Приближение слабое ячеечное

При рассмотрении таких систем, как сплавы замещения (гл. 9), жидкие металлы (гл. 10) и стеклообразные полупроводники (гл. И), которым свойственно относительно плотное размещение атомов в пространстве, нам обычно удавалось воспользоваться свойством атомистичности полной потенциальной энергии (см. 2.1). Даже в случае топологически неупорядоченной системы при рассмотрении поведения Т (г) в большей части объема образца все еще можно было использовать слабое ячеечное приближение (2.2). Это представляется очевидным, если величина Гу не намного превышает геометрический радиус атомной твердой сферы , а. Тогда каждая ячейка вещества порождает как раз потенциальную энергию V (г) (ср. с 10.3). Однако зта аппроксимация остается в силе и для атомных потенциалов с большим радиусом действия, при условии, что концентрация атомов в данном материале более или менее локально однородна. Так, в частности, обстоит дело в типичных моделях беспорядка в жидкостях (см. 2.11). [c.554]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...