Разработка УГО диода

Классификационные признаки, отличающие порядковый номер разработки диода [c.246]

Полупроводниковые диоды и подобные им устройства генерируют большое количество тепла в сравнительно малом объеме. Вместе с тем поверхность их мала для того, чтобы эффективно осуществлять передачу выработанного тепла в окружающую среду. Поэтому при разработке полупроводниковых устройств принимают специальные меры для интенсификации теплообмена. [c.241]

Полу проводниковая электроника использует свойства кристаллической решетки веществ, перемещение и распределение зарядов под действием электрических и магнитных полей внутри кристалла. На основе этого созданы разнообразные полупроводниковые приборы — диоды и транзисторы различного назначения, позволяющие уменьшить вес и габариты аппаратуры, увеличить ее долговечность и надежность. Открытие и разработка новых полупроводниковых материалов способствует дальнейшему развитию радиотехники. [c.4]

Интересно отметить, что, начиная с 50-х годов, исследованиям колебательных систем с переменными параметрами было уделено большое внимание в области автоматического регулирования, электротехники и особенно радиотехники в связи с созданием полупроводниковых диодов с управляемой емкостью и разработкой параметрических усилителей [41—47]. [c.10]

В выпрямительном блоке обычно применяют неуправляемые вентили — диоды. Однофазная мостовая схема используется преимущественно в маломощных генераторах (током силой до 125 А) и дополняется довольно большим дросселем для сглаживания выпрямленного тока. Выбор данной схемы оправдан и при разработке источника, универсального по роду тока. Трехфазный мостовой выпрямительный блок на кремниевых диодах обеспечивает хорошо сглаженный ток. Трехфазный генератор переменного тока меньше и легче однофазного, хотя и сложнее в изготовлении. Большая часть вентильных генераторов выполняется по этой схеме. [c.140]

Маркировка диодов состоит из двух или трех элементов первый элемент — буква Д второй — число, отличающее диоды по материалам, типам и разработкам третий — буква, указывающая разновидность типа диода (при отсутствии разновидности буква не ставится). [c.150]

Исследование диодов Тесла [102] завершилось разработкой метода расчета их обратного сопротивления. Указанное сопротивление определяется путем совместного рассмотрения уравнений импульсов и энергии для отсека основного потока в зоне его соединения с потоком бокового канала. Применяемые при этом допущения являются достаточно обоснованными. [c.255]

Третий элемент — трехзначное число, причем первая цифра устанавливается по основным классификационным признакам диапазону рабочих частот и максимальной рассеиваемой мощности для транзисторов и назначению для диодов. Две последние цифры являются порядковым номером разработки прибора в данной группе (табл. 9.1, 9.2). [c.204]

Также начинают применяться целые интегральные ячейки (платы) и функциональные узлы или модули. Последние в миниатюрном исполнении (микромодули) могут иметь до 20 элементов на 1 см . Одновременное совмещение транзисторов, сопротивлений, конденсаторов и диодов, выполняющих определенную функцию, упрощает разработку схем сварочных машин. [c.147]

В практике разработки электронных устройств нередко приходится в одном устройстве сочетать одновременно печатный и объемный монтаж, что вызвано самыми различными причинами в основном конструктивного плана. Некоторые элементы (тумблеры, переключатели и др.) должны монтироваться на элементах конструкции, например на передней панели устройства, и в этом случае они оказываются механически не связанными с печатной платой. Другие элементы устанавливаются на печатной плате, но соединяются с ней объемными перемычками (тиристоры, мощные диоды и др.). Большие и тяжелые элементы, например трансформаторы, не могут вообще быть установлены на печатной плате. [c.206]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в следующем. Элементы микросхемы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы) и их соединения создаются в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). На рис. 9.1 показана последовательность основных технологических операций изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии. Они включают [c.302]

Использование эпитаксиальных пленок в электронной промышленности позволило существенно улучшить характеристики туннельных и лазерных диодов, разработать технологию получения транзисторов с высоким коэффициентом усиления на высоких частотах, мощных и высоковольтных транзисторов. На применении эпитаксиальных слоев основано производство таких приборов, как планарные полевые транзисторы, выполненные на структуре металл-окисел-полупроводник с изоляцией У-образными канавками (У-МОП). Эпитаксиальные структуры также используются для улучшения характеристик памяти с произвольным доступом и комплементарных интегральных МОП-схем. Новые перспективы в технике открыло применение эпитаксиальных гетероструктур, создание которых другими методами затруднено, в полупроводниковых приборах (например, для изготовления инжекционных лазеров). Кроме того, эпитаксия дает возможность получения многослойных структур со свойствами каждого слоя, практически не зависящими от свойств предыдущего слоя. Это открывает широкие возможности для разработки качественно новых типов электронных приборов. [c.322]

Дальнейшее развитие систем управления пошло по пути внедрения транзисторов и диодов. При этом основной принцип систем управления (непрерывный) не изменился, а заменялись лишь узлы. Показатели систем управления улучшились. Однако сам по себе непрерывный метод, большое разнообразие предложенных узлов и неидентичность их режимов работы не позволили добиться резкого улучшения показателей систем управления и упрощения их разработки. Достичь этого можно только при построении дискретных систем управления, которые с успехом применяются в бурно развивающейся области — электронных вычислительных машинах. Здесь накоплен громадный опыт по переработке информации в дискретной форме, выпускаются комплексы унифицированных дискретных узлов (ячеек) на бесконтактных эле.ментах (тран- [c.22]

Точность измерения скорости света определяется в этом случае, во-первых, тем, насколько стабилен данный источник, и, во-вторых, тем, с какой точностью удается измерить частоту и длину волны излучения. Источниками электромагнитного излучения, наиболее удовлетворяющими этим требованиям, являются лазеры. Измерение длины В0Л1ГЫ , основанное на явлении интерференции света, производится с ошибкой, не превышающей величину порядка 10 , Измерение частоты излучения основано на технике нелинейного преобразования частоты. Используемый прибор (например, полупроводниковый диод), приняв синусоидальное колебание некоторой частоты, дает на выходе колебания более высокой частоты — удвоенной, утроенной и т. д. Этот метод с помощью нелинейного элемента излучс1П1Я кратной частоты позволяет измерять частоту излучения лазера и сравнивать его с частотами, измеренным прежде. Согласно результатам изме-рени , в1> пол 1ен ЫМ этим методом в 1972 г., скорость света в вакууме равна (299792456,2 1,1) м/с. Новые методы разработки нелинейных фотодиодов, испо.и.зусмых для смещения частот светового диапазона спектра, позволят в будущем увеличить точность лазерных измерений скорости света. [c.418]

Микроэлектроиика занимается разработкой интегральных микросхем и принципов их применения. Интегральной микросхемой называют совокупность большого числа впаимосвязан-пых компонентов — TfiaHun To-ров, диодов, резисторов, конденсаторов, соединительных проводов, изготовленных в едином технологическом процессе. [c.162]

Приём сигналов в видимой области спектра X = 0,4—0,7 мкм) обычно осуществляют фотоэлектронными умножителями, использование их в области X > 0,9 мкм нецелесообразно из-за резкого уменьшения квантовой эффективности фотокатода < %). В диапазоне 0,9—3 мкм применяются кремниевые фотодиоды pin-диоды, лавинные фотодиоды, МОП-диоды (см. Полевой транзистор) с квантовой эффективностью, достигающей 10%. Создание систем О. л. в диапазоне 10 мкм в значит, степени связано с разработкой высо-кочувствит. и быстродействующих фотодиодов на основе тройных соединений (Hg dTe), работающих при охлаждении жидким азотом (77 К). [c.433]

Во-первых, из-за лавины сообщений о разработке новых композиций материалов с уникальными свойствами, которые применяются в науке, технике, быту, т.е. в нашей с вами жизни. Такие сообщения постоянно появляются не только на периодических научных конференциях и в журнальных статьях, но и на многочисленных страницах Всемирной паутины Internet университетов, фирм, отдельных фаждан. Далее показан кусочек одной из таких страниц с программой DIODE , где ученые ряда крупных европейских университетов и индустриальных центров объединились в решении задачи создания новых приборов (высокочастотных диодов для телекоммуникационных приложений) на базе композитов, сочетающих органические и неорганические. материалы. [c.179]

До настоящего времени принятие новой партии никеля (обычно не менее 4 500 кг) для производства катодных трубочек было весьма длительной и часто сомнительной процедурой. Электровакуумные заводы, получавшие пробные партии катодных трубочек, изготовляли из них опытные партии электронных ламп. Различие в технологии производства на разных заводах приводило к противоречивым результатам одни заводы принимали новую партию трубок, а другие их браковали. Поэтому задачей подсекции 1 общества была координация единых методов испытания для всей промышленности и их оценка. Эта подсекция выработала рекомендации по испытанию плавок катодного никеля (инструкция В238-49Т ASTM). Подсекция 2 разработала стандартные диоды для испытания качества сплавов в лаборатории и исследовала влияние изменений в составе никеля или различных режимов обработки [Л. 25,26 и 26а]. Эти диоды легко изготовляются из стандартных деталей и, таким образом, устраняются трудности, связанные с испытанием новых материалов керна в различных типах ламп. Эталонные партии ламп изготовляют с катодами на трубках из никеля 220, который в необходимом для этой цели количестве отбирают из принятой за годную контрольной плавки (№ 66). Подсекция 3 занимается методами химического анализа, подсекция 4 — вопросами металлургических испытаний, а подсекция 5 — разработкой физических методов испытания. [c.235]

Е Примечавие. Диоды с маркировкой, начинающейся с буквы В, в новых разработках не применять. [c.41]

Область применения функциональных узлов в радиоаппаратуре практически не ограничена. Модульные, микромодульные и микроэлектронные узлы используют сейчас почти во всех видах аппаратуры. Некоторое отставание наблюдается лишь в мощных передающих трактах (блоках передатчиков, антенно-фидерных каналах, блоках питания передатчиков). Однако разработанные на основе новых принципов построения передающих трактов радиоустройства уже сейчас чаще всего используют интегральные микросхемы. Примером могут служить приемопередающие модули антенных фазированных активных решеток (АФАР). В этом немалую роль играют разработки более мощных транзисторов в гигагерцевом диапазоне и новые виды генераторов на основе лавинно-пролетных диодов (ЛПД) и диодов Ганна. [c.213]

Весьма перспективны разработки новых систем возбуждения активных элементов, когда вместо ламп использ оотся диоды. Это так называемые твердотельные лазеры с диодной накачкой. [c.439]

Увеличение выпуска управляемых диодов позволило приступить к разработке источников питания сварочной дуги на переменном токе, работающих в импульсном режиме. В этих источниках напряжение сети преобразуется в пакеты однополярных импульсов с регул1груемой скважностью. [c.103]

Многие дополнительные эффекты можно учесть путем добавления внешних по отношению к исходной модели схемных элементов. Например, при разработке БИС на сверхбыстродействующих, малосигнальных элементах эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) предъявляются повышенные требования к точности моделирования статических характеристик логических цепей каскадно включенных элементов. Эти требования учитываются с помощью модели транзистора (рис. 6.8). Модель транзистора программы ПА-1 без учета Гб и Гк обозначена Гь Достоинство модели состоит в том, что она включает стандартные элементы электронных схем (диоды, резисторы) и не требует непосредственной модификации модели ПА-1. Диод Оэ позволяет учесть зависимость коэффициента В от тока эмиттера /э, а диод Оп и источник тока / —влияние подложки. Параметры дополнительных элементов схемы определяются из условия наилучшего совпадения с соответствующими экспериментальными зависимостями. [c.137]

Приведены теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в современных приборах лазерах, полевых и биполярных транзисторах, диодах с барьером Шоттки. Детально рассмотрены тепловые, генерационно-рекомбинационные, дробовые. флнккерные, взрывные шумы и шумы токораспределеиия этих приборов. Книга предназначена для инженерно-технических работников н студентов вузов, специализирующихся в области разработки и изготовлення полупроводниковых приборов и приемно-усилительных устройств. [c.4]

Характер вида запрещенной зоны бинарных смесей А " — В указан в табл. 7.2. При изменении состава некоторых тройных и четверных смесей вид запрещенной зоны может меняться и быть прямым и непрямым. Это было отмечено на рис. 7.3 и 7.4. Имеется общая тенденция к сужению запрещенной зоны в прямозонных структурах и к ее расширению в непрямозонных. Это удобно при разработке источников излучения ближнего инфракрасного диапазона для волоконных оптических линий связи, но вызывает серьезные трудности при разработке эффективных светоизлучающих диодов. Для них часто применяют сильно легированный азотом и окисью цинка такой непрямозониый материал, [c.219]

Хотя коэффициент связи можно увеличить при использовании диффузного источника меньшего размера и линзового согласующего устройства, полная передаваемая мощность не может быть увеличена до тех пор, пока нет возможности поднять плотность тока инжекции. Если то же самое значение полного тока (/ =. /Лист) остается неизменным, в случае источника меньших размеров может быть реализован выигрыш в (Лвол/ ист) раз. Однако если остается неизменной плотность тока /, то преимущества получить не удается. Поэтому приходится при разработке источника малой площади и высокой яркости придавать особое значение диодам с торцевым излучением и инжекционным лазерам, которые рассматриваются в гл. 9...И и обеспечивают высокую направленность излучения. [c.231]

Выбор материала детектора для оптической связи не вызывает затруднений. При использовании излучателя на основе GaAs/GaAlAs, работающего в диапазоне 0,8. .. 0,9 мкм, наиболее подходящим будет кремниевый детектор. Такие детекторы имеют обедненный слой толщиной в несколько десятков микрометров и обычно делаются в виде p-i-л-диодов. Для излучения с длиной волны свыше 1,8 мкм наиболее подходят германиевые детекторы. При длинах волн более 1,55 мкм также требуется толщина обедненного слоя в несколько десятков микрометров. В диапазоне длин волн около 1,3 мкм активная область должна быть того же порядка или тоньше. Ведутся интенсивные разработки прямозонных детекторов на основе тройных и четверных соединений для использования в более длинноволновых диапазонах. В них обычно используют барьеры Шотки или гетероструктуры, подобные описываемым в 12.4.3. [c.314]

В гл. 12 рассматривалась природа шумов, вносимых фотодиодом в приемную систему. В гл. 14 убедимся, что в случае p-i-n-диодов — это тепловой шум и темновой ток, которые подавляются электронным шумом нагрузки и усилителя. Поэтому можно было бы увеличить отношение сигнал-шум, если бы удалось добиться умножения сигнала в самом детекторе. Конечно, при этом умножится и тепловой шум детектора, но суммарный эффект останется положительным. Как уже было упомянуто в гл. 12, такое умножение можно получить в лавинном процессе при высоких значениях электрического поля. Однако сам процесс умножения ие свободен от шума. Положим, что каждый фотоноситель порождает в конце процесса умножения в среднем М носителей. Любой инициирующий лавину носитель может привести к появлению в результате умножения большего или меньшего М числа носителей. Статистическая природа этого процесса приводит к возрастанию шума. В результате одновременно с возрастанием в М раз сигнального тока в раз увеличивается среднеквадратическое значение уровня шума. Шум-фактор F практически всегда больше единицы и растет с ростом М. Следовательно, для любого лавинного диода в конкретном приемнике имеется оптимальная величина М, при которой достигается наилучшее отношение сигнал-шум. Эти вопросы будут подробно, рассмотрены в гл. 14. Здесь же остановимся на физических механизмах процесса умножения и принципах разработки приборов с оптимальными характеристиками. [c.328]

Большинство УГО различных модификаций дискретных элементов (диодов, транзисторов, переключателей, резисторов и конденсаторов) поставляется лицензионным пользователям в комплекте с профаммой. В связи с большим числом наименований разработка УГО цифровых и аналоговых микросхем затруднена, поэтому Офаничимся лишь рекомендациями по их созданию. [c.172]

В начале XX в. Д. Флеминг разработал первый электронный прибор — двухэлектродную лампу (диод) с односторонней проводимостью (вентильными свойствами), которая была применена в выпрямителях. С тех пор достижения в области средств электропитания неразрывно связаны с новыми разработками электронных вентилей. [c.11]

Разработка эфф. световодных структур и технологии изготовления световодов большой протяжённости, широкополосных высокочувствительных приёмных устройств, долгоживущих (>10 ч) источников излучения (лазерные диоды, светодиоды), по-види-мому, сделают О. с. способной конкурировать со связью по существующим кабельным и релейным магистралям уже в ближайшем десятилетии. Во мн. странах успешно прошли испытания экспериментальных волоконно-оптич. систем связи в телефонной сети. В перспективе системы О. с. со световодными линиями по своим информативным возможностям и стоимости на ед. информации могут стать осн. видом магистральной и внутригородской связи. [c.497]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...