Антимониды

Антимонид индия, 43т Банан [c.153]

Таблица 25.16. Свойства фотокатодов на основе антимонидов щелочных металлов [15, 16, 40, 41]

Рис.. 25.15. Спектральные характеристики квантового выхода ФЭ для фотокатодов на основе антимонидов щелочных металлов

Галлия антимонид + Лития танталат + — — [c.884]

Химически чистые полупроводники называются собственными полупроводниками. К ним относится ряд химически чистых элементов кремний, германий, селен, теллур и др., а также многие химические соединения арсенид галлия, антимонид индия, арсе-нид индия и др. На рис. 5.6, а показана упрощенная схема зонной структуры собственного полупроводника. При абсолютном нуле валентная зона у него укомплектована полностью, зона проводимости, расположенная над валентной зоной на расстоянии Eg, является пустой. Поэтому при абсолютном нуле собственный полупроводник, как и диэлектрик, обладает нулевой проводимостью. [c.154]

При питании X. д. от источника напряжения V эдс Холла где ц — подвижность осн. носителей заряда. Коэф. использования X. д. = где —мощность, потребляемая входной цепью, Р —мощность, выделяемая во внеш. нагрузке поэтому для создания X. д. необходимо использовать полупроводники с высокой подвижностью носителей заряда. К таким материалам относятся германий, арсенид галлия, антимонид индия. [c.414]

Арсенид индия — антимонид индия [58] [c.233]

Антимонид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов и других целей (ТУ 48-4-464—85, ОКП 17 7591), выпускается в виде нелегированных и легированных теллуром или кремнием монокристаллических слитков, выращенных по методу Чохральского. Длина и диаметр слитков не менее 20 мм. Плотность [c.579]

Из формулы (9.12) видно, что в случае прямых переходов не должно быть поглощения фотонов с энергией меньше Eg. Поэтому край собственного роглощения должен быть очень резким. Действительно это имеет место, например, у очень чистых монокристаллов антимонида индия. [c.309]

Оптические свойства. Исследование оптических свойств кристаллических полупроводников дает обширную информацию об их зонной структуре. Данные об энергетическом спектре аморфных полупроводников также могут быть получены из оптических измерений. Первостепенная роль отводится при этом измерениям спектров поглощения. Спектры поглощения аморфных полупроводников удобно сравнить со спектром тех же материалов в кристаллическом состоянии. Это можно сделать в случаях германия, кремния, соединений селена и теллура. На рис. 11.14 в качестве примера приведен край спектра оптического поглощения аморфного кремния, который сравнивается с соответствующим спектром кристаллического кремния. Аналогичные данные получены для аморфного германия, арсенида и антимонида индия и некоторых других полупроводников. [c.367]

Кеезом и Пирлман (неопубликованные данные) провели измерения молярной теплоемкости антимонида индия в интервалах температур от 1 до 20° К, причем величина Н,, оказалась равной 200° К. Это вещество также имеет решетку типа алмаза, постоянная которой почти совпадает с постоянной решетки серого олова (6,45 и 6,46 А соответственно) кроме того, массы атомов индия, сурьмы и олова довольно близки. Если предположить, что величина о для серого олова также равна 200° К, то зависимости 9/в(, от Т/во для [c.348]

Фотокатоды, чувствительные в видимой области спектра, представляют собой антимониды щелочных ме таллов. Некоторые из них ( sNajKSb) чувствительны и в ближней инфракрасной области спектра, вплоть до Х=850- -900 нм. До последнего времени единственным фотокатодом в области =900- 1100 нм был Ag —О — [c.576]

Установлены также сверхпроводящие свойства у некоторых полупроводников (например, антимонида цндия InSb), серы, ксенона и пр. В то же время для многих проводниковых материалов, таких, как серебро, медь, золото, платина и др., даже при очень низких температурах достичь сверхпроводящего состояния пока не удалось. Некоторые из сверхпроводниковых материалов, представляющих практический интерес, представлены в табл. 4.2. [c.123]

Наиболее исследованными и технологически не очень сложными из них являются фосфиды, арсенилы н антимониды, Серьезное практическое значение в настоящее время приобрели арсенид и фосфид галлия и антимонид индия. Основной метод получения соединений А В — непосредственное взаимодействие компонентов в вакууме или в атмосфере инертного газа. В свойствах соединений В (табл. 8-4) наблюдаются некоторые закономерности, которые показаны на рис. 8-27. [c.261]

Температура плавления соединений А" понижается с ростом суммарного атомного номера и атомных масс, входящих в соединение элементов. Точки плавления лежат выше соответствующих температур плавления элементов, из которых состоит соединение, за исключением антимонида индия, температура плавления которого (536 °С) лежит между температурой плавления сурьмы (630 °С) и индия (156 °С). С увеличением атомной массы н суммарного атомного номера соединений уменьшается ширина запреш,еиной зоны, так как происходит размывание электронных облаков ковалентных связей и они все белее приближаются к металлическим. Скачкообразный переход к металлической связи наблюдается у сплавов индия с висмутом, галлня с сурьмой и т. д. Прямые, характеризующие изменение ширины запрещенной зоны в зависимости от суммарного атомного номера соединения (рис. 8-27), и прямые, показывающие изменение температуры плавления соединений, приближенно можно считать параллельными. Следовательно, между шириной запрещенной зоны и температурой плавления соединений имеется прямая пропорциональность. Наблюдаемая закономерность объяснима, если исходить из теоретических представлений о ток, что ширина запрещенной зоны зависит от вида связи, а видом и прочностью связи определяется энергия кристаллической решетки и, следовательно, температура плавления вещества. [c.262]

Из табл. 8-4 видно, что с увеличением суммарного атомного номера компонентов в пределах каждой из групп соединений происходит уменьшение твердости вещества. С уменьшением ширины запрещенной зоны в пределах каждой группы соединений наблюдается закономерный рост подвижности носителей зарядов, более ярко выраженный для электронов, чем для дырок. Абсолютное значение подвижности электронов для большинства соединений существенно превышает подвижность дырок. Исключение представляет только антимонид алюминия, у которого подвижность дырок почти в три раза превышает подвижность электронов. Плотность веществ по мере увеличения мета,яличности соединений возрастает. [c.262]

Антимонид индия получают сплавлением в стехио-метрическом соотношении высокочнстых индия и сурьмы. Материал проходит зонную очистку, а монокристаллы из него получают по методу вытягивания. [c.263]

Антимонид индия применяют для изготовления фотоэлементов высокой чувствительности (основанных на использовании различных видов фотоэффекта), датчиков ЭДС Холла и оптических фильтров. Кроме того, InSb используют для термоэлектрических генераторов и холодильников. [c.263]

По величине запрещенной зоны тела второй группы условно делят на диэлектрики и полупроводники. К диэлектрикам относят тела со сравнительно широкой запрещенной зоной. У типичных из них fg > 3 эВ. Так, у алмаза Eg = 5,2 эВ, у нитрида бора 4,6 эВ, у AI2O3 7 эВ и т. д. К полупроводникам относят тела со сравнительно узкой запрещенной зоной. У типичных из них Eg < 1 эВ. Так, у германия Eg = 0,65 эВ, у кремния 1,08 эВ, у арсенида галлия 1,4 эВ, у антимонида индия 0,17 эВ. Рассмотрим эту группу тел более подробно. [c.154]

Так как в собственном полупроводнике количество электронов Б зоне проводимости должно быть равно количеству дырок в валентной зоне, то, как легко видеть из рис. 6.1, б, уровень Ферми должен располагаться в этих полупроводниках примерно в середине запрещенной зоны (более точно его положение будет определено ниже). В этом случае условие невырожденности (6.1) будет выполнено, если Egl2 > kT, т. е. если Eg> 2 kT. При комнатной температуре kT = 0,025 эВ. Ширина же запрещенной зоны у полупроводников обычно больше 0,1 эВ (она равна г 0,7 эБ у германия, 1,1 эВ у кремния, 1,35 эВ у арсенида галлия, 0,35 эВ у арсеннда индия, 0,177 эВ у антимонида индия и т. д.). Поэтому электронный газ в собственных полупроводниках является невырожденным и подчиняется статистике Максвелла —Больцмана. Этот вывод справедлив и для дырок, находящихся в валентной зоне. [c.160]

В природе встречается в самородном виде, но главным образом в виде соединений с серой. При обычной температуре сурьма на воздухе не изменяется, при нагревании образует окись сурьмы SbjOg. Не взаимодействует с водой, не реагирует с разбавленными кислотами. Непосредственно соединяется с галогенами, при нагревании — с фосфором и серой. Соединение с водородом — сурьмянистый водород ЗЬНз (стибин), образующийся при взаимодействии соединений сурьмы с металлами (антимониды) и разбавленных кислот — чрезвычайно ядовито. [c.380]

В хим. соединениях проявляет степень окисления +2. На воздухе покрывается тонкой прочной плёнкой оксида. Ц. используют для цинкования железа и его сплавов для предохранения от коррозии. Ц. входит в состав разл. сплавов латуней (с медью), бронз (с медью и оловом), мельхиора (с никелем) и др. Ц. используют в аккумуляторах, электрич. батарейках. Сульфид ZnS — наиб, распространённый люминофор. Оксид ZnO — белый пигмент — цинковые белила. Разл. соединения Ц. применяют в фармакологии. Соединение Ц. и сурьмы—антимонид Ц.— полупроводниковый материал. В качестве радиоакт. индикатора используют радионуклид Zn (электронный ja-хват и р -распад, 7 , з = 243,9 сут). С. С. Бердоносов. [c.440]

Индий образует соединения с другими металлами, например селеном, теллуром, сурьмой и мышьяком, а также с неметаллическими элементами — кислородом, водородом, азотом, серой, фосфором и галогенами. Многие Из этих соединений, в том числе фосфид, арсенид, антимонид, окись, сульфид, селенид и теллурид индия, являются полупроводниками. В последние годы проведены многочисленные исследования, посвященные изучению этих соединений, особеннофосфида,арсенида и антнмонида иидия. [c.229]

В табл. 82 приведены некоторые физико-химические свойства фосфидов, арсенидов и антимонидов галлия и индия. Эти соединения имеют кубическую решетку типа цинковой обманки (пространственная группа f43m) Сложные полупроводники типа Aii BV выпускаются промышленностью в широком ассортименте. Для характеристики отдельных марок полупроводников используются буквенно-цифровые обозначения. Первыми двумя буквами обозначается собственно полупроводник АГ — арсенид галлия, ФГ — фосфид галлия, ГС — аптимоиид таллия, ИМ — арсенид индия, ФИ — фосфид индия, ИС — аптимоннд индия. Справа добавляется буква, обозначаю-ш,ая тип электропроводимости.- Э — электронный, Д- дырочный. Для ар-сенида галлия после АГ добавляется буква Н для слитков, полученных горизонтальной направленной кристаллизацией, или Ч — для слитков, полученных по методу Чохральского, Далее [c.576]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...