Дырок природа

Донор нейтральный, сечение фотоионизации 16.6 Дырок природа 18.0, 18.11 [c.633]

Очевидно, что конкретный механизм рассеяния электронов играет для термоэлектричества важную роль. Можно, например, предположить, что электроны, имеющие большую скорость, должны рассеиваться атомами решетки под меньшими углами, чем электроны с меньшей скоростью. Другими словами, средняя длина свободного пробега электронов будет зависеть от их кинетической энергии. Это верно в целом, но конкретная взаимосвязь длины пробега и энергии сложна и сильно зависит от электронной структуры решетки. Сложность связи между длиной пробега и энергией электронов не дает возможности получить количественное описание термоэлектричества, хотя качественно картина явления проста. Другими словами, наших сведений о поверхности Ферми реального металла недостаточно для вычисления термо-э.д.с. Следует отметить, что для полупроводников ситуация проще, поскольку число электронов и дырок, участвующих в процессе проводимости, значительно меньше. В этом случае модель электронного газа, в которой частицы подчиняются статистике Максвелла — Больцмана, лучше отражает истинную природу явления. [c.268]

При приложении к диэлектрику электрического поля свободные носители начинают ускоряться и таким образом возникает электропроводность. В соответствии с природой носителей заряда (электроны или дырки) рассмотренный механизм - электропроводности называют в общем случае электронным. Очевидно, что вследствие низкой концентрации электронов (дырок) электропроводность диэлектриков незначительна. Для различных веществ она колеблется от 10- ° до Ом -см . Необходимо отметить, [c.272]

Время жизни относительно рекомбинации неравновесных электронов проводимости и дырок в зависимости от природы полупроводника колеблется в пределах 10" —10 с. Время же взаимодействия их с колебаниями кристаллической решетки с таким образом, неравно- [c.60]

Когда к р—я-переходу приложено обратное напряжение (рис. 5, а), высота потенц. барьера на границе р—я-пере-хода повышается. При этом ни дырки из коллектора в базу, ни электроны из базы в коллектор переходить не могут. Через коллекторный переход течёт относительно небольшой ток, складывающийся из двух компонентов. Первый компонент—ток электронов и дырок, возникающих вследствие теплового возбуждения в области объёмного заряда коллекторного перехода. Природа второго компонента представляет с точки зрения принципа работы Т. б. наибольший интерес. Электрич. поле, существующее внутри р—л-перехода, направлено так, что электрон, попавший [c.156]

Таким образом, инжекция электронов и дырок с металлических электродов в диэлектрик приводит к сложным нелинейным зависимостям электронного тока 01 электрического поля. Исследования токов, ограниченных пространственным зарядом, позволяют получить важные данные о природе дефектов кристаллической структуры диэлектриков и полупроводников. В тонких пленках нелинейная проводимость, обусловленная инжекцией, возникает при низких напряжениях, что применяется в технических приборах современной электроники. [c.51]

Исследование природы проводимости карбидов переходных металлов привело к выводу о значительном вкладе в нее электронной составляющей [16]. Вклад электронной и дырочной составляющей проводимости может быть охарактеризован величиной 6 = п-и- —п+и+ , где п , п+ — концентрации и U-, и+ — подвижности соответственно электронов и дырок. Положительные значения б свидетельствуют о преимущественно электронной проводимости, а отрицательные — дырочной. Рассмотрение величин б, приведенных в табл. 1, показывает, что при переходе от металлов IV группы к металлам VI группы доля дырочной проводимости в самих металлах возрастает. Возрастает она и у соответствующих карбидов, хотя преимущественно электронный характер проводимости сохраняется (кроме W ). При этом интересно отметить, что несмотря на несколько более высокое удельное сопротивление карбидов, доля электронной проводимости у них выше, чем у соответствующих металлов. Это объясняется большей подвижностью электронов в карбидах [16]. [c.11]

Процесс затухающей ползучести, помимо внешней своей стороны— увеличения деформации с течением времени, имеет также внутреннюю скрытую сторону одновременно с деформированием происходит перераспределение усилий и переключение их с податливых связей на жесткие. Этот процесс является затухающим, потому что количество загруженных податливых связей уменьшается в результате перескока сегментов молекул в новые положения равновесия и выключения податливых связей из восприятия внешнего усилия. Физическая природа податливых связей ясна из предыдущего. Это те силы взаимодействия между молекулами, которые возникают в результате соударений сегментов, вызываемых тепловыми колебаниями на участках дырок , т. е. в местах более рыхлого расположения молекул, где происходит их относительное перемещение. Силы взаимодействия такого рода получили название сил внутреннего трения. [c.36]

В идеальном случае (когда отсутствуют посторонние примеси в кристалле полупроводника) число свободных электронов равно числу дырок и в проводимости электроны и положительные заряды (дырки) участвуют в равных количествах. Такую проводимость называют собственной проводимостью. Введением примесей различных элементов можно создать такие условия, когда число электронов не равно числу дырок. В этом случае (в зависимости от природы введенной примеси) электропроводность преимущественно будет обуслов- [c.375]

Поскольку ширина запрещенной зоны у диэлектриков большая (см. рис. 3.7), то при комнатной и более низких температурах электроны практически не попадают из валентной зоны в зону проводимости. Концентрация свободных носителей в диэлектрике исключительно мала и собственная проводимость ничтожна. Поэтому электронная проводимость (при участии как электронов, так и дырок, учитывая их природу) в диэлектрике может возникнуть лишь при наличии примеси донорного или акцепторного типа, создающей разрешенные примесные уровни в запрещенной зОне. В связи с этим для электроизоляционных материалов так важна химическая чистота. Для различных диэлектриков электронная проводимость колеблется от 10 ° до 10 (Ом см) . Она возникает в диэлектриках не только за счет теплового воздействия, но и при облучении светом с соответствующей длиной волны, быстрыми частицами, при приложении сильных электрических полей. [c.251]

ЛОВУШКИ (в полупроводниках) — нарушения периодичности решетки полупроводникового кристалла, на к-рых возможна локализация ( захват ) электронов из зоны проводимости или дырок из валентной зопы (см. Зонная теория). Л. могут быть различные по своей физической природе образования — чужеродные [c.6]

Тот или иной характер Л. определяется положением ее энергетич. уровня (или уровней, если Л. многозарядная), эффективными сечениями захвата электрона и дырки, а также концентрациями электронов и дырок в зонах, т. е. положением уровня или квазиуровней Ферми. В зависимости от природы нарушения структуры, положения уровней, зарядового состояния, а также характера изучаемого явления (фотопроводимость, люминесценция и др.) Л. может быть донором или акцептором, центром прилипания или центром рекомбинации, активатором или тушителем (см. Люминесценция) излучения и др. [c.6]

Когерентные состояния экситон-фотонной системы с учетом фермиевской природы электронов и дырок, образующих экситон, были рассмотрены Келдышем [270]. В частности, им рассмотрен и случай неоднородного распределения экситонов в кристалле. Москаленко с сотрудниками [271] показали, что в некоторых случаях неоднородное распределение дипольно-активных экситонов и фотонов приводит к образованию квантовых вихрей. [c.327]

Незанятые электронами (вакантные) состояния в разрешенной зоне обычно называют дырочными состояниями (дырочными орбиталями). Наиболее нагляден случай, когда вблизи потолка разрешенной энергетической зоны имеется одно вакантное состояние (а все остальные заняты) такая ситуация возникает чаще в полупроводниках, чем в металлах. Понятие дырочной орбиты также относится к числу хорошо определенных, даже если в зоне число вакантных состояний (орбиталей) превышает число занятых, хотя топологическая природа той или иной конкретной орбиты мол ет зависеть от направления внешнего магнитного поля. Свойства самих дырок устанавливаются из более сложных соображений. [c.343]

Для любого полупроводника (независимо от природы проводимости в нем), в котором в результате некоторого отклонения от равновесия возникло избыточное число электронов и дырок, произведение пр может быть записано в виде [c.404]

Исследование характеристик захваченных носителей такого типа началось только сейчас [2.47]. С одной стороны, известно, что эффективность захвата дырок при комнатной температуре (от 10 и 20%) намного выше эффективности захвата электронов (она не выше 10 ). Сечение захвата дырок по порядку величины равно 10 см , а плотность насыщения захваченных дырок 10 - 10 см" . Дырки локализуются вблизи границы раздела 8102 - 81. С другой стороны, захваченные электроны распределены во всем окисле. Существует несколько типов электронных ловушек с сечениями захвата, изменяющимися от 10 до 10 см . В настоящее время неизвестна природа зависимости параметров захвата как дырок (не радиационного происхождения), так и электронов от условий проведения технологических процессов. В настоящее время эта зависимость исследуется, поскольку возможность создать СБИС с субмикронными размерами элементов во многом зависит от минимизации рассматриваемых эффектов захвата зарядов. [c.70]

Ср. продолжительность жизни квазичастиц в тв. теле и в жидком гелии, в частности неравновесных эл-нов проводимости и дырок в полупроводниках, определяемая процессами рекомбинации электронов и дырок. Она зависит от природы кристалла, от темп-ры, хар-ра и концентрации примесей и колеблется в пределах 10 — 10- с. [c.92]

Способность легко перемещаться внутри кристалла без к.-л. его нарушений является одной из интересных особенностей ЭДК, отличающей их от любых др. макроскопич образований и демонстрирующей их квантовую природу С этой особенностью связаны мн. свойства Э.-д. ж. Высо кая подвижность ЭДК наиб, наглядно была продемонст рирована в экспериментах с неоднородно деформирован ными кристаллами Ge. Ширина запрещённой зоны и следовательно, энергия покоящейся ЭДП) зависит от де формации, поэтому в неоднородно деформированных крис таллах энергия каждой ЭДП различна в разных точках Это эквивалентно наличию нек-рой потенц. энергии, про порциональной локальной деформации, или сил, пропор циональных градиенту деформации. При сравнительно не высоких одноосных неоднородных деформациях удаётся наблюдать перемещение ЭДК на расстояние до 10 м со скоростями, приближающимися к скорости звука в кристалле. В то же время при тех же условиях дрейф отдельных ЭДП и экситонов практически отсутствует. Высокая подвижность объясняется ещё одной удивительной особенностью капель Э.-д. ж. При своём движении макроскопич. ЭДК обладают очень малым трением о кристаллич. рещётку. Взаимодействие с колебаниями решётки сопряжено с изменением энергии электрона, а поскольку электроны и дырки в ЭДК вырождены, то в процессе рассеяния на фононах из общего числа носителей может участвовать лишь небольшая часть электронов и дырок, энергия к-рых близка к энергии Ферми. [c.558]

На третьем этапе зависимости Igj от Igr ток опять длительное время (десятки часов) почти не изменяется. Но свойства диэлектрика за счет происходящих в нем электрохимических процессов в этом случае изменяются необратимо. В результате наступает последний — четвертый этап, характеризующийся новым скачком тока и пробоем диэлектрика. Проследив начало этого этапа, можно своевременно выключить напряжение и предотвратить пробой. Однако получить полную регенерацию свойств диэлектрика (как после второго этапа) уже не удается. Предполагают, что на третьем этапе старения устанавливается равновесная концентрация доноров, зависящая от температуры и величины электрического поля. Ток остается постоянным, но происходят электрохимические процессы (возможно, в приэлектродиых областях), которые подготавливают иижек-цию дырок и электронов. Четвертый этап, завершающийся пробоем, характеризуется резким возрастанием электронного тока. Предполагается, что этот ток. имеет инжекционную природу (см. 2.2). [c.58]

Последний факт может показаться наиболее убедительным подтверждением гипотезы о дырочной природе Л -центров, так как при аддитивном окрашивании фосфора положительных дырок, естественно, не образуется. Но, как известно и в чистых аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах М-центры, являющиеся аналогами Л -центров, также не появляются либо образуются в незначительных концентрациях [57, 59, 60]. Кроме того, из приведенных в статье Этцеля и Шульмана кривых поглощения аддитивно окрашенных КС1 — Ag вовсе не следует, что Л -центры совсем не образуются при этом способе окрашивания. Дело в том, что А-полоса является в аддитивно окрашенных фосфорах КС1—Ag весьма интенсивной и в ее максимуме коэффициент поглощения достигает значения порядка 70 см . Интенсивность же Л -полосы относительно мала, но это различие чисто количественное. Кривые рис. 6, полученные Этцелем и Шульманом для аддитивно окрашенных фосфоров, мало отличаются от кривых рис. 7 той же работы, полученных на фосфорах, которые были окрашены рентгеновыми лучами. [c.174]

Серебро в pa tBope щелочи представляет хороший пример фазовой пассивности, т. е. пассивации за счет образования фазовых окислов. Рассмотрим природу фазовой пассивности, исходя из результатов измерения фэп. Из рис. 3 можно видеть, что при достижении потенциала 0,14 в, отвечающего началу пассивации (т. е потенциала, при котором становится заметным отклонение от зависимости Тафеля), положительная фэп уменьшается. Согласно уравнению (10), это означает, что торможение процесса окисления серебра до AgjO связано с переходом закиси серебра к состоянию стехиометрического равновесия в результате либо уменьшения концентрации катионных вакансий, либо увеличения концентрации анионных. При этом уменьшается концентрация электронных дырок в окисле по уравнению (11) в первом случае или благодаря эффекту акцепторно-донорной компенсации окисла — во втором. Резкий переход в пассивное состояние наблюдается вблизи потенциала инверсии (0,18—0,2 в). Последующее пассивное состояние, которому отвечают малые значения фэп (окисел находится в состоянии акцепторно-донорной компенсации), сохраняется до равновесного потенциала системы AgaO/AgO (0,35 в), когда начинается формирование AgO. При этом, как уже говорилось выше, наблюдается самопроизвольный рост отрицательной фэп. Сопротивление, измеренное на переменном токе, возрастало на участке пассивации и уменьшалось по достижении потенциала 0,35 в. [c.45]

Предположения, высказанные Маруяма и Матсуда относительно природы других полос поглощения у-болученного рубина (полоса с максимумом при 220 нм вызвана/ -центрами, а полосы 280 и 370 нм — захватом дырок ионами кислорода), не являются, на наш взгляд, полностью доказанными. [c.182]

На этих диаграммах ие учитывается статистическая природа процесса иоиизации. Дрейфовые скорости предполагаются постоянными, причем скорость электронов вдвое больше скорости дырок. Это видно по наклону линий на диаграммах [c.339]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...