Инжекция биполярная

Двойная (биполярная) инжекция осн. носителей возникает, когда электроны и дырки инжектируются с противоположных электродов и движутся навстречу. Т. к. они могут нейтрализовать друг друга, то ток ограничивается лишь рекомбинацией носителей заряда и обычно гораздо больше тока монополярной [c.148]

Осн. способами варьирования концентрации биполярной плазмы являются оптич. накачка (фотогенерация электронпо-дырочпых иар), ударная ионизация в сильном электрич. поло, контактная двойная инжекция носите.гей заряда. Ограничивает неравновесный рост [c.603]

При контактной инжекции или при локальной фотогенерации распределение пар по образцу осуществляется благодаря амбиполярной диффузии, а при пропускании через образец тока — благодаря биполярному дрейфу. Биполярный дрейф имеет место в примесном полупроводнике, где концентрация электронов п отлична от концентрации дырок р, причём направление дрейфа в электрич. поле Б определяется знаком разности р — в. Именно благодаря дрейфу возможен токовый перенос неравновесной концентрации на большие расстояния, оцениваемые длиной биполярного дрейфа [c.603]

НИЮ в области барьера дрейфовых потоков над диффузионными (см. Контактные явления в полупроводниках). Основные захономерности Э. н. з. определяются полем заряда, образующегося в объёме полупроводника. Поскольку знак этого заряда противоположен знаку носителей, вытягиваемых в контакт, создаваемое им поле препятствует Э. н. 3. Различия в механизме образования объёмного заряда приводят к необходимости подразделять Э. н. з. (так же, как инжекцию) на монополярную и биполярную (двойную), стационарную и нестационарную. Б. И. Фукс. [c.506]

Наиболее изучены процессы монополярной инжекции, когда в кристалл вводятся носители только одного типа (электроны или дырки). В этом случае ин-жекция происходит только из одного электрода в диэлектрик проникают нли электроны из катода, или дырки из анода. При биполярной инжекции электроны и дырки вводятся в кристалл с двух противоположных электродов. [c.47]

Как при монополярной, так и при биполярной инжекции носители заряда оказываются неравновесными и нарушают электронейтральность кристалла (равновесные носители, например тепловые, генерируются парами и нейтральность не нарушают). Вследствие нарушения электронейтральности в диэлектрике образуется пространственный (объемный) заряд, который частично захватывается дефектами-ловушками. В условиях существования пространственного заряда зависимость плотности тока от напряженности поля становится нелинейной (закон Ома нарушается). [c.47]

Биполярная инжекция характеризуется еще более сложными вольт-аыперны-ми характеристиками, чем монополярная. Один из типичных случаев такой характеристики приводится иа рис. 2.3,6. Предполагается, что диэлектрик содержит только один тип неглубоких уровней. Линейный участок, где выполняется закон Ома, на рис. 2.3,6 не показан. На участке 2 роль ловушек, как и в случав монополярной инжекции, сводится к понижению подвижности носителей заряда. [c.50]

Здесь 8 — диэлектричесжая проницаемость т — время жизни носителей заряда а — параметр данного кристалла Ип и Up—подвижности электронов н дырок. По величине Uk можно определить концентрацию уровней рекомбинации. Интересно отметить, что в случае двойной ннжвкцин зависимость тока от расстоя-яня между электродами становится еще более сильной, чем при монополярной Очевидна необходимость изготовления весьма тонких образцов диэлектриков и полупроводников и соответственно совершенствования тонкопленочной технологии. Биполярная инжекция может приводить и ко многим других вариантам вольт-амперных характеристик, отличающимся от приведенной на рис. 2.3,6. На особенности зависимости j(U) влияют глубина залегания уровней прилипания электронов и дырок, подвижность носителей заряда, а также эффективность их рекомбинации. Очень большое значение имеют также качество и характер инжектирующих контактов. [c.51]

Во многих случаях работу и функционирование ПТИЗ можно предсказать исходя из поведения стационарных характеристик. Характерная скорость переключения этих приборов обычно превышает скорость, с которой могут функционировать реальные интегральные схемы на ПТИЗ. Такое быстродействие обусловлено тем, что ПТИЗ является прибором на основных носителях без существенной инжекции неосновных носителей в отличие от биполярных транзисторов, являющихся приборами на неосновных носителях. Быстродействие интегральных схем на биполярных транзисторах определяется временем отклика каждого отдельного прибора. Таким образом, представляется важным нестационарное моделирование биполярных приборов. [c.486]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...