Расположение Компоненты

Разобранные примеры наглядно показывают, насколько чувствителен общий вид функции 7 (т) к особенностям спектральной плотности. Это делает ясным возможность использования кривой видимости для анализа спектрального состава излучения. Впервые такой способ был применен Майкельсоном, и ему удалось установить, что почти все спектральные линии в излучении разреженных газов состоят из нескольких, тесно расположенных компонент, которые не разрешались обычными спектральными приборами. [c.103]

ЛИНИЙ (так называемая сверхтонкая структура спектральных линий) обусловлена влиянием момента ядра атома на его электронную оболочку. Наличие ядерного момента (спина) связано е четностью или нечетностью атомного веса. Однако природные атомы почти всегда представляют собой смесь изотопов, в связи с чем большинство спектральных линий является совокупностью тесно расположенных компонент. [c.144]

Рис. 45. Расположение компонентов напряженности электрического поля для возбуждающего ) и рассеянно-

Рассмотрим еще случай, когда близко расположены линии, принадлежащие одному мультиплету. Тогда в результате начинающегося эффекта Пашена— Бака расположение компонент перестает быть симметричным, и расстояния между ними не являются больше рациональными дробями от нормального расщепления. Примером может служить исследованный Баком узкий дублет [c.374]

Б) расположение компонентов (схема армирования) [c.50]

Б. По расположению компонентов (схеме армирования) композиционные материалы могут быть разделены на три группы (табл. 7). [c.51]

КЛАССИФИКАЦИЯ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ ПО РАСПОЛОЖЕНИЮ КОМПОНЕНТОВ (СХЕМЕ АРМИРОВАНИЯ) [c.52]

Композиционные материалы с трехосным (объемным) расположением компонентов, когда невозможно выделить одно или два преимущественных направления в материале. Такая схема армирования может быть реализована с помощью нуль-мерных (0 0 0J или одномерных компонентов (1 1 1). [c.53]

Для комбинированных композиционных материалов, армированных одновременно компонентами различной геометрии, возможны следующие сочетания компонентов О + 1 0 , + 2 1 + 2 и 0 4- 1 + 2. Восемь возможных типов расположения компонентов в композиции (схем армирования) показаны в табл. 8. Следует отметить, что в некоторых ячейках может существовать несколько вариантов схем армирования, а в табл. 8 показаны лишь наиболее сложные варианты. Так, например, трехосная схема армирования путем сочетания нуль-мерных и одномерных компонентов имеет следующие варианты [c.53]

К. м. различают по природе компонентов, обычно матрицы, по геометрии армирующих компонентов, по расположению компонентов (схеме армирования). По природе матричного компонента К. м. разделяют на металлические, полимерные и К. м. с матрицей из неорганич. элементов или соединений (углерод, оксиды, карбиды, бориды и т. п.). По геометрии армирующих компонентов К. м. делятся на порошковые. [c.429]

Отметим, что в общем случае выделение страт может быть неоднозначным. Так, помимо указанного подхода очевидна целесообразность вьщеления таких аспектов, как функциональное (разработка принципов действия, структурных, функциональных, принципиальных схем), конструкторское (определение форм и пространственного расположения компонентов изделий), алгоритмическое (разработка алгоритмов и программного обеспечения) и технологическое (разработка технологических процессов) проектирование систем. Примерами страт в случае САПР могут служить также рассматриваемые далее виды обеспечения автоматизированного проектирования. [c.19]

Композиционный материал классифицируется по нескольким основным признакам а) материалу матрицы и армирующих компонентов б) структуре геометрии (морфологии) и расположению компонентов (структурных составляющих) в) методу получения г) области применения. Рассмотрим некоторые аспекты классификационных характеристик композиционных материалов. [c.186]

Как было установлено еще опытами Майкельсона, контур спектральных линий, излучаемых естественными элементами, не только расширен, но и состоит из целого числа тесно расположенных компонентов. Такое строение контура получило название сверхтонкой структуры спектральной линии. Так как от сложности сверхтонкой структуры зависит точность фиксации максимума контура, к которому относится основная частота спектральной линии (а следовательно, и длина волны), то необходимо коротко остановиться на причинах возникновения сверхтонкой структуры. [c.17]

Поскольку деформативные характеристики однонаправленно-армированного слоя могут быть определены не только экспериментально, но и расчетным путем — по уравнениям (2.8), (2.11), (2.13) и (2.16), по зависимостям (2.20) — (2.23) можно определить технические деформативные характеристики ортогонально-армированного пластика по деформативным свойст вам, объемному содержанию и геометрии взаимного расположения компонентов. [c.57]

Здесь аг, ав и —коэффициенты, характеризующие напряженное состояние компонентов в армированном пластике в зависимости от упругих свойств, объемного соотношения и геометрии расположения компонентов. Эти коэффициенты определяются по зависимостям (4.6) — (4.8). Подставляя в выражение [c.103]

Упорядоченные модели. На рис. 1-1 представлены различные структуры, в расположении компонент которых нельзя обнаружить дальнего порядка. Такие структуры будем называть хаотическими. Определенным образом перераспределяя компоненты в пространстве, можно от систем хаотических перейти к упорядоченным, в которых имеет место дальний порядок. Если при этой операции упорядоченная система сохранит основные черты хаотической (например, изотропность или анизотропность, механическую устойчивость, геометрическое равноправие или неравноправие компонент и т. д.), то при анализе процесса [c.14]

Рис. 1-7. Распределение компонент в хаотической структуре а, б —различные хаотические структуры й —случайная картина упорядоченного расположения компонент

Дальнейшие исследования показали, что описанный выше тип расщепления в магнитном поле, называемый нормальным эффектом Зеемана, характерен только для одиночных (синглетных) спектральных линий. Большинство наблюдаемых спектральных линий представляет собой мультиплеты, состоящие из двух или нескольких тесно расположенных компонент. Примером может служить желтая линия натрия, состоящая из двух линий Di и D2 (Ai = 589,6 нм, Х,2 = = 589,0 нм), причем интенсивность Д2-линии вдвое больше. В магнитном поле Di-линия расщепляется на четыре компоненты, Д2-ли-ния — на шесть компонент. Интенсивность отдельных л- и а-компо-нент такова, что смесь всех линий при наблюдении в любом направлении дает неполяризованный свет. [c.65]

Сложный интерферометр Фабри—Перо применяется для исследования сверхтонкой структуры спектральных линий, которые состоят из большого числа отдельных компонент. Такая система дает возможность получить одновременно очень малое значение б Я (для тесно расположенных компонент) и значительную величину ДХ (для далеко расположенных компонент). Примером такой структуры мол ет служить, например, зеленая линия ртути, которая имеет семь изотопов — пять четных и два нечетных. Нечетные изотопы дают линии, расположенные на расстоянии около 0,0002 нм четные изотопы имеют, наоборот, линии, отстоящие друг от друга на 0,03—0,04 нм. При соответствующей кратности толщин Р можно получить полную картину сверхтонкой структуры исследуемой спектральной линии в пределах данного порядка интерференции. [c.466]

Однако для исследования сверхтонкой структуры спектральных линий, которые состоят из большого числа отдельных компонентов, необходимо получить одновременно очень малое значение бЯ (для тесно расположенных компонент) и значительную величину А Я (для далеких компонент). Примером такой структуры могут служить, например, энергетические уровни, соответствуюп ие зеленой линии ртути. Ртуть имеет семь изотопов — пять четных и два нечетных. Нечетные изотопы дают линии, расположенные на расстоянии около 0,0002 нм четные изотопы имеют, наоборот, линии, отстоящие друг от друга на 0,03—0,04 нм. [c.137]

В случае проектирования ИС существенно меняется содержание задач этапа За. Здесь должны решаться прежде всего задачи размещения компонентов на полупроводниковой пластине и проведения межсоединений. От того, насколько успешно решены будут эти задачи, зависит общая площадь, занимаемая схемой в кристалле, а следовательно, и процент выхода годных схем, так как количество различного рода искажений структуры кристалла, приходящееся на единицу площади, при данной технологии постоянно. Следует отметить, что между параметрами компонентов, расположенных на одной пластине, существует заметная корреляционная связь, причем коэффициенты корреляции зависят от взаимного расположения компонентов. Следовательно, решения, принятые при разработке топологических схем, оказывают [c.19]

Необоснованность подразделения КМ по назначению отмечается и авторами другой классификации [21, 44], в которой учитываются геометрия расположения компонентов (схема армирования) и их природа. [c.12]

Если расположение компонентов Вас устраивает, щелкните на Панели специального управления по кнопке Прервать команду. [c.559]

Задание взаимного расположения компонентов на основе зависимостей. [c.185]

Рис. 242. Расположение компонент векторов электромагнитного поля при волновом возмущении, распространяющемся вдоль оси X

Комбинирование двух Р-термов — одного четного и другого нечетного, было открыто еще в 1914 г. С. Поповым р ] у ряда щелочноземельных элементов. Эти группы линий отличаются особенным расположением компонент, благодаря чему Попов назвал их кососимметранныма . Дело заключается в том, что расщепления терма pp Poi2 обычно почти точно совпадают с расщеплениями терма sp P j - Этот факт [c.177]

Многие динамические теории континуума типа теории эффективных жесткостей весьма близки к теориям линейно упругих сред со сложной микроструктурой, развитым Миндли-ном [48]. Новые материальные константы, появляющиеся в таких теориях, в случае направленно армированных композитов определяются непосредственно в виде функций параметров, характеризующих расположение компонентов, и классических упругих постоянных компонентов. Вид такой зависимости в про-стейщей теории слоистой среды был указан в работе Геррмана и Ахенбаха 34]. [c.380]

Структура геометрия (морфологая) и расположение компонентов структурных составляющих. Классификация композиционных материалов по геометрии компонентов в определенной степени остается дискуссионной, так как она тесно связана с классификацией по структуре и расположению компонентов и очень часто их не разделяют. Тем не менее мы полагаем, что для лучшего понимания механики и физико-химии композиционных материалов такую классификацию провести целесообразно. Наиболее подходящей, на наш взгляд, является классификация по [c.187]

Из выражений (2.9), например, следует, что даже если оптический элемент на своей собственной поверхности обладает только сферической аберрацией (дифракционная асферика), то на конечном расстоянии от элемента сформированная им сферическая волна характеризуется уже всеми типами аберраций. Именно на этом свойстве процесса распространения сферической волны основан прием коррекции оптических систем за счет взаимного расположения компонентов, когда два находящихся на определенном расстоянии друг от друга оптических элемента образуют систему со скомпенсированными аберрациями, хотя при расположении этих элементов вплотную подобного эффекта достичь нельзя. Внутрипорядковое перераспределение типов аберраций при распространении сферической волны соответствует проективному преобразованию аргументов функций в формулах (2.8). [c.48]

Для малых углов падения os0 l и SK= / 2h). Спектральный интервал, занимаемый исследуемым излучением, не должен превышать этой величины, чтобы максимумы соседних порядков от отдельных монохроматических компонент излучения не перекрывались. По этой причине интервал АЯ. называют свободной областью дисперсии или постоянной интерферометра. В 6.6 показано, что с увеличением расстояния h между пластинами возрастает разрешающая сила прибора, характеризующая способность разделять две близкие по длине волны монохроматические спектральные линии. Однако из (5.81) видно, что увеличение h сопровождается уменьшением области дисперсии SK = l / 2h). При типичных значениях (ft = 5 мм Я. = 0,5 мкм) ДЯ. составляет менее 0,03 нм. Это значит, что при работе с интерферометром Фабри—Перо требуется (за очень редким исключением) дополнительный более грубый спектральный прибор для выделения в излучении источника спектрального интервала, не превосходящего дисперсионной области интерферометра. В простейшем случае может быть применен фильтр, но чаще интерферометр скрещивают с призменным или дифракционным (см. 6.6) спектральным прибором. Можно, например, спроецировать интерференционные кольца на плоскость щели спектрографа так, чтобы центр картины совпал с серединой щели. Когда исследуемый спектр состоит из отдельных линий, изображения щели в свете этих линий, получающиеся в соответствующих местах фокальной плоскости спектрографа, оказываются пересеченными поперечными дугами, представляющими участки колец (рис. 5.31). Таким образом можно изучать структуру спектральных линий, состоящих из нескольких близко расположенных компонент, так как каждая из компонент образует свою систему интерференционных колец. Измеряя на спектрограмме, какую долю от расстояния ДЯ. между дугами колец соседних порядков составляет расстояние между дугами расщепившихся колец, можно определить спектральные интервалы между компонентами линии, структура которой не разрешается спектрографом. Измерения обычно производят на втором или третьем от центра кольце, где дисперсия еще достаточно велика, но изменяется не столь быстро, как в центре интерференционной картины. [c.263]

Классификация по схеме армирования предполагает одноосное (линейное), двухосное (плоскостное) и трехосное (объемное) расположение компонентов. Такое деление правомочно лишь для искусственно создаваемых макрокомпозиционных систем (пластики, железобетон и другие литые или прессованные материалы), сформированных волокнами (стержня- [c.12]

При отключенном режиме автосоздания расположением компонентов можно управлять с помощью переключателя Ориентация. Для некоторых пар элементов ориентация определяется однозначно и изменить ее нельзя. [c.523]

ПОЛОСАТЫЕ СПЕКТРЫ — спектры, состоящие из отдельных полос, содержащих большое число близко расположенных компонент, П. с. характерны для спектров испускания и поглощения молекул. См. Молеку.н.чрпые спектры. [c.105]

Проверка нарушения зазоров в слое шелкографии Обнаружение ошибок расположения компонентов Проверка нарушения ширины проводников [c.167]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...