Рост кристалла непрерывный

Для получения нитевидных кристаллов в производственных условиях используются периодические, полунепрерывные и непрерывные процессы. В первых двух процессах рост кристаллов происходит на массивных стационарных или движущихся подложках, а в непрерывном процессе роль подложки играют взвешенные в объеме газового потока микроскопические центры кристаллизации. [c.40]

Диаметр кристаллита кремния в зависимости от условий получения изменяется от долей до десятков микрон. Длина кристаллитов достигает 60—80 мкм. В условиях производства для получения нитевидных кристаллов используют периодические, полунепрерывные и непрерывные процессы. В первых двух процессах рост кристаллов происходит на массивных стационарных подложках. В непрерывном процессе роль подложки выполняют взвешенные в объеме газового потока микроскопические центры кристаллизации. [c.271]

Отклонение от линейности на стадии затухания обусловлено началом процесса утолщения нитевидных кристаллов. Остановка аксиального роста усов может быть связана с выходом винтовой дислокации из кристалла, выходом вершины растущего уса из зоны оптимального пересыщения, отравлением вершины примесью и интенсивным процессом утолщения нитевидного кристалла. На третьей стадии скорость роста усов непрерывно снижается (от 10 до 100 раз) по сравнению со скоростью линейной стадии за счет возрастания радиуса кристалла. [c.355]

При описании эволюции синергетических систем необходимо учитывать, что все они состоят из большого числа подсистем. Это требует введения многих переменных q , q , 3,. .., q . Их называют переменными состояния [23]. При этом важно выделение уровней описания микроскопического (отдельные атомы, молекулы), мезоскопического (ансамбли атомов и молекул) и макроскопического (непрерывные протяженные области атомов и молекул). Соответственно при описании эволюции системы на мезоскопическом уровне переменные относятся к ансамблям атомов или молекул, а на макроскопическом — к непрерывно протяженным областям атомов и молекул. Так, для описания роста кристаллов с помощью эволюционных уравнений вводятся переменные двух типов q x, t) и q iix, t), где <7i относятся к плотности молекул в жидкости, а q — в твердой фазе. Описание временных изменений системы в пространстве приводит к нелинейному стохастическому уравнению в частных производных общего типа. [c.19]

Известно, что при непрерывной разливке стали в водоохлаждаемый медный кристаллизатор соблюдается лишь одно из обязательных условий направленной осевой кристаллизации жидкого металла — равенство скоростей поступления его в изложницу (кристаллизатор) и затвердевания. Но второе условие при этом не выполняется глубина металлической ванны очень велика. В результате слиток, полученный на установках непрерывной разливки, или, как его называют, непрерывная заготовка, имеет четко выраженную радиальную направленность роста кристаллов со всеми вытекающими отсюда последствиями. [c.398]

Кристаллизация металлов. Пространственные кристаллические решетки образуются в металле при переходе его из жидкого состояния в твердое. Этот процесс называется кристаллизацией. Превращения, связанные с кристаллизацией, в значительной степени определяют свойства металлов. Впервые процессы кристаллизации были изучены в 1878 г. Д. К. Черновым. Сущность кристаллизации состоит в следующем в жидком металле атомы непрерывно движутся, по мере понижения температуры движение замедляется, атомы сближаются и группируются в кристаллы, которые называют центрами кристаллизации. Далее к этим центрам присоединяются вновь образующиеся кристаллы. Одновременно появляются новые центры. Таким образом, кристаллизация состоит из двух стадий образования центров кристаллизации и роста кристаллов вокруг этих центров. [c.17]

Таким образом, для нормального роста кристалла с правильными гранями необходимо использовать тщательно очищенный электролит и во время электролиза непрерывно увеличивать силу тока соответственно растущей поверхности кристалла. При соблюдении этих условий без особого труда из концентрированных растворов азотнокислого серебра можно получить довольно крупные кристаллы серебра. [c.22]

В последней статье (№ 34) рассматривается фундаментальный вопрос о природе центров светочувствительности. Авторы показывают, что химическое созревание повышает активность уже имеющихся центров, но не создает их. Исходные центры возникают в процессе физического созревания, т. е. в процессе роста и формирования кристаллов. Это опять-таки подтверждает важную роль внутренних нарушений непрерывности решетки (смещений, плоскостей сдвига, трещин, границ зерен), возникающих при росте кристалла. Все эти взгляды были выдвинуты и доказаны значительно раньше (1946—1948 гг.) советскими исследователями [15]. [c.13]

Рнс. 61. Схематическое изображение соотношений между решеткой исходной (/) и новой //) фаз а — непрерывный переход одной решетки в другую при росте кристалла новой фазы (когерентная связь) 5 неупорядоченность на границе, приводящая к нарушению когерентной связи [c.118]

Задание трех указанных моментов времени во многом определяет специфику наращивания. Если исследуются процессы непрерывного бетонирования, обледенения, роста кристаллов и т.п., то г (х) = т.е. приращиваемые элементы загружаются [c.192]

В жидком состоянии атомы находятся в непрерывном движении. По мере понижения температуры подвижность атомов уменьшается, и в жидком металле появляются атомные группы, являющиеся центрами кристаллизации (зародышами) из которых начинается рост кристаллов. [c.27]

Направление роста кристаллов металла шва зависит также от интенсивности теплоотвода с поверхности сварочной ванны. При замедленном охлаждении поверхности ванны кристаллы растут в направлении этой поверхности и приобретают более изогнутую форму. Так, например, при сварке под флюсом отвод тепла с поверхности сварочной ванны менее интенсивен, чем при сварке открытой дугой при электрошлаковой сварке металлическая ванна испытывает непрерывный нагрев сверху, что наряду с равномерным теплоотводом по всему периметру шва (с боков и снизу) определяет радиально-осевое направление роста кристаллитов (рис. 38). [c.72]

Теория непрерывной кристаллизации разработана Г. Тамманом на основе исследований кристаллизации органических веществ при различных температурах. Г. Тамман установил, что при переохлаждении жидкого расплава в нем самопроизвольно зарождаются центры кристаллизации и начинается рост кристаллов. В связи с этим скорость кристаллизации определяется как числом центров (ч. ц.) кристаллизации, зарождающихся в единицу времени, так и линейной скоростью роста кристаллов (с. к.) в единицу времени. Соотношение этих величин определяет размер образующихся кристаллов. [c.267]

В жидком металле атомы находятся в состоянии непрерывного движения, и в их расположении нет такого порядка, как в твердом металле. При переходе металла из жидкого состояния в твердое происходит так называемый процесс кристаллизации. Схема этого процесса приведена на рис. 1.2. При определенной для данного металла или сплава, находящегося в жидком состоянии, температуре в нем возникают центры кристаллизации (рис. 1.2, а). По мере охлаждения появляются новые центры и происходит рост ранее возникших (рис. 1.2,6 и в). На этой стадии в жидком металле могут образоваться кристаллы правильной геометрической формы, так как их формированию не препятствуют соседние кристаллы. Перед полным затвердеванием свободный рост кристаллов прекращается, и их форма искажается в результате взаимного давления (рис. 1.2, г). Таким образом, в изломе застывшего металла будут видны кристал- [c.6]

Положительно заряженные ионы металлов, взаимодействуя с электронами, разряжаются на поверхности деталей, в результате чего образуются новые центры кристаллизации и происходит непрерывный рост кристаллов. В зависимости от соотношения между скоростью образования центров кристаллизации и скоростью роста кристаллов могут быть получены осадки самого разнообразного строения — от гладких мелкокристаллических (хром, никель и полу-18 [c.275]

При перемещении сварочной горелки ранее расплавленная сварочная ванна начинает охлаждаться. В ней происходит кристаллизация металла, заключающаяся в образовании центров кристаллизации и последующем росте кристаллов из этих центров. Кристаллизация происходит на задней стенке сварочной ванны аЬ (рис. 3). Центрами кристаллизации являются кристаллы основного металла, не подвергшиеся полному расплавлению. От них в направлении, обратном отводу теплоты, растут в глубь ванны кристаллы столбчатой формы (рис. 4). Процесс кристаллизации происходит не непрерывно рост столбчатых кристаллов то замедляется, то прекращается. Поэтому металл шва имеет столбчатое и слоистое (чешуйчатое) строения. [c.12]

Нужно подчеркнуть, что домены не эквивалентны таким кристаллическим образованиям решётки, как зёрна в поликристаллах. Повидимому, можно считать надёжно установленным, что разме-ры доменов, которые могут быть как больше, так и меньше размеров зёрен, определяются в первую очередь магнитным взаимодействием различных частей образца и изменением его внутренних напряжений. Кроме того, процесс намагничения может осуществляться при помощи более или менее непрерывного роста надлежащим образом ориентированных доменов так же, как происходит рост кристаллов из зародышей. [c.35]

Линейная скорость непрерывного роста кристаллов [c.47]

Поскольку эвтектики могут быть смесью твердых растворов, кристаллы которых растут совместно, то фронт кристаллизации при затвердевании эвтектик не может быть плоским. При этом если эвтектики пластинчатого и стержневого типа образуются в результате зарождения и роста кристаллов двух фаз, обладающих правильным расположением составляющих и общей поверхностью раздела с жидкой фазой, то процесс кристаллизации эвтектик глобулярного и игольчатого типа более сложен. Впереди фронта кристаллизации в них происходит непрерывное гетерогенное зарождение центров кристаллизации, что приводит к произвольной ориентировке частиц второй фазы по отношению к матрице. Структуру эвтектики в шве, образовавшейся в результате контактного плавления меди с серебром, можно видеть на рис. 63. [c.115]

Метастабильное аморфное состояние получают, как правило, закалкой из жидкого, сохраняя избыточный объем системы и характер распределения атомов, соответствующий непрерывной функции Ра. При машинном моделировании процесса аморфизации [77] в кристалл вводят несколько процентов вакансий, из-за чего возникают большие смещения атомов, превышающие критические значения, и получается систейа с типичной для аморфного состояния функцией распределения. Если минимум- в точке ра отнести к аморфной фазе, то при Т температура кристаллизации) возникает микрокристаллическое состояние, когда в аморфной фазе начинается рост кристаллов. Если Tg < Гдл, то аморфный материал вначале будет кристаллизоваться, а затем плавиться в кристаллическом состоянии. - [c.10]

Переходы между слоями плавные. Изменение ориентировки в процессе роста в результате конкурентного отбора происходит непрерывно. Интересной особенностью огранения монокристаллической трубы при нанесении на нее покрытия является сохранение огранки при росте поликристаллического покрытия. Полиэдрическая огранка поликристаллических фрагментов покрытия наблюдается и на плоских монокристалл1 ческих подложках (рис. 14). Совместный рост кристаллов покрытия происходит согласованно, в результате чего возникает, псевдоогранка фрагментов. [c.56]

Общие вопросы. Бенар и сотрудники [2—4] на примере железа и меди показали, что при значительном замедлении реакции поверхностного окисления при повышенной температуре путем уменьшения давления окисляющего газа вместо пленки окисла, непрерывно образующегося на поверхности металла, получается сколление зародышей окисла. Иными словами, при окислении металлов в условиях довольно низкого давления кислорода можно наблюдать процессы зарождения и роста кристаллов окисла. [c.130]

В результате чего по мере продвижезрия поверхности раздела в кристалле остаются пустоты. При больших скоростях кристаллизации образуются цепочки пузырьков, тогда как при медленном росте возникают длинные поры благодаря непрерывной подпитке индивидуальных пузырьков путем диффузии в слое, прилегающем к поверхности раздела. На фиг. 35 показаны поры, образовавшиеся при росте кристалла льда вследствие накопления кислорода. [c.206]

При обсуждении аналогичной проблемы перемещения поверхности раздела в случае роста кристалла из паров проводится различие между сингулярной и несингулярной поверхностями. Сингулярные поверхности соответствуют ориентациям, которым отвечают острые минимумы поверхностной свободной энергии в отсутствие дефектов эти поверхности являются атомногладкими, и обычно считается, что рост в направлении, перпендикулярном таким поверхностям, происходит с помощью ступенчатого механизма. В то же время несингулярные поверхности считаются. достаточно разупорядоченными [атомношероховатыми.— Ред.], так что рост может происходить непрерывно. Другой очень близкий подход к этой проблеме заключается в рассмотрении диффуз-ности границы раздела, т. е. степени разупорядоченности и протяженности переходной области между двумя фазами. Считается, что в случае размытой границы раздела рост может быть непрерывным, в случае же резкой границы для роста требуется наличие ступеней. [c.256]

На рис. 9 показаны пирамидообразные слои роста. Источником их служит маленькая плоская тригональная пирамида. Слой роста, представленный на рис. 10, образуется в концентрированном свинцово-нитратном электролите бе з добавки желатины. Он имеет псевдо-гексагональную форму. Остальные слои роста с параллельными краями достигают конца кристалла. При наличии многих центров роста слои непрерывно растут вместе. В этом случае возникают хорошо развитые кристаллические грани с плоскими блестящими поверхностями и острыми краями и углами. [c.30]

Из пересыщенного расплава кремнезема возникают центры кристаллизации стабильной модификации — тридимита, непрерывное образование и рост которых обеспечиваются непрерывным образованием и растворением метакристобалита на поверхности зерен кварца. От вязкости расплава зависит скорость диффузии и, следовательно, скорость растворения метакристобалита и рост кристаллов тридимита. [c.262]

Имея в системе выпарки пары различных Г, ими пользуются для обогревания аппаратов на других станциях завода (диффузия, сатурация, вакуум - аппараты) при этом соотношение поверхностей корпусов подобрано так, чтобы баланс был наивыгоднейшим. Конденсационные воды используются на питание паровых котлов, приготовление известкового молока и другие операции. Так как при высокой сахароза разлагается, то °кип. сахарных растворов не должна превышать 125—130°. Энергетич. х-во сахарного завода организуется по замкнутому циклу, т. е. весь необходимый пар для производства получается от паровых двигателей, обслуживающих з-д. Выделение кристаллич. сахара из сиропов, полученных на выпарке, производится при дальнейшем сгущении сиропов в вакуум-аппаратах. При выпаривании воды в сиропе образуется пересыщенный раствор сахара. Начало кристаллизации вызывается временным охлаждением сиропа или добавлением сахарной пудры. Рост кристаллов поддерживается дальнейшим выпариванием воды при периодич. добавлении сиропа. Степень пересыщения сиропа и ход кристаллизации определяются по изменению при различном вакууме в аппарате, а также по виду и вязкости массы, отбираемой из аппарата на стекло. Кроме того имеется ряд приборов (брасмоскопы, брасмометры), позволяющих непосредственно или по таблицам определять коэфициент пресыщения. Вакуум-аппарат (фиг. 13) отличается от выпарного аппарата только размерами и размещением поверхностей нагрева. Наряду с периодически действующими аппаратами применяют непрерывные вакуум-аппараты (фиг. 14). Отделение и осаждение крупных кристаллов в нижней части аппарата происходит на основании закона Стокса, по которому все мелкие кристаллы поддерживаются в верхней части аппарата движением паров испаренной в аппарате воды. Процесс уваривания считается законченным, когда содержание воды в массе понизится до 5—8%. Смесь кристаллов и маточного сиро- [c.77]

С начала охлаждения начинает кристаллизоваться металл ванны. Частично оплавленные зерна на границе с твердым основным металлом начинают расти в форме дендритов, причем ориентация роста кристаллов проходит по направлению наибольшего отвода тепла, т. е. совпадает с перпендикулярным направлением к наружной поверхности шва. Пачкообразные дендриты образуют непрерывную кристаллическую связь между свариваемым металлом и металлом ванны (рис. 77). Кристаллизация расплавленного металла начинается с момента удаления источника нагрева, когда преобладающим становится действие окружающих сварочную ванну холодных масс основного металла и воздушной среды. [c.113]

Анализируя процессы превращения при непрерывном охлаждении относительно мелкозернистого (при АДС и ЭЛС) и крупнозернистого (при ЭШС) аустенита, следует отметить следующие особенности механизма и кинетики его распада. В околошовном участке ЗТВ при снижении со 120 до 6 "С/с повышается устойчивость аустенита в области образования бейнита и мартенсита, снижаются температуры начала выделения доэвтектоидного феррита и бейнитного превращения. При длительности охлаждения 8oo-5oo > (характеристическая длительность до появления в структуре феррита) обособляется область образования видманштеттового феррита. Порядок реакции п и величина кажущейся энергии активации Q составляют соответственно 1,8 и 134,3 кДж/моль (АДС, ЭЛС) 1,1 и 107,9 кДж/моль (ЭШС стали 09Г2С). Уменьшается число центров кристаллизации, а скорость роста кристаллов увеличивается. При этом в сталях системы легирования Si—Мп отмечается увеличение в 1,4—1,9 раза размера действительного зерна феррита при совпадающих значениях параметра Tgno-soo- [c.97]

Геометрически правильная внешняя форма кристаллов, образующихся в природных или лабораторных условиях, натолкнула ученых еще в семнадцатом веке на мысль, что кристаллы образуются посредством регулярного повторения в пространстве одного и того же структурного элемента, так сказать, кирпичика (рис. 1.2). При росте кристалла в идеальных условиях форма его в течение всего роста остается неизменной, как если бы к растущему кристаллу непрерывно присоединялись бы элементарные кирпичики. Сейчас мы знаем, что такими элеменгар-ными кирпичиками являются атомы или группы атомов. Кристаллы состоят из атомных рядов, периодически повторяющихся в пространстве и образующих кристаллическую решетку. [c.17]

Таким образом, развитие в лунке слитка непрерывного литья кавитации меняет температурный режим жидкой ванны слитка, как, впрочем, и температурный режим любого затвердевающего тела (например, тела точной отливки, затвер тевающей в керамической форме), на более последовательный, приближая зону роста кристаллов к фронту кристаллизации и существенно сужая ее. [c.468]

Часть раствора непрерывно циркулирует между сатуратором и баком 3. Благодаря циркуляции и непрерывному перекачиванию пульпы из сатуратора в кристаллоприемник с возвратом маточного раствора в сатуратор в нем обеспечивается постоянный уровень жидкости и ее тщательное перемешивание. Поэтому кристаллы соли все время находятся во взвешенном состоянии, и рост кристаллов происходит равномерно во всей массе раствора. [c.197]

Изложенное объясняет, почему при выделении и растворении кристалла имеется стремление к образованию ровных кристаллических- граней но влияют и другие факторы, которые благоприятствуют менее простым формам. Рост кристалла из раствора может продолжаться только в том случае, если концентрация у поверхнос ги поддерживается немного выше величины насыщения необходимо непрерывное пополнение отлагающегося материала происходит ли это благодаря диффузии или конвекции, оно идет быстрее у углов, так что при росте вероятно углы удлиня1бтся, образуя длинные иглы (фиг. 72) в конце концов это ведет к дендритным формам. Если кристалл образуется при охлаждении расплавленного материала ниже его точки плавления, то кристаллизация может идти только в том случае, если теплота затвердевания отводится, и это. также может происходить предпочтительно у углов, снова благоприятствуя дендритному росту. [c.336]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...