Керамические сегнетоэлектрики

На рис. 3-10 представлены температурные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемости двух керамических сегнетоэлектриков, имеющих разный состав и соответственно этому разные точки Кюри. [c.56]

Фиг. 17. Зависимость диэлектрической проницаемости керамического сегнетоэлектрика от напряженности электрического поля

На фиг. 39 представлены температурные зависимости угла диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемости для двух керамических сегнетоэлектриков, имеющих разный состав [c.79]

Третью подгруппу составляют материалы со сверхвысокой диэлектрической проницаемостью (сегнетоэлектрики). Диэлектрическая проницаемость их в сильной степени зависит от температуры, проходя при некотором значении последней через резко выраженный максимум, называемый точкой Кюри при температурах ниже точки Кюри диэлектрическая проницаемость этих материалов зависит от напряженности поля. Керамические сегнетоэлектрики обладают и пьезоэлектрическими свойствами. [c.239]

На рис. 1-12 и 1-13 представлены зависимости О и е от напряженности поля для керамического сегнетоэлектрика. [c.34]

Материалы, предусмотренные группами б — е класса V и предназначенные для производства конденсаторов низкой частоты и постоянного тока, получают с использованием керамических сегнетоэлектриков (см. т. 3) на основе твердых растворов титаната, станната и цирконата бария, стронция и кальция, часть из которых приведена в табл. 20-35 и на рис. 20-41, [c.355]

Основные электрические характеристики кварца и керамических сегнетоэлектриков [c.68]

Т. Н. Вербицкая с сотрудниками разработала несколько типов поликристаллических (керамических) сегнетоэлектриков с весьма высокой нелинейностью. Эти материалы получили сокращенное обозначение ВК (от термина в а р и-конд , т. е. конденсатор с резко выраженной зависимостью емкости от напряжения). В состав одного из материалов серии ВК (материала ВК-2) входят титанат бария, окись олова, окись хрома и борная кислота. Диэлектрические свойства керамики ВК-2 иллюстрируются рис. 5-9 и [c.245]

Материалы класса V, содержащие титанат бария, являющийся типичным сегнетоэлектриком, отличаются зависимостью диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля, а некоторые группы (с особо высоким значением е,) — большой зависимостью от температуры с максимумом при температуре точки Кюри. Чем больше содержит керамика титаната бария, тем сильней проявляются сегнетоэлектрические свойства. Свойства керамических материалов типа Б представлены на рис. 3-75. [c.240]

Кроме полимерных и других органических материалов в технике связи применяются неорганические материалы, такие, как керамика, стекла, ситаллы, окислы металлов, кварц, слюда, асбест. Особенно широкое применение имеют керамические диэлектрики. Эта группа материалов характеризуется высокой нагревостойкостью, влагостойкостью и широким диапазоном диэлектрических свойств. Среди керамических материалов имеются сегнетоэлектрики, т. е. материалы с высокой и сверхвысокой диэлектрической проницаемостью, материалы с малой величиной температурного коэффициента емкости, отрицательным ТКЕ. Материалы этого типа имеют малую стоимость и большую долговечность как в работе, так и в хранении. [c.210]

Меняя состав керамической массы, можно также получать сегнетоэлектрики с различной диэлектрической проницаемостью и значительным смещением точки Кюри, как это видно из рис. 118. [c.222]

Пьезокерамику относят к классу сегнетоэлектриков, отличающихся от неполярных пьезодиэлектриков тем, что в них существуют области спонтанной поляризации, подобные доменам в ферромагнетиках. В результате пьезосвойства в сегнетоэлектри-ках в 10. .. 100 раз выше, чем в пьезоэлектриках. Для сегнетоэлектриков существуют определенные температуры — точки Кюри, выше которых они теряют пьезосвойства. В дальнейшем рассмотрим два материала — характерные представители двух названных классов неполярный пьезодиэлектрик кварц Х-среза (пластина вырезана перпендикулярно оптической оси х) и керамический сегнетоэлектрик цирконат-титанат свинца марки ЦТС-19 (марка определяет химический состав). [c.61]

Особый практический интерес представляют полупроводниковые материалы на основе керамических сегнетоэлектриков кислороднооктаэдрического типа, в частности титаиата бария и твердых растворов на его основе. [c.225]

Типичные температурные зависимости удельного сопротивления р полупроводниковых керамических сегнетоэлектриков приведены на рис. 21.17. Вдали от точки Кюри р снижается с ростом температуры, как и у других диэлектриков и полупроводников, однако в определенном интервале в окрестности точки Кюри наблюдается резкий аномальный рост р. Величина р увеличивается в тысячи, а иногда и миллионы раз. Это и есть позисторный эффект. Область положительного ТКр находится в области перестройки решетки при фазовом переходе. Если перестройка решетки происходит в узком интервале температур (четкий фазовый переход), то р увеличивается скачкообразно (кривые 1, 2, 5). В случае же сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом увеличение р с температурой плавное и происходит во всем интервале температур раз.мытия перехода (кривые 3, 4). [c.226]

Отношение р/ е у всех керамических сегнетоэлектриков одного порядка и составляет обычно 10- 20 мкКл/(м -К). Так как керамика стареет, ее параметры изменяются с течением времени. [c.245]

На фиг. 15 показана зависимость е от температуры для керамического сегнетоэлектрика (метатитаната бария). Как видно из рисунка, диэлектрическая проницаемость имеет резко выраженный максимум. [c.40]

На фиг. 16 и 17 представлены зависимости I) и е от напрЯ женности ПОЛЯ для керамического сегнетоэлектрика. [c.40]

Величина tg б сегнетоэлектриков также зависит от напряженности электрического поля и имеет соответствующий максимум. У титаната бария максимум tg б в зависимости от напряженности электрического поля несколько смещен по сравнению с расположением максимума диэлектрической проницаемости в область более слабых полей на участок, соответствующий наиболее быстрому росту диэлектрической проницаемости. Величина tg б титаната бария при частоте 50 гц в слабых электрических полях лежит в пределах 0,02—0,03. Сверхвысокая диэлектрическая проницаемость керамического сегнетоэлектрика — титаната бария — представляет интерес с точки зрения использования его в малогабаритных конденсаторах. Однако такие конденсаторы обладают низкой температурной стабильностью емкости. В этом отношении значительно лучше керамические материалы со сверхвысокой диэлектрической проницаемостью не сегнетоэлектрического типа, например, описанная в 2-4 стронций-висмут-титанатная керамика. Сегнетоэлектрики обладают нелинейными свойствами вследствие изменения их диэлектрической проницаемости при изменениях напряженности электрического поля и величина зарядов сегнетоэлектрического конденсатора нелинейно изменяется с изменением напряжения. Эта нелинейность связана с тем, что при циклическом изменении напряжения заряд сегнетоэлектрического конденсатора изменяется по закону петли гистерезиса (рис. 2-17). При увеличении напряжения от нуля происходит увеличение заряда по первоначальной кривой зарядки, достигающей насыщения при [c.39]

На основе сегнетокерамики с использованием ее нелинейности, описанной в 2-1, б, созданы специальные нелинейные конденсаторы, названные варикондами. Современная нелинейная сегнетокерампка обладает еще большей нелинейностью, чем разработанный впервые керамический сегнетоэлектрик — титанат бария. Среди нелинейных сегнетоке-рамических материалов, применяемых для изготовления варикондов, отметим материалы на основе твердых растворов титаната бария и станната бария марки ВК-2 и ВК-5 и на основе тройного твердого раствора титаната, цирконата и станната свинца Pb(Ti,Zr, 8п)Оз. Во всех случаях в эти основы вносят некоторые добавки, повышающие нелинейность и улучшающие технологичность массы, например снижающие температуру спекания, облегчающие получение плотного черепка. Зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности переменного электрического поля, связанная с нелинейными свойствами сегнетокерамики, определяют коэффициентом нелинейности [c.241]

Керамические сегнетоэлектрики отличаются высокими нагревостойкостью и механической прочностью, негигроскопичностью и простотой технологии. Из керамических сегнетоэлектриков наибольщее практическое значение имеет титанат бария (ВаТ10з). Это поликрис-таллический материал, получаемый по керамической технологии из исходной массы, состоящей из окиси бария и двуокиси титана. Может быть получен и монокристаллический титанат бария. [c.66]

Пьезоэлементы из керамических сегнетоэлектриков представляют собой шлифованные пластинки с нанесенными на них металлическими электродами. Чтобы эти пластинки приобрели пьезосвойства, их поляризуют приложением к ним постоянного напряжения. Напряжение прикладывают к предварительно нагретым пластинкам. Желательно, [c.67]

В табл. 7 приведены основные электрические характеристики кварца и керамических сегнетоэлектриков. Весьма большие значения диэлектрической проницаемости сегнетокерамических материалов по- [c.67]

Для приготовления пленочного покрытия из сегнетоэлектри-ков, полученный методом керамического обжига, материал размалывают в шаровой мельнице до величины частиц порядка 1 мк и даже меньше [4]. Для повышения дисперсности порошка при помоле иногда вводят смачивающие поверхность вещества — стеарат натрия, поливиниловый спирт и др. При нанесении на металлические электроды частиц сегнетоэлектрика путем электрофореза удовлетворительные результаты были получены в тех случаях, когда в качестве дисперсной среды применяли метиловый, этиловый или изопропиловый спирты. Однако в этих случаях на процессы суспендирования и электрофореза оказывало значительное влияние качество спирта и свойства частиц, что, в свою очередь, затрудняло получение однородного гальванопокрытия. [c.296]

Важнейшими пироэлектриками являются сегнетоэлектрики три-глицинсульфат и его изоморфы (выращиваются со специальными примесями с целью монодоменизации), ниобат и танталат лития (поляризуются токовым смещением при выращивании кристалла), тонкие пленки нитрата калия в сегнетофазе (вблизи 450 К), а также керамические титанат свинца и цирконат-титанат свинца с различными добавками. Сегнетокерамика для обеспечения пи- [c.170]

Конденсаторы. Наиболее массовым видом радиокомпоненто в на основе сегнетоэлектриков являются керамические конденсаторы доля которых в общем объеме выпуска радиотехнических конденсаторов в СССР и за рубежом достигает 50—60% при абсолютном объеме выпуска, доходящем до десятков миллиардов штук в год. Основные технические характеристики выпускаемых типов сегнето-керамических конденсаторов и сведения по технологии их производства в [12, 51, 55, 85]. Ограничимся формулированием важнейших требований, предъявляемых к конденсаторной сегнетокерами-ке, и укрупненным анализом возможностей их удовлетворения. [c.178]

Однако такие конденсаторы обладают низкой температурной стабильностью емкости. В этом отношении значительно лучше керамические материалы со сверхвысокой диэлектрической проницаемостью не сегнетоэлектриче-ского типа, например, описанная в 2-4 стронций-висмут-титанатная керамика. Сегнетоэлектрики обладают нелинейными свойствами вследствие изменения их диэлектрической проницаемости при изменениях напряженности [c.49]

В настоящей работе была поставлена задача синтезировать и исследовать твердые растворы на основе сегнетоэлектрика К Од в системах (I-x)KNb0з - хАМЬ 0О3, где А = Ва (I) или Зг (П), с вакансиями в кислородных октаэдрах (в положениях В). Как известно, из-за низкой технологичности твердые растворы на основе КМЬО изучены слабо. В то хе время указанные добавки А№д 0О3 заметно улучшаю керамические свойства твердых растворов, что, несомненно, способствовало их всестороннему исследованию в вышеупомянутых системах. [c.134]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...