Диоды

Диод полупроводниковый, полупроводниковый [c.318]

Электромагнит ЭЛ/, питается постоянным током с напряжением 27 3, которое создает выпрямитель, выполненный на диодах Д, и Д . Диоды шунтируются выравнивающими сопротивлениями Л, и обеспечивающими одинаковое падение напряжения на каждом диоде. [c.279]

Промежуточное реле питается от выпрямителя через диод Д . [c.279]

Стандарты устанавливают буквенно-цифровые позиционные обозначения для наиболее распространенных элементов. Например, резистор-R конденсатор - С дроссель и катушка индуктивности-L амперметр - РЛ вольтметр-Р С/ батарея аккумуляторная (или гальваническая)-GB выключатель (переключатель, ключ, контроллер и т. n.)-S генератор-G транзистор и диод полупроводниковый, выпрямительное устройство - V двигатель (мотор)-М предохранитель-F трансформатор-Г электромагнит (или муфта электромагнитная) - У. [c.278]

Наиболее эффективным средством защиты металлических конструкций от коррозии блуждающими переменными токами является метод поляризованных (присоединенных к защищаемому сооружению через полупроводниковые диоды) протекторов и дренажей он дает возможность снять с корродирующих металлических конструкций анодный полупериод переменного тока и оставить на них катодный полупериод, который обеспечивает их катодную защиту. [c.397]

Все АРМ снабжены накопителями, в которых хранятся соответствующие файлы информации описание типовых логических схем компонентов БИС, описание и характеристики электронных элементов БИС (транзисторов, диодов и т. д.), данные для планирования технологии изготовления БИС и другие справочные и архивные данные. Все файлы через внешние связи подключены к центральному БД информационно-вычислительного центра (ИВЦ) предприятия. [c.85]

Примеры математических моделей элементов электронных схем. Для конденсаторов, катушек индуктивности и резисторов чаще всего применяют простые модели (4.33). Примерами сложных элементов являются транзисторы, диоды, трансформаторы. [c.171]

Практически достоинством диода на основе арсенида галлия является то, что в широком диапазоне температур от 1 до по меньшей мере 400 К прямое падение напряжения на диоде при постоянном токе через диод зависит от температуры почти линейно. Так же ведут себя и кремниевые диоды при температурах выше 30 К, причем линейность у них даже лучше, чем [c.254]

Рис. 5.50. Зависимость прямого падения напряжения от температуры для диодов ОаАз и 51 [75].

Детального равновесия принцип 322 Джинса число 113, 312 Джоуля закон 19 Диоды кремниевые 251 [c.444]

Обозначения условные графические общего назначения содержит ГОСТ 2.721—74 (СТ СЭВ 1984—79) размеры условных графических обозначений заземлений, измерительных приборов, предохранителей, контактов, разъемов, конденсаторов, диодов, триодов и т. п. элементов приведены в ГОСТ 2.747—68. По схемам выпущено довольно большое число стандартов. Более подробные сведения о них можно получить, обратившись к указателю стандартов по состоянию на 1 января данного года (класс Т52). [c.349]

Рис. 5. Размеры обозначений диодов и тиристоров

Рис. 8. Пример изображения типовой однофазной мостовой выпрямительной схемы на полупроводниковых диодах

Диод полупроводниковый вентиль полупроводниковый [c.224]

V Приборы электровакуумные Диод, стабилитрон VD [c.496]

Навесные радиоизделия - диоды, резисторы, конденсаторы и др. припаивают к плате на стороне, противоположной печатному монтажу, и на двусторонних платах - на стороне, где печатных проводников меньше. Для этого в плате сделаны металлизированные монтажные отверстия, которые зенкуют и окружают контактными площадками (рис. 24.18). В такие отверстия также впаивают штыри (контакты) соединителя. [c.502]

Предусматривают и крепежные отверстия, не металлизированные изнутри, для установки панели, соединителя, ручки и крупных элементов - трансформаторов, переменных сопротивлений, уголков для установки, например диодов, конденсаторов, микросхем и т.д. [c.503]

Прочитаем подробно эту схему. В первую очередь ознакомимся с элементами электрической системы прибора. По условным обозначениям определяем, что электрическая часть прибора включает электродвигатель, трансформатор, прерыватель, реле, электромагнит, диоды, постоянные сопротивления и одно полупеременное, а также систему электропроводов, посредством которых и осуществлена связь между всеми этими элементами. Питание от сети подводится через предохранитель и выключатель. По спецификации можно, пользуясь условными буквенными обозначениями каждого элемента, узнать их полное название и основные характеристики. [c.279]

Более высокие значения тока через диод не рекомендуются из-за сильного эффекта самонагрева, а при токах, меньших 1 мкА, характеристика становится нелинейной при температурах выше 77 К. Воспроизводимость результатов для диодов на ОаАз составляет 10 мК выше 77 К и ниже 7 К, однако вблизи 20 К воспроизводимость не лучше 30 мК. Ниже 30 К кремниевые диоды дают более воспроизводимые результаты, чем диоды на ОаАз, но, к сожалению, проявляют большую чувствительность к магнитным полям при низких температурах. Магниторезистивный эффект у кремниевого [c.255]

Модули расчета ха )актеристнк с помощью макромоделей транзисторов и диодов различных типов. [c.102]

Позиционное обозначение в общем случае состоит из трех частей. В первой части указывают вид элемента (устройства) одной или несколькими буквами (буквенные коды распространенных видов приведены в табл. 24.2), например, R - резистор, С - конденсатор (для уточнения вида элемента допускается применять двухбуквенный код, например, для полупроводникового прибора-диода VD) во второй части - порядковый номер элемента (устройства) в пределах данного вида, например R1, R2,. .., R12 С1, С2,. .., С14 в третьей части допускается указывать соответствующее функциональное назначение, например 4I - конденсатор С4, используемый как интегрирующий. Сведения о функциях элементов и устройств не относятся к инженерной графике, они даются в специальной литературе, например в [2]. [c.493]

Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие, называют элементом интегральной микросхемы (резисторы, конденсаторы, диоды и др.). [c.538]

Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС) формируются из элементов (резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) внутри подложки. Подложка изготавливается из полупроводниковых материалов, обычно кремния или германия, и межэлементных соединений (проводников) на поверхности подложки. Размеры ПИМС порядка 1-5 мм . [c.538]

Катодная защита от коррозии (1984) -- [ c.220 , c.221 , c.283 , c.284 , c.309 ]

Справочник машиностроителя Том 2 (1955) -- [ c.360 , c.361 , c.362 ]

Справочник металлиста Том 1 Изд.2 (1965) -- [ c.246 ]

Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий (1976) -- [ c.4 , c.193 ]

Средства заряда аккумуляторов и аккумуляторных батарей (1988) -- [ c.0 ]

Справочник машиностроителя Том 6 Издание 2 (0) -- [ c.2 , c.360 , c.361 , c.362 ]

Техническая энциклопедия Том15 (1931) -- [ c.0 ]

Техническая энциклопедия Том 11 (1931) -- [ c.0 ]

Машиностроение Энциклопедический справочник Раздел 1 Том 1 (1947) -- [ c.360 , c.361 , c.362 , c.541 ]

Справочник машиностроителя Том 1 Изд.2 (1956) -- [ c.0 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...