ИК-спектры пленок

Исследование ИК-спектров пленки БМК-5 при старении в природных условиях позволило установить, что наблюдается заметный рост полосы поглощения валентных колебаний ОН-групп, который обусловлен образованием кислых продуктов деструкции. Об этом свидетельствует повышение кислотности растворимой части покрытий БМК-5 с 24 до 40 мг/г после старения в г. Хотьково в течение 240 ч.. [c.121]

Исследование ИК-спектра пленки ПСХ-ЛС при старении в условиях Хотькова показало, что при старении происходит возрастание интенсивности полос поглощения валентных колебаний групп С = 0, а также изолированных двойных и сопряженных связей С = С, которые образуют размытую широкую полосу поглощения, охватывающую области 1720, 1660 и 1600 см . Это свидетельствует об интенсивном протекании процессов окисления. Одновременно с окислением протекает и дегидрохлорирование. Возрастание интенсивности полос поглощения в области 3000—3500 и 2500—2700 см обусловлено накоплением продуктов деструкции, содержащих карбоксильные группы. Процессы окисления. протекают по группам СН и СНг, что приводит к уменьшению оптической плотности полосы поглощения их валентных колебаний в области 2870—2970 см . [c.122]

ИК-спектры пленок БМК-5 26 ПСХ-ЛС 35 Интенсивность светового излучения 7, 8, сл., 160, 161, 168, 178 суммарная интегральная 128, 129 УФ-излучения 98 Интенсивность поглощенного света 8 Испытания покрытий [c.186]

ИК-спектры поглощения твердого вещества - вещества защитных пленок, продуктов коррозии, осадков и отложений - более сложны, чем спектры водных растворов. Это вызвано искажением структуры соединения, находящегося в твердой фазе, вследствие взаимодействия кристаллического поля с излучением. При этом происходит так называемое снятие вырождения и число полос в спектре увеличивается. Однако методика исследования твердофазных систем проще. Наиболее широко применяют методику, предусматривающую прессование таблеток из исследуемого вещества и бромида калия, особенно бромида калия марок для ИК-спектров и оптически чистого. Здесь используется пластичность бромида калия, приобретаемая при повышенном давлении. [c.201]

Твердые вещества. Съемка ИК-спектров твердых веществ в виде пленок не представляет каких-либо затруднении. Следует только иметь в виду, что при плоских и параллельных поверхностях пленки в спектре могут наблюдаться регулярные полосы интерференции. [c.172]

X. ИК-спектр поглощения пленки полистирола толщиной 20 мкм. используемый для градуировки ИК-спектрофотометров с призмой из аС1 в области 650 — 4000 см 1 [c.255]

Данные исследования ИК-спектров (рис. 1.2) пленок БМ.К-5 — исходных и в процессе старения — свидетельствуют о том, что происходит зна- [c.26]

Рис. 18. ИК-спектры водоотталкивающих пленок на основе

С этой целью было исследовано с помощью ИК-спектров в области 4000-400 сы влияние контакта 9 аэрозольных препаратов на физико-химические свойства пентапласта. Спектры образцов пентапласта на пленках толщиной 60 мк, полученных путем прессования пентапласта, изучали на спектрофотометре го-20. [c.117]

Изменяя метод записи ИК-спектров, можно получать некоторые сведения о наличии стабилизаторов в пластикатах. Для этого берут пленки толщиной около 150 мкм, и в рабочий канал ИК-спектрофотометра помещается исследуемый пластикат, в компенсационный канал помещается пластикат, аналогичный исследуемому, но без стабилизатора, который подлежит исследованию. Таким образом получают ИК-спектр стабилизатора. На рис. 3-13 приведены ИК-спектры пластиката рецептуры 230 с различным содержанием силиката свинца, полученные описанным выше компенсационным методом. [c.70]

Характерной особенностью гранулированных металлических пленок является увеличение их прозрачности при переходе из видимой в ИК-область спектра в противоположность поведению сплошных металлических пленок, у которых с увеличением длины волны поглощение света возрастает. Кроме того, у диспергированных металлов наблюдается оптический резонанс в видимой области спектра, не свойственный массивному веществу. [c.298]

Большинство отражателей, используемых для ультрафиолетового, инфракрасного и видимого излучения, изготавливают, используя метод напыления металлов на полированную поверхность [24]. На рис. 3.15 приведены спектры поглощательной способности некоторых металлических пленок. Почти все такие пленки, за исключением родиевых, плохо пригодны для практического использования из-за их окисления и потускнения. Эти же свойства ограничивают использование в качестве второго слоя зеркал серебро, хотя для него отражение в видимом и ИК-диапазонах максимально. В подавляющем большинстве приложений предпочтительным покрытием является алюминий, имеющий высокую отражательную способность в широкой спектральной [c.194]

При исследовании ИК-спектров пленок ПСХ-ЛС в процессе старения в аппарате ИП-1-3 установлено возрастание интенсивности полос поглощения валентных колебаний групп С = 0, а также изолированных двойных и сопряженны-х связей, которые образуют широкую размытую полосу поглощения. Это свидетельствует о протекании окислительных процессов, а также процесса дегидрохлорирования, приводящего к образованию изолированных и сопряженных двойных связей. [c.35]

В ИК-спектрах пленки продуктов гидролиза тетраэтоксисилана, обработанной полиэтилгидросилоксаном, отсутствует полоса поглощения 81—Н в области 2100— 2200 см . Это свидетельствует о практически полном химическом связывании водоотталкивающей пленки с высокоактивным слоем кремнекислоты, которое протекает по схеме [c.213]

Исследования ИК-спектров пленок ПЭТФ после воздействия хладонов, а также наблюдаемое резкое падение молекулярной массы и физико-механических свойств этого полимера при прогреве в хладонах дают возможность предположить, что хладоны катализируют гидролитический расиад этих пленок. [c.195]

Применение различных методов исследования лакокрасочных материалов (электронная и оптическая микроскопия, ИК-спектро-скопия, дифференциально-термический, термомеханический и эле-менто-химический анализ и др.) позволило установить, что при старении покрытий в результате окислительной деструкции одновременно протекают противоположно направленные процессы рост плотности сшивки и повышение гибкости молекулярных цепей. Первый процесс обусловлен рекомбинацией свободных радикалов, образующихся при фототермической деструкции пленки, а также дополнительным сшиванием системы за счет увеличения подвижности функциональных групп. Второй процесс связан с уменьшением барьера внутреннего вращения полимерной цепи вследствие внедрения в основную цепь кислорода, а также с возникновением микропустот при удалении из пленки летучих продуктов деструкции. [c.201]

ЧТО В процессе старения толщина пленки и величина пробивного напряжения (в условиях А) уменьшаются не менее интенсивно, чем для пленок ПЭ или ПС (рис. 3-49). Для пленок ПТФЭ (рис. 3-50) обнаружено изменение ИК спектра только при частоте 950 см [c.128]

Согласно изменению интенсивности полос поглощения в ИК-спектрах и величин экзопиков на термограммах после воздействия кислот, стойкость водоотталкивающих пленок в зависимости от типа содержащегося в них органического радикала убывает в следующем порядке СНз > СН2=СНСНа > СНа=СН > gH > H . Этот порядок уменьшения стойкости поверхностных полисилоксановых пленок соответствует порядку, найденному при изучении углов смачивания и водопоглощения. [c.80]

Для подтверждения двух пиков на некоторых термограммах авторами были изучены ИК-спектры поверхностных пленок на основе метилфенилсилоксанового полимера К-50 и полиэтилгидросилоксановой жидкости ГКЖ-94. Спектры снимались непосредственно после закрепления покрытия и после его частичной деструкции в термическом анализаторе (до окончания первой экзотермы). [c.102]

Рис. 29. ИК-спектры поверхностной пленки на основе поли-этилгидроксилоксапа до (1) и пос.ю (2) частичной деструкции.

Рис. 30. ИК-спектры поверхностной пленки на основе по-лиметилфенилсилоксана до (1) и после (2) частичной деструкции.

Рис. 56. ИК-спектры поглощения гидрофобной пленки на стекле, полученной из иолиэтилгидроси-локсана

Качественные ИК-спектры ПВХ-пластикатов получаются на пленках толщиной 20—30 мкм. Пленки можно получать двумя путями делая срезы на микротоме или путем прессования между нагретыми до 160° С плитами пресса. Пластикат помещается в пресс-форму, состоящую из двух полосок алюминиевой фольги с ограничительной рамкой между ними. После прессования полоски фольги удаляются, отпрессованная пленка остается в ограничительной рамке из фольги. Для пластификаторов, обладающих большой поглощательной способностью, записать качественные спектры можно только на очень тонких пленках, получаемых путем раздавливания капли пластификатора между крышками кювет из ЫаС1. [c.66]

Хотя проблемы, связанные с прохождением электрического тока через островковую металлическую пленку, лежат вне сферы затрагиваемых нами вопросов, тем не менее представляет интерес наблюдение свечения отдельных центров островковой пленки Ag весовой толщиной 60—80 А при подаче на нее напряжения 20—30 В [1003]. Ранее было показано, что излучение, возникающее в островковых пленках Ag при электронной бомбардировке, обусловлено радиационным распадом поверхностных плазмонов частиц (рис. 139, кривая 2) [1004]. В спектре излучения, возбуждаемом прохождением электрического тока через пленку, плазменные пики (>n=313G А и 3500 А) выражены слабо по сравнению с доминирующей полосой в области ближнего ИК-света (рис. 139, кривая 1). Это объясняли тем, что только малая часть неравновесных электронов имеет энергию, достаточную для возбуждения плазмонов. Появление максимума при Я =6700 А связывали с неупругим туннелированием неравновесных электронов из частицы в частицу и с отражением этих электронов от потенциального барьера внутри частицы. [c.311]

При бесконтактных измерениях температуры поверхности необходимыми условиями являются а) наличие радиационного теплового потока от объекта к датчику, б) изолированность датчика от любых других воздействий, искажаюш,их результат измерения. Препятствиями для проведения радиационной термометрии часто являются интенсивное фоновое излучение (например, излучение плазмы или нагретых элементов установки), прозрачность исследуемого объекта в регистрируемой области спектра (например, тонкого полупроводникового кристалла с достаточно широкой запреш,енной зоной — кремния, ар-сенида галлия — в ближнем и среднем ИК диапазоне), шероховатость поверхности, наличие на ней просветляюш,их пленок, высокая отра-жаюш ая способность поверхности [1.23, 1.24]. Для слаболегированных полупроводниковых кристаллов при не слишком высоких температурах обычно не выполняется основная предпосылка модели серого тела (независимость коэффициента излучения от длины волны). На рис. 1.1 [c.12]

Температурный контроль в реальном времени проводился в вакуумной камере для эпитаксиального наращивания пленок [5.29]. Подложка (кристалл полуизолирующего арсенида галлия) лежит на плоском нагревателе, температура которого изменяется от 25 °С до 600 °С. Спектр диффузного отражения aAs при облучении кристалла светом кварцевой лампы регистрировался в ближнем ИК-диапазоне через каждые 2 с в течение всего процесса, длящегося около 1 ч. Показано, что температура подложки ниже температуры нагревателя на 1004-150 °С. Погрешность измерения оценивается величиной 0,5 °С. [c.129]

Важную проблему представляет светоделитель. Вместо привычных для видимой области спектра тонких металлических пленок или многослойных диэлектрических покрытий в ближней. ИК-области спектра в качестве светоделителя используются тонкие пленки германия, кремния, окиси железа, нанесенные на подложку из кварца, фтО ристого бария или кальция, бромистого калия или иодистого цезия. В далекой ИК-области применяется обычно пленка из майлара. Достаточно большие длины золн электромагнитного излучения позволяют также применить в этой области спектра и совсем необычные светоделители — металлическую сетку или проволочную решетку. [c.110]

Поглощение лазерного света поверхностями металлов при комнатной температуре в видимой области спектра почти на порядок больше, чем в инфракрасной (ИК) области. Однако это относится к поверхностям чистых неокисленных металлов. Окисные пленки и загрязнения поверхности существенно влияют на повышение степени черноты е в ИК-области спектра и практически не оказывают [c.516]

Поликристаллический теллурид кадмия получают сплавлением исходных элементов в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах. Монокристаллы выращивают методом направленной кристаллизации (см. рис. 5.4), тонкие пленки получают методом термического испарения в вакууме из танталовых лодочек. Теллурид кадмия обнаруживает заметную фотопроводимость и прозрачность в ИК-области спектра, используется как оптический материал и для производства фотоэлектропреобразователей. [c.661]

В лабораторных условиях для новейших низкопоглощаю-щих, не содержащих свинца пленок с просветляющими покрытиями, при работе с полупроводниковыми инжекционными лазерами на длине волны 1 = 800 нм были получены очень высокие коэффициенты пропускания ЛИН. поляр — более 65% при оптимизированной толщине (ПКМ при этом составлял 230°). Эти пленки относят к классу пленок с большим периодом решетки (БПР), в которых период решетки увеличивается пропорционально увеличению содержания висмута. Возможны методы дальнейшего увеличения периода решетки и увеличения содержания висмута, приводящие к дальнейшему увеличению Гг, ЛИН. поляр до значений, превышающих 95% в ближней ИК области лазерного излучения, 90% для линии спектра Ма в 589 нм и 60% для зеленой линии в 546 нм. Эти планируемые к использованию составы пленок относят к классу материалов с очень большим периодом решетки (ОБПР) (рис. 1.12) [19]. Последние работы по ионной имплантации открыли пути к увеличению анизотропии, так что можно надеяться, что низкие переключающие поля все же будут достигнуты [20]. [c.30]

При максимальной интенсивности используемого ИК облучения в масс-спектрах регистрировалось появление продуктов взаимодействия молекул СО2 с протонами ПД центров, в частности, молекулы СН4, как и при возбуждении электронной подсистемы. В первом случае это достигается при энергии квантов ИК диапазона = 0,12 эВ, во втором — 2—4 эВ. При мощном импульсном И К облучении наблюдалась также генерация новых вакансионных дефектов Е -центров) в пленке оксида полупроводника (ОеОг). [c.265]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...