждая из которых возникает за счет поглощения молекул, находящихся в неодинаковых условиях окружения, называется неоднородным. [c.145]

По существу ПРЭ представляет собой конденсатор со слоями различных диэлектриков, поэтому для простоты изложения процесс возбуждения ПРЭ удобно называть емкостным. При возбуждении ПРЭ наибольший двойной коэффициент преобразования достигается при заполнении зазора веществом с высокой относительной диэлектрической постоянной е (рис. 4.13). [c.136]

Обыкновенный луч имеет колебания в направлениях, перпендикулярных к оптической оси кристалла, при любом направлении распространения луча. В связи с этим вдоль оси 00, в перпендикулярном к ней направлении и во всех других косых направлениях обыкновенный луч, колебания которого должны быть перпендикулярны к плоскости чертежа (они обозначены точками), будет одинаковым образом взаимодействовать с кристаллической решеткой, так как он во всех случаях занимает одинаковое положение относительно оптической оси кристалла. Поэтому скорость обыкновенного луча определяется только диэлектрической постоянной 8 , которая соответ- [c.199]

ДЛЯ вклада в (относительную) диэлектрическую постоянную (0). Для рассматриваемых электронных и колебательных переходов значения Ле " (0) указаны в последнем столбце табл. 4. [c.289]

Возбуждение пластины из цирконата-титаната свинца высоким напряжением представляет некоторые трудности, так как из-за большого значения коэффициента диэлектрической постоянной емкость пластины относительно велика (например, для частоты /=4 Мгц и диаметра пластин, равного 2 см, она составляет около 5000 пф). Поэтому для получения высоких возбуждающих напряжений при.ходится усложнять схемы и повышать мощности возбуждающих генераторов. [c.202]

Поверх- Удельное сопротивление, Ом см Л ц v Коэффициент диэлектрических потерь Относительная диэлектрическая постоянная [c.426]

Горные породы в их естественном залегании обычно состоят из жесткой основы, которая имеет относительно небольшие значения диэлектрической постоянной. Жесткая основа содержит воду, нефть или газы, сжиженные под высоким давлением. Некоторая часть пространства между твердыми частями (поры) постоянно заполнена воздухом под нормальным давлением, диэлектрическая постоянная которого равна примерно единице. [c.23]

Относительная диэлектрическая постоянная е твердых горных пород и руд по данным различных исследователей [c.23]

Относительная диэлектрическая постоянная е почв по данным различных исследователей [c.24]

Рассмотрим электромагнитное излучение в среде с диэлектрической постоянной е((о). Положим, что магнитная проницаемость х= 1. Тогда п ш)= [е(ю)] 2 В соответствии с теорией относительности сигнал не может распространяться со скоростью, большей чем с=3,0-10 см сек. Какое ограничение накладывает это условие на возможную зависимость е от ш (Считаем, что е(сй) положительно для всех со.) [c.284]

Исследования парамагнитного резонанса были проведены Блини [130]. Пользуясь своими результатами, он вычислил о, получив значение 0,245° К. Однако в его экспериментах расщепление непосредственно не измерялось. Определялось расстояние между уровнями при определенном значении поля, после чего величина расщепления в отсутствие ноля вычислялась на основе некоторых теоретических предположений о зависимости положения уровней от величины поля. В экснериментах Блини поле было направлено параллельно пространственной диагонали куба при расчетах предполагалось, что расщепление обусловлено тригональным полем, обладающим симметрией относительно этой оси. Такое предположение справедливо для рубидиевых и цезиевых квасцов, однако в случае метиламмониевых квасцов, как показали неопубликованные измерения Бейкера [131], оно является неправильным. Измерения диэлектрической постоянной Гриффит- [c.472]

Если объект контроля выполнен из полунроводящего материала (о л 0)8 , где Еа = — абсолютная диэлектрическая проницаемость — относительная диэлектрическая проницаемость Е(, — диэлектрическая постоянная), то в уравнениях (8) и (9) = [c.90]

Наибольший коэффициент двойного преобразования достигается при заполнении зазора между электродом и пьезоэлементом диэлектриком с высокой относительной диэлектрической постоянной е. В реализованных на практике конструкциях ПРЭ представляет собой вытянутый пьезоэлемент с одним электродом, который выполнен в виде спирали, нанесенной на валик из оргстекла. При вращении валика электрод скользит вдоль пьезопластины. [c.177]

По данным, приведенным в разделе 2.2.3.2, возможные значения тгр составляют от 10-= до 10 с при концентрационной поляризации они могут быть еще существенно более высокими. В выражении (3.8) 60=8,85X10- Ом" -с-см- е — относительная диэлектрическая постоянная. Толщина слоя среды s в выражении для постоянной времени tjtf уменьшается. При е=80 для водных сред получается соотношение [c.87]

Переход атома металла из твердой фазы Ме . в растворитель Мвр происходит с совершением работы сублимации L, уменьшенной вследствие ослабления электростатического взаимодействия в е раз, где е — относительная диэлектрическая постоянная растворителя в области двойного слоя (в этой стадии цикла растворитель рассматривается как континуум, обладающий диэлектрическими свойствами и заполняющий пространство). Ионизация растворенного атома требует работы ионизации (2/), также уменьшенной в е раз. Возвращение электронов в металл дает выигрыш энергии ze f/e, где г — валентность металла е(р — работа выхода электрона. [c.167]

Далее происходит гидратация и сольватация иона в электролите (тИесмьв), которые дают в сумме энергетический выигрыш —(A/es + W), где W — работа гидратации А — работа сольватации — относительная диэлектрическая постоянная растворителя Б объеме (в общем случае е е ), с увеличением которой работа сольватации уменьшается аналогично работе сублимации. [c.168]

На рис. 67 приведены зависимости ускорения растворимости атома с ребра ступеньки RJRb от относительной диэлектрической постоянной е, рассчитанные по формуле (251) для случаев AL = [c.171]

Электропроводность водных растворов. Благодаря своей высокой диэлектрической постоянной и относительно низкой вязкости вода является средой, обеспечивающей высокую проводимость растворенных ионных веществ (электролитов). В воде ионы водорода (протоны) и ионы гидроксила имеют юсобенно высокую подвижность благодаря механизму передачи протона. Удельная проводимость чистой воды, однако, очень низкая (рис. 3,7) из-за малого содержания проводящих ионов. [c.45]

Если объект контроля выполнен из полуцроводящего. материала (а QBo, где Еа = е е — абсолютная диэлектрическая проницаемость е — относительная диэлектрическая проницаемость 8q — диэлектрическая постоянная), то в (6) и (7) — 1а (ш% — /ма). [c.97]

Относительно слабые изменения влажности вызывают значительные колебания диэлек- ц трической постоянной и уже становятся причиной ошибок измерений. Такие колебания диэлектрической постоянной наблюдаются даже при сухой погоде, если облачность и солнечная радиация почвы сильно меняются. [c.241]

Если объект контроля выполнен из полупроводящего материала (а ЮБа, где 8 = 8о8, - абсолютная диэлектрическая проницаемость 8 - относительная дголектри-ческая проницаемость 8о - диэлектрическая постоянная), то в уравнениях (8) и (9) = -Цд (00 83 - усост). [c.376]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...