Частотная зависимость емкости

Исходя из этого, за критерий оценки защитных свойств лакокрасочных покрытий в этом методе принято изменение частотной зависимости емкости и сопротивления окрашенного металла в электролите. Экспериментально было установлено, что измерения составляющих импеданса достаточно проводить при трех частотах 500, 1000 и 20 000 Гц. [c.100]

Рис. 8.18. Частотная зависимость емкости стального электрода в водных вытяжках пигментов

Эти слои отличаются уже как изоляционными, так и пассивирующими свойствами, о чем свидетельствуют результаты исследования частотной зависимости емкости и сопротивления. [c.145]

Исследование частотной зависимости емкости от влажности для образцов кабеля. Несмотря на небольшой относительный объем, занимаемый поясной изоляцией (около 10% общего объема кабеля), она при увлажнении до 5—10% оказывает заметное влияние на все электрические параметры кабеля. [c.208]

Частотная зависимость емкости С = Сг-- [c.33]

Таким образом, сравнивая различные покрытия, об их защитных свойствах можно судить по характеру частотной зависимости емкости и сопротивления, причем необходимо установить частотную зависимость не только в первый период испытания, но и через некоторое время (15—30 суток). Покрытия, сохраняющие большую зависимость сопротивления от частоты и меньшую зависимость емкости от частоты, будут обладать и лучшими защитными свойствами. Так, например, из рис. 2, в можно заключить, что покрытие из каменноугольного лака (трехслойное) должно обладать меньшими защитными свойствами, чем покрытие из этинолевого лака, поскольку частотная зависимость емкости в первом случае появляется уже через 30 суток, тогда как для этинолевого лака зависимости емкости от частоты не наблюдается. Практические наблюдения согласуются с данными электрохимических исследований. [c.111]

Другим важным критерием оценки защитных свойств пленок, возникающих на алюминиевых сплавах в высокотемпературной воде, может служить частотная зависимость емкости и сопротивления [12—15]. Имеются основания ожидать, что относительно сплошные пленки, отличающиеся высокими защитными свойствами, должны [c.205]

Сопротивление электролита в порах слабо зависит от частоты. На рис. 2 приведены частотные зависимости емкости (а) и сопротивления (б) в интервале 200—200 ООО гц для окисленных при различных температурах в воде электродов из чистого алюминия. Из рассмотрения кривых следует, что с повышением температуры воды, в которой окислялись образцы, дисперсия емкости с частотой убывает, а омической составляющей возрастает, т. е. происходит рост защитных свойств пленок, образующихся на алюминии, вплоть до оптимальной температуры (примерно 150° С). Повышение температуры воды до 175° С приводит к потере защитных свойств плёнки, [c.206]

Защитные свойства пленок, образующихся на алюминии и его сплавах в высокотемпературной воде, могут быть оценены критерием защитных свойств 1/СДР, величиной барьерного слоя в сочетании с тангенсом угла диэлектрических потерь и частотной зависимостью емкости и сопротивления. Пленки, обладающие высокими защитными свойствами, должны отличаться соответствующими высокими величинами критерия и толщины барьерного слоя, а также низкими значениями тангенса угла диэлектрических потерь. Для них тоже характерна незначительная зависимость емкости от частоты. [c.210]

Уравнение (1-111) дает нам возможность рассчитать частотную зависимость емкости [c.43]

По мере увеличения числа слоев емкость электрода снижается, и частотная зависимость не так ярко выражена. Для пятислойных покрытий из алкидной смолы дисперсия емкости с частотой не отмечена, что указывает на хорошие изолирующие свойства этого покрытия. Даже пятислойное (60 мкм) нитратцеллюлозное покрытие полностью не изолирует металл от коррозионной среды, что подтверждается зависимостью емкости от частоты переменного тока. [c.114]

Рис. 52, Частотная зависимость сопротивления R (а) и емкости С (б) покрытий при выдерживании в 3 %-ном растворе хлорида натрия

В качестве примера приведена частотная зависимость сопротивления и емкости покрытий на основе эпоксифенольных и масляно-фенольных лаков при испытании их в 3 %-ном растворе хлорида натрия (рис. 52). [c.85]

По мере увеличения числа слоев в покрытии емкость электрода снижается, и частотная зависимость не так ярко выражена. [c.67]

Рис. 3,19. Частотная зависимость затухания Ь секции с несимметричным включением регулирующей емкости

Анализ частотной зависимости емкостной и омической составляющих измеряемого импеданса путем сравнения с частотными зависимостями составляющих импеданса электрических схем, представленных на рис. 4, позволяет выяснить вопрос о том, какая из этих схем является эквивалентной исследуемой границе электрод — электролит. Если импеданс границы электрод — электролит компенсировать при измерениях мостовым методом параллельно включенными емкостью Сп и сопротивлением i n, то очевидно, что для простейшей схемы III (см. рис. 4) измеряемые С и не должны зависеть от частоты переменного тока Для схемы II (см. рис. 4) [c.32]

Какую же из эквивалентных схем следует выбрать На этот вопрос, как показали наши исследования [13], можно получить ответ, изучая частотную зависимость сопротивления и емкости окрашенного электрода в электролите эта зависимость является критерием [c.110]

У непроволочных резисторов действием поверхностного эффекта можно пренебречь, так как они имеют зернистую структуру и диаметр их зерен, как правило, гораздо меньше глубины проникновения. Для них частотные зависимости величины сопротивления в основном определяются величинами паразитной емкости и индуктивности. Для непроволочных резисторов без спиральной нарезки (низкоомных) величина сопротивления увеличивается с частотой, так как в их эквивалентной схеме нет паразитной емкости, а есть [c.125]

Исследование импеданса фазовой границы железа в растворах кислот проведено в работах 40, 41]. При этом показано, что строение такой границы моделируется эквивалентными схемами, в которых последовательно и параллельно включен ряд емкостей и сопротивлений. Используя разную частотную зависимость элементов таких схем, можно раздельно определить их и выделить, в частности, емкостную составляющую двойного электрического слоя. Как оказалось, в случае железного электрода вид эквивалентной электрической схемы, найденной для кислых растворов без добавок ПАВ, сохраняется и при наличии в растворе ингибиторов различной природы и различного механизма действия. [c.32]

Можно рассмотреть другие схемы замещения, которые в простейшем случае состоят не из двух, а, например, из трех элементов — одной емкости и двух сопротивлений, включения сопротивлений таких схем может быть две схема I и схема // (рис. 3-33). Каждая из этих схем обращается в простейшую р-схему при г=0 и в простейшую s-схему при Я = оо. Частотные характеристики tg б схем I W 1 должны занимать промежуточное положение между частотными характеристиками р- и s-схем Покажем, что каждое из множеств схем / и // содержит по одной из критических схем замещения , для которых частотная зависимость одна и та же и выражается формулой [c.199]

Зависимость емкости от частоты определяется прежде всего характером частотной зависимости е диэлектрика. При высоких частотах может также сказываться наличие в конденсаторе активного сопротивления г и индуктивности Ь. Наличие г дает снижение емкости с частотой [c.92]

Частотная зависимость конденсатора в области низких частот определяется зависимостью у1 ла потерь диэлектрика (при малых емкостях также и диэлектриков, входящих в [c.92]

Емкостно-омический (или R—С) метод основан на фиксации частотных зависимостей сопротивления R и емкости С покрытий или изменения этих показателей во времени. В процессе контакта с электролитами электрическое сопротивление пленок, как указывалось в гл. IV, падает, емкость и сила тока при этом возрастают. Кинетика изменения этих свойств позволяет судить о защитных функциях покрытий. Особенно показательным является изменение частотного коэффициента К- [c.172]

Рис. 5.8. Частотная зависимость относительной величины емкости (сплошная линия) и сопротивления потерь (штриховая линия) конденсаторов типа -------- ф, 70 В 2 — 150 мкФ, 25 В..

Транзисторы УГ5 и FT5 имеют коэффициент усиления потоку В СТ 40...60, а силовой составной транзистор — 1500...4000. Коэффициент усиления разомкнутого контура регулирования в пределах 100.... .. 200 и наличие большого числа компонентов приводит к потере устойчивости стабилизатора. Для предотвращения этого техническим паспортом стабилизатора предусмотрена коррекция частотно зависимых цепей. Коррекция производится конденсаторами С1 (вносит отрицательную обратную связь = 5 10 — 5 10 пФ) и С2 емкостью 5 мкФ, образующего малое сопротивление для частот, на которых может возбудиться контур регулирования (см. п. 7.2.1). Имеются другие возможные способы коррекции параметров контура регулирования, исключающие применение громоздкого навесного конденсатора С2. [c.279]

Чтобы обеспечить возможность обмена фонограммами, АЧХ канала записи стандартизована, причем в аппаратуре звукозаписи принято описывать эту характеристику постоянными времени. Суть этого описания состоит в том, что задаваемая характеристика определяется как частотная зависимость полного электрического сопротивления цепи, состоящей из резистора сопротивлением Я и конденсатора емкостью С, имеющей в области низких частот постоянную времени тг при последовательном их включении и постоянную времени п в области высоких частот при их параллельном включении. Значения Т1 и тг стандартизованы в зависимости от скорости записи (табл. 8.1). Графики номинальных АЧХ уровня записи приведены на рис. 8.12. Случай та=оо означает отсутствие предыскажений в области низких частот. [c.261]

Первый способ [245, 246] основан на частотной зависимости активной и реактивной проводимостей излучения (7.110) простой эквивалентной схемы, например, схемы, приведенной на рис. 8.16,6. При более высокой частоте, чем средняя частота /о, величины реактивной проводимости излучения и статической емкости имеют разные знаки. Если выберем частоту /г > /о таким образом, что активная проводимость излучения будет равна нулю, то при достаточно большом числе электродов можно достичь нулевого значения и реактивной проводимости и тем самым параллельного резонанса. Число необходимых при этом электродов возрастает с уменьшением коэффициента электромеханической связи, поэтому используют подложки только из ниобата лития или пьезоэлектрической керамики. Однако ввиду низкой добротности такое решение не и.меет практического применения. [c.389]

Исходя из эквивалентной схемы пьезопреобразователя, колеблющегося вблизи одной из резонансных частот, соответствующей частотной зависимости модуля электрического импеданса 2эд , можно определить основные пьезоэлектрические и механические константы преобразователя. Для измерений собирают простейшую схему (рис. 4.6). Обычно рекомендуют схему, на которой элементы Кя Пр изменены местами, что позволяет уменьшить влияние паразитных емкостей электрических цепей, однако для пьезоэлементов с большой емкостью это влияние незначительно, тогда как подключение общего провода к одному из электродов существенно упрощает измерения. [c.98]

Емкостный метод, разработанный в МЭИ В. А. Головиным, основан на измерении изменений емкости поверхностного конденсатора при наличии на его электродах пленки. В этом случае образуется некоторое распределение плотностей силовых линий напряженности электрического поля между пленкой и паровой фазой. Большая плотность соответствует среде с большей диэлектрической проницаемостью (пленке). При росте толщины пленки все большее число силовых линий входит в пленку, увеличивая плотность поля, поэтому емкость датчика возрастает с увеличением толщины пленки. Расчет изменения емкости датчика в зависимости от толщины пленки довольно сложен, однако такую зависимость легко получить моделированием. В МЭИ применялись две основные схемы измерения емкостным методом. Электронная аппаратура (рис. 2.28,а), состоящая из высокочастотного измерительного генератора с частотой 12 МГц, с поверхностным емкостным датчиком и частотного детектора, позволила измерять толщины непрерывных пленок воды при 20 °С в диапазоне О—1,5 мм с точностью до 0,01 мм, причем линейный участок находился в диапазоне О—0,5 мм. [c.62]

Как известно, для конденсаторов с сегнетоэлектриком характерно отсутствие прямой пропорциональности между зарядом и напряжением на его обкладках. Пренебрегая гистерезисом, можно качественно изобразить эту зависимость в виде графика рис. 1,6. Для каждого конкретного случая ее легко получить экспериментально, и она представляет собой характеристику нелинейного элемента колебательной системы. Здесь следует иметь в виду, что свойства конденсатора с сегнетоэлектриком существенно зависят от типа применяемого сег-нетоэлектрика, который обладает определенной инерционностью, связанной со скоростью изменения заряда, что приводит к частотной зависимости емкости конденсатора. Поэтому нелинейные характеристики таких конденсаторов могут существенно изменяться при значительном увеличении частоты электрических колебаний в контуре, содержащем нелп-нейлый элемент. [c.29]

Защитные свойства полимерных покрытий изучены емкостно-омическим методом критерием оценки являлось изменение частотной зависимости емкости и сопротивленйя окрашенных электродов под воздействием коррозионной среды. Механизм и скорости переноса ионов изучались на свободных пленках путем определения ионной проводимости, коэффициентов диффузии и чисел переноса ионов, а также электроосмотического переноса жидкости. Приводятся некоторые результаты изучения этими методами покрытий на основе нитроцеллюлозы, глифталевой и перхлорвиниловой смол и др. [c.217]

Но если пульсация синусоидальная, то потери не зависят от схемы замещения конденсатора (т. е. от частотной зависимости емкости и 15 б конденсатора) и всегда равны Рр. Прн несинусоидальной пульсации потери Р зависят от схемы замещения, увеличиваясь в зависимости от схемы от минимальноро значения, равного Рр, до максимального Р , соответствующего -схеме замещения. Для промежуточной схемы [c.195]

Наряду с защитными были изучены физико-химические и электрохимические характеристики рассмотренных покрытий. Установлено, что паропроницаемость и особенно влагопоглоще-ние пленок возрастают с увеличением содержания хромовокислого гуанидина. Из этих данных следует, что при добавлении 3% хроматного ингибитора покрытия обладают значительно лучшими барьерными свойствами, чем покрытия с добавкой 10% ингибитора. Это подтверждается также электрохимическими характеристиками, полученными при исследовании частотной зависимости сопротивления и емкости тех же покрытий. Окра- [c.177]

Рис. 9.9. Влияние содержания хромата гуанидина на частотную зависимость сопротивления R (а) и емкости алкидно-нитратцеллюлозных покрытий С (б) после воздействия 100%-ной влажности в течение 60 сут

Схема перестраиваемых емкостью режекторных фильтров изображена на рис. 4.10,а. Одна из конструкций [60] содержала СПЛ с лицевой связью, а перестройка велась с помощью емкостного винта (рис. 4.10,6). Экспериментально измеренная частотная зависимость затухания фильтра в зависимости от зазора б емкостного винта диаметром 9 мм приведена на рис. 4.11. Достигнутый предел перестройки частоты запирания составил от 2 до 3 ГГц. [c.100]

Применение схем замещения или двойного уравновешивания возможно лишь в сравнительно узком диапазоне частот, так как трудно иметь в одном приборе набор безреактивных сопротивлений, необходимых для измерения е и б образцов разнообразных изоляционных материалов в большом интервале частот 10 . . . 10 гц. Поэтому рассмотренные выше схемы с переменным 7 используют при фиксированной частоте, обычно 1000 гц. Если необходимо снимать частотные зависимости е и б, то для этой цели часто применяют неуравновешенный ди еренциальный мост (рис. 3-8, а, б). Два плеча моста образованы двумя вторичными полуобмотками дифференциального трансформатора, третье плечо представляет собой образцовый переменный конденсатор, четвертое — испытуемый образец. В измерительной диагонали включено высокоомное образцовое сопротивление напряжение в диагонали моста измеряется вольтметром Уц с высокоомным входом й с малой входной емкостью Сд. К достоинствам этого метода относятся возможность изменения частоты в широких пределах, наличие только одного регулируемого элемента — образцового конденсатора — и возможность отсчета б по шкале стрелочного прибора, измеряющего напряжение Уд в диагонали моста. то напряжение пропорционально разности токов, протекающих через конденсаторы С и С . При условии равенства емкостей [c.64]

Емкостной метод основан на апределении частотных зависимостей сопротивления К и емкости С покрытий и изменении этих показателей во времени при контакте покрытия с агрессивной средой. Кинетика изменения и С позволяет судить о за -щитных свойствах покрытий. [c.49]

Состояние и защитные свойства покрытия оценивают на основании частотных завнснмостей емкости и сопротивления и их изменения в процессе испытания. Независимо от соединения элементов схемы замещения в уравнивающем плече моста пв ременного тока отсутствие зависимости емкости от частоты тока и одновреметное изменение сопрогивления обратно пропорционально частоте свидетельствуют о низкой пористости покрытия. [c.374]

Можно было бы полагать, что биполярные транзисто ры здесь также применимы. К сожалению, им свойственен базовый ток, с которым связан шум базы. Это обстоятельство приводит к точно такому же нежелательному эффекту, как и наведенный шум сетки или затвора, хотя частотные зависимости и разные. Тем не менее, если использовать р-п-р транзисторы с очень большим коэффициентом усиления по току hpE и с очень низким сопротивлением базы г , то при низкоомном входном источнике такая схема (рис. 4.4,6) была бы весьма привлекательной. На частотах выше 1 кгц достижимы эквивалентные шумовые сопротивления меньше 100 ом. Соответственно, включая десять таких транзисторов параллельно, можно получить эквивалентное шумовое сопротивление всего лишь в 10 ом. Недостатком, как и ранее, является большая входная емкость, вызванная обратной связью (Miller effe t). К тому же эта обратная связь через емкость коллектор — база затрудняет ряд шумовых измерений (п. А 4.3). И все же во многих случаях схема на рис. 4.4,6 представляет интерес. [c.67]

На рис. 7.18, б изображена модель поперечного поля, а на рис. 7.18, в — модель продольного поля [174]. Их эквивалентные схемы различаются лищь наличием или отсутствием отрицательной емкости. Как будет показано ниже, эти схемы можно привести к модели дискретных источников при этом источники располагаются по краям секции. Модели поперечного и продольного полей позволяют сделать одинаковые выводы, за исключением случая отражения ПАВ в связи с регенерацией волн (см. разд. 8.10), когда получают обратные частотные зависимости [215]. Эксперимент показал [215], что для распространенных материалов физической сущности лучше отвечает модель поперечного поля. [c.333]

Таким образом, и здесь мы получаем качественно те же особенности движения, что и в случаях, разобранных выше. Различие проявляется лишь в соотношениях между амплитудами кратных гармонических компонент, их зависимости от параметров системы и в другой частотной поправке, причем здесь частота найденного решения, так же как и для контура с сегнетоэлектриком, увеличивается с ростом амплитуды, о связано с тем, что значение эффективного коэффициента самоиндукции в данном примере, так же как и э( зфективное значение емкости конденсатора с сегнетоэлектриком, для больших амплитуд меньше, чем для малых амплитуд. [c.39]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...