Конденсатор моделирование

Ti, а другая нагревается по некоторому закону Ti (t), систему можно промоделировать схемой, показанной на рис. 54. Здесь теплоемкость жидкости моделируется конденсатором l- Если объем жидкости велик, то ее температура не будет повышаться. Промоделировать такое явление можно замыканием контура у задней поверхности стены так, как если бы температура этой поверхности была равна Т . Для моделирования температуры передней поверхности регулируется подводимое напряжение, закон изменения которого совпадает с законом (х). [c.109]

Напряжение подается на вход ждущего мультивибратора, собранного на двойном триоде. Ждущий мультивибратор имеет одно устойчивое и одно неустойчивое положение равновесия. При отсутствии сигнала на входе или в случае, если входное напряжение не достигло еще заданной величины, правый триод лампы заперт и по обмотке включенного в его анодную цепь высокочастотного реле не протекает ток. При достижении условия Х1 =Х1 + -Ь VI = Ха, где Хо — напряжение, соответствующее шагу скола т, мультивибратор резко переходит в неустойчивое состояние равновесия и остается в нем некоторое время определяемое параметрами его схемы. В течение этого времени по обмотке реле течет ток, что вызывает замыкание контактов Рд—1 (конденсатор С при этом разряжается) и одновременное отключение контакта Рд—2, что разрывает в схеме моделирования цепь, определяющую приращение усилий на струге. [c.308]

Первые работы Михаила Викторовича посвящены исследованию физических явлений в технических устройствах. Таковы, например, О сопротивлении водопроводных клапанов (1908), Исследование движения газов по дымоходам (1913), Опыты со струйным конденсатором (1914) и др. Начиная с двадцатых годов М. В. Кирпичев ведет систематические исследования процессов теплообмена в различных элементах энергетических установок с целью повышения эффективности их работы. Уже в первом исследовании в этом направлении О теплопередаче в паровых котлах (1924) содержатся идеи, развитие которых привело в дальнейшем к созданию теории и техники теплового моделирования. Первые итоги работы в этом направлении были проанализированы и обобщены М. В. Кирпичевым совместно с М. А. Михеевым в монографии Моделирование тепловых устройств , вышедшей в 1935 году. Эта прекрасная книга, к сожалению, не переиздавалась и уже давно стала библиографической редкостью. [c.5]

Указанным способом расчета следует пользоваться при проектировании больших конденсаторов, где может быть применено гидравлическое моделирование потока пара в пучке трубок, основанное на условии равенства отношений производительности стока воды через одну модельную трубку к общему количеству воды, поступающей в модель, и весового количества пара, сконденсированного на соответствующей трубке конденсатора, к общему количеству пара, поступающего в конденсатор. В этом случае пучок трубок гидравлической модели должен представлять собой поле стоков через трубки, омываемые потоком воды. Это даст возможность построить поле уровней воды в модели пучка, которое будет [c.65]

Емкостный метод, разработанный в МЭИ В. А. Головиным, основан на измерении изменений емкости поверхностного конденсатора при наличии на его электродах пленки. В этом случае образуется некоторое распределение плотностей силовых линий напряженности электрического поля между пленкой и паровой фазой. Большая плотность соответствует среде с большей диэлектрической проницаемостью (пленке). При росте толщины пленки все большее число силовых линий входит в пленку, увеличивая плотность поля, поэтому емкость датчика возрастает с увеличением толщины пленки. Расчет изменения емкости датчика в зависимости от толщины пленки довольно сложен, однако такую зависимость легко получить моделированием. В МЭИ применялись две основные схемы измерения емкостным методом. Электронная аппаратура (рис. 2.28,а), состоящая из высокочастотного измерительного генератора с частотой 12 МГц, с поверхностным емкостным датчиком и частотного детектора, позволила измерять толщины непрерывных пленок воды при 20 °С в диапазоне О—1,5 мм с точностью до 0,01 мм, причем линейный участок находился в диапазоне О—0,5 мм. [c.62]

Математическое моделирование и оптимизация ПТУ с поверхностными конденсаторами, работающих по освоенному регенеративному циклу Ренкина, при конкретно выбранном орга- [c.37]

Из этих уравнений следует, что реализация зависимости теплофизических характеристик от температуры при моделировании осуществляется только переменным сопротивлением электрической ячейки. При этом емкость конденсаторов модели остается постоянной. Следует иметь в виду, что в результате моделирования определяется не температура, а функция Пересчет результатов на искомую температуру производится по зависимости [c.330]

Вопрос б выборе величин емкостей при изготовлении электрической модели имеет очень важное значение. Увеличение емкости приводит к растягиванию процесса во времени на модели, и, наоборот, уменьшение емкости приводит к уменьшению времени переходного режима. Следовательно, в тех случаях, когда требуется замедлить реальный тепловой процесс при моделировании, необходимо увеличить емкость конденсаторов интегри-руюш,его контура. При изготовлении модели неизбежен [c.385]

Конденсаторы 200 КЦС-2 и 300 КЦС-1 имеют два независимых по водяной стороне корпуса. При моделировании их гидравлической части следует ограничиться воспроизведением только одного из этих корпусов. В приведенных выше расчетах величины расходов воды и воздуха даны для однокорпусных моделей этих конденсаторов. [c.65]

Впервые электрическую модель для исследования потенциального поля применил Кирхгоф в 1845 г. [320], исследуя поле плоского конденсатора на модели из медной фольги. Максвелл [328] предложил изображать действительную и мнимую части комплексного переменного с помощью распределения потенциала и тока на плоскости листа из однородного токопроводящего материала. Электролиты для моделирования впервые, по-видимому, применены в работах [300] и [331]. Сведения о решении уравнения Лапласа с помощью электролитической модели содержатся также в работе [310]. [c.20]

Полученная система уравнений (11,22—11,27) является замкнутой системой дифференциальных уравнений относительно переменных P,t", г, я h, описывающих процессы в конденсаторах смешения. Эта система может быть использована для математического моделирования процессов в конденсаторе смешения с применением аналоговой техники, а также для алгоритмизации расчетов конденсаторов смешения на цифровых вычислительных машинах. [c.55]

При математическом моделировании различных объектов, работающих совместно с конденсаторами смешения, удобно в качестве уравнения динамики последнего использовать [c.57]

Точность метода зависит от размера ячейки и в большей степени от формы границ и граничных условий. Естественно, чем больше элементов в цепи (чем меньше размер ячейки для данной задачи), тем точнее аппроксимация непрерывной задачи. На границах, однако, ситуация более критична по двум причинам. Мы уже знакомы с первой причиной границы цепи действуют как отображающие поверхности, которые можно использовать при наличии симметрии, но для открытых систем это серьезный возмущающий фактор. Изменяя значение сопротивлений, можно сконструировать специальные сетки с квази-бесконечными границами [99J, Вторая причина связана с дискретным характером метода. Легко смоделировать прямолинейные границы, однако в случае криволинейных границ, не проходящих точно через узлы, возникают проблемы. В результате распределение потенциала плоского конденсатора может быть моделировано с относительной погрешностью лучше чем 0,1%, но погрешность для цилиндрического конденсатора может достигать 4% [100]. (Конечно, цилиндрический конденсатор можно моделировать с очень высокой точностью, используя цепь для цилиндрических координат, описанную ниже.) Можно аппроксимировать криволинейные границы, опуская некоторые узлы и используя только те, которые очень близки к границе, но тогда возникает дополнительная ошибка из-за проникновения поля через промежутки, созданные опущенными узлами. Более удачный подход заключается в использовании многоэлементной резисторной сетки и аппроксимации искривленных границ плоскими поверхностями, соединяющими узлы, наиболее близко расположенные к контуру электрода. Очевидно, что ошибки максимальны в окрестности резких краев и электродов с малым радиусом кривизны. Если требуется очень высокая точность для моделирования электродов, не совпадающих с узлами, можно ввести специально подобранные шунтирующие сопротивления [101]. Пространственный заряд также можно учесть, инжектируя токи в резисторные узлы. [c.136]

Формы представления моделей элементов схем. При моделировании компонентами электронной схемы являются резистор, конденсатор, катушка индуктивности, отдельный электронный прибор в дискретном или интегральном исполнении, источник тока или напряжения и т. п. Элементом электронной схемы может быть как компонент, так и типовой фрагмент схемы (вентиль, триггер и т. п.). Математическая модель электронной схемы при анализе на ЭВМ — система обыкновенных дифференциальных уравнений, связывающая токи и напряжения в различных компонентах схемы. Математическая модель схемы, полученная непосредственным объединением моделей компонентов в общую систему уравнений на основе топологических уравнений, называется полной моделью схемы. Математическая модель схемы, являющаяся более простой по затратам времени и памяти ЭВМ на ее реализацию, чем полная модель, называется макромоделью схемы. Типовые фрагменты схемы (функциональные узлы) состоят из отдельных компонентов, поэтому модели таких фрагментов в составе сложных электронных схем являются макромоделями. Следовательно, можно выделить два основных типа моделей элементов электронных схем модели компонентов и макромодели функциональных узлов. [c.128]

Фильтры низких частот возникли на основе четырехполюсников, предназначенных для моделирования длинных нагруженных кабельных линий. Заменив распределенную индуктивность кабеля и нагрузки, а также омическое сопротивление кабеля и нагрузки последовательно включенными катушками индуктивности и сопротивлениями, а распределенную емкость кабеля и утечку изоляции кабеля параллельно включенными конденсаторами и сопротивле- [c.399]

Непременным условием для успешного освоения материала, изложенного в пяти уроках первой части, является наличие знаний об основных характеристиках резисторов, конденсаторов и катушек в цепях постоянного и переменного тока. Это необходимо для того, чтобы вы могли оценить правильность результатов, полученных при моделировании, убедиться в том, что программа работает точно, и раз и навсегда довериться ее расчетам. [c.18]

Рис. 4.13. Диаграмма общего напряжения и напряжения на конденсаторе с шириной шага при моделировании 4 мкс

Повторите моделирование этой схемы со старой предварительной установкой анализа, то есть с линейным распределением расчетных точек (см. рис. 5.2). Посмотрите внимательно на диаграмму частотной характеристики напряжения на конденсаторе при логарифмическом масштабировании оси частоты (см. рис. 5.8.) и вы увидите, что даже эта диаграмма в области низких частот слегка угловата. [c.95]

Рецепт 8. Моделирование температурных характеристик резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности [c.153]

Анализ шумов позволяет измерять шумовые характеристики схемы путем определения шумов резисторов и полупроводниковых устройств. Программа моделирования строит кривую спектральной плотности шума, на которой шум измеряется в В /Гц. Конденсаторы, катушки индуктивности и управляемые источники постоянного напряжения считаются идеальными, не вносящими дополнительных шумов в схему. Программа моделирования позволяет проводить следующие измерения шумовых характеристик. [c.204]

Кроме стандартных конденсаторов, программа моделирования поддерживает также полупроводниковые конденсаторы. Они позволяют промоделировать емкость как [c.232]

Большое количество лабораторных работ по определению коэффициента теплоотдачи от пара к металлу при конденсации пара из паро-воздушной смеси с различным количеством воздуха, а также данные о неравномерном и хаотическом движении паро-воздушной смеси в конденсаторе дали возможность А. А. Промыслову и Г. Ф. Камневу разработать способ позонного расчета конденсатора, основанный на гидравлическом моделировании потока пара в пучке трубок. [c.64]

В настоящей главе излагаются методы теплогидравлического расчета, математического моделирования и оптимизации поверхностных конденсаторов с водяным охлаждением. Так же, как и при рассмотрении регенераторов, для оптимизации режимноконструктивных параметров конденсаторов в рамках общей задачи оптимизации ПТУ используется критерий минимума суммарной площади наружных поверхностей труб трубного пучка л- [c.150]

Если отклонения от равновесного состояния небольшие, т. е. влияние концентрации и уровня на коэффициент теплопередачи незначительно, уравнения для этих параметров можно рассматривать отдельно от уравнений для температурного режима и осуш е-ствить моделирование концентраций и уровней независимо от моделирования температурного режима. При этом изменения концентраций и уровней в аппаратах моделируются при возмуш,ении квнцентрацией раствора на входе в установку, а также расходами раствора при постоянном температурном режиме установки, а изменения температурного режима и расхода вторичного пара моделируются при возмуш ениях расходом и параметрами греющего пара, вакуумом в конденсаторе, толщиной слоя накипи и другими способами. [c.102]

Определение краевой и паразитной емкости, а также начального расстояния между электродами бесконтактной емкостной ячейки основано на том, что, согласно полуэмпирическим формулам Гуттен-берга [4], дающим лучшее совпадение с экспериментом при моделировании конденсатора в электролитической ванне, чем формулы Кирхгоффа [5], емкость края плоско-параллельного конденсатора с дисковыми электродами практически не зависит от расстояния между ними при пренебрежимой толщине электрода. [c.25]

После этого краткого экскурса пора приступать к созданию диаграммы на основе данных о напряжении на конденсаторе и общем напряжении, полученных при моделировании электросхемы последовательного включения с резистивно-емкостной связью. И вот здесь вы сможете похвалить себя за то, что внимательно изучили раздел урока 2 о выходном файле PSPI E и разбираетесь в именах, присвоенных программой PSPI E токам и напряжениям, ведь именно под этими именами они и находятся в списке диаграмм. Теперь вы сразу сможете определить, как здесь называются диаграммы общего напряжения и потенциала на верхнем выводе конденсатора имя V(U1 +) обозначает общее напряжение, а (С 1 2) - напряжение на выводе 2, то есть на верхнем конце конденсатора С1. [c.75]

Запустите процесс моделирования, а затем создайте в PROBE диаграмму частотной характеристики напряжения конденсатора V( 1 2) с линейным масштабированием координатной оси У и логарифмическим масштабированием координатной оси X (рис. 5.8). [c.91]

Запустите процесс моделирования с новыми установками и затем выведите на экран PROBE диаграмму напряжения на конденсаторе V( 1 2) - см. рис. 5.14. [c.94]

Взглянув на рис. 10.3, вы можете заметить, каким интересным качеством обладает PSPI E при одновременном моделировании аналоговых (резисторы, конденсаторы, транзисторы, источники напряжения аналогового сигнала и т.п.) и цифровых (логические элементы) компонентов. В тех местах, где узловые пункты связывают исключительно цифровые компоненты, моделирование выявляет цифровые состояния (1 или 0). Там, где на узле находится хотя бы один аналоговый компонент, выдаются значения напряжения. Видно, что напряжение на выходе логического элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ (X-OR) как раз немногим выше двух вольт. Значит, этот резистор может быть подключен напрямую, то есть без дополнительных формирователей. [c.218]

Механизм моделирования программы SPI E имеет встроенные модели для следующих типов аналоговых компонентов резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, катушек трансформаторов с индуктивной связью, независимых и управляемых источников напряжения и тока, линий передачи с потерями и без таковых, переключателей, равномерно распределенных R линий, а также для пяти наиболее часто [c.231]

При моделировании механической системы схема замещения упругого элемента, не имеющего массы, представляет собой четырехполюсник, содержащий один конденсатор С по первой системе аналогий или один элемент самоиндукции Ь по второй системе аналогий. Сосредоточенная масса, наоборот, замещается индуктивностью по первой системе аналогий и емкостью по второй. Модели элемента трения — это четырехполюсники, содержащие омические сопротивления Я или проводимости Рычаг или редуктор представлен четырехполюсником в виде трансформатора. Коэффициент трансформации соответсгвует передаточному числу редуктора или рычага. [c.290]

Коэффициент восстановления скорости устанавливается делителем а. Релейная схе.ма с компаратором и четырьмя гр>нпами контактов в момент удара (л = 0) взаимозаменяет конденсаторы С) и Сг, причем С1 = Сг. Последовательно с емкостью включено небольшое сопротивление г, которое способствует уменьшению зарядного тока и влияния неодновременности срабатывания контактов реле 6.6.22. Моделирование задач кинематики механизмов. [c.324]

Проведите моделирование, изменяя величину емкости конденсатора или сопротивления резистора в 2 раза в ббльшую и в меньшую стороны от первоначального значения. По результатам моделирования оцените степень изменения граничной частоты цепи. [c.354]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...