Скорость образования центров

В чистом переохлажденном паре центры конденсации появляются в результате слипания молекул в молекулярные комплексы. По достижении так называемых критических размеров (см. гл. 2) эти комплексы становятся устойчивыми и обнаруживают тенденцию к дальнейшему росту и превращению в капельки жидкости. Скорость образования центров конденсации (т. е. жизнеспособных зародышей жидкой фазы) весьма сильно зависит от степени переохлаждения. Поэтому уже вскоре после прохождения состояния насыщения скорость конденсации достигает такой величины, что выделение скрытой теплоты парообразования останавливает рост переохлаждения (если, конечно, расширение происходит не слишком быстро). [c.148]

Скорость процесса первичной кристаллизации и характер формирования структуры материала при прочих равных условиях зависят от числа центров кристаллизации, возникающих в единицу времени и в единице объема, и скорости их роста, т.е. от скорости увеличения линейных размеров растущего кристаллика в единицу времени. Чем больше скорость образования центров кристаллизации и меньше скорость их роста, тем меньше размер зерна (кристаллика), выросшего из одного центра, и, следовательно, тем более мелкозернистой будет структура материала. [c.27]

При дальнейшем повышении содержания углерода до 1,13% (фиг. 135, в) выступ кривых начала и конца превращения сдвигается влево, т. е. устойчивость аустенита уменьшается. Это объясняется увеличением скорости образования центров кристаллизации благодаря большему переохлаждению аустенита относительно точки и выделению частиц цементита ниже точки [c.207]

Скорость процесса и окончательный размер кристаллов при затвердевании определяются соотношением между скоростью образования центров кристаллизации и скоростью роста. Первая измеряется числом зародышей, образующихся в единицу времени в единице объема (мм с" ), вторая — увеличением линейного размера растущего кристалла в единицу [c.71]

Формирование структуры при затвердевании металла определяется двумя параметрами кристаллизации скоростью образования центров кристаллизации (ц. к.) и скоростью роста кристаллов в различных зонах слитка. Скорость образования ц. к. характеризуется числом способных расти за счет жидкой фазы кристалликов, появляющихся в единице объема расплава за единицу времени. При этом возможно спонтанное возникновение ц. к. и зарождение их на твердых частичках нерастворимых примесей. Скорость роста определяется скоростью продвижения грани растущего кристалла и зависит от механизма роста, кристаллографического направления, градиента температур и концентраций, что существенным образом отражается на конечной структуре слитка. [c.55]

Кристаллизация стекла определяется скоростью образования центров кристаллизации и скоростью роста кристаллов. Оптимальная для кристаллизации область температур для стекол различных марок соответствует вязкости 10 —10 Па-с. Промышленные стекла характеризуются минимальной склонностью к кристаллизации в интервале выработки. Электровакуумные стекла, кроме того, должны не кристаллизоваться при обработке на газовой горелке и при спаивании. [c.188]

С-центры представляют лишь одну из ступеней в серии полос. Они служат начальной фазой при образовании -центров в результате освещения в / -полосе. Это совершенно определенно вытекает из того факта, что скорость образования -центров, [c.93]

В зависимости от соотношения скорости образования центров кристаллизации и роста кристаллов могут быть получены осадки с самой разнообразной структурой от гладких мелкокристаллических (например, осадки железа, никеля, кобальта — почти из любых электролитов или осадки меди, цинка и др.— из растворов комплексных солей) до иглообразных, дендритных (осадки свинца или серебра из растворов азотнокислых солей) или губчатых, порошкообразных (например, при лужении из щелочных растворов или золочении из растворов простых солей золота). Характер кристаллизации электро-осажденных металлов зависит как от свойств металла, так и от ряда внешних факторов, влияющих на поляризацию катода (температуры электролита, плотности тока, природы и концентрации электролита и других условий электроосаждения). [c.135]

В зависимости от соотношения скорости образования центров кристаллизации и роста кристаллов могут быть получены осадки с самой разнообразной структурой от гладких мелкокристаллических (например, осадки железа, никеля, кобальта — почти из любых электролитов или осадки меди, цинка и др. — из растворов комплексных солей) до иглообразных, ден- [c.168]

Рис. 7. Зависимость скорости роста кристаллов (СРК, кривая 1), скорости образования центров кристаллизации (СОЦ, Кривая 2) и вязкости (кривая 3) от переохлаждения расплава.

При дальнейшем повышении содержания углерода до 1,2 о (фиг. 124) петля кривых начала и конца преврашения сдвигается влево, т. е. уменьшается устойчивость аустенита. Это объясняется увеличением скорости образования центров кристаллизации за счет большего переохлаждения аустенита относительно точки Лз и выделения частиц цементита ниже точки Л . [c.187]

Из всех способов оксидирования стали наиболее полно исследовано химическое оксидирование в щелочных растворах. Взаимодействуя с горячей концентрированной щелочью, железо растворяется и образует закисные соединения. Введение в раствор окислителей изменяет ход процесса и приводит к образованию на металле окисной пленки. Она состоит в основном из магнитной окиси железа. Формирование пленки начинается с появления на металле ее кристаллических зародышей. [1]. Разрастаясь, они образуют сплошной слой окисла. По мере того как окисел покрывает металл, изолируя его от воздействия электролита, уменьшается скорость растворения железа и образования пленки. Скорость роста пленки и ее толщина зависят от соотношения скоростей образования центров кристаллизации и роста отдельных кристаллов. При большой скорости образования зародышей кристаллов количество их на поверхности металла быстро увеличивается — кристаллы смыкаются, образуя тонкую сплошную пленку. Если же скорость образования зародышей невелика, то до того, как они сомкнутся, увеличится высота каждого зародыша, и пленка достигнет большей толщины, чем в первом случае (фиг. 1). [c.6]

Кристаллизация стекла определяется скоростью образования центров кристаллизации и скоростью роста кристаллов. Оптимальная для кристаллизации область температур для стекол различных марок соответствует вязкости 102—10 Па-с. Промышленные стекла характеризуются минимальной склонностью [c.272]

Кристаллизация. Некоторые резины на основе каучуков НК, СКИ-3, наирит и других в области низких температур способны кристаллизоваться. Кристаллизация полимеров связана с перемещением и установлением взаимного порядка цепных молекул и зависит от комплекса релаксационных явлений. Температурная область кристаллизации лежит выше области стеклования. Кристаллическая фаза в каучуке может возникать как в недеформирован-ном состоянии, так и при деформации, когда резко возрастает скорость кристаллизации [66]. Степень кристаллизации существенно зависит от продолжительности воздействия низкой температуры. Скорость образования кристаллической фазы определяется скоростями образования центров кристаллизации и их роста. Вследствие этого имеется область температур, в которой скорость образования кристаллической фазы максимальна, так как при более высоких температурах число центров кристаллизации мало, а при более низких — мала скорость роста кристаллов вследствие уменьшения подвижности цепей. Нагревание закристаллизованной резины приводит к восстановлению ее аморфного состояния. [c.32]

Такая закономерность вполне объяснима, если рассматривать процесс кристаллизации с точки зрения сопоставления скоростей роста отдельных кристаллов и скоростей образования центров кристаллизации. [c.361]

Кристаллизация в стекле может происходить по-разному, в зависимости от соотношения скорости линейного роста кристаллов и скорости образования центров кристаллизации. [c.19]

Положительно заряженные ионы металлов, взаимодействуя с электронами, разряжаются на поверхности деталей, в результате чего образуются новые центры кристаллизации и происходит непрерывный рост кристаллов. В зависимости от соотношения между скоростью образования центров кристаллизации и скоростью роста кристаллов могут быть получены осадки самого разнообразного строения — от гладких мелкокристаллических (хром, никель и полу-18 [c.275]

Перейдя состояние насыщения, пар продолжает расширяться, следуя адиабате Пуассона, и становится пересыщенным (переохлажденным). Скорость образования центров конденсации чрезвычайно резко зависит от степени пересыщения. Поэтому при дальнейшем увеличении степени пересыщения число зародышей жидкой фазы быстро возрастает. Уже вскоре после прохождения состояния насыщения скорость конденсации достигает такой величины, что выделение скрытой теплоты останавливает рост пересыщения (если, конечно, расширение происходит не слишком быстро). [c.455]

При осаждении цинка ниже определенной плотности тока получаются не оплошные, а сетчатые осадки (большая скорость роста кристаллов по сравнению со скоростью образования центров кристаллизации), но по мере увеличения плотности тока приходится также и повышать соответственно кислотность и концентрацию электролита (фиг. 40). [c.96]

В. И. Данилов [4, 5, 7] и А. П. Капустин [6] проводили эксперименты с прозрачными органическими веществами и отмечали, что обработка переохлажденного расплава ультразвуком вызывает увеличение скорости образования центров кристаллизации. Влияние ультразвука на скорость зарождения центров кристаллизации оценивалось [9, 24] по изменению величины переохлаждения (порога метастабильности), необходимого для возникновения центров кристаллизации в прозрачных органических веществах. [c.445]

То, что в большинстве реакций, происходящих в растворах, в результате которых получается магнетит, образуются относительно большие кристаллиты этого окисла, а небольшое количество кристаллитов субмикроскопических размеров является признаком небольшой скорости образования центров кристаллизации. [c.416]

Рассчитаем скорость образования центров новой фазы в жидкой или газовой фазе в зависимости от переохлаждения или пересыщения. Скоростью образования центров новой фазы V ( м ) называется число стабильных частиц новой фазы, образующихся в единицу времени в единице объема старой фазы. [c.176]

Сначала найдем выражение для скорости образования центров новой фазы V в пересыщенном паре. Полагают, что скорость образования центров новой фазы в такой неравновесной системе равна средней скорости, с которой критические зародыши увеличивают свой размер. Предполагая, что концентрация критических зародышей равна мы получим [c.176]

Скорость образования центров кристаллизации аустенита зависит от измельченности частиц цементита в перлите и от формы этих частиц. В тонкопластинчатом перлите возникноветие центров кристаллизации аустенита идет гораздо быстрее, чем в крупнопластинчатом. При непрерывном нагреве уже небольшое превышение точки Ai (723° Q вызывает в мелкопластинчатом пфлите большое [c.181]

И. л. Миркин показал, что с увеличением размеров зерна скорость образования центров кристаллизации, а следовательно, и ск-орость превращения уменьшаются. Крупное зерно способствует также снижению температуры превращения, что также уменьшает скорость превращения, снижает критическую скорость закалки и вследствие этого увеличивает прокаливаемость стали. [c.72]

Рис. 4.4. Кривые линейной скоросгп роста н скорости образования центров, кристаллизации

Первое достигается увеличением числа центров графитизации в единице объема, т. е. повышением микроскопических дефектов в кристаллической структуре металла, а второе — интенсифика1ци ей процесса диффузии углерода. Все это достигается при СТЦО. Однако повышение скорости образования центров выделения грдфита и диффузии в него углерода обеспечивается методами холодной, и горячей дефсрмации, предварительной закалкой или искусственным старением. Но эта предварительная обработка малоэффективна и способствует получению в структуре пластинчатого (по законам скольжения) графита, что снижает прочность чугуна. Интенсификация графитизации повышением ее температуры сопровождается снижением числа центров графитизации и формированием крупных графитных включений, что также отрицательно сказывается на механических свойствах чугуна. Обычно в целях увеличения пластичности и ударной вязкости чугуна производят длительный (20—30 ч) графитизирующий отжиг до ферритно-перлитной или ферритной структуры. Такой процесс получил название томление . [c.136]

Обратимся теперь к результатам, имеющим весьма больщое значение для интерпретации различных центров поглощения. Скорость образования центров данного типа и их концентрация в равновесном состоянии зависит от интенсивности падающего света. Из этого факта следует, что между актом поглощения света и стабилизацией нового продукта реакции проходит время превращения т. Оценка порядка величины этого времени может быть произведена при помощи прерывистого освещения и измерения скоростей образования центров определенного типа в зависимости от частоты преры- [c.94]

Было экспериментально установлено, что характер кристаллизации переохлажденных вязких жидкостей определяется скоростью образования центров кристаллизации (СОЦ) и линейной скоростью -роста кристаллов (СРК). По мере охлаж-дения ниже температуры плавления (температуры ликвидуса) обе скоро- сти сначала возрастают, достигают V максимума и затем вновь снижают-стремясь к исчезающе малым отачениям [9] (рис. 7). При температуре появления хрупкости кри- осталлизация практически невозможна. [c.17]

Особенностями мартенситного превращения являются чрезвычайно высокая скорость образования центров кристаллизации и скорость роста кристаллов при невысоких температурах, ограниченный рост кристаллов и быстрое прекращение образования новых центров. Следовательно, кинетика мантенситного превращения резко отличается от кинетики перлитного и игольчато-трооститного превращения. Образовавшиеся почти мгновенно (фиг. 122, а) иглы не растут при выдержке в течение 240 час. (фиг. 122, б) и даже после 480 час. (фиг. 122, е). [c.185]

Влияние примесей может быть весьма разнообразным как по своему характеру и направлению, так и по интенсивности их действия, в зависимости от скорости образования центров кристаллизации и роста кристаллов, коэффициентов диффузии и ее направления, дефектов кристаллических решеток и процессов упорядочения решеток при напревании. [c.377]

Кристаллизация расплавленной стекломассы, расстекловы-вание , или зарухание , нарушают нормальные условия выработки стеклянных изделий и портит стекло. Способность стекломассы к кристаллизации зависит от скорости образования кристаллических зародышей Kv и от скорости роста зародышей в кристаллы Ке- Чем больше /Сц и /Сг и меньше разность температур, тем легче кристаллизуются стекла, так как скорость образования центров кристаллизации велика, и кристаллы растут интенсивно. [c.48]

Скорость образования центров выделения новой фазы, в переохлажденном растворе, как и в случае фазового превращения в чистом металле, определяется выражением (24). Однако если для чистого металла Q—это энергия активации яерехода атомов через границу раздела фаз, равная энергии активации самодиффузии, то в случае распада твердо го раствора Q представляет энер- гию активации диффузии наиболее медленно диффундирующего элемента. Такая диффузия необходима для образования центров выделения новой фазы, отличающейся по составу от 1матричного раствора. [c.201]

В соответствии с формулой (24) скорость Образования центров избыточной фазы в сплаве Со на рис. 112 лри увеличении степени переохлаждения ниже Го сначала долж1на воз растать из-за увеличения АГоб и соответствующего уменьшения работы образавания [c.201]

Условия К. кроме скорости v определяются еше и скоростью образования центров К., т. е. числом N центров К., образующихся за единицу времени в единице объема от этих центров начинается К. в жидкости и идет тем быстрее, чем больше N. Тамман показал, что зависимость N от Г (от переохлаждения dГ)определяется кривой, изображенной на фиг. Относительное расположение кривых viiN определяет все условия К. Так, если максимум N (а-кривая) лежит в области больших v, переохлаждения жидкости достигают с трудом наоборот, тело легко получазтся в переохлажденном (стекловидном, аморфном) состоянии, если максимум N ( -кр1шая) лежит в области более низких i°, где V весьма мала расстекловывание, т. е. К., в таких тел х (напр, в стеклах) происходит очень медленно из-за огромной вязкости. Если значения N велики, то тело кристаллизуется в агрегат весьма мелких кристаллов (у многих металлов). При малых N, К. распространяется из одного или немногих центров и образуется крупнокристаллических агрегат или монокристалл. [c.308]

Другое объяснение образования мелкокристаллических гладких осадков из растворов комплексных солей состоит в том, что значительная поляризация благоприятствует в большей степени образованию новых кристаллов, чем росту старых. Глэсстон считает это объяснение неудовлетворительным, утверждая, что в некоторых ваннах поляризация невысока. Однако в некоторых случаях указанный фактор обусловливает получение гладкого покрытия. Не следует, однако, считать, что гладкие осадки можно получить только из ванн, содержащих комплексные соли или коллоиды. Одюбер указывает, что для некоторых металлов (меди, висмута, сурьмы, цинка, железа, кобальта и никеля) скорость образования центров кристаллизации значительна, и при некоторых условиях хорошие осадки можно получить из растворов простых солей. В других случаях (серебро, свинец, олово и таллий) скорость образования центров кристаллизации мала сравнительно со скоростью роста кристаллов, и рост крупных и дендритных кристаллов неизбежен, если не применяются специальные электролиты. Причина контраста между гладким покрытием никеля и макрокристаллическим осадком серебра была указана на стр. 452. [c.670]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...