Эффективность инжекции

В пределах одной или двух инжекционных длин с любой стороны обедненного слоя происходит рекомбинация носителей и рекомбинационное излучение генерируется в этой области. В полупроводниковых источниках света обычно применяют асимметричное легирование, чтобы обеспечить превышение генерации с одной стороны перехода. Обычно материал п-типа легируется значительно сильнее, чем материал р-типа, т. е. формируется л -р-переход. Значение по может составлять 10 м , тогда как пл 10 м . Тогда ток положительного смещения проходит через переход в основном за счет электронов, инжектированных в слабо легированную область р-типа, где и происходит генерация рекомбинационного излучения. В этом случае можно определить эффективность инжекции как отношение электрон- [c.206]

Получим выражение для эффективности инжекции в р- N гетероструктуре (рис. 9.7) в предположении, что рекомбинационный ток меньше диффузионного тока/,. Подробно это условие будет обсуждаться в 9.1.4. Область 1 соответствует узко.зонному материалу р-типа с концентрацией акцепторов пл и равновесной концентрацией носителей и Про Область 2 соответствует широкозонному материалу, имеющему концентрацию доноров и концентрацию носителей по и пЛ> Ло- В соответствии с (7.2.1) плотность собственных носителей может быть представлена в виде [c.246]

Эффективность инжекции может быть получена в результате подстановки (9.1.7) в (7.5.7) [c.247]

Большое достоинство двойной гетероструктуры в поддержании высокой эффективности инжекции даже при очень высоких у ровнях легирования. Проблема заключается в том, что оба безызлучательных члена в (9.2.6) зависят от степени легирования. При выше 10 м дефекты решетки вызывают быстрое падение Tg, а в любом случае снижение общего времени жизни уменьшает Lpj и поэтому приводит к меньшей толщине активного слоя d. [c.253]

Необходимы исследования, связанные с совершенствованием серийно выпускаемых контактно-сепарационных элементов, в связи с появлением новых конструктивных узлов и деталей (комбинированный завихритель, трубка инжекции жидкости, вытеснитель), поскольку они в совокупности дополняют другие и на их основе можно сделать практические выводы о характере потока и эффективности работы элемента в целом. [c.282]

Для создания инверсии в полупроводниках используют четыре типа возбуждения инжекцию носителей заряда, электронную накачку, ударную ионизацию (лавинный пробой) и оптическую накачку. Наибольшую эффективность имеют два первых типа накачки, которые и получили самое широкое распространение. [c.946]

Достаточно эффективным является управление величиной тяги путем симметричной инжекции газа в сверхзвуковую [c.304]

Другой эффективный путь защиты поверхности от высокотемпературного потока состоит в подаче в пограничный слой охлаждающей жидкости, создающей на поверхности защитный слой или пленку. Жидкость может вводиться в пограничный слой многими способами, что делает число геометрических переменных задачи довольно значительным. Три распространенные системы инжекции показаны на рис. 11-4. [c.302]

Струйные компрессоры применяются при степени сжатия pJp 2,5. При более высокой степени сжатия применение струйного компрессора недостаточно эффективно вследствие значительного снижения коэффициента инжекции. [c.59]

Для вторичной инжекции возможно использование жидкостей (как инертных, так и компонентов топлива) и газов (которые можно отобрать в камере сгорания, получить в специальном газогенераторе или подать из специальной емкости). Эффективность работы системы вторичного впрыска можно оценить по двум параметрам коэффициенту усиления Si и коэффициенту прироста тяги S2 [c.203]

Как и для кремния, эффективным способом повышения структурного совершенства монокристаллов соединений, содержащих ростовые микродефекты, является термообработка вырезаемых из таких слитков пластин. В данном случае для контролируемой инжекции в объеме пластины тех или иных вакансий или межузельных атомов может быть использован высокотемпературный отжиг в вакууме, атмосфере водорода или очищенных газов, а также в атмосфере паров летучего компонента соответствующего соединения. [c.58]

Для нейтрализации кислот, присутствующих в парах верхней части колонны, нейтрализующие реагенты, такие как аммиак, в газообразной фазе или в виде водного раствора вводятся в линию, которая соединяет верхнюю часть ректификационной колонны с конденсатором, или в питательную линию дефлегматора. Инжекция аммиака необходима для поддержания pH воды, конденсирующейся в этой линии, в необходимом интервале. Величина pH этой воды зависит от вида солей, разлагающихся в верхней части колонны в паровой фазе. Таким образом, эффективный контроль за процессом коррозии в верхней части ректификационной колонны осуществляется по величине pH воды, конденсирующейся. в линии для выходящих паров. [c.97]

Прежде эффективность нагнетания контролировалась гидравлическим прессованием. На основе огромного материала наблюдений автор отмечает, что гидравлическое прессование часто оказывалось недостаточным для правильной оценки результатов инжекции. Вследствие инжекции грунтовая вода, содержащаяся в трещинах породы, замещается впрыскиваемым раствором. Это означает изменение удельного сопротивления неоднородного тела. Вначале оно состояло из твердой породы и водоносных трещин, а после инжекции из твердой породы и закачанного раствора. [c.87]

Основным показателем, характеризующим эффективность пароструйного компрессора, является коэффициент инжекции, который определяется по следующей формуле [c.267]

Как следует из соотношений (3.46) и (3.47), при увеличении уровня инжекции неравновесных носителей заряда диапазон энергий, в который попадают рекомбинационные центры, расширяется. В условиях, близких к равновесным, наиболее эффективно рекомбинация идет через уровни, расположенные вблизи г,/ — 2и - и . [c.100]

Анализ полученных при условии малого уровня инжекции зависимостей 5( 5) в рамках модели поверхностной рекомбинации на дискретном центре достаточно прост. Из положения максимума эффективной скорости поверхностной рекомбинации по оси потенциалов определяют отношение сечений захвата электронов и дырок из величин и, (см. (3.58)) — два возможных значения е, и, наконец, из [c.105]

На рис. 2.1. приводилась энергетическия диаграмма инжекционного контакта металл — диэлектрик. На практике реализация таких контактов может представлять сложную задачу. Однако получить эффективную инжекцию можно и при блокирующих контактах при условии достаточно высокой напряженности электрического поля и достаточно тонкого потенциального барьера на границе металл — диэлектрик, что обеспечивает возникновение туннелирования. Для повышения уровня инжекции применяется также подсветка диэлектрика через полупрозрачный электрод (т. е. для генерации неравновесных носителей заряда используется фотоэффект). Распространенным способом повышения интенсивности инжекции является использование металлического острия, вблизи которого на- [c.47]

А. Высокая эффективность инжекции. Из рис. 9.6 и 9.7 видно, что основные носители стремятся покинуть узкозонный материал (материал 1). Это приводит к уменьшению доли тока через переход, обусловленного неосновными носителями, инжектированными в материал 2. При отличии энергетических зазоров более чем на несколько кТ этот эффект гораздо существеннее, чем действие легирования, описываемое выражением (7.5.8). [c.244]

В качестве примера рассмотрим два материала, у которых разница величины запрещенных зон составляет 0,37 эВ. Это соответствует сис- теме GaAs/Gao.7 Alo,зАз. При комнатной температуре экспоненциальный коэффициент в (9.1.7) составляет 1,5- 10 и значительно превышает все другие члены в выражении для Je Jh- Благодаря этому поддерживается высокая эффективность инжекции в такой гетероструктуре даже тогда, когда пр/пл и L Lp оказываются малыми. [c.247]

Вывести выражение, подобное равенству (9.1.7) для отношения дырочной плотности тока к электронной для положительно СА ещенной п-р гетероструктуры (рис. 9.6, б). С учетом полученного результата рассчитать эффективность инжекции при 100 С для дырок в узкозонной области положительно смещенной П+-Р гетероструктуры, в которой Пд = 10 м" , Пр == 10 м . Предполагается, что Egi = 0,95 эВ, — 1,35 эВ, Тр/(с] — 10 м- 1/Пу(, т /(с1 — 10 Х Х(м- 1/п , De = Dft, A i = Л а. [c.263]

Гетероструктуры п-М и р-Р обычно характеризуются омическим поведением. Гетероструктуры п-Р и М-р имеют характеристики, подобные характеристикам р-п гомопереходов, но с повышенной эффективностью инжекции неосновных носителей в узкозонный материал. [c.264]

Для литья под давлением фторопластов пригодны как плунжерные, так и шнековые литьевые машины. Однако подготовка полимера к впрыску наиболее эффективно и быстро производится на шнековых отитьевых машинах с двухстадийной системой обработки материала предварительной пластикацией и инжекцией. Машины с предварительной пластикацией имеют ряд преимуществ перед поршневыми, а именно более точно контролируются температуры расплава, давления, количества впрыснутого в форму материала большая скорость инжекции и высокая способность пластицировать материал более эффективное использование мощности наряду с высокой производительностью. [c.65]

Реальные контакты. Инжекция и экстракция веос-новны.х носителей коптакто.м с обеднённым слоем эффективны ли1пь в случае, когда контакт не является дополнит, источником рекомбинации или генерации носителей, т. е. если потоки носителей каждого типа переносятся через обеднённый слой без потерь и приобретений . Последние обусловлены тремя причинами. [c.448]

Зарядовая нейтрализация пучка происходит при инжекции в достаточно плотную плаз.му за счёт вытеснения из его объёма медленных плазменных электронов с характерным временем (4яа) , где а — проводимость плазмы. Если к моменту достижения нейтрализации ток С. п. продолжает нарастать, то эдс индукции создаёт ток оставшихся плазменных электронов, направленный против тока пучка и вызывающий токовую нейтрализацию. При небольшой плотности плазмы, когда плазменная частота озр < с/а, обратный ток распределён по всему объёму, так что токовая нейтрализация неполна и имеет интегральный характер. При Ыр > da происходит локальная нейтрализация, за исключением поверхности С. п., где образуется двойной токовый слой толщиной - juip и сосредоточено ыагн. поле. В таких условиях частицы С. и. практически свободны, а сам он электродинамически венаблюдаем. Эффективность переноса пучком мощности и энергии через плазму на расстояния 1м близка к 100%, но на больших расстояниях уменьшается за счёт раал. неустойчивостей С. п., в первую очередь поперечной неустойчивости, выражающейся в изгибании пучка как целого и разбиения его на отд, нити. [c.503]

При инжекции пучка в нейтральный газ существенны процессы Нестационарной ионизации, длительность к-рых может быть сравнима с длительностью С. п. Вначале за время (для воздуха) порядка (0,7/р) нс, где р — давление газа в мм рт. ст, (торрах), за счёт прямой ионизации образуется кол-во ионов, достаточное для зарядовой нейтрализации, и вторичные электроны перестают уходить поперёк пучка. После этого медленные электроны дают вторичную ионизацию, скорость к-рой определяется ускоряющим их индукционным электрич. полем и давлением. Если за время существования С. п. успевает развиться ионизац. лавина, то проводимость скачком возрастает и все дальнейшие изменения тока С. п. точно компенсируются обратным током по плазме, что приводит к фиксации степени токовой нейтрализации и конфиг5фации пучка в момент пробоя. Эффективность распространения мала при малых давлениях (ниже 10 торр), когда нет даже зарядовой нейтрализации, достигает максимума при давлениях 0,1 — 1 торр, где может осуществиться токовая нейтрализация, а при больших давлениях падает из-за процессов рассеяния. [c.503]

МДП-структуры позволил значительно расширить возможности метода постоянного тока. Из зависимости напряжения на структуре от времени определяются временные зависимости заряда, инжектированного в диэлектрик, и туннельного тока на всех этапах инжекции от стадии заряда емкости МДП-структуры до пробоя образца. Из временных зависимостей тока инжекции и напряжения на образце может быть получена ВАХ на участке туннельной инжекции, из которой при построении ее в координатах Фаулера-Нордгейма можно определить высоту потенциального барьера на инжектирующей границе раздела и толщину диэлектрика. Минимальный уровень тока полученной ВАХ ограничен точностью измерений, а максимальный - значением /q. Из временных зависимостей напряжения на МДП-структуре на стадии инжекции, когда весь ток, пропускаемый через образец, является током инжекции, определяют сечения захвата зарядовых ловушек, изменение эффективного заряда диэлектрика, заряд, инжектированный до пробоя. В области высоких полей определяется также напряжение микропробоя. [c.126]

Весьма эффективным методом улучшения пространственных и временных характеристик излучения ПГС является инжекция маломощного внешнего сигнала с высокой степенью когерентности. В этом случае генерация развивается не от уровня шумов, а от уровня инжектируемого сигнала. Для инжекции можно использовать излучение полупроводниковых лазеров [41] или лазеров на красителе, синхронно-накачиваемых частью цуга излучения задающего генератора. В отличие от полупроводниковых лазеров, имеющих узкий диапазон перест- [c.257]

При низких уровнях инжекции (участок 2) эффективная дрейфовая подвижность электронов (дырок) понижена вследствие того, что в окрестности структурных дефектов пропс.ходят. микропроцессы захвата н освобождения электронов ловушками ( прилипание ). Это торможение на ловушках снижает подвижность носителей заряда и уровень ТОПЗ по сравнению с бездефектными кристаллами. При напряжении U>U2 все ловушки оказываются заполненными и ток ступенчато повышается (участок 3) за счет тех инжектируемых носителей заряда, которые не тормозятся на ловушках. Поэтому по величине опреде- [c.48]

Здесь 8 — диэлектричесжая проницаемость т — время жизни носителей заряда а — параметр данного кристалла Ип и Up—подвижности электронов н дырок. По величине Uk можно определить концентрацию уровней рекомбинации. Интересно отметить, что в случае двойной ннжвкцин зависимость тока от расстоя-яня между электродами становится еще более сильной, чем при монополярной Очевидна необходимость изготовления весьма тонких образцов диэлектриков и полупроводников и соответственно совершенствования тонкопленочной технологии. Биполярная инжекция может приводить и ко многим других вариантам вольт-амперных характеристик, отличающимся от приведенной на рис. 2.3,6. На особенности зависимости j(U) влияют глубина залегания уровней прилипания электронов и дырок, подвижность носителей заряда, а также эффективность их рекомбинации. Очень большое значение имеют также качество и характер инжектирующих контактов. [c.51]

Представляет интерес рассмотреть задачу о теплообмене затопленной струи, распространяющейся в нагретой трубе большого диаметра D > d. Граничные условия имеют вид Vr = = Ve = v = О, T = Tq при 2Д sin 0 = где Tq — температура трубы. Для описания поля скоростей аналогично разд. 3.3 можно ограничиться решением Ландау (1.1), (1.2). Поле температуры следует искать в виде разложения по положительным степеням R (32). Как показывают зависимости Wj(Ke) при Рг = 0,5 (см. рис. 109), решение должно характеризоваться ипжекцией теплосодержания W — СрТ струи в область течения, причем существует число Рейнольдса Ке 10, при котором инжекция максимальна. Этот факт может быть использован для организации эффективного струйного охлаждения. [c.300]

Правильный выбор размеров области устойчивости <1>. к. iirjiaeT важную роль при инжекции. Чтобы захват частиц в ВЧ режим ускорения был эффективным, пан1)яжение V при инжекции ие должно быть слишком мал].1м, т. к. нри V О область устойчивости вообще исчезает. С др. стороны, при большом V, согласно ф-. е (5), возрастает амплитуда колебаний энергии и, соответственно, радиуса орбиты. В результате инжектированная частица может попасть на стенку вакуумной камеры или вернуться к инжекторному устройству, что ограничивает интенсивность. Кроме того, в си.пыюфокусирующих ускорителях большие колебания 1)адиуса заметно меняют условия фокусировки, что так-.ке может привести к потере части пучка (см. Фокусировка частиц). Поэтому в синхротронах значение V изменяют в процессе ускорения (плавно или скачком) оно должно быть велико в конце ускоре- [c.282]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...