Сдвиг резонансной частоты

Приборы с использованием несколь< ких частот. В этом методе внутреннее состояние объекта контроля определяется либо по сдвигу резонансной частоты поглощения, либо при сравнении двух или более частот, либо на основе анализа спектра частот. [c.221]

Несмотря на то, что изделие отделено от преобразователя довольно толстым слоем жидкости, сохраняется постоянная связь изделий с системой возбуждения колебаний, т. е. с пьезопреобразователем. Развитая выше теория для контактного резонансного метода справедлива и для иммерсионного метода следовательно, сохраняется влияние системы возбуждения на сдвиг резонансных частот, хотя и более слабое, чем при контактном методе. [c.130]

Внутренние сопротивления сдвигают резонансную частоту, вблизи которой возможны срывы частот возбуждения относительно собственной частоты контура модели. [c.186]

Кроме того, проведенный эксперимент подтвердил, что включение РП приводит к существенному изменению собственных свойств исходной колебательной системы, в связи с чем преобразователь может быть использован как эффективное средство для отстройки от резонансных режимов. В данном случае включение РП приводило к сдвигу резонансной частоты с 44 до 21 гц, т. е. более чем в 2 раза. В качестве примера, иллюстрирующего происходящее при этом снижение амплитуд колебаний на резонансной частоте исходной системы, на рис. 4 представлены приведенные к единице силы амплитудно-частотные характеристики различных точек стенда при включенном и выключенном преобразователе. Из графиков видно, что включение РП приводит к одновременному снижению уровней вибраций всех точек стенда данное снижение охватывает в представленном случае диапазон 35—55 гц, а на частоте 44 гц составляет в среднем величину порядка 18 дб. Для раз- [c.93]

Степень гашения вибраций определялась по сдвигу резонансной частоты системы (рис. 5) [c.62]

Влияние электронов. В сильнолегированных полупроводниках могут проявляться эффекты ЯМР, характерные для металлов, в частности сдвиг резонансных частот (сдвиг Найта). Этот сдвиг обусловлен тем, что во внеш. поле Но электроны проводимости создают в месте расположения ядра пост. магн. поле, смещающее резонансную частоту о)о (обычно увеличивающее её по сравнению с полупроводником, имеющим малую концентрацию свободных носителей заряда). [c.677]

Сдвиг резонансной частоты [c.175]

Один из важных параметров линии спектра ЯМР — сдвиг резонансной частоты спектра. Впервые в 1949 г. в работе Найта [15] было экспериментально обнаружено, что линия какого-либо элемента ЯМР в металлическом образце наблюдается при большей напряженности поля по сравнению с такими же ядрами в неметаллическом образце. [c.175]

СДВИГ РЕЗОНАНСНОЙ ЧАСТОТЫ [c.182]

Характерная особенность относительных сдвигов резонансной частоты в металлах — постоянство величины А///Я для различных изотопов одного и того же элемента в образце, несмотря на то, что ядра изотопов какого-либо элемента обладают различными магнитными моментами, что свидетельствует об отсутствии влияния свойств самих ядер. [c.185]

В последнем выражении dn/dT разделено на две части, первая из которых определяется изменением числа диспергирующих центров в единичном объеме, а вторая — эффектом изменения резонансных частот с температурой. Сдвиг резонансных частот Связан как с изменением температуры при постоянной плотности, так и с температурным изменением последней, [c.30]

Экспериментальные измерения, выполненные в работе [150] для большого количества прозрачных твердых диэлектриков (кристаллов и стекол), показывают, что компоненты dn/dT, связанные со сдвигом резонансных частот, положительны. Это обусловлено смещением резонансных частот в длинноволновую сторону при повышении температуры. Сумма обычно отрицательна, так [c.31]

Нетрудно видеть, что сдвиг резонансной частоты в реальных условиях значительно меньше ширины линии. Сама же ширина резонансной линии колеблется в широких пределах в зависимости от доброт- [c.23]

Таким образом, порог возбуждения ряби Фарадея определяется вязкостью жидкости. Отметим также вязкий сдвиг резонансной частоты параметрических волн. [c.20]

Как видно из (1.1.81), в данном случае вязкий сдвиг резонансной частоты имеет место уже в первом неисчезающем порядке разложения по вязкости, причем при сравнимых вязкостях сред этот сдвиг имеет порядок. Соответствующий сдвиг резонансной частоты (1.1.54) для свободной поверхности жидкости имеет порядок В рассмат- [c.24]

Порог возбуждения параметрического резонанса для поверхности раздела сред со сравнимыми вязкостями и плотностями, как и ожидалось, заметно превышает порог (1.1.53) для свободной поверхности жидкости с близкими параметрами. Первая причина этого та же, что и для сдвига резонансной частоты в случае поверхности раздела критическая амплитуда скорости вибраций имеет порядок в то [c.24]

Относительный сдвиг резонансной частоты равен (Я1 /2Яо) . Теоретически существование этого сдвига впервые было установлено в работе И1. Вторым приближенным решением уравнения (П.З) будет [c.26]

Общее поле, которое действует на ядро, равно Н, = Но На + = 0) где о — относительный сдвиг резонансной частоты, [c.170]

Нр = Но — а), где а — относительный сдвиг резонансной частоты, не зависящий от величины Но- Этот сдвиг зависит от распределения электронов вокруг ядра и, конечно, имеет разные значения в различных химических соединениях, поэтому его и называют химическим сдвигом. [c.170]

МНОГО меньше внешнего поля Но, то только его составляющая, параллельная внешнему полю, будет вызывать заметный сдвиг резонансной частоты. Эту составляющую [c.195]

Диапазон частот, используемых для интерферомет-рич. измерений, ограничен, с одной стороны, условием распространения волн (в> й а с другой — мин. измеряемым сдвигом фаз. При плотностях плазмы <10 смиспользуют СВЧ-диапазон. В этом диапазоне суш ествует неск. иптерферометрич. схем локация в свободном пространстве, волноводный, резонаторный методы (по изменению сдвига резонансной частоты). [c.608]

Экранирующее действие электронной оболочки атома также приводит к сдвигу резонансной частоты (хим. сдвиг). Магн. поле Но индуцирует в электронной оболочке атома электронные токи, создающие дополнит, поле на ядрах, противоположное внеш. полю. Этот сдвиг пропор-(щонаМен Яо и составляет 10 - 10 от Нц. Хим, сдвиг меньше сдвига Найта, а его знак противоположен. Хим. сдвиг зависит от структуры электронных оболочек и от характера хим. связей, что позволяет по величине сдвига судить о структуре молекул или примесных комплексов. [c.677]

Следует различать сдвиги резонансной частоты в неметаллических соединениях и металлах [16]. В неметаллах орбитальное движение электронов создает небольшое поле, направленное против внешнего поля Но, кроме того поляризованные парамагнитные ионы или комплексы соединения наводят внутренние поля, совпадающие по направлению с Но. Оба эти эффекта можно рассматривать как магнитную экранировку резонирующих ядер, определяющую сдвиги, которые принято называть химическими. Величины химических сдвигов относительно резонансной частоты малы и составляют приблизительно 10 %. [c.175]

Созданная Найтом теория объясняет появление сдвига резонансной частоты наличием неспаренных х-электронов металла. Учитывая плотность неспаренных электронных спинов, можно записать выражение для величины найтовского сдвига [c.175]

В поликристаллическом образце ДЯ усредняется до АЯиз относительный изотропный сдвиг Найта измеряют в точке, отстоящей от АН II на % интервала между АН ц и АН . В литературных источниках для упрощения описания сдвигов резонансных кривых пользуются относительной величиной =Дv/vo или АН/Но, кроме того, если нет специальных указаний, под сдвигом Нанта подразумевается изотропный сдвиг резонансной линии. Сдвиг резонансной частоты в переходных металлах и их сплавах представляет возможность для изучения электронного строения [17]. Перечислим основные компоненты, из которых складывается найтовский сдвиг /СоврЧ-К . Пер- [c.176]

Сдвиг резонансной частоты спектра 175 Сннгония. типы 96 [c.350]

Созданная Найтом теория объясняет появление сдвига резонансной частоты (сдвиг Найта) наличием неспаренных s-электронов металла (vo — vr)/vr = Av/v, = (8яХрУо14 р (0) 1 )/3, где Хр — доля магнитной восприимчивости, обусловленная элек- [c.183]

Рабочее давление в камере создается последовательно соединенными механическим насосом типа ВН-461 и диффузионным масляным насосом марки ДОУ-250. Для улавливания паров масла при откачке рабочей камеры насосами в системе предусмотрены ловушки, охлаждаемые жидким азотом. Питание испарителя осуществляется от трансформатора, напряжение на первичной обмотке которого регулируется автотрансформатором типа ЛАТР-1. Скорость испарения металла может контролироваться по величине сдвига резонансной частоты кварца в процессе напыления. [c.161]

В этих условиях окисление алюминия идет с такой малой скоростью, что почти не удается зафиксировать разницы в величинах резонансной частоты при 2—3-кратном впуске и откачке влажной среды из камеры. Можно видеть, что количество адсорбирующейся влаги на алюминии при циклическом впуске среды в камеру отсТается одинаковым. Эти кривые дают, таким образом, возможность оценить порядок толщины адсорбирующегося слоя влаги на плоской поверхности алюминия. С увеличением парциального давления паров влаги сдвиг резонансной частоты кристалла вследствие адсорбции сильно увеличивается. Наблюдавшиеся величины сдвига резонансной частоты кварца при изменении влажности газовой среды, пересчитанные на количество адсорбированной влаги (истинная поверхность пленки алюминия принималась равной видимой поверхности), приведены на рис. 3. Как можно заметить, увлажненность металлической поверхности алюминия вследствие адсорбции пйров влаги сильно возрастает с повышением влажности газовой среды. Наиболее интенсивно процесс увлажнения алюминия протекает в первые 10—15 мин. К концу первого часа адсорбция, влаги на плоской поверхности алюминия практически заканчи-, вается. [c.163]

Относительно небольшие коррозионные эффекты во влажных газовых средах хорошо фиксируются предложенным методом, например на магнии. Во влажной атмосфере магний неустойчив и сравнительно быстро темнеет [23]. Уход резонансной частоты кристалла кварца с магниевым покрытием в случае контакта с влажной средой должен обусловливаться не только адсорбцией воды на поверхности магния, но и образованием на нем окисного слоя. Если периодически выдерживать кристалл кварца с напыленным слоем магния во влажной атмосфере, а затем десорбировать его поверхности влагу, то, зная величину сдвига резонансной частоты за счет адсорбции влаги, можно проследить за изменением величины резонансной частоты кристалла, связанной с образованием на поверхности магния окисной пленки. Полученные результаты представлены на рис. 5 в виде кривой, характеризующей кинетику образования окисной пленки на магнии в чистой атмосфере при 93% относительной влажности. Толщина наносимой на кварц пленки магния была порядка 25—50 А. Можно видеть, что процесс начального образования окисной пленки на магнии наиболее йнтенсивно протекает в течение первого часа. В дальнейшем рост окисного слоя сильно замедляется и иде т с некоторой постоянной екоростью. [c.164]

В формировании собственных типов колебаний оптических резонаторов существенную роль играют дифракционные эффекты. Поэтому в рамках лучевой оптики невозможно исследовать ряд важных модовых характеристик (детальное пространственное распределение электромагнитного поля, затухание, сдвиг резонансных частот), обусловленных конечной величиной длины волны излучения и ограничением поперечных размеров резонаторной полости. Указанные характеристики, естественно, вытекают из волнового рассмотрения вопроса, которое составляет содержание данной главы. [c.41]

В микроволновой Р. при давлениях газов 10 — 10 мм рт. ст. ширина линии определяется peдни временем X между соударениями молекул друг с другом А = = 1/2ЯТ. Уширение линий может быть обусловлено "акже сдвигом резонансных частот для отдельных частиц, напр, из-за Доплера эффекта и неоднородности магнитного поля iio в различных точках исследуемого образца или из-за не-разрешешюй сверхтонкой структуры (неоднородное уширение). В случае ЭПР играет роль обменное в з а м о-действие, приводящее к обменному сужению линий. [c.306]

Величина поверхности и пористость. Для сравнения эксперимента с теорией и для анализа механизмов разыгрывающихся на поверхностях разнообразных процессов, измеренные электрофизические и адсорбционные параметры свободных поверхностей относят к единице поверхности исследуемого объекта. Возникает вопрос — как измерить величину этой поверхности. Данные измерений на монокристаллах обычно относят к величине геометрической поверхности, которая, как видно из рис.1 (введение) может быть во много раз меньше величины поверхности, доступной для адсорбции сравнительно небольших по размеру молекул. Отношение такой "адсорбционной" поверхности к геометрической часто называют коэффициентом шероховатости. Качественные оценки этого коэффициента делаются на основе статистической обработки данных оптической и электронной микроскопии. Прямое определение поверхности адсорбционными методами в случае массивных тел, как правило, невозможно из-за малой величины поверхности. Значительный професс в измерении полной поверхности тонких пленок был достигнут в последние годы благодаря использованию пьезорезонансных кварцевых весов. В них измеряется сдвиг резонансной частоты монокристалла а-кварца с нанесенной на его поверхность пленкой [c.227]

Соответствующие осцилляции плотности заряда можно наблюдать при изучении свойств, зависящих от локальной плотности электронов. Например, эксперименты по ядерному магнитному резонансу показывают сдвиг резонансной частоты, зависящий от плотности электронов на ядрах. Уширение этих резонансов в сплавах может быть вызвано осцилляциями фриделевского типа вокруг примесных атомов. Такое уширение возникает и для очень малых частиц из-за фриделевских осцилляций, возникающих у поверхностей кристалла. [c.337]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...