Сегнетоэлектрики дипольные

Сагиттальная плоскость 145 Сверхпроводники 22, 57 Сдвига модуль 134 Сегнетоэлектрики дипольные 33 [c.553]

ПОЛЯРИЗАЦИЯ СРЕДЫ, процесс образования объёмного дипольного электрич. момента среды. П. с. осуществляется под действием электрич. поля или нек-рых др. факторов, в частности механич. напряжений (см. Пьезоэлектрики, Сегнетоэлектрики). Дипольный электрич. момент единицы объёма также наз. П. с, и явл, векторной величиной. [c.576]

Дипольный сегнетоэлектрик (нрк. полярный сегнетоэлектрик. Сегнетоэлектрик типа порядок —беспорядок)— сегнетоэлектрик, спонтанная поляризация которого является следствием упорядочения в ориентации электрических диполей. [c.105]

В параэлектрической фазе диполи распределены беспорядочно, равновероятно по обоим направлениям, а в сегнетоэлектрической — упорядоченно, с ориентацией преимущественно в одном направлении. Поэтому фазовый переход в дипольных сегнетоэлектриках, происходящий в точке Кюри, называют переходом типа порядок — беспорядок. [c.213]

Рис. 21.6. Температурная зависимость параметра ШР для дипольных сегнетоэлектриков

Существенную часть энергии стенки в сегнетоэлектриках может составлять упругая энергия. Эта энергии связана с механическими напряжениями, вызванными изменениями поляризации внутри стенки через пьезоэлектрический эффект. Упругая энергия, как правило, благоприятствует сужению стенки. По порядку величины она сравнима с дипольной энергией. [c.56]

Органические полярные диэлектрики имеют дипольно-релаксационную поляризацию. Диэлектрическая проницаемость у многих сегнетоэлектриков велика и имеет резко выраженную зависимость от напряженности поля и от температуры. Характерной особенностью сегнетоэлектриков является наличие в них диэлектрического гистерезиса. [c.75]

В некоторых кристаллах, обладающих спонтанной поляризацией, электрическое поле не оказывает иа дипольные моменты никакого влияния даже прп максимальных напряженностях, не превышающих, однако, пороговых значений, при которых наступает электрический пробой кристалла. Одиако при нагревании этих кристаллов часто можно наблюдать изменение величины полного спонтанного момента (поляризации) при изменении температуры величина дипольного момента, видимо, изменяется. Такие кристаллы называют пироэлектриками. Сегнетоэлектриками называют кристаллы, спонтанный момент которых может изменять свое направление под действием электрического поля. [c.493]

Поляризация системы из спонтанно возникающих доменов и ориентационная поляризация имеют некоторое сходство, но их не спутаешь друг с другом. Это особенно наглядно при рассмотрении тепловых эффектов. Ориентационная поляризация, исчезающая вместе с полем, происходит из-за наличия постоянных дипольных моментов у молекул, а эти молекулы ориентируются случайным образом благодаря тепловому движению, поэтому эффект ориентационной поляризации зависит от температуры. С другой стороны, в кристалле сегнетоэлектрика молекулы имеют постоянные дипольные моменты, направление которых жестко фиксировано в одном домене тепловое движение не влияет на этот порядок. Тем не менее в кристаллах сегнетоэлектрика наблюдается другой тип температурного эффекта при некоторой определенной температуре 0с, называемой температурой Кюри, спонтанная поляризация исчезает. Это происходит из-за того, что в этой точке кристаллическая структура изменяется фазовый переход) и отдельные молекулы больше уже не имеют постоянных дипольных моментов (рис. 1.4.2). [c.31]

В нек-рых объектах, напр, в обычных сверхпроводниках и мн. сегнетоэлектриках, почти во всём диапазоне темп-р вблизи критич. точки К. я. не обнаруживаются. С другой стороны, они оказывают влияние на в-ва обычных жидкостей в окрестности критич. точки в значит, диапазоне темп-р и на св-ва гелия вблизи Я-точ-ки. Это связано с хар-ром действия межмолекулярных сил. Если эти силы достаточно быстро убывают с расстоянием, то в в-ве значит, роль играют флуктуации и К. я. возникают задолго до подхода к критич. точке. Если же, напротив, молекулы взаимодействуют на значит, расстояниях, что характерно, напр., для кулоновского и диполь-дипольного вз-ствий в сегнетоэлектриках, то установившееся в в-ве ср. силовое поле почти не будет искажаться флуктуациями и К. я. могут обнаружиться лишь предельно близко к точке Кюри. [c.331]

Наиболее характерной особенностью сегнетоэлектриков является то, что зависимость их поляризации Р от поля Е имеет вид петли гистерезиса (рис. 8.13). Существование гистерезиса в сегне-тоэлектриках связано с наличием сегнетоэлектрических доменов объемных областей, в каждой из которых дипольные моменты ориентированы одинаково, но в соседних доменах векторы Р направлены различно. Такие домены были обнаружены экспериментально в титанате бария. [c.299]

Переходы в сегнетоэлектриках. Для этого вида веществ ниже точки Кюри возникает спонтанная электрическая поляризация,, обусловленная появлением дипольных моментов за счет специфического разделения в пространстве противоположно заряженных ионов. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках принято подразделять на переходы типа порядок — беспорядок и типа смещения. К переходам последнего типа можно отнести рассмотренный выше переход в кристаллах ВаНОз. Переход типа порядок — беспорядок обнаружен в хорошо известных кристаллах KH2P04(KDP). В этих кристаллах для ионов Н, определяющих их поляризацию, имеются два (а не одно) положения равновесия (на водородной связи ОН. ..О), отстоящие одно от другого на 0,35 А. Выше температуры перехода оба положения равновесия заселены статистически равномерно, а ниже Тс появляется асимметрия заселенности, которая и приводит к поляризации. [c.260]

Кристаллы некоторых сегнетоэлектриков и антисегнетоэлект-риков имеют сильно выраженный электрооптический эффект (анти-сегнетоэлектрики, как и сегнетоэлектрики, также имеют доменное строение, однако спонтанная поляризованность каждого домена у них равна нулю, так как дипольные моменты внутри каждого домена сориентированы антипараллельно). Электрооптический эффект [c.244]

Д.-д. в. тесно связано поле размагничивания, т. е. starn. иоле, создаваемое всеми магн. моментами внутри магнетика и усреднённое по малому (но макроскопич.) объему, окружающему точку локализации рассматриваемого маги, момента. Энергию Д.-д. в. в связи с этим часто наз. энергией размагничивания. Аналогично проявляет себя взаимодействие электрич. дипольных моментов в сегнетоэлектриках. [c.630]

Ferroele tri effe t — Сегнетоэлектрический эффект. Явление, при котором некоторые кристаллы (которые называются сегнетоэлектриками по аналогии с ферромагнетиками, проявляющими постоянный магнитный момент) могут проявлять спонтанный дипольный момент. Сегнетоэлектри-ческие кристаллы часто показывают особую точку Кюри, доменную структуру и гистерезис более чем ферромагнитные кристаллы. [c.956]

Как видно из табл. 3.1, наибольшее — уже макроскопическое — перемещение связанных зарядов происходит в с.чучае миграционной поляризации, обычной для неоднородных диэлектриков (слоистых или содержащих инородные включения). Накопление электрических зарядов на границах неоднородностей (слоев, пор, включений) приводит к объемно-зарядной поляризации. Объемный заряд существенно повышает электрическую емкость конденсатора, содержащего неоднородный диэлектрик. Миграционная поляризация, однако, уже не может быть отнесена к микроскопическим механизмам появления электрического момента. В диэлектриках, содержащих большие дипольные группы (домены в сегнетоэлектриках или капельки полярной жидкости в неполярной), в электрическом поле происходит переориентация или пограничная перезарядка таких областей — макродиполей. Очевидно, что как величина смещения зарядов, так и время релаксации для миграционной поляризации максимальны (см. табл. 3.1). [c.64]

ГИЯ теплового движения превышает энергию диполь-дипольного взаимодействия, вследствие чего диполи в каждый момент времени направлены неупорядоченно и суммарная поляризация отсутствует Рс = 0). По мере понижения температуры за счет диполь-ди-польных взаимодействий в области ФП происходит самопроизвольное упорядочение полярных структурных элементов при этом в сегнетоэлектриках возникает спонтанная поляризация (Рс1>0). В антисегнетоэлектриках диполи выстраиваются антииараллельно [c.102]

Таким образом, для того чтобы область применимости кла( сической теории существовала, число Гинзбурга должно бьп достаточно малым. Это условие выполняется во всей экспер ментально достижимой области для сверхпроводников, гд размер куперовской пары (- 10 см) гораздо больше посте янной решетки (около 10 см), и для сегнетоэлектриков [28] где существует диполь-дипольное дальнодействие. В этом сл) 4aeGi 10- . , [c.36]

Спонтанная поляризованность антисегнетоэлектриков равна нулю, но они, как и сегнетоэлектрики, имеют точку Кюри, выше которой исчезает упорядоченность дипольной структуры и при которой наблюдается максимум диэлектрической проницаемости и аномалии других характеристик. При наложении достаточно сильного электрического поля аитисегнетоэлектрик люжст переходить в сегнетоэлектрическое состояние с параллельной ориентацией диполей. По этой причине в ан-тисегнетоэлектриках наблюдаются двойные петли диэлектрического гистерезиса типа бабочка (рис. 21.7). [c.214]

Свойства жидких кристаллов сходны со свойствами сегнетоэлектриков. Как и сегнетоэлектрики, жидкие кристаллы разбиты на ломены—области с одинаковыми направлениями осей молекул. В переменном электрическом поле для некоторых из них характерны петли гистерезиса с ярко выраженным насыщением. В точках фазового перехода диэлектрическая проницаемость 8 имеет максимум, исчезающий с повышением частоты, как у дипольных сегнетоэлектриков. Однако время переориентации диполей в жидких кристаллах велико по сравнению с сегнетоэлектриками, и петли гистерезиса и максимум е [c.262]

Фазовые переходы в антисегнетоэлектриках также сопровождаются возникновением (или исчезновешгем) спонтанной поляризации. В антисегнетоэлектрической модификации каждая элементарная ячейка параэлектрической модификации (подъячейка) спот-анно поляризована, хотя кристалл макроскопически спонтанной поляризацией не обладает, так как дипольные моменты подъячеек сверхструктурной элементарно ячейки взаимно компенсируют друг друга. Именно поэтому прр характеристике антисегнетоэлектриков принято говорить пе об их спонтанно поляризации, а об их аптиполяризации или о поляризации их подрешеток ( подструктур ). Формально антисегнетоэлектрики можно рассматривать как предельный случай сегнетоэлектриков, имеющих размеры доменов, равные одной элементарной ячейке параэлектрической модификации. [c.68]

Спонтанная (самопроизвольная) поляризация присуща особому классу диэлектриков — сегнетоэлектри-кам, получивщим свое название от сегнетовой соли, на которой впервые были обнаружены те особенные свойства, которые характеризуют этот класс материалов. Сегнетоэлектрическими свойствами обладают некоторые неорганические кристаллы. Эти кристаллы состоят из областей — доменов, представляющих собой диполи с определенными электрическими моментами. Таким образом сегнетоэлектрики отличаются от полярных диэлектриков с дипольными молекулами тем, что иоследние имеют самопроизвольно поляризованные молекулы, 46 [c.46]

Сегнетоэлектрики - это диэлектрики, обладающие спонтанной поляризацией, направление которой меняется от внешних воздействий. Кроме сегнетоэлектриков, различают кристаллические вещества с антипараллельно ориентированными электрическими моментами смещенных ионов или дипольных групп - антисегнетоэлектрики (ср. ферромагнетики и антиферромагнетики). Структуру антисегне-тоэлектрика можно представить как совокупность двух или более вставленных друг в друга подрешеток, в каждой из которых дипольные моменты направлены параллельно друг другу, а у подре-шеток - антипараллельно, так что результирующий момент оказывается скомпенсированным и равным нулю. К антисегнетоэлектрикам [c.669]

Сегнетоэлектрики также подразделяются на ионные и дипольные в зависимости от типа поляризации, приводящей к катастрофе Массоти. [c.31]

Микроскопич. теория сегнетоэлектрич. явлений основывается на представлениях об особенностях сил взаи-]модействия между атомами кристаллич. решётки. Предполагается, что спонтанная поляризация может возникать двумя путями. Во-первых, в результате смещения нек-рых ионов решётки из положения равновесия, совпадающего с центром симметрии элементарной решётки (наир., иона и BaTiOg), из-за относительно слабых возвращающих сил и помощи образующегося при этом смещении внутреннего ноля, обусловленного поляризацией соседних атомов. Такие кристаллы наз. сегнетоэлектриками типа смещения . Во-вторых, как результат упорядочения уже существующих в кристалле дипольных групп, имеющих несколько возможных положений равновесия, соответствующих различным ориентациям диполей, [c.319]

ПАРАЭЛЕКТРИКИ, название неполярной фазы сегнетоэлектриков (выше точки фазового перехода). ПАРАЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАНС, резонансное поглощение радиоволн в ТВ. в-ве, связанное с ориентацией дипольных электрич. моментов составляющих его Частиц во внешнем электрич. поле. П. р. наблюдается в тех случаях, когда существует неск. эквивалентных равновесных направ- [c.521]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...