Схема замещения конденсатора

На рис. 2-2 дана векторная диаграмма токов в диэлектрике, соответствующая электрической схеме замещения конденсатора с диэлектриком, обладающим потерями. Конденсатор с потерями заменен идеальным конденсатором, шунтированным активным сопротивлением (параллельное включение емкости С и сопротивле- [c.14]

До сих пор частотную характеристику tgo конденсатора мы аппроксимировали в первом приближении частотными характеристиками р- и s-схем замещения конденсатора, считая, чго реальная частотная характеристика располагается между ними. [c.199]

Схема замещения, соответствующая этой формуле, будет одноконтурной. Варианты такой схемы представлены на рис. 9-5. Проводимость конденсатора [c.144]

Аналогично находим параметры последовательной схемы замещения. Сопротивление конденсатора [c.144]

Приближенный расчет параметров рабочего конденсатора, основанный на идеализации картины электрического поля, может быть выполнен по двухконтурной схеме замещения. [c.162]

Если считать равенство (9-85) выполненным, то можно отделить рабочий поток конденсатора, т. е. поток вектора электрической индукции, проходящий через нагрузку и воздушный зазор, от внешнего потока Ф , проходящего у краев конденсатора. На рис. 9-15 показана идеализированная картина электрического поля и соот-ветствующая ей схема замещения. [c.163]

Если схему замещения 9-15, б преобразовать в одноконтурную (рис. 9-15, б), то эквивалентные сопротивления конденсатора с загрузкой будут [c.166]

Диэлектрические свойства древесины сильно зависят от влаго-содержания. Например, для березы е изменяется от 68 до 3, а tg б — соответственно от 2 до 0,3 при уменьшении влагосодержа-ния от 55 до 10% [10]. Эту зависимость необходимо учитывать при электрическом расчете конденсатора, который выполняется по схеме замещения из 9-4. Совместное использование зависимостей е и tg б от и, кривой сушки и (7) и характеристики источников тепла W (t) позволяет найти закон регулирования напряжения на рабочем конденсаторе в течение всего процесса сушки. [c.303]

Произведение R представляет собой сопротивление изоляции, отнесенное к единице емкости. Это произведение характеризует и процесс саморазряда конденсатора конденсатор, имеющий емкость С и сопротивление изоляции R, находившийся под постоянным напряжением Uo и оставленный разомкнутым после отключения источника напряжения, постепенно разряжается. Уравнение кривой падения напряжения и на электродах конденсатора в функции времени t, считая с момента отключения источника напряжения (рис. 2.12), для схемы замещения рис. 2.13 имеет вид [c.23]

Диэлектрические потери можно проиллюстрировать схемой замещения. Рассмотрим схему, эквивалентную конденсатору с диэлектриком, обладающим потерями, в виде идеального конденсатора с последова- [c.86]

В простейшем случае можно представить себе неоднородный диэлектрик в виде двух слоев, включенных последовательно. Эквивалентная схема замещения такого неоднородного диэлектрика может быть представлена в виде двух конденсаторов, включенных последовательно, как показано на рис. 44, а. [c.80]

Эквивалентная схема замещения такого неоднородного диэлектрика может быть представлена в виде двух конденсаторов, включенных последовательно, как показано на фиг. 31, а. [c.69]

Метод вариации активной проводимости осуществляется главным образом с помощью схемы замещения-(рис. 4-4). Генератор высокой частоты 1 индуктивно связан с измерительным контуром "(L 2, С 2), параллельно которому может включаться либо испытуемый образец С , либо образцовый конденсатор С с регулируемым сопротивлением R . Измерительный прибор термоэлектрической системы (гальванометр с термоэлементом) [c.82]

Рис. 1-13. Схема замещения для рассмотрения саморазряда конденсатора (к рис. 1-12).

Дополнительное сопротивление 2д, не связанное с магнитной схемой замещения, учитывает активное сопротивление обмотки й сопротивление элементов (шин, последовательных конденсаторов), которые могут быть включены в цепь на участке до источника питания с известным напряжением 0 . Внутреннее реактивное сопротивление обмотки Жхм проще и точнее вычислять не отдельно, а как часть сопротивления зазора, беря вместо реального радиуса эквивалентный 1э, равный среднему радиусу токонесущего слоя [c.74]

Нетрудно показать, что потери Яр конденсатора с /7-схемой замещения наименьшие, а потери Ps конденсатора с s-схемой замещения наибольшие из значений потерь в конденсаторе с частотной зависимостью tg o, расположенной между частотными зависимостями р- и s-схем. [c.194]

Расчет потерь в конденсаторе с р-схемой замещения. Тангенс угла потерь простейшей /7-схемы (рис. 3-2) по определению обратно пропорционален частоте или номеру гармоники разложения напряжения в ряд Фурье [c.194]

Из полученного выражения следует, что потери в конденсаторе с /7-схемой замещения определяются только действующим значением [c.194]

Таким образом, только в случае, когда у конденсатора р-схема замещения, действующее значение несинусоидальной пульсации равно действующему значению эквивалентной по мощности синусоиды при той же частоте. При любой другой схеме замещения действующее значение несинусоидальной пульсации меньше действующего значения эквивалентной синусоиды в У I раз. [c.195]

Аппроксимация частотных характеристик tg б конденсатора с помощью характеристик, соответствующих критической схеме замещения. [c.199]

Во многих случаях характеристика (3-54) близка к действительной частотной характеристике б конденсатора. Поэтому аппроксимация реальной частотной характеристики с помощью (3-54) можно рассматривать как второе, более точное приближение по сравнению с аппроксимацией с помощью частотных характеристик р- и 8-схем замещения. [c.199]

Согласно схеме замещения после размыкания контактов в первичной цепи образуется колебательный контур, состоящий из индуктивности первичной обмотки 1 и суммы емкостей искрогасительного конденсатора (С1 и Сг), приведенного к первичной обмотке. [c.11]

Полагая, что вторичная цепь катушки зажигания практически не влияет на процесс заряда накопительного конденсатора, представим схему замещения для этого этапа так, как это сделано на рис. 10. Согласно схеме цепь, состоящая из накопительного кон- [c.20]

Согласно схеме замещения после размыкания контактов прерывателя и переключения коммутатора в положение 2 в первичной цепи образуется колебательный контур, состоящий из индуктивности первичной обмотки катушки зажигания 1 и суммы емкостей накопительного конденсатора С1 и вторичной цепи Сг, приведенной [c.21]

Этап 1. Согласно схеме замещения (рис. 3) цепь, состоящая из накопительного конденсатора С1, резистора вя, сопротивление которого равно внутреннему сопротивлению преобразователя, и резистора / ут, сопротивление которого равно результирующему сопротивлению утечки во вторичной цепи, с помощью коммутатора 82 подключается к источнику постоянного напряжения и,, которым является преобразователь. [c.10]

Во втором уроке вы познакомились с обычным анализом цепи постоянного тока. При этом все конденсаторы рассматриваются как прерывания электрической цепи, все катушки индуктивности - как короткие замыкания. Нелинейные компоненты, например диоды или транзисторы, заменяются на их сопротивление постоянному току в рабочей точке. Созданная по такому принципу схема замещения содержит только одни активные сопротивления. Анализ цепи постоянного тока выявляет узловые потенциалы полученной схемы замещения. [c.128]

Другая мостовая схема, с постоянными резисторами, имеет то преимущество, что при ее осуществлении отсутствует необходимость в градуированном переменном резисторе. Плечи моста собираются из постоянных резисторов Д) и 1 2, конденсаторов постоянной С2 и переменной С1 и СЗ емкости (рис. 4-4). Измерения производят как прямым методом, так и методом замещения (двойного уравновешивания). [c.68]

Внешнее емкостное сопротивление Хе обусловлено потоком Ф,, (см. рис. 9-15, а). Для расчета л = 1/(соСй), где — внешняя или, точнее, краевая емкость рабочего конденсатора, можно использовать некоторые общие свойства электрического поля конденсатора и магнитного поля индуктора. Если рассмотреть схему замещения индуктора с нагреваемой деталью, основанную на общности потока обратного замыкания (см. 6-1), то легко заметить полную аналогию между этой схемой и схемой 9-15, б. Схема замещения индуктора по общему потоку получается из схемы замещения конденсатора путем замены всех емкостей индуктивностями, а сопротивление становится сопротивлением провода индуктора. [c.164]

Если т] дкс велико, для расчета потерь Рнесин находят точное значение поправочного коэ ициента 1 = Р/Рмин> привлекая данные о частотной характеристике конденсатора, и-образную частотную характеристику б можно аппроксимировать выражением б = б (f/fg Л), где — частота, при которой б — минимальный и равный tg Од. Такой закон изменения 6 наблюдается у так называемой критической трехэлементной схемы замещения конденсатора, состоящей из одной емкости и двух сопротивлений — последовательного и параллельного. Если схема замещения конденсатора критическая, то [c.386]

Но если пульсация синусоидальная, то потери не зависят от схемы замещения конденсатора (т. е. от частотной зависимости емкости и 15 б конденсатора) и всегда равны Рр. Прн несинусоидальной пульсации потери Р зависят от схемы замещения, увеличиваясь в зависимости от схемы от минимальноро значения, равного Рр, до максимального Р , соответствующего -схеме замещения. Для промежуточной схемы [c.195]

Конденсатор, электрическое поле которого квазистационарно, можно представить в виде схемы замещения. Если электроды конденсатора помещены в среду с е или среда с е занимает весь объем ноля к(Я1депсатора, как это имеет место в сферическом, идеальном [c.143]

Рис. 9-15. К расчету параметров рабочего конденсатора а — идеализированная картина электрического поля 6—схема за.мещения в — схема замещения, приведенная к входным кшгтактам конденсатора

Самой интересной является аналогия между внешним сопротивлением и индуктивным сопротивлением обратного замыкания, которое тоже обозначено х на схемах замещения индуктора в 6-1. Это сопротивление при расчете индуктора находится на основании предположения, что внешнее магнитное поле индуктора с загрузкой подобно полю пустого индуктора. Справедливость такого предположения доказана экспериментально. Очевидно, справедливо и аналогичное утверждение внешнее (краевое) электрическое поле конденсатора с загрузксй подобно полю пустого конденсатора. Отсюда сразу следует способ расчета [c.164]

Рассмотрим процесс разрядки конденсатора С/ на импульсный трансформатор ИТр. Схема замещения представлена на рис. 1.6,5, где Li и Li — индуктивности первичной и вторичной обмоток Ri и Ri — активные сопротивления соответствующих проводов и обмо-гок Сг — паразитные емкости вторичной обмотки и проводов i — емкость формирующего конденсатора (паразитными емкостями на стороне первичной обмотки можно пренебречь ввиду их малости по сравнению с i. Между обмотками трансформатора действует взаимная индуктивность М. Сопротивление газоразрядного прибора Л [c.11]

В электронных схемах диэлектрик часто используется в качестве электрического конденсатора, который удобно представлять в виде идеальных емкостей и резисторов, имитирующих диэлектрические потери. Несколько таких экивалентных схем замещения представлено на рис. 3.5. Свойства такого диэлектрика, в ко-торо.м tg6 уменьшается с ростом частоты, описывает параллель- [c.74]

Применение схем замещения или двойного уравновешивания возможно лишь в сравнительно узком диапазоне частот, так как трудно иметь в одном приборе набор безреактивных сопротивлений, необходимых для измерения е и б образцов разнообразных изоляционных материалов в большом интервале частот 10 . . . 10 гц. Поэтому рассмотренные выше схемы с переменным 7 используют при фиксированной частоте, обычно 1000 гц. Если необходимо снимать частотные зависимости е и б, то для этой цели часто применяют неуравновешенный ди еренциальный мост (рис. 3-8, а, б). Два плеча моста образованы двумя вторичными полуобмотками дифференциального трансформатора, третье плечо представляет собой образцовый переменный конденсатор, четвертое — испытуемый образец. В измерительной диагонали включено высокоомное образцовое сопротивление напряжение в диагонали моста измеряется вольтметром Уц с высокоомным входом й с малой входной емкостью Сд. К достоинствам этого метода относятся возможность изменения частоты в широких пределах, наличие только одного регулируемого элемента — образцового конденсатора — и возможность отсчета б по шкале стрелочного прибора, измеряющего напряжение Уд в диагонали моста. то напряжение пропорционально разности токов, протекающих через конденсаторы С и С . При условии равенства емкостей [c.64]

Произведение СЯцз имеет определенный физический смысл оно представляет собой сопротивление изоляции, отнесенное к единице ехмкости. Кроме того, это произведение характеризует процесс саморазряда конденсатора конденсатор, имеющий емкость С и сопротивление изоляции Лиз, находившейся под постоянным напряжением и , и оставленный разомкнутым после отключения источника напряжения, ностеиенно разряжается. Уравнение кривой спадания напряжения и на электродах конденсатора в функции времени I, считая с момента отключения источника наиряжения (рис. 1-12), для схемы замещения рис. 1-13 имеет впд [c.22]

Троизведение СЯ имеет вполне определенный физический смысл. Представим себе, что мы зарядили конденсатор, имеющий емкость С и сопротивление изоляции Я, до некоторого напряжения /о- Оставленный разомкнутым после отключения источника напряжения конденсатор будет постепенно разряжаться. Уравнение кривой спадания напряжения и на электродах конденсатора в функции времени с момента отключения источника напряжения (рис. 2-4), как известно из теоретических основ электротехники (для схемы замещения рис. 2-5), имеет вид [c.92]

Реальные частотные зависимости tg o различных безындукционных конденсаторов можно считать заключенными между двумя предельными случаями 1) при росте частоты tgo убывает до нуля, изменяясь обратно пропорционально частоте, и 2) tg O возрастает до бесконечности, изменяясь шрямо пропорционально частоте. Первый случай соответствует /7-схемам замещения простейшая /7-схема —-двухэлементная параллельная (рис. 3-2). Второй случай соответствует s-схемам замещения , простейшая s-схема — дву.хэлементная последовательная (рпс. 3-3). [c.194]

Пример 2. Вычислить поправочный коэффициент для конденсатора, минимум Igo которого наблюдается на частоте 100 кГц. На конденсаторе действует последовательность треугольных прямоугольных импульсов частотой 50 кГц со скважностью, равной 1. На частоте 50 кГц Igo конденсатора равен 0,01. В примере 16 было показано, что максимальный поправочный коэффициент т]макс при Igojj =0,01 равен 96. Поскольку известна частота, при которой tg o конденсатора минимальный, частотную зависимость tgo конденсатора можно аппроксимировать зависимостью (3-54) для критической схемы замещения. Тогда по (3-61) получаем [c.201]

При моделировании механической системы схема замещения упругого элемента, не имеющего массы, представляет собой четырехполюсник, содержащий один конденсатор С по первой системе аналогий или один элемент самоиндукции Ь по второй системе аналогий. Сосредоточенная масса, наоборот, замещается индуктивностью по первой системе аналогий и емкостью по второй. Модели элемента трения — это четырехполюсники, содержащие омические сопротивления Я или проводимости Рычаг или редуктор представлен четырехполюсником в виде трансформатора. Коэффициент трансформации соответсгвует передаточному числу редуктора или рычага. [c.290]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...