ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы При проектировании полупроводниковых микросхем следует широко применять рациональное сочетание полезных функций активной подложки с пассивными пленками. Осаждение пленочных пассивных компонентов производят на изолирующий слой из двуокиси кремния, образованный на полупроводниковой подложке, содержащей активные компоненты. 0)единение активных и пассивных компонентов производят с помощью осажденных пленочных проводников. Иногда такую комплексную модификацию называют гибридными микросхемами. [Выходные данные]