Сегнетоэлектрики

Приведенный вывод неприменим к диспергирующим средам, ферромагнетикам и сегнетоэлектрикам. Однако окончательное выражение (5.2) для вектора Умова — Пойнтинга верно и в этих случаях, а выражение для плотности электромагнитной энергии должно быть изменено. [c.38]

Рис. 8.13, Петля гистерезиса сегнетоэлектрика

Таким образом, деление сегнетоэлектрика на домены приводит к снижению энергии деполяризации. В то же время при этом воз- [c.299]

Рис. 8.14. Деление сегнетоэлектрика на домены

Значения температуры Кюри для различных сегнетоэлектриков приведены в табл. 8.1. Из таблицы видно, что сегнетоэлектриче-ский эффект в сегнетовой соли существует в очень узкой области температур. [c.301]

Таблица 8.1. Температура Кюри сегнетоэлектриков

Как и пьезоэлектрики, сегнетоэлектрики находят широкое применение в разнообразных устройствах электронной техники. [c.301]

Дипольный сегнетоэлектрик (нрк. полярный сегнетоэлектрик. Сегнетоэлектрик типа порядок —беспорядок)— сегнетоэлектрик, спонтанная поляризация которого является следствием упорядочения в ориентации электрических диполей. [c.105]

Коэрцитивная сила сегнетоэлектрика (нрк. коэрцитивное поле)-—напряженность электрического или магнитного поля или механическое напряжение, необходимая (ое) для переориентации диэлектрических доменов. [c.105]

Сегнетоэлектрик 105, 286 Секунда, единица времени 47, 48, 50 [c.333]

До сих пор мы для определенности пользовались диаграммами, относящимися к флюидным системам, т. е. системам газ — жидкость. Однако все изложенное применимо и к анизотропным системам, а также к системам, фазы которых отличаются по своим магнитным или электрическим свойствам (ферро-и антиферромагнетики, сверхпроводники и сегнетоэлектрики разных типов). [c.248]

Полученные соотношения выполняются и в окрестности точки Кюри для сегнетоэлектриков. [c.253]

Таким образом, теория критических показателей, основанная на методе термодинамической устойчивости, выявила общую природу критического перехода жидкость—газ и переходов в ферромагнетиках, сегнетоэлектриках и других системах как переходов через минимум устойчивости, сопровождающихся поэтому максимально развитыми флуктуациями ряда термодинамических величин. Это [c.253]

Нелинейным диэлектрикам — сегнетоэлектрикам наряду с электронной и ионной свойственна спонтанная (самопроизвольная) поляризация, относящаяся к числу релаксационных видов. Спонтанная поляризация возникает в определенном температурном интервале, ограниченном сегнетоэлектрическими точками Кюри, под влиянием внутренних процессов самопроизвольно. При этом структура элементарной ячейки кристалла становится несимметричной, приобретая электрический момент. В пределах [c.544]

В большинстве случаев практики применяются пассивные диэлектрики (электрическая изоляция, диэлектрические волноводы, электрические конденсаторы). В последнее время широкое распространение получили активные (управляемые) диэлектрики, резко изменяющие свои свойства под действием внешних (управляющих) факторов (сегнетоэлектрики, пьезоэлектрики, электреты и др.). [c.545]

Значения электрооптических коэффициентов для различных типов кристаллов приведены в табл. 33.1— 33.4. Если частота электрического поля, при которой произведены измерения, намного выше или ниже частоты собственного акустического резонанса, то использованы соответственно обозначения (S) иг. ИЛИ (Г) и Погрешность измеренных значений г, , около 15%. В сегнетоэлектриках и других материалах, имеющих фазовый переход, наблюдается сильная зависимость электрооптического коэффициента от температуры. если последняя близка к критической температуре Тка- Зависимость г /1, от длины волны света в области прозрачности веществ, как правило, слабая. [c.861]

Существуют различные подходы к классификации твердых тел. Их различают по типу кристаллических структур кубическая, гексагональная и т. д., по характерным физическим, химическим, механическим свойствам магнетики, сверхпроводники, полупроводники, сегнетоэлектрики, высокопрочные материалы и т. д. [c.95]

Здесь стоит обратить внимание на интересную особенность фазовых переходов в сегнетоэлектриках. Точные экспериментальные исследования этих переходов, как правило, позволяют обнаружить [c.260]

Примерный вид функции С (д) для типичного сегнетоэлектрика показан на рис. 1.7. В случае запертого р — -перехода известна зависимость Сд от напряжения, где Сд (// с —дифференциальная емкость данного устройства. Эта зависимость имеет вид, изображенный на рис. 1.8, н аналитически может быть представлена формулой [c.29]

Рис. 1.7. График зависимости емкости от заряда для конденсатора с сегнетоэлектриком.

Учитывая приведенное соотношение, рассмотрим сначала колебательные процессы, происходящие в консервативном колебательном контуре, в котором в качестве емкости использован конденсатор с сегнетоэлектриком без потерь. Исследуем контур (рис. 1.10), [c.31]

Полученный фазовый портрет системы, естественно, существенно зависит от вида исходной характеристики нелинейности системы, и позволяет нам качественно судить о процессах, которые могут протекать в подобной системе. Если характеристика нелинейности имеет вид, показанный на рис. 1.6, мы из фазового портрета можем сделать следующие заключения. Во-первых, в системе возможны симметричные колебания вокруг единственного положения равновесия х = = 0, у = д = 1 = 0. Во-вторых, форма этих колебаний отлична от синусоидальной и их различие тем больше, чем больше амплитуда колебаний. В третьих, в силу специфики указанных нелинейных свойств конденсатора с сегнетоэлектриком с ростом начального толчка (или начального запаса энергии) амплитуда колебаний / = /, т. е. амплитуда тока в контуре, растет быстрее, чем амплитуда заряда. [c.33]

С нелинейной возвращающей силой (контур с сегнетоэлектриком). В этом случае нелинейную зависимость тока / от потока с1) также можно изобразить в виде кубической параболы [c.40]

Тибар получают из ТЮг и ВаСОд. В результате их взаимодействия образуется титанат Ва. Тибар относят к сегнетоэлектрикам — мате-, риалам, способным превращать электрическую энергию в механи-. ческую (и наоборот). Он обладает сверхвысокой диэлектрической проницаемостью. [c.384]

Сегнетоэлектрики получили свое название ох названия сегнетовой соли ЫаКС4Н40б-4Н20 — минерала, для которого впервые наблюдалась нелинейность зависимости Р(Е). Наиболее детальные исследования сегнетовой соли были выполнены в 1930—1934 гг. И. В. Курчатовым с сотрудниками. Большой вклад в изучение сегнетоэлектриков внесли советские физики под руководством Б. М. Вула. В 1944— [c.299]

Наиболее характерной особенностью сегнетоэлектриков является то, что зависимость их поляризации Р от поля Е имеет вид петли гистерезиса (рис. 8.13). Существование гистерезиса в сегне-тоэлектриках связано с наличием сегнетоэлектрических доменов объемных областей, в каждой из которых дипольные моменты ориентированы одинаково, но в соседних доменах векторы Р направлены различно. Такие домены были обнаружены экспериментально в титанате бария. [c.299]

Поскольку поляризуемость Р сегнетоэлектриков зависит от внешнего поля Е нелинейно, определить диэлектрическую проницаемость таких материалов нельзя так просто, как это было сделано выше для несегнетоэлектриков. В этом случае е сама является функцией напряженности поля. Поэтому для сегнетоэлектриков вводится понятие дифференциальной относительной ди- [c.300]

Спонтанная поляризация сегнетоэлектриков сильно зависит от температуры. С повышением температуры Р уменьшается и при некоторой температуре 7к, называемой сегнетоэлектрической точкой Кюри, обращается в нуль. Таким образом, при 7 >7 к тепловое движение разрушает сегнетоэлектрическое состояние и сегне-тоэлектрик переходит в параэлектрическое состояние. В параэлек-трической области зависимость е от температуры описывается законом Кюри — Вейсса [c.301]

Заметим, что разбиение ферромагнетика на домены аналогично рассмотренному в гл. 8 разбиению на домены сегнетоэлектрика. Домены образуются также в антиферромагнетиках, антисегнетоэлектрнках и сверхпроводниках. [c.344]

Сегнетоэлектрики — твердые тела, в которых при некоторой температуре происходит фазовый переход в состояние со спонтагшой электрической поляризацией. [c.286]

Сегнетоэлектрики типа порядок-беспорядок — сегнетоэлектрики, воз[П1кновение поляризации в которых происходит в результате нарушения симметричной заселенности положений равновесия ионов. [c.286]

Сегнетоэлектрики тина смещения — сегнетоэлектрики, спонтанна поляризация в которых создается в результате смещепия части ионов из симметричных в менее симметричные положения. [c.286]

Тщательный анализ экспериментальных данных показывает, что закритические переходы омень распространены, но их часто причисляют к переходам иного типа. В большинстве случаев наблюдаемые скачки являются результатом неудачной экстраполяции экспериментальных данных или перехода в докритическую область. Эти переходы встречаются во всех трех агрегатных состояниях. Например, в кристаллическом ((а—р)-переход в кварце в смеси орто- и парадейтерия в ферромагнетиках, находящихся под действием магнитного поля и сегнетоэлектриках при наличии электростатического поля), в жидком (в растворах и жидких кристаллах), в газах (классический переход жидкость — газ ). Очень интересный случай критического перехода в анизотропной среде представляет (а—р)-переход в кварце. Он сопровождается резко выраженной критической опалесценцией и экстремумами нескольких КУ. Но самым интересным является возможность непосредственного наблюдения смешанного состояния обеих граничных фаз благодаря различию их кристаллических структур а- и р-кварцы имеют различные показатели преломления, поэтому, освещая кварц в смешанном состоянии, можно визуально или на фотографии заметить микрогетерогениость системы, т. е. одновременное сосуществование обеих кристаллических структур. Макроскопически кварц остается совершенно однородным, повышение точности термостатирования только улучшает выявление этого смежного состояния. [c.175]

Переходы в сегнетоэлектриках. Для этого вида веществ ниже точки Кюри возникает спонтанная электрическая поляризация,, обусловленная появлением дипольных моментов за счет специфического разделения в пространстве противоположно заряженных ионов. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках принято подразделять на переходы типа порядок — беспорядок и типа смещения. К переходам последнего типа можно отнести рассмотренный выше переход в кристаллах ВаНОз. Переход типа порядок — беспорядок обнаружен в хорошо известных кристаллах KH2P04(KDP). В этих кристаллах для ионов Н, определяющих их поляризацию, имеются два (а не одно) положения равновесия (на водородной связи ОН. ..О), отстоящие одно от другого на 0,35 А. Выше температуры перехода оба положения равновесия заселены статистически равномерно, а ниже Тс появляется асимметрия заселенности, которая и приводит к поляризации. [c.260]

Как известно, для конденсаторов с сегнетоэлектриком характерно отсутствие прямой пропорциональности между зарядом и напряжением на его обкладках. Пренебрегая гистерезисом, можно качественно изобразить эту зависимость в виде графика рис. 1,6. Для каждого конкретного случая ее легко получить экспериментально, и она представляет собой характеристику нелинейного элемента колебательной системы. Здесь следует иметь в виду, что свойства конденсатора с сегнетоэлектриком существенно зависят от типа применяемого сег-нетоэлектрика, который обладает определенной инерционностью, связанной со скоростью изменения заряда, что приводит к частотной зависимости емкости конденсатора. Поэтому нелинейные характеристики таких конденсаторов могут существенно изменяться при значительном увеличении частоты электрических колебаний в контуре, содержащем нелп-нейлый элемент. [c.29]

Для заданных свойств сегнетоэлектрика и выбранных масштабов мы всегда можем найти численные значения у и получить приближенное решение, годное в той области значений х ( — гСх 5 + й), внутри которой, во-первых, можно ограничиться выбранной нами аппроксимацией и, во-вторых, достаточно приближение с точностью до V в первой степени. В этом случае мы встречаемся с неизохронностью колебаний и обнаруживаем отход от строгой синусоидальности, выражающийся в появлении компоненты с тройной частотой. Строя график зависимости частоты со от амплитуды, мы получим график типа показанного на рис. 1.5. Здесь следует обратить внимание на следующее обстоятельство. Из (1.4.18) следует, что со обращается в бесконечность при й = = 4/Зу, а для больших значений а выражение для о) становится мнимым. Этот результат является следствием недостаточности использованного нами первого приближения при подобных амплитудах. [c.34]

Таким образом, и здесь мы получаем качественно те же особенности движения, что и в случаях, разобранных выше. Различие проявляется лишь в соотношениях между амплитудами кратных гармонических компонент, их зависимости от параметров системы и в другой частотной поправке, причем здесь частота найденного решения, так же как и для контура с сегнетоэлектриком, увеличивается с ростом амплитуды, о связано с тем, что значение эффективного коэффициента самоиндукции в данном примере, так же как и э( зфективное значение емкости конденсатора с сегнетоэлектриком, для больших амплитуд меньше, чем для малых амплитуд. [c.39]

Физика твердого тела (1985) -- [ c.298 ]

Электротехнические материалы (1976) -- [ c.39 , c.41 ]

Теплоэнергетика и теплотехника Общие вопросы (1987) -- [ c.209 ]

Справочник по электротехническим материалам Т1 (1986) -- [ c.17 ]

Химия и радиоматериалы (1970) -- [ c.218 ]

Материалы в радиоэлектронике (1961) -- [ c.45 , c.74 , c.82 , c.86 , c.108 , c.193 , c.194 , c.208 , c.214 , c.222 , c.223 ]

Электротехнические материалы Издание 3 (1955) -- [ c.19 , c.30 , c.40 , c.41 , c.61 , c.80 ]

Электротехнические материалы Издание 5 (1969) -- [ c.19 , c.25 , c.33 , c.34 , c.58 , c.63 , c.65 , c.121 ]

Справочник по электрическим материалам Том 1 (1974) -- [ c.9 , c.24 , c.30 ]

Электротехнические материалы Издание 3 (1976) -- [ c.39 , c.41 , c.241 , c.242 ]

Материаловедение Технология конструкционных материалов Изд2 (2006) -- [ c.255 , c.263 , c.664 , c.669 , c.670 ]

Метрология, специальные общетехнические вопросы Кн 1 (1962) -- [ c.298 ]

Ультразвук (1979) -- [ c.277 , c.316 ]

Справочник по элементарной физике (1960) -- [ c.98 ]

Ультразвук и его применение в науке и технике Изд.2 (1957) -- [ c.70 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...